JP2003332712A - 金属パターンの製造方法、コンタクトプローブの製造方法及びコンタクトプローブ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属パターンの形状精度を向上させる。 【解決手段】 コンタクトプローブ３１のパターン配線
３２（金属パターン）をフォトリソ・めっき法によって
形成するための基板として、透明材料製の板材Ｂの表面
に透明導電体からなる導電体層４７を形成した支持基板
４６を用いる。支持基板４６上にフォトレジスト層４８
を形成し、その上にフォトマスク４９（マスクパター
ン）を施して露光して、フォトレジスト層４８に前記パ
ターン配線３２と同じパターンをなす非定着部５１と、
非定着部５１以外の領域からなる定着部５２とを形成す
る。フォトマスク４９と非定着部５１とを除去し、フォ
トレジスト層４８に形成された開口部４８ａに、Ｎｉ基
合金層Ｎ（金属層）を電解めっき処理により形成してパ
ターン配線３２とする。定着部５２を除去した後にパタ
ーン配線３２の上にフィルム３３を接着し、これらを支
持基板４６から分離させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属パターンの製
造方法、コンタクトプローブの製造方法、及びこの製造
方法を用いて製造されるコンタクトプローブに関する。

【０００２】

【従来の技術】このような金属パターンとしては、例え
ば、コンタクトプローブのパターン配線等がある。この
コンタクトプローブ１は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プやＬＣＤ（液晶表示体）等の回路の電気的テストに用
いられるものであって、例えば図５に示すようにＮｉ基
合金等からなる複数本のパターン配線２の上に接着剤層
を介してフィルム３が被着され、パターン配線２の先端
部はコンタクトピン２ａとされている。またフィルムの
幅広の基部１ｂには窓部４が形成され、この窓部４には
パターン配線２の引き出し配線部５が設けられている。
なお、フィルム３はポリイミド等の樹脂フィルム層から
なり、或いはポリイミド等の樹脂フィルム層に銅箔等の
金属フィルム層がグラウンドとして積層されたもの等で
もよい。

【０００３】このようなコンタクトプローブ１は、図６
及び図７に示すようにマウンティングベースやトップク
ランプやボトムクランプ等のメカニカルパーツ７に組み
込まれてプローブ装置８とされる。即ち、図６及び図７
に示すプローブ装置８において、円盤形状をなし中央窓
部１０ａを有するプリント基板１０の上に、例えばトッ
プクランプ１１を取り付け、またコンタクトプローブ１
の先端側を両面テープ等でその下面に取り付けたマウン
ティングベース１２を、トップクランプ１１にボルト等
で固定する。そしてボトムクランプ１４でコンタクトプ
ローブ１の基部１ｂを押さえつける。その際、プリント
基板１０とコンタクトプローブ１の基部１ｂは位置決め
ピンによって相互の位置決めがなされる。

【０００４】これによって、コンタクトプローブ１がマ
ウンティングベース１２の下面でコンタクトピン２ａを
下方に向けた傾斜状態に保持され、コンタクトプローブ
１の基部１ｂにおいてパターン配線２の引き出し配線部
５がボトムクランプ１４の弾性体１５で窓部４を通して
プリント基板１０の下面の電極１６に押し付けられて接
触状態に保持されることになる。この状態で、コンタク
トピン２ａを半導体ＩＣチップやＬＣＤ等のパッドやバ
ンプ等の微細な電極端子（図７ではＩＣチップ１８のパ
ッド１８ａ）に接触させることにより、上記パターン配
線２及びプリント基板１０の配線を介してこの半導体チ
ップ等の電気的テストが行われる。

