KR100996613B1 - 프로브 핀의 정렬 추출 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 프로브 핀의 정렬 추출 방법을 제공한다. 상기 프로브 핀의 정렬 추출 방법은, 기판 상에 금속 재질의 다수의 프로브 핀들을 형성하고, 상기 다수의 프로브 핀들을 잇는 점착성의 트레이 층을 형성하고, 상기 기판을 제거한다. 상기 기판을 금속 재질과 실리콘 웨이퍼 중 어느 하나로 형성할 수 있다. 본 발명은 다수의 프로브 핀들을 정렬 추출함과 아울러, 다양한 핀 형상을 한번에 구현하고, 생산성을 향상시킬 수 있다.

Description

프로브 핀의 정렬 추출 방법{EXTRACTION METHOD FOR PROBE PIN}

본 발명은 프로브 핀의 정렬 추출 방법에 관한 것으로서, 다수의 프로브 핀들을 정렬 추출함과 아울러, 다양한 핀 형상을 용이하게 구현하고, 제조시 프로브 핀들의 휨 발생을 방지하며, 생산 수율을 향상시킬 수 있는 프로브 핀의 정렬 추출 방법에 관한 것이다.

전형적으로, 평판형디스플레이나 반도체집적회로와 같은 디바이스의 전기적 특성을 검사하기 위하여 프로브 유니트나 프로브카드와 같은 프로빙 장치를 사용한다. 여기서, 상기 프로빙 장치는 상기 디바이스의 전극들에 접속되어 메인 회로 기판과 전기적으로 연결하는 다수개의 프로브 핀들을 갖는다.

그리고, 상기 프로빙 장치를 제작하는 과정에서, 매우 많은 수량의 프로브 핀들이 필요하다.

프로브 핀의 제작방법은 여러가지가 있으며, 일반적으로 금속재질의 시트(sheet)를 에칭하는 방법과 전기도금방법이 있다.

금속 재질의 시트를 에칭하는 방법은 Be-Cu 재질의 금속시트나 Ni 재질의 금속시트 등이 대표적으로 이용되는데, 금속시트를 에칭하여 프로브 핀들을 형성하는 것이다. 이 방법은 금속시트에 프로브 핀을 에칭함에 의하여 프로브 핀이 생산되므로 제조공정이 간단하여 생산성이 좋으며 제조 단가 또한 저렴한 장점이 있다.

그러나, 제작된 프로브핀의 치수 정밀도가 보통 ±5um ~ ±10um로서 정밀한 프로브핀 제작에는 한계가 있다.

또 다른 방법으로 전기 도금에 의한 방법이 있다.

상기 전기 도금 방법은, 기판 상에 금속층을 형성하고, 전기도금을 이용하여 상기 금속층에 다수의 프로브 핀들을 형성하는 방식이다.

상기 프로브 핀의 재질로는 Ni이나 Ni-Co 등의 금속 재질이 일반적으로 이용되는데, 치수 정밀도가 ±2um 이내로 매우 좋지만, 에칭 방법에 비해 제조 단가가 비싸고, 공정이 복잡하다는 단점이 있다.

만들어진 프로브 핀을 추출해내는 방법으로서 브릿지 연결 방법, 개별 분리 추출 방법이 있다.

개별 분리 추출 방법은 프로브 핀들을 전기 도금 방법으로 제작하는 경우, 프로브 핀이 작아서 추출과정에서 프로브 핀들이 개별적으로 떨어지게 되고 분리된 프로브 핀들끼리 서로 엉켜서 다시 프로브 핀을 분리하는 과정에서 많은 수의 프로브 핀에 휨이 발생하여 프로브 핀을 사용하지 못하게 되는 문제가 있다. 또한, 에칭 방법으로 프로브 핀을 제작하는 경우, 프로브 핀들을 분리 추출하면 치수 정밀도를 맞추기가 어려워서 분리추출방법은 사용하지 않는다. 따라서, 프로브 핀들을 최종적으로 프로빙 장치에 조립하기 위해서는 분리된 프로브 핀들의 조립이 원활하도록 정렬시키는 작업이 필요하다. 그렇지 않으면 분리된 프로브 핀들을 프로빙 장치에 조립하는 데에 시간이 많이 걸리게 되어 조립 공정에서의 비용이 상승하게 되기 때문이다.

또 다른 추출 방법으로서, 브릿지 연결방법이 있다. 이는 프로브 핀들이 브릿지를 통해 서로 연결되도록 프로브 핀들을 구현하는 것으로서, 프로빙 장치에 조립하기 위해서는 브릿지로 연결된 상태의 프로브 핀을 브릿지에서 분리시키는 컷팅 작업 필요하며, 컷팅 작업시 컷팅된 부분이 매끄럽지 못한 단점이 존재한다.

현재, 에칭에 의한 방법이나 전기도금방법 모두 대부분 브릿지 연결 방법으로 프로브 핀을 제작하고 있는데, 전기도금방법을 적용하는 경우, 에칭 방식에 비하여 제조 단가도 비싼데다가, 브릿지를 연결해야하기 때문에 웨이퍼의 많은 영역을 브릿지가 차지하게 되어 프로브 핀의 개수가 줄어들어 제조 단가가 상승되는 요인이 된다.

따라서, 상기와 같은 여러 가지 문제점을 해결하기 위해 브릿지 없이 정렬된 상태로 프로브 핀들을 추출하는 방법의 개발이 필요하다. 즉, 브릿지가 없어서 많은 수의 프로브 핀의 배열이 가능하고, 제작 과정에서의 손실이 없으며, 컷팅 작업이 필요 없고, 또한 프로빙 장치에의 조립을 위한 프로브 핀의 재정렬 작업이 불필요하여 제조 단가를 낮출수 있는 프로브 핀들의 추출방법의 개발이 요구된다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있도록 고안된 것으로서, 본 발명의 목적은 금속 재질로 이루어지는 프로브 핀들을 서로 독립적으로 추출할 수 있도록 정렬하여 제조하는 프로브 핀의 정렬 추출 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 프로브 핀들을 트레이로부터 독립적으로 추출하는 경우에, 프로브 핀들의 형상 변형을 최소화하여 안정적으로 추출할 수 있는 프로브 핀의 정렬 추출 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 프로브 핀들을 독립적 개체들로 제조함으로써 브릿지 연결 방식으로 제작시 발생하는 응력을 제거하여 프로브 핀들의 형상 변형을 방지할 수 있는 프로브 핀의 정렬 추출 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 다양한 형상 패턴을 갖는 프로브 핀들을 다수로 제작할 수 있는 프로브 핀의 정렬 추출 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 프로브 핀들의 제조시에 외형이 깨끗하게 제조될 수 있는 프로브 핀의 정렬 추출 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 다수개의 프로브 핀들을 점착성 있는 트레이에 안착되도록 제조함으로써, 프로브 핀들을 이동하는 경우에 외부로 이탈 없이 안정적으로 이동시킬 수 있는 프로브 핀의 정렬 추출 방법을 제공함에 있다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 프로브 핀의 정렬 추출 방법은 기판 상에 금속 재질의 다수의 프로브 핀들을 형성하고,