【０００５】上述のコンタクトプローブ１の各パターン
配線２等の金属パターンは、以下に述べるように、マス
ク露光技術を用いてフォトリソ・めっき法によって製作
されている。まず、導体基板上にフォトレジスト層を形
成し、このフォトレジスト層上に所望の形状の開口部を
有するマスクパターンを設けた状態でフォトレジスト層
を露光して、フォトレジスト層に、製作する金属パター
ンと同じパターンをなす非定着部とこの非定着部以外の
領域からなる定着部とを形成する。ここで、非定着部と
は、フォトレジスト層において現像した際に除去される
部分を指し、定着部とは、現像した後に残存する部分を
指している。そして、導体基板上からマスクパターンを
除去し、フォトレジスト層を現像して非定着部を除去し
た後に、導体基板上において非定着部が除去された領域
に金属層をめっき処理により形成して、所望の形状の金
属パターンを得る。ここで、従来、導体基板としては、
ステンレス等の金属板の表面に薄い銅の層を形成したも
のが用いられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の金属パ
ターンの製造方法では、得られる金属パターンが所望の
形状とは異なる形状に形成されてしまう。これには、以
下の理由が考えられる。

【０００７】フォトレジスト層を露光する際にフォトレ
ジスト層に照射された光は、フォトレジスト層において
露出されている部分を透過して基板表面に達し、基板表
面で乱反射する。この反射光によって、フォトレジスト
層において露出されている領域の近傍では、マスクパタ
ーンによって覆われている領域の、特に基板表面近傍の
部分までもが露光されてしまい、フォトレジスト層の定
着部が所望の形状とは異なる形状に形成されてしまう。
このことは、フォトレジストとしてネガ型、ポジ型のい
ずれの型を用いても生じる。このため、この導体基板上
において非定着部が除去された領域に金属層を形成して
得られる金属パターンの形状精度が低下してしまう。こ
のことは、形成する金属パターン間のピッチが狭くなる
につれてより深刻となる。特に、このようにして製造さ
れる金属パターンをコンタクトピン２ａとして用いるコ
ンタクトプローブでは、コンタクトピン２ａの形状精度
が低下することで、微細な電極の検査に支障をきたして
しまう。

【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、金属パターンの形状精度を向上させることが
できる金属パターンの製造方法及びこれを用いて製造さ
れるコンタクトプローブを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる金属パタ
ーンの製造方法は、電解めっきによる金属パターンの製
造方法であって、導体基板上にフォトレジスト層を形成
するフォトレジスト層形成工程と、該フォトレジスト層
上にマスクパターンを設けるマスキング工程と、前記フ
ォトレジスト層を露光して、このフォトレジスト層に非
定着部と定着部とを形成する露光工程と、前記導体基板
上から前記マスクパターン及び前記非定着部を除去する
除去工程と、前記金属パターンに供される金属層を、前
記導体基板上において前記非定着部が除去された領域に
めっき処理により形成するめっき処理工程とを有し、前
記導体基板として、前記露光光に対して透明な透明導電
体を用いることを特徴とする。

【００１０】この金属パターンの製造方法は、マスク露
光技術を用いてフォトリソ・めっき法によって金属パタ
ーンを製造するものであって、フォトレジスト層が形成
される導体基板として、フォトレジスト層の露光に用い
られる露光光（電磁波）に対して透明な透明導電体を用
いている。

【００１１】フォトレジスト層を露光する際にフォトレ
ジスト層に照射された露光光は、フォトレジスト層にお
いてマスクパターンから露出されている部分を透過して
導体基板の表面に達するが、導体基板は透明導電体によ
って構成されており、導体基板の表面による光の反射は
ほとんど生じない。このため、フォトレジスト層におい
てマスクパターンから露出されている領域のみが感光す
ることになり、定着部及び非定着部がマスクパターンに
忠実な形状に形成される。そして、基板上からマスクパ
ターン及び非定着部を除去した後に、パターン配線に供
される金属層を、基板上において非定着部が除去された
領域にめっき処理により形成することで、マスクパター
ンに忠実な形状のパターン配線が形成される。

【００１２】上記の透明導電体は、全ての波長の電磁波
を透過させる材質である必要はなく、露光工程において
フォトレジスト層に照射される露光光と同じ波長の電磁
波を透過させることができればよい。また、ここでいう
透明とは、透過率６０％以上を指しており、この透明導
電体は、前記波長の電磁波を１００％透過させる材質で
ある必要はなく、６０％以上透過させることができれば
よい。ここで、基板を構成する透明導電体の光の透過率
が６０％よりも少ないと、フォトレジスト層を露光する
際に基板の表面で反射する光が多くなり、フォトレジス
ト層において本来光を当てたくない領域にも感光するの
に十分な量の光が当たることとなり、定着部及び非定着
部の形状、すなわちパターン配線の形状精度が低下して
しまう。

【００１３】また、この金属パターンの製造方法におい
て、前記導体基板として、透明材料からなる板の上に前
記透明導電体からなる導電体層が形成されてなる基板を
用いてもよい。この場合には、透明導電体自体を透明材
料からなる板の上に層状に形成することで基板を得るこ
とができるので、板状に形成することが困難な材質の透
明導電体を用いることができる。この透明材料は、板状
に加工することができるものであれば、導電体であって
も、また絶縁体であってもよく、例えばガラス等を用い
ることができる。

【００１４】ここで、透明材料は、透明導電体と同じ
く、全ての波長の電磁波を透過させる材質である必要は
なく、露光工程においてフォトレジスト層に照射される
露光光と同じ波長の電磁波を透過させることができれば
よい。また、その透過率も、６０％以上であればよい。

【００１５】本発明にかかるコンタクトプローブの製造
方法は、フィルム上に形成されたパターン配線の先端部
がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの製造方
法であって、基板上にマスクを施してマスクされていな
い部分に、前記パターン配線に供される金属層をめっき
処理により形成するめっき処理工程と、前記マスクを取
り除いた金属層の上に前記フィルムを被着するフィルム
被着工程と、前記フィルムと金属層とからなる部分と、
前記基板とを分離する分離工程とを有し、前記めっき処
理工程により形成される金属層が、請求項１または２に
記載の金属パターンの製造方法によって製造されたこと
を特徴としている。

【００１６】このコンタクトプローブの製造方法によっ
て製造されるコンタクトプローブは、そのパターン配線
が請求項１または２に記載の金属パターンの製造方法に
よって製造されるので、パターン配線の形状精度が高
い。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
から図３を用いて説明する。図１は、本実施形態にかか
るコンタクトプローブを示す斜視図、図２及び図３は、
それぞれ本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造
工程を示す図である。

【００１８】本実施の形態のコンタクトプローブ３１
は、図５に示すコンタクトプローブ１とほぼ同一構成と
され、図１に示すように、Ｎｉ基合金等の金属で形成さ
れるパターン配線３２を、ポリイミド等のフィルム３３
の片面に被着した構造となっている。パターン配線３２
の先端部は、フィルム３３の先端部まで設けられてい
る。

【００１９】フィルム３３は、Ｎｉ基合金層等の金属層
からなる複数本のパターン配線３２の上に図示しない接
着剤層を介して被着され、パターン配線３２の先端部は
コンタクトピン３２ａとされている。ここで、コンタク
トピン３２ａは、フィルム３３から突出させてもよい。
そして、図示しないが、フィルム３３の幅広の基部には
窓部が形成され、この窓部にはパターン配線３２の引き
出し配線部が設けられている。ここで、フィルム３３
は、パターン配線３２が被着されたポリイミド等の樹脂
フィルム層３６にＣｕ、Ｎｉ、Ｎｉ基合金等の金属フィ
ルム層３７がグラウンドとして積層されて構成されてい
るが、樹脂フィルム層３６だけで構成されていてもよ
い。

【００２０】コンタクトピン３２ａは、その長手方向に
直交する断面が例えば略四角形状とされ、その先端部は
フィルム３３に被着される上面と、上面に対向する下面
と、上下面間に設けられた側面とで構成されている。