상기 다수의 프로브 핀들을 잇는 점착성의 트레이 층을 형성하고, 상기 기판을 제거한다.

상기 기판을 금속 재질과 실리콘 웨이퍼 중 어느 하나로 형성할 수 있다.

상기 기판을 금속 재질로 이루는 경우에, 상기 다수의 프로브 핀들의 형성은, 상기 기판 상면에 포토 레지스트를 코팅, 노광 및 현상하고, 상기 현상된 영역에 일정의 금속 재질을 전기 도금법을 이용하여 상기 프로브 핀들을 형성하는 것을 특징으로 한다.

상기 프로브 핀들이 형성된 이후에, 상기 프로브 핀들과 상기 현상된 영역 이외의 포토 레지스트의 상면에 일정 두께의 상기 트레이 층을 형성하고, 상기 기판을 에칭공정으로 제거하고, 상기 현상된 영역 이외의 포토 레지스트를 에칭공정으로 제거하여 이루어진다.

상기 프로브 핀들이 형성된 이후에, 상기 현상된 영역 이외의 포토 레지스트를 에칭공정으로 제거하고, 상기 프로브 핀들을 잇도록 상기 트레이 층을 형성하고, 상기 기판을 에칭공정으로 제거하여 이루어진다.

상기 기판을 실리콘 웨이퍼로 사용하는 경우에, 상기 다수의 프로브 핀들의 형성은, 상기 기판 상면에 금속층을 형성하고, 상기 금속층의 상면에 포토 레지스트를 코팅, 노광 및 현상하고, 상기 현상된 영역에 일정의 금속 재질을 전기 도금법을 이용하여 상기 프로브 핀들을 형성한다.

상기 프로브 핀들이 형성된 이후에, 상기 프로브 핀들과 상기 현상된 영역 이외의 포토 레지스트의 상면에 일정 두께의 상기 트레이 층을 형성하고,

상기 기판을 에칭공정으로 제거하고, 상기 금속층을 에칭공정으로 제거하고,

상기 현상된 영역 이외의 포토 레지스트를 에칭공정으로 제거하여 이루어진다.

상기 프로브 핀들이 형성된 이후에, 상기 현상된 영역 이외의 포토 레지스트를 에칭공정으로 제거하고, 상기 프로브 핀들을 잇도록 상기 트레이 층을 형성하고, 상기 기판을 에칭공정으로 제거하고, 상기 금속층을 에칭공정으로 제거한다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 다른 실시예에 따른 프로브 핀의 정렬 추출 방법은 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 기판 상에 금속층과 금속 재질의 다수의 프로브 핀들을 형성하고, 상기 금속층과 프로브 핀 상면에 상기 다수의 프로브 핀들을 잇는 희생층을 형성하고, 상기 기판 및 상기 금속층을 에칭공정으로 제거하고, 상기 다수의 프로브 핀들의 저면을 잇는 점착성의 트레이 층을 형성하고, 상기 희생층을 에칭하여 제거한다.

상기 다수의 프로브 핀들의 형성은, 상기 기판 상면에 상기 금속층을 형성하고, 상기 금속층의 상면에 포토 레지스트를 코팅, 노광 및 현상하고, 상기 현상된 영역에 일정의 금속 재질을 전기 도금법을 이용하여 상기 프로브 핀들을 형성하고, 상기 현상된 영역 이외의 포토 레지스트를 에칭공정으로 제거하여 이루어진다.

상기 트레이 층은, 일정의 점착성을 갖는 액상의 실리콘 러버를 사용하여 상기 다수의 프로브 핀들을 잇도록 코팅하고, 상기 실리콘 러버를 일정 시간 건조하여 고체 상태로 형성한다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 핀용 트레이는 일정의 점착성을 갖는 트레이 층 및 상기 트레이 층에 형성되며, 다수의 금속 재질로 이루어지는 프로브 핀들이 점착되어 수납되는 수납부를 포함한다.

상기 수납부는, 상기 트레이 층에 일정 간격을 이루는 수납면들과, 상기 트레이 층에 일정 간격을 이루는 수납홈들 중 어느 하나이다.

본 발명은 금속 재질로 이루어지는 프로브 핀들을 서로 독립적으로 추출할 수 있도록 정렬하여 제조함과 아울러, 생산 수율을 증대시킬 수 있는 효과를 갖는다.

또한, 본 발명은 프로브 핀들을 트레이로부터 독립적으로 추출하는 경우에, 프로브 핀들의 형상 변형을 최소화하여 안정적으로 추출할 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 발명은 프로브 핀들을 독립적 개체들로 제조함으로써 브릿지 연결 방식으로 제작시 발생하는 응력을 제거하여 프로브 핀들의 형상 변형을 방지할 수 있는 장점이 있다.

또한, 본 발명은 한장의 기판에 다양한 형상 패턴을 갖는 여러 종류의 프로브 핀들을 형성할 수 있어, 한번에 여러 종류의 프로브 핀들을 제작할 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 발명은 프로브 핀들의 제조시에 외형이 깨끗하게 제조될 수 있는 장점이 있다.

또한, 본 발명은 다수개의 프로브 핀들을 점착성 있는 트레이에 안착되도록 제조하여 이동시 프로브 핀들이 트레이로부터 이탈되는 등의 문제를 해소할 수 있는 장점이 있다.