【００２１】次に、このように構成されるコンタクトプ
ローブ３１の製造方法について、図２及び図３を用いて
工程順に説明する。ここで、このコンタクトプローブ３
１のパターン配線３２は、従来のコンタクトプローブ１
のパターン配線２と同様に、フォトリソ・めっき法によ
って支持基板４６（基板）の上にめっきを施すことで形
成されるものである。

【００２２】まず、この製造工程において使用される支
持基板４６として、導体基板を用意する。この支持基板
４６としては、全体が透明導電体によって構成されたも
ののほか、透明材料からなる板において少なくともパタ
ーン配線３２に供される金属層が形成される側の表面に
透明導電体からなる層を設けた構成のものを用いること
ができる。ここで、支持基板４６を、透明材料からなる
板材の表面に透明導電体の層を形成した構成とすること
で、透明導電体として、板状に加工することが困難な透
明導電体を用いることができる。本実施の形態では、支
持基板４６を、透明材料からなる板材Ｂの表面に透明導
電体からなる導電体層４７を形成した構成としている。
ここで、導電体層４７は、前記透明導電体を板材Ｂの表
面に塗布することによって形成するほか、スパッタリン
グやＣＶＤ等によって透明導電体を板材Ｂの表面に対し
て溶射することによって形成される。

【００２３】上記の透明材料及び透明導電体は、全ての
波長の電磁波を透過させる材質である必要はなく、後述
する露光工程においてフォトレジスト層４８に照射され
る露光光と同じ波長の電磁波を透過させることができれ
ばよい。また、透明材料及び透明導電体は、前記波長の
光を１００％透過させる材質である必要はなく、６０％
以上、より好適には７０％以上透過させることができれ
ばよい。このような透明導電体としては、ＩＴＯ（イン
ジウム・スズ酸化物）やＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＴｉＮ
（窒化チタン）、ＳｎＯ（酸化スズ）の他、Ａｇ（銀）
系の材料がある。また、透明材料は、板状に加工するこ
とができるものであれば、導電体であっても、また絶縁
体であってもよく、例えばガラス等を用いることができ
る。本実施の形態では、透明材料としてガラスを用いて
おり、透明導電体としてＩＴＯを用いている。一般的
に、ＩＴＯの光透過率は、（厚みが３００ｎｍ以下の場
合）７５％〜８５％であることが知られている。

【００２４】〔フォトレジスト層形成工程〕次に、図２
（ａ）に示すように、この支持基板４６の上にフォトレ
ジスト層４８を形成する。このフォトレジスト層４８
は、ネガ型フォトレジストによって形成してもよく、ま
たポジ型フォトレジストによって形成してもよい。本実
施の形態では、フォトレジスト層４８を、ネガ型フォト
レジストによって形成している。

【００２５】〔マスキング工程〕次に、写真製版技術に
より、図２（ｂ）に示すように、フォトレジスト層４８
上に所望のパターンで開口部４９ａが形成されたフォト
マスク４９（マスクパターン）を施す。

【００２６】〔露光工程〕そして、この状態で、支持基
板４６の面に対して露光光を垂直に入射させてフォトレ
ジスト層４８を露光し、図２（ｃ）及び図３に示すよう
に、フォトレジスト層４８に、前記パターン配線３２と
同じパターンをなす非定着部５１と、非定着部５１以外
の領域からなる定着部５２とを潜像として形成する。こ
こで、フォトレジスト層４８の露光光としては、紫外線
やＸ線、及び可視光等、従来フォトレジスト層の露光に
使用されている電磁波が用いられる。

【００２７】本実施の形態では、フォトレジスト層４８
をネガ型フォトレジストによって形成しているので、フ
ォトレジスト層４８において感光した部分が定着部５２
となり、感光しなかった部分が非定着部５１となる。こ
のため、露光工程においては、フォトレジスト層４８に
おいて定着部５２としたい領域と同じパターンで開口部
４９ａを設けたフォトマスク４９が用いられる。