또한, 트레이의 재질을 실리콘 고무와 같은 탄력있는 재질로 형성하여 프로브 핀의 정렬 추출 이후 조립 공정에서 프로브 핀을 트레이로부터 안정적이고 원활하게 분리하여 떼어내어 사용할 수 있는 장점이 있다.

도 1a는 본 발명의 제 1실시예에 따르는 금속 재질 기판의 단면도이다.
도 1b는 도 1a의 기판 상면에 포토 레지스트가 코팅된 것을 보여주는 단면도이다.
도 1c는 도 1b의 포토 레지스트 상에 마스크가 배치되어 노광 공정이 이루어지는 것을 보여주는 단면도이다.
도 1d는 도 1c의 포토 레지스트에서 현상 공정이 이루어진 상태를 보여주는 단면도이다.
도 1e는 도 1d의 기판 상면에 프로브 핀들이 형성된 것을 보여주는 단면도이다.
도 1f는 도 1e의 프로브 핀들의 상면에 트레이 층이 형성된 것을 보여주는 단면도이다.
도 1g는 도 1f의 기판이 제거된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 1h는 트레이 층에 프로브 핀들이 접착되어 정렬 추출된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 제 1실시예를 따르는 금속 재질의 기판 상에 프로브 핀들이 형성된 것을 보여주는 단면도이다.
도 2b는 도 2a의 현상된 영역 이외의 포토 레지스트가 제거된 것을 보여주는 단면도이다.
도 2c는 도 2b의 프로브 핀들의 상면을 잇도록 트레이 층이 코팅된 것을 보여주는 단면도이다.
도 2d는 도 2c의 기판이 제거된 것을 보여주는 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 제 1실시예에 따르는 실리콘 웨이퍼 기판의 단면도이다.
도 3b는 도 3a의 기판 상면에 2층의 금속층이 형성된 것을 보여주는 단면도이다.
도 3c는 도 3b의 금속층 상면에 포토 레지스트가 코팅된 것을 보여주는 단면도이다.
도 3d는 도 3c의 포토 레지스트 상에 마스크가 배치되어 노광 공정이 이루어지는 것을 보여주는 단면도이다.
도 3e는 도 3d의 포토 레지스트에서 현상 공정이 이루어진 상태를 보여주는 단면도이다.
도 3f는 도 3e의 기판 상면에 프로브 핀들이 형성되고, 상기 프로브 핀들의 상면에 트레이 층이 형성된 것을 보여주는 단면도이다.
도 3g는 도 3f의 기판이 제거된 것을 보여주는 단면도이다.
도 3h도 3g의 금속층이 제거된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 3i는 트레이 층에 프로브 핀들이 접착되어 정렬 추출된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 제 1실시예를 따르는 실리콘 웨이퍼의 기판 상에 프로브 핀들이 형성된 것을 보여주는 단면도이다.
도 4b는 도 4a의 프로브 핀들의 상면을 잇도록 트레이 층이 형성된 것을 보여주는 단면도이다.
도 4c는 도 4b의 기판과 금속층이 순차적으로 제거된 것을 보여주는 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 제 2실시예를 따르는 실리콘 웨이퍼의 기판 및 금속층의 상면에 프로브 핀들이 형성된 것을 보여주는 단면도이다.
도 5b는 도 5a의 프로브 핀들을 잇는 희생층이 형성된 것을 보여주는 단면도이다.
도 5c는 도 5b의 기판이 제거된 것을 보여주는 단면도이다.
도 5d는 도 5c의 금속층이 제거된 것을 보여주는 단면도이다.
도 5e는 도 5d의 프로브 핀들의 저면에 트레이 층이 형성된 것을 보여주는 단면도이다.
도 5f는 도 5e의 희생층이 제거되어 프로브 핀들이 정렬 추출된 상태를 보여주는 단면도이다.

이하, 첨부되는 도면들을 참조로 하여, 본 발명의 프로브 핀의 정렬 추출 방법을 설명하도록 한다.

본 발명의 프로브 핀의 정렬 추출 방법은 프로브 핀들을 일정 간격으로 배열시켜 서로 분리된 상태로 제조함과 아울러, 점착성의 러버(rubber)와 같은 트레이에 접착된 상태로 제조하기 위한 방법이다.

[제 1실시예]

본 발명의 제 1실시예에서는, 기판이 금속 재질로 이루어진 경우와, 실리콘 웨이퍼로 이루어진 경우로 나누어 설명하도록 한다.

[기판이 금속 재질로 이루어진 경우]

먼저, 기판을 금속 재질로 이루어진 경우를 설명하도록 한다.

도 1a는 본 발명의 제 1실시예에 따르는 금속 재질 기판의 단면도이다. 도 1b는 도 1a의 기판 상면에 포토 레지스트가 코팅된 것을 보여주는 단면도이다. 도 1c는 도 1b의 포토 레지스트 상에 마스크가 배치되어 노광 공정이 이루어지는 것을 보여주는 단면도이다. 도 1d는 도 1c의 포토 레지스트에서 현상 공정이 이루어진 상태를 보여주는 단면도이다. 도 1e는 도 1d의 기판 상면에 프로브 핀들이 형성된 것을 보여주는 단면도이다. 도 1f는 도 1e의 프로브 핀들의 상면에 트레이 층이 형성된 것을 보여주는 단면도이다. 도 1g는 도 1f의 기판이 제거된 상태를 보여주는 단면도이다. 도 1h는 트레이 층에 프로브 핀들이 접착되어 정렬추출 된 상태를 보여주는 단면도이다. 도 1a를 참조 하면, 금속 재질로 이루어지는 기판(101)을 준비한다.

도 1b를 참조 하면, 상기 준비되는 기판(101) 상면에 일정 두께의 포토 레지스트(300)를 코팅한다. 여기서, 상기 포토 레지스트(300)는 종류에 따라 스핀 코터나 라미네이터와 같은 장치에 의하여 이루어질 수 있다.

도 1c를 참조 하면, 상기 포토 레지스트(300)의 상부에 일정의 패턴을 갖는 마스크(400)를 배치한다.