【００２８】図３に示すように、この露光工程におい
て、フォトマスク４９の開口部４９ａからフォトレジス
ト層４８に入射した露光光は、フォトレジスト層４８を
透過して支持基板４６に達する。この支持基板４６は透
明導電体及び透明材料によって構成されているので、支
持基板４６に達した露光光は、ほとんど反射されずに支
持基板４６を透過する。このため、フォトレジスト層４
８において、フォトマスク４９の開口部４９ａに露出さ
れている領域のみが感光することとなり、露光工程を経
たフォトレジスト層４８において形成される非定着部５
１と定着部５２との境界は、図３に実線で示すように、
フォトマスク４９の開口部４９ａから光の入射方向に沿
った平面、すなわち支持基板４６の面に対して直交する
面として形成される。このようにして、フォトレジスト
層４８には、定着部５２及び非定着部５１が、マスクパ
ターンに忠実に形成される。

【００２９】ここで、比較のために、支持基板４６の代
わりに従来の金属板製の支持基板を用いた場合において
形成される非定着部５１と定着部５２との境界を、図３
中に二点鎖線で示す。この場合には、図３に二点鎖線の
矢印で示すように、支持基板によって露光光が反射され
るため、フォトレジスト層４８においてフォトマスク４
９の開口部４９ａから露出されている部分の近傍では、
フォトマスク４９によって覆われている部分の支持基板
４６の近傍部分が感光してしまい、非定着部５１が、支
持基板４６側の幅が狭められたテーパー形状に形成され
てしまう。

【００３０】〔除去工程〕このようにフォトレジスト層
４８に非定着部５１と定着部５２とを形成した後に、フ
ォトマスク４９を除去するとともに、フォトレジスト層
４８を現像して前記パターン配線３２と同パターンをな
す非定着部５１を除去して、図２（ｄ）に示すように、
残存するフォトレジスト層４８（定着部５２）に開口部
４８ａを形成する。非定着部５１は、前記のようにフォ
トマスク４９のマスクパターンに忠実な形状に形成され
ているので、非定着部５１を除去して得られるフォトレ
ジスト層４８の開口部４８ａも、フォトマスク４９のマ
スクパターンに忠実な形状に形成される。なお、このよ
うに開口部４８ａが形成されたフォトレジスト層４８
が、本願請求項にいう「マスク」に相当する。

【００３１】〔めっき処理工程〕そして、図２（ｅ）に
示すように、前記開口部４８ａに前記パターン配線３２
となるＮｉ基合金層（金属層）Ｎを電解めっき処理によ
り形成する。ここで、この金属層は、Ｎｉ基合金に限ら
ず、Ｎｉによって構成してもよい。これにより、開口部
４８ａ内には、開口部４８ａ及び支持基板４６の表面の
形状が正確に転写されたＮｉ基合金層Ｎが形成される。

【００３２】〔フィルム被着工程〕次に、図２（ｆ）に
示すように、残りのフォトレジスト層４８（定着部５
２）を除去した後、図２（ｇ）に示すように、前記Ｎｉ
基合金層Ｎの上に、コンタクトピン３２ａ（すなわち前
記パターン配線３２の先端部）となる部分も含めて覆う
ようにして、前記フィルム３３を接着剤５３により接着
する。

【００３３】〔分離工程〕そして、図２（ｈ）に示すよ
うに、フィルム３３とパターン配線３２とからなる部分
を支持基板４６から分離させて、コンタクトプローブ３
１を完成させる。ここで、フィルム３３とパターン配線
３２とからなる部分を支持基板４６から分離させるに
は、レーザーやプラズマ等を用いたドライエッチングの
ほか、エッチング液を用いた湿式エッチングによって支
持基板４６を除去する。