여기서, 상기 마스크(400)는 글래스 또는 쿼츠 기판(410) 상면에 일정 형상의 패턴(420)이 전사된 형상을 이룰 수 있다. 이 때, 포토레지스터 종류에 따라 패턴(420)이 프로브 핀의 형상을 가질 수도 있고, 반대로 패턴(420)과 패턴(420)의 사이가 프로브 핀의 형상이 되도록 패턴(420)의 형상이 만들어질 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위하여 패턴(420)과 패턴(420)의 사이(a영역)가 프로브 핀의 형상이 되도록 패턴(420)의 형상이 만들어지는 경우를 이용하여 본 발명의 실시예를 설명하기로 한다.

그러나, 이는 이용되는 포토레지스터의 종류에 따라 달라질 수 있는 것이며, 권리범위가 한정되는 것은 아니다.

패턴(420)의 사이에는 개구(401)가 형성되고, 상기 개구(401)를 통해 마스크(400) 상부로부터 조사되는 광은 투명한 상기 글래스 또는 쿼츠 기판(410)을 관통하여 포토레지스터와 반응하게 된다. 즉, 상기 글래스 또는 쿼츠 기판(410)은 빛의 왜곡을 발생시키지 않는 투명한 재질로 이루어지고, 상기 패턴(420)은 메탈 또는 잉크로 이루어져 빛을 차단한다.

따라서, 노출 영역(a)에 위치되는 포토 레지스트(300)를 노광 및 현상하기 위한 공정이 이루어질 수 있다.

마스크(400)의 상부에서 마스크(400)를 향하여 일정 조도를 이루는 광을 조사한다. 상기 광은 마스크(400)의 상면에 균일하게 조사되며, 노출 영역(a)은 개구(401)를 통하여 조사되는 광에 노출되게 된다.

여기서, 노출 영역(a)을 광에 노출시키기 위한 노출 광원으로 UV, DUV(Deep Ultraviolet), 이-빔(E-beam) 및 엑스레이(X-Ray) 중 어느 하나를 사용할 수 있으며, 광에 노출되는 노출 영역(a)에서의 포토 레지스트(400)는 그 종류에 따라 고분자화 또는 광 분해화 될 수 있으나, 여기서는 광분해화되는 경우를 이용하여 설명한다.

상기와 같이 노광 처리가 완료된 이후에 상기 노광된 노출 영역(a)의 포토 레지스트(300)를 현상한다. 즉, 도 1d에 도시되는 바와 같이, 현상 공정에서 알칼리 용액인 현상액을 포토 레지스트(300)와 반응시키면, 노출 영역(a)의 포토 레지스트(300)는 녹아 제거되고 마스킹된 영역(b)에 해당되는 포토 레지스트(300)는 형상을 유지한다.

도 1e를 참조 하면, 상기와 같이 노광 및 현상 공정을 진행한 이후에, 포토 레지스트(300) 사이의 공간에 니켈(Ni), 코발트(Co), 금(Au), 구리(Cu) 등의 금속이 단일 또는 합금의 형태로 전기 도금법에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속은 여러가지 반도체 증착 공정에 의하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, 화학기상 증착이나 물리기상 증착을 이용하여 형성될 수도 있다.

따라서, 상기 공간에 형성된 금속은 프로브 핀들(500)의 실제 재질이다.

도 1f를 참조 하면, 포토 레지스트(300) 사이의 공간에 금속이 형성된 이후에, 현상된 영역(a)과 현상되지 않은 영역(마스킹 된 영역(b))의 상면에 일정 두께의 점착성의 트레이 층(700)을 코팅한다. 여기서, 상기 트레이 층(700)은 상기 프로브 핀들(500)을 수납할 수 있는 역할을 할 수 있다.

상기 트레이 층(700)의 형성 방법은 다음과 같다.

도 1f를 참조하면, 실질적으로 동일한 면을 형성하는 마스킹된 영역(b)의 포토 레지스트(300)의 상면과 현상된 영역(a)의 상면에 일정의 점착성을 갖는 실리콘 러버를 사용하여 현상된 영역(a)에 형성된 다수의 프로브 핀들(500)의 상면을 잇도록 코팅한다.

따라서,상기 프로브 핀들(500)의 상면은 점착성을 갖는 트레이 층(700)의 하면에 점착되는 상태를 이룬다.

이어, 도 1g를 참조 하면, 금속 재질로 이루어지는 기판(101)을 반도체 에칭공정으로 제거한다. 이에 따라, 프로브 핀들(500)의 사이 공간에 마스킹된 영역(b)의 포토 레지스트(300) 만 남게 된다. 그리고, 도 1h를 참조 하면, 포토 레지스트(300)를 반도체 에칭공정에 의해 제거한다.

따라서, 프로브 핀들(500)은 상기 트레이 층(700)의 하면에 점착된 상태를 이룸과 아울러, 서로 독립적인 개체를 이룰 수 있다. 따라서, 프로브 핀들(500)은 정렬된 상태로 개별 추출된 상태를 이룰 수 있다.

상기의 실시예에서는 기판(101)이 금속 재질로 이루어지기 때문에, 별도의 기판(101) 상에 금속층의 형성이 불필요한 것이다.

한편, 도 2a 내지 도 2d를 참조 하면, 상기와 같이 기판 상면에서 현상된 영역 이외의 영역인 마스킹 영역(b)의 포토 레지스트의 사이 공간에 다수개의 프로브 핀들(500)이 형성된 이후에, 다른 예로 트레이 층을 형성할 수도 있다.

도 2a는 본 발명의 제 1실시예를 따르는 금속 재질의 기판 상에 프로브 핀들이 형성된 것을 보여주는 단면도이다. 도 2b는 도 2a의 현상된 영역 이외의 포토 레지스트가 제거된 것을 보여주는 단면도이다. 도 2c는 도 2b의 프로브 핀들의 상면을 잇도록 트레이 층이 코팅된 것을 보여주는 단면도이다. 도 2d는 도 2c의 기판이 제거된 것을 보여주는 단면도이다.

도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(101)의 상면에 프로브 핀들(500)이 형성된 이후에, 도 2b에 도시되는 바와 같이, 현상된 영역 이외의 포토 레지스트(300)를 반도체 에칭공정으로 제거할 수 있다. 이에 따라, 기판(101)의 상면에는 다수개의 프로브 핀들(500)만이 형성된다. 이때, 상기 기판(101)이 금속 재질로 형성되기 때문에, 상기 기판(101)은 실질적으로 상기 프로브 핀들(500)의 저면을 연결하는 브릿지 역할을 수행할 수 있다.

이어, 도 2c를 참조 하면, 상기 프로브 핀들(500)의 상부에서 상기 프로브 핀들(500)의 측면 및 상면을 덮을 수 있도록 일정 두께의 트레이 층(700)을 형성한다. 여기서, 상기 트레이 층(700)의 형성은 상기에 언급한 바와 동일하기 때문에 생략하기로 한다.

이어, 도 2d를 참조 하면, 상기 기판(101)을 반도체 에칭공정으로 제거한다. 따라서, 상기 트레이 층(700)은 상기 프로브 핀들(500)의 사이 공간 및 상기 프로브 핀들(500)의 상면을 잇도록 형성될 수 있다. 그리고, 상기 트레이 층(700)은 일정의 점착성을 갖고 있기 때문에, 상기 프로브 핀들(500)은 트레이 층(700)에서 일면이 개방되고 수납된 상태를 유지할 수 있다. 즉, 상기 트레이 층(700)에는 다수개의 프로브 핀들(500)이 점착되어 수납될 수 있는 수납홈(720)이 형성되는 것이다.

[기판이 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 경우]

다음은, 기판을 실리콘 웨이퍼로 이루는 경우를 설명하도록 한다. 여기서, 기판은 실리콘 웨이퍼 뿐만 아니라, SiC, SOI, GaAs, InAs, InP, InSb, GaSb, GaP , Sapphire 등의 재질로 이루어 질 수도 있으며, 실리콘에 한정되는 것이 아니다. 이하, 기판을 실리콘 웨이퍼를 사용하는 경우를 대표적 예로하여 본 발명의 실시예를 설명하도록 한다.

도 3a는 본 발명의 제 2실시예에 따르는 실리콘 웨이퍼의 기판이 준비되는 것을 보여주는 단면도이다. 도 3b는 도 3a의 기판 상면에 이중의 금속층이 형성된 것을 보여주는 단면도이다. 도 3c는 도 3b의 금속층 상면에 포토 레지스트가 코팅된 것을 보여주는 단면도이다. 도 3d는 도 3c의 포토 레지스트 상에 마스크가 배치되어 노광 공정이 이루어지는 것을 보여주는 단면도이다. 도 3e는 도 3d의 포토 레지스트에서 현상 공정이 이루어진 상태를 보여주는 단면도이다. 도 3f는 도 3e의 기판 상면에 프로브 핀들이 형성되고, 상기 프로브 핀들의 상면에 트레이 층이 형성된 것을 보여주는 단면도이다. 도 3g는 도 3f의 기판이 제거된 것을 보여주는 단면도이다. 도 3h도 3g의 금속층이 제거된 상태를 보여주는 단면도이다. 도 3i는 트레이 층에 프로브 핀들이 접착된 상태를 보여주는 단면도이다.

도 3a를 참조 하면, 상기 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 기판을 준비한다.

도 3b를 참조 하면, 상기 기판(100)의 상면에 'seed layer'인 금속층(120)을 형성한다.

여기서, 금속층(120)은, 기판(100)의 상면에 일정 두께를 이루도록 티타늄(Ti)과 같은 제 1금속층(121)을 형성하고, 상기 제 1금속층(121)의 상면에 구리(Cu)와 같은 제 2금속층(122)을 형성한다. 금속층(120)은 프로브 핀을 형성할 때 전기도금방법을 이용하기 위하여 필요한 것이다. 여기서, 상기 금속층(120)을 형성하는 방법은 반도체 증착 공정을 이용할 수 있으며, 금속층(120)의 재질 또한 티타늄과 구리에 한정되는 것이 아니며, 또한 반드시 2층으로 되어야 할 필요도 없다.

이어, 도 3c를 참조 하면, 상기 금속층(120)의 상면에 일정 두께의 포토 레지스트를 코팅한다. 여기서, 도 3d를 참조 하면, 상기 포토 레지스트(300)의 상부에 일정의 패턴(420)을 갖는 마스크(400)를 배치한다. 마스크(400)에 대해서는 도 1내지 도 2를 설명하면서 이미 설명된 바 있으므로 상세한 설명을 생략한다. 패턴(420)과 패턴(420) 사이에 노출 영역(a)이 형성되며 이 부분이 노광된다.

이어, 노출 영역(a)에 위치되는 포토 레지스트(300)를 노광 및 현상하기 위한 공정이 수행된다. 노광과 현상 공정은 이미 설명된바 있으므로 상세한 설명을 생략하며, 도 3d및 도3e에 도시된다.

도 3e를 참조 하면, 상기와 같이 노광 및 현상 공정을 진행한 이후에는, 기판(100)의 상면에 다수개의 프로브 핀들(500)의 형상이 포토 레지스트(300)의 사이의 영역(a)에 형성될 수 있다. 이어, 도3f를 참조 하면, 포토 레지스트(300) 사이의 공간에 금속을 채워 넣을 수 있다.

여기서, 금속은 니켈(Ni), 코발트(Co), 금(Au), 구리(Cu) 등의 금속이 단일 또는 합금의 형태로 전기 도금법에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속은 여러가지 반도체 증착 공정에 의하여 형성될 수 있다.

상기 공간에 도금 처리되어 채워진 금속은 실질적으로 제조되는 프로브 핀들(500)이다.

이와 같이 프로브 핀들(500)이 형성된 이후에, 현상된 영역 이외의 영역 (b)의 상면과 프로브 핀들(500)의 상면에 일정 두께의 점착성의 트레이 층(700)을 코팅한다. 여기서, 트레이 층(700)은 프로브 핀들(500)을 수납할 수 있는 역할을 할 수 있다. 따라서,프로브 핀들(500)의 상면은 점착성을 갖는 트레이 층(700)의 하면에 점착되는 상태를 이룬다. 트레이 층(700)의 형성 방법 또한 이미 설명되었으므로 생략한다.

이어, 도 3g를 참조 하면, 실리콘 웨이퍼인 기판(100)을 반도체 에칭공정으로 제거한다.

그리고, 도 3h를 참조 하면, 금속층(120)을 반도체 에칭공정으로 제거한다.

이에 따라, 프로브 핀들(500)의 사이 공간에 상기 마스킹된 영역(b)의 포토 레지스트(300)만이 잔류된다.