【００３４】湿式エッチングを行う場合、必ずしも導電
体層４７と板材Ｂの両方をエッチングする必要はなく、
導電体層４７のみを選択的にエッチングすることができ
る場合には、例えばフィルム３３とパターン配線３２と
からなる部分を支持基板４６ごとエッチング液に浸し、
パターン配線３２と板材Ｂとの間の導電体層４７を除去
することで、フィルム３３とパターン配線３２とからな
る部分を板材Ｂから分離させることができる。本実施の
形態では、導電体層４７をＩＴＯによって形成している
ので、導電体層４７の湿式エッチングには、塩化鉄系、
ＨＢｒ（臭化水素）、塩酸水溶液や塩酸酸性塩化第二鉄
水溶液、塩化鉄／塩酸系か硝酸／硫酸系のエッチング液
が用いられる。

【００３５】このように、本実施形態にかかるコンタク
トプローブの製造方法によれば、フォトレジスト層４８
を露光して得られる非定着部５１と定着部５２とを、マ
スクパターンに忠実な形状に形成することができ、定着
部５２をマスクとしてめっき処理によって形成したパタ
ーン配線３２がマスクパターンに忠実な形状となるの
で、パターン配線３２の形状精度の高いコンタクトプロ
ーブ３１を製造することができる。そして、このように
パターン配線３２の形状精度の高いコンタクトプローブ
３１によれば、パターン配線３２間のピッチを狭くして
も、回路の電気的テストを良好に行うことができる。

【００３６】ここで、支持基板４６を構成する透明材料
及び透明導電体の露光光の透過率が６０％よりも少ない
と、フォトレジスト層４８を露光する際に支持基板４６
の表面で反射する光が多くなり、フォトレジスト層４８
において本来光を当てたくない部位にも感光するのに十
分な量の光が当たることとなり、定着部５２及び非定着
部５１の形状精度が低下してしまう。このため、透明材
料及び透明導電体の露光光の透過率は、６０％以上とす
ることが好ましい。

【００３７】ここで、上記実施の形態では、フォトレジ
スト層４８として、ネガ型のフォトレジストを用いた例
を示したが、これに限られることなく、ポジ型のフォト
レジストを用いてもよい。フォトレジスト層４８として
ポジ型フォトレジストを用いた場合には、図４に示すよ
うに、フォトレジスト層４８において感光した部分が非
定着部５１となり、感光しなかった部分が定着部５２と
なる。この場合には、フォトマスク４９として、フォト
レジスト層４８において非定着部５１としたい領域と同
じパターン、すなわち形成するパターン配線３２と同じ
パターンで開口部４９ａを設けたものを用いる。

【００３８】ここで、比較のために、支持基板４６の代
わりに従来の金属板製の支持基板を用いた場合において
形成される非定着部５１と定着部５２との境界を、図４
中に二点鎖線で示す。この場合には、図４に二点鎖線の
矢印で示すように、支持基板によって露光光が反射され
るため、フォトレジスト層４８においてフォトマスク４
９の開口部４９ａから露出されている部分の近傍では、
フォトマスク４９によって覆われている部分の支持基板
４６の近傍部分が感光してしまう。これにより、非定着
部５１において支持基板４６の近傍部分が定着部５２側
に張り出す形状に形成されてしまうこととなり、フォト
レジスト層４８の定着部５２をマスクパターンとして形
成されるパターン配線の形状精度が低下してしまう。

【００３９】なお、上記実施の形態において、前記めっ
き処理工程として、支持基板４６上に、透明導電体に対
して悪影響を与えない種類のめっきによって第一金属層
を形成する第一めっき処理工程と、第一金属層の上にパ
ターン配線２（コンタクトピン２ａ）に適した金属から
なる第二金属層を形成する第二めっき処理工程とを設け
てもよい。この場合には、支持基板４６の導電体層４７
を構成する透明導電体において露出されている領域が第
一金属層によって覆われて、第二めっき処理工程でめっ
き液に接触しなくなるので、導電体層４７または支持基
板４６自体を、パターン配線２に適した金属（ＮｉやＮ
ｉ基合金等）のめっきに用いられるめっき液によって変
質または溶解してしまう性質の透明導電体によって形成
することができる。ここで、この第一金属層は、透明導
電体が第二めっき処理工程に用いられるめっき液に接触
しない程度の厚みに形成されていればよいので、パター
ン配線の大部分をパターン配線に適した金属によって構
成することができる。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。
本発明にかかる金属パターンの製造方法によれば、フォ
トレジスト層を露光して得られる非定着部と定着部と
を、マスクパターンに忠実な形状に形成することがで
き、定着部をマスクとしてめっき処理によって形成した
金属パターンがマスクパターンに忠実な形状となるの
で、形状精度の高い金属パターンを製造することができ
る。