그리고, 도 3i를 참조 하면, 포토 레지스트(300)를 반도체 에칭공정으로 제거한다.

따라서, 프로브 핀들(500)은 도 3i에 도시되는 바와 같이, 트레이 층(700)의 하면에 점착된 상태를 이룸과 아울러, 서로 독립적인 개체를 이룰 수 있다. 따라서, 상기 프로브 핀들(500)은 정렬된 상태로 개별 추출이 가능한 상태를 이룰 수 있다. 즉, 프로브 핀들(500)의 상면은 트레이 층(700)의 저면에 수납면(710)을 형성하여 점착되는 상태를 이룰 수 있다.

한편, 도 4a 내지 도 4c를 참조 하면, 상기와 같이 기판(100) 상면에서 현상된 영역 이외의 영역인 마스킹된 영역(b)의 포토 레지스트(300)의 사이 공간에 다수개의 프로브 핀들(500)이 형성된 이후에, 다른 방법으로 트레이 층을 형성할 수도 있다.

도 4a는 본 발명의 제 2실시예를 따르는 실리콘 웨이퍼의 기판 상에 프로브 핀들이 형성된 것을 보여주는 단면도이다. 도 4b는 도 4a의 프로브 핀들의 상면을 잇도록 트레이 층이 형성된 것을 보여주는 단면도이다. 도 4c는 도 4b의 기판과 금속층이 순차적으로 제거된 것을 보여주는 단면도이다.

여기서, 도 4a에 도시되는 바와 같이 금속층(120)의 상면에 프로브 핀들이 형성되는 과정은 상기에 언급된 바와 동일하기 때문에 이하에서는 구체적인 설명을 생략하기로 한다.

도 4a에 도시된 바와 같이, 금속층(120)의 상면에 프로브 핀들(500)이 형성된 이후에, 마스킹된 영역(b)의 포토 레지스트(300)를 반도체 에칭공정으로 제거할 수 있다. 이에 따라, 금속층(120)의 상면에는 다수개의 프로브 핀들(500)만이 형성된다. 이때, 금속층(120)이 금속 재질로 형성되기 때문에, 실질적으로 프로브 핀들(500)의 저면을 연결하는 브릿지 역할을 수행할 수 있다.

이어, 도 4b를 참조 하면, 프로브 핀들(500)의 상부에서 프로브 핀들(500)의 측면 및 상면을 덮을 수 있도록 일정 두께의 트레이 층(700)을 형성한다. 여기서, 트레이 층(700)의 형성은 상기에 언급한 바와 동일하기 때문에 생략하기로 한다.

이어, 도 4c를 참조 하면, 기판(100)과 금속층(120)을 반도체 에칭공정으로 제거한다. 따라서, 트레이 층(700)은 상기 프로브 핀들(500)의 사이 공간 및 상기 프로브 핀들(500)의 상면을 잇도록 형성될 수 있다. 그리고, 트레이 층(700)은 일정의 점착성을 갖고 있기 때문에, 프로브 핀들(500)은 트레이 층(700)에서 일면이 개방되고 수납된 상태를 유지할 수 있다. 즉, 다수개의 프로브 핀들(500)은 트레이 층(700)에 형성되는 수납홈들(720)에 수납될 수 있다.

[제 2실시예]

본 발명의 제 2실시예에서는, 기판을 실리콘 웨이퍼로 이루는 경우를 나누어 설명하도록 한다. 여기서, 기판을 상기 실리콘 웨이퍼 뿐만 아니라, SiC, SOI, GaAs, InAs, InP, InSb, GaSb, GaP , Sapphire 등의 재질로 이루어 질 수도 있으며, 실리콘에 한정되는 것이 아니다. 이하, 기판을 실리콘 웨이퍼를 사용하는 경우를 대표적 예로하여 본 발명의 실시예를 설명하도록 한다.

[기판이 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 경우]

도 5a는 본 발명의 제 2실시예를 따르는 실리콘 웨이퍼의 기판 및 금속층의 상면에 프로브 핀들이 형성된 것을 보여주는 단면도이다. 도 5b는 도 5a의 프로브 핀들을 잇는 희생층이 형성된 것을 보여주는 단면도이다. 도 5c는 도 5b의 기판이 제거된 것을 보여주는 단면도이다. 도 5d는 도 5c의 금속층이 제거된 것을 보여주는 단면도이다. 도 5e는 도 5d의 프로브 핀들의 저면에 트레이 층이 형성된 것을 보여주는 단면도이다. 도 5f는 도 5e의 희생층이 제거되어 프로브 핀들이 정렬 추출된 상태를 보여주는 단면도이다.

도 5a를 참조 하면, 기판(100)이 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 경우에 기판(100)의 상면에는 제 1,2금속층(121,122)을 순차적으로 형성한다. 금속층(120)은 프로브 핀을 형성할 때 전기도금방법을 이용하기 위하여 필요한 것이다. 여기서, 상기 금속층(120)을 형성하는 방법은 반도체 증착 공정을 이용할 수 있으며, 금속층(120)의 재질 또한 티타늄과 구리에 한정되는 것이 아니며, 또한 반드시 2층으로 되어야 할 필요도 없다.

금속층(120)의 형성 과정은 제 1실시예에서 기판(100)이 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 경우에 있어서 기술한 바와 같이, 기판(100)이 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 경우에, 기판(100)의 상면에 제 1,2금속층(121,122)을 순차적으로 형성한다. 그리고, 상기 제 2금속층(120)의 상면에 다수개의 프로브 핀들(500)을 형성한다. 여기서, 이에 관한 과정은 제 1실시예에서 기판(100)이 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 경우의 상세 설명에서 언급한 바와 동일하기 때문에 이하의 설명에서는 생략하기로 한다.

도 5a를 참조 하면, 제 2금속층(122) 상면에는 다수개의 프로브 핀들(500)이 일정 간격으로 정렬되는 상태를 이룰 수 있다. 이때, 프로브 핀들(500)은 서로 독립적으로 형성되는 상태를 이룬다.

도 5b를 참조 하면, 참조 하면, 프로브 핀들(500)을 서로 이을 수 있도록 희생층(600)을 형성한다. 여기서, 희생층(600)을 이루는 물질은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag) 등의 물질을 전기도금법을 이용하여 형성할 수 있다. 희생층(600)은 상기 프로브 핀(500)의 외주로부터 일정의 균일한 두께를 이룰 수 있고, 이에 따라, 상기 다수개의 프로브 핀들(500)은 상기 희생층(600)에 의하여 서로 연결될 수 있다. 즉, 희생층(600)은 프로브 핀들(500)을 서로 잇는 브릿지 역할을 하는 것이다.

이어, 도 5c를 참조 하면, 희생층(600)의 형성이 완료된 이후에, 금속층(120)의 저면에 존재하는 기판(100)을 제거한다. 여기서, 상기 기판(100)은 반도체 에칭공정으로 제거하는 것이 좋다.

그리고, 도 5d를 참조 하면, 기판(100)의 제거가 완료된 이후에, 금속층(120)을 순차적으로 제거한다. 여기서, 제 1금속층(121) 및 제 2금속층(122)은 반도체 에칭공정으로 제거하는 것이 좋다.

이에 따라, 상기 프로브 핀들(500)은 상기 희생층(600)에 의하여 서로 연결되는 상태를 이룰 수 있다.

이어, 도 5e를 참조 하면, 프로브 핀들(500)의 저면에 일정 두께의 트레이 층(700)을 형성한다. 여기서, 상기 트레이 층(700)은 프로브 핀들(500)을 수납할 수 있는 역할을 할 수 있다.

따라서,프로브 핀들(500)은 희생층(600)에 의하여 서로 연결된 상태에서, 프로브 핀들(500)의 저면은 점착성을 갖는 트레이 층(700)의 상면에 점착되는 상태를 이룬다.

이어, 도 5f를 참조 하면, 희생층(600)을 반도체 에칭공정으로 제거한다. 희생층(600)은 프로브 핀들(500)과 반응하지 않고, 희생층과는 반응하여 에칭되는 재질로 선택하여야 프로브 핀의 손상을 주지 않는다. 예를 들어, 프로브 핀의 재질이 니켈(Ni)일 경우, 희생층은 구리(Cu)가 적합하다.

또한, 프로브 핀의 재질이 골드일 경우 희생층은 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)일 수 있다.

상기 다수개의 프로브 핀들(500)을 잇는 희생층(600)이 제거됨으로써, 프로브 핀들(500)은 트레이 층(700)의 상면에 점착된 상태를 이룸과 아울러, 서로 독립적인 개체를 이룰 수 있다. 따라서, 프로브 핀들(500)은 정렬된 상태로 개별 추출이 가능한 상태를 이룰 수 있다.

여기서, 상기 제 1,2실시예에서 언급되는 트레이 층(700)은 기판(100,101) 및 금속층(120)이 에칭공정 의하여 제거되는 경우에 반응하지 않는 물질로 형성되는 것이 좋고, 제 2실시예에서 희생층(600)도 기판 및 금속층이 에칭공정 의하여 제거되는 경우에 반응하지 않는 물질로 이루어지는 것이 좋다.예를 들어, 희생층(600)은 구리나 기타 다른 금속들의 합금이 이용될 수 있다. 또 한편, 도 1h, 도 3i, 도 5f를 참조 하면, 본 발명의 프로브 핀용 트레이는 일정의 점착성을 갖는 트레이 층(700)과, 상기 트레이 층(700)에 형성되며, 다수의 금속 재질로 이루어지는 프로브 핀들(500)이 점착되어 수납되는 수납부로 구성될 수 있다.

여기서, 트레이 층(700)은, 상기에 언급된 바와 같이, 일정의 점착성을 가지며 경화제가 혼합되어 있는 액상의 실리콘 러버를 사용하여 다수의 프로브 핀들(500)을 잇도록 코팅하고, 일정 시간 건조하여 고체상태로 형성시킨다.

여기서, 본 발명에서의 수납부는 두 가지의 경우로 나뉠 수 있다.

첫 번째, 상기 수납부는 도 1h, 도 3i, 도 5f에 도시되는 바와 같이, 상기 트레이 층(700)의 일면에 일정 간격을 이루는 수납면들(710)일 수 있다. 여기서, 상기 수납면들(710)은 상기 프로브 핀들(500)의 일면이 상기 점착성에 의하여 점착되는 면이다.

두 번째, 상기 수납부는, 도 2d, 도 4c에 도시되는 바와 같이, 상기 트레이 층(700)의 상단부에 일정 간격을 이루는 수납홈들(720)일수도 있다. 여기서, 상기 수납홈들(720)에는 상기 프로브 핀들(720)이 수납되고, 상기 프로브 핀들(720)의 외면은 상기 수납홈들(720)의 내주면과 상기 점착성에 의하여 점착될 수 있다.

그리고, 상기 트레이 층(700)의 형성 방법은 상기 제 1,실시예에서 언급된 형성 방법과 실질적으로 동일하기 때문에, 이하에서는 설명을 생략하기로 한다.

이상에서 언급한 바와 같이 상기 제 1,2실시예를 따라 제조되는 프로브 핀들(500) 및 프로브 핀용 트레이에 있어서, 금속 재질로 이루어지는 프로브 핀들(500)을 고체 상의 점착성을 갖는 실리콘 러버인 트레이 층(700,710)에 부착 또는 삽입되어 수납시키기 때문에, 정렬되는 프로브 핀들(500)을 독립적으로 추출하는 경우에, 브릿지 연결 방식으로 제작시 발생하는 응력을 제거하여 프로브 핀들(500)의 외형 변형과 같은 손상 없이 제조 및 추출할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르는 트레이 층(700,710)은 다수개의 프로브 핀들(500)을 정렬시킴과 아울러 점착성을 사용하여 수납하기 때문에 프로브 핀들(500)을 안정적인 상태에서 개별 추출 공정을 진행할 수 있도록 한다. 즉, 다수개의 프로브 핀들(500)을 점착성 있는 트레이 층(700,710)에 안착되기 때문에 트레이 이동시 프로브 핀들(500)이 상기 트레이로부터 이탈되는 등의 문제를 해소할 수 있다.

따라서, 본 발명은 외형의 변형이 없는 정상적인 프로브 핀들(500)에 대한 생산 수율을 상승시킬 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형 가능함은 물론이다.