【００４１】そして、この金属パターンの製造方法を用
いてパターン配線を形成するコンタクトプローブの製造
方法によれば、パターン配線の形状精度の高いコンタク
トプローブを製造することができる。そして、このよう
にパターン配線の形状精度の高いコンタクトプローブに
よれば、パターン配線間のピッチを狭くしても、回路の
電気的テストを良好に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施の形態にかかるコンタクトプ
ローブの先端部の斜視図である。

【図２】 本実施形態にかかるコンタクトプローブの製
造工程を示す図である。

【図３】 本実施形態にかかるコンタクトプローブの製
造工程を示す図である。

【図４】 本発明にかかるコンタクトプローブの製造工
程の他の例を示す図である。

【図５】 従来のコンタクトプローブの平面図である。

【図６】 従来のプローブ装置の分解斜視図である。

【図７】 図６に示すプローブ装置の要部縦断面図であ
る。

【符号の説明】

３１ コンタクトプローブ ３２ パターン配
線（金属パターン） ３２ａ コンタクトピン ３３ フィルム ４６ 支持基板（導体基板） ４７ 導電体層
（透明導電体） ４８ フォトレジスト層 ４９ フォトマス
ク（マスクパターン） ５１ 非定着部 ５２ 定着部（マ
スク） Ｂ 板材（透明材料） Ｎ Ｎｉ基合金層
（金属層）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川上 喜章 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 岩越 孝雄 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 Ｆターム(参考） 2G011 AA15 AA21 AB06 AB08 AB09 AC00 AD00 AE01 AF07 4M106 AA02 BA01 DD03 5E343 AA02 AA18 AA34 BB44 CC63 DD43 DD56 DD75 ER12 ER18 ER52 GG08

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電解めっきによる金属パターンの製造方
   法であって、 導体基板上にフォトレジスト層を形成するフォトレジス
   ト層形成工程と、 該フォトレジスト層上にマスクパターンを設けるマスキ
   ング工程と、 前記フォトレジスト層を露光して、このフォトレジスト
   層に非定着部と定着部とを形成する露光工程と、 前記導体基板上から前記マスクパターン及び前記非定着
   部を除去する除去工程と、 前記金属パターンに供される金属層を、前記導体基板上
   において前記非定着部が除去された領域にめっき処理に
   より形成するめっき処理工程とを有し、 前記導体基板として、前記露光光に対して透明な透明導
   電体を用いることを特徴とする金属パターンの製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記導体基板として、透明材料からなる
   板の上に前記透明導電体からなる導電体層が形成されて
   なる基板を用いることを特徴とする請求項１記載の金属
   パターンの製造方法。
3. 【請求項３】 フィルム上に形成されたパターン配線の
   先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの
   製造方法であって、 基板上にマスクを施してマスクされていない部分に、前
   記パターン配線に供される金属層をめっき処理により形
   成するめっき処理工程と、 前記マスクを取り除いた金属層の上に前記フィルムを被
   着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと金属層とからなる部分と、前記基板とを
   分離する分離工程とを有し、 前記めっき処理工程により形成される金属層が、請求項
   １または２に記載の金属パターンの製造方法によって製
   造されたことを特徴とするコンタクトプローブの製造方
   法。
4. 【請求項４】 フィルム上に形成されたパターン配線の
   先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブで
   あって、 請求項３記載のコンタクトプローブの製造方法によって
   製造されたことを特徴とするコンタクトプローブ。