따라서 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허 청구 범위뿐만 아니라, 이 특허 청구 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

a : 노광 영역 b : 마스킹 영역
100 : 기판(실리콘 웨이퍼) 101 : 기판(금속 재질)
120 : 금속층 300 : 포토 레지스트
400 : 마스크 401 : 개구
410 : 글래스 또는 쿼츠 기판 420 : 패턴
500 : 프로브 핀 600 : 희생층
700 : 트레이 층 710 : 수납면
720 : 수납홈

Claims (17)

1. 금속 재질의 기판 상면에 포토 레지스트를 코팅, 노광 및 현상하고,
   상기 현상된 영역에 일정의 금속 재질을 전기 도금법을 이용하여 단면이 사각 형상을 이루는 금속 재질의 다수의 프로브 핀들을 형성하고,
   상기 프로브 핀들이 독립적으로 추출되도록, 상기 프로브 핀들의 상면 전체 영역을 덮어 상기 프로브 핀들을 고정 및 서로 잇는 일정 두께의 점착성 트레이 층을 형성하고,
   상기 기판을 에칭공정으로 제거하고,
   상기 현상된 영역 이외의 포토 레지스트를 에칭공정으로 제거하되,
   상기 트레이 층은,
   일정의 점착성을 갖는 액상의 실리콘 러버를 사용하여 상기 다수의 프로브 핀들을 잇도록 코팅하고,
   상기 실리콘 러버를 일정 시간 건조하여 고체 상태로 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 정렬 추출 방법.
   
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
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9. 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 기판상에 금속층과 금속 재질의 다수의 프로브 핀들을 형성하고,
   상기 금속층의 상면과, 상기 프로브 핀들의 상면 및 외측 둘레를 에워싸 상기 다수의 프로브 핀들을 서로 이어 정렬 및 고정하는 희생층을 형성하고,
   상기 기판 및 상기 금속층을 에칭공정으로 제거하고,
   상기 프로브 핀들이 독립적으로 추출되도록, 상기 다수의 프로브 핀들의 저면 전체 영역을 덮어 상기 프로브 핀들을 고정 및 서로 잇는 점착성의 트레이 층을 형성하고,
   상기 희생층을 에칭하여 제거하되,
   상기 트레이 층은,
   일정의 점착성을 갖는 액상의 실리콘 러버를 사용하여 상기 다수의 프로브 핀들을 잇도록 코팅하고,
   상기 실리콘 러버를 일정 시간 건조하여 고체 상태로 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 정렬 추출 방법.
10. 제 9항에 있어서,
    상기 다수의 프로브 핀들의 형성은,
    상기 기판 상면에 상기 금속층을 형성하고,
    상기 금속층의 상면에 포토 레지스트를 코팅, 노광 및 현상하고,
    상기 현상된 영역에 일정의 금속 재질을 전기 도금법을 이용하여 상기 프로브 핀들을 형성하고,
    상기 현상된 영역 이외의 포토 레지스트를 에칭공정으로 제거하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 정렬 추출 방법.
11. 삭제
12. 삭제
13. 삭제
14. 금속 재질의 기판 상면에 포토 레지스트를 코팅, 노광 및 현상하고,
    상기 현상된 영역에 일정의 금속 재질을 전기 도금법을 이용하여 단면이 사각 형상을 이루는 금속 재질의 다수의 프로브 핀들을 형성하고,
    상기 프로브 핀들이 독립적으로 추출되도록, 상기 프로브 핀들의 상면 및 외측 둘레 영역을 밀착하여 에워싸 상기 프로브 핀들을 고정 및 서로 고정 및 잇도록 점착성의 트레이 층을 형성하고,
    상기 기판을 에칭공정으로 제거하되,
    상기 트레이 층은,
    일정의 점착성을 갖는 액상의 실리콘 러버를 사용하여 상기 다수의 프로브 핀들을 잇도록 코팅하고,
    상기 실리콘 러버를 일정 시간 건조하여 고체 상태로 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 정렬 추출 방법.
15. 실리콘 재질의 기판 상면에 금속층을 형성하고,
    상기 금속층의 상면에 포토 레지스트를 코팅, 노광 및 현상하고,
    상기 현상된 영역에 일정의 금속 재질을 전기 도금법을 이용하여 단면이 사각 형상을 이루는 금속 재질의 프로브 핀들을 형성하고,
    상기 프로브 핀들이 독립적으로 추출되도록, 상기 프로브 핀들의 상면 전체 영역을 덮어 상기 프로브 핀들을 고정 및 서로 잇도록 상기 프로브 핀들과 상기 현상된 영역 이외의 포토 레지스트의 상면에 일정 두께의 점착성의 트레이 층을 형성하고,
    상기 기판을 에칭공정으로 제거하고,
    상기 금속층을 에칭공정으로 제거하고,
    상기 현상된 영역 이외의 포토 레지스트를 에칭공정으로 제거하되,
    상기 트레이 층은,
    일정의 점착성을 갖는 액상의 실리콘 러버를 사용하여 상기 다수의 프로브 핀들을 잇도록 코팅하고,
    상기 실리콘 러버를 일정 시간 건조하여 고체 상태로 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 정렬 추출 방법.
16. 실리콘 재질의 기판 상면에 금속층을 형성하고,
    상기 금속층의 상면에 포토 레지스트를 코팅, 노광 및 현상하고,
    상기 현상된 영역에 일정의 금속 재질을 전기 도금법을 이용하여 단면이 사각 형상을 이루는 금속 재질의 프로브 핀들을 형성하고,
    상기 프로브 핀들이 독립적으로 추출되도록, 상기 프로브 핀들의 상면 및 외측 둘레 영역을 밀착하여 에워싸 상기 프로브 핀들을 고정 및 서로 잇도록 점착성의 트레이 층을 형성하고,
    상기 기판을 에칭공정으로 제거하고,
    상기 금속층을 에칭공정으로 제거하되,
    상기 트레이 층은,
    일정의 점착성을 갖는 액상의 실리콘 러버를 사용하여 상기 다수의 프로브 핀들을 잇도록 코팅하고,
    상기 실리콘 러버를 일정 시간 건조하여 고체 상태로 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 정렬 추출 방법.
    
    
    
17. 삭제

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