KR101129624B1

KR101129624B1 - 프로브 카드 애플리케이션을 위한 재사용 가능한 기판 상의ｍｅｍｓ 프로브 제조

Info

Publication number: KR101129624B1
Application number: KR1020090027205A
Authority: KR
Inventors: 쉬 쩡양; 녹 람 까오
Original assignee: 윈멤스 테크놀러지 홀딩스 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2008-08-05
Filing date: 2009-03-31
Publication date: 2012-03-27
Also published as: TWI411783B; JP2010038900A; KR20100017042A; US8089294B2; CN101644725B; US20100033201A1; CN101644725A; TW201007169A

Abstract

마이크로전자기계시스템(MEMS) 프로브는 프로브 카드에 사용을 위해 기판에 제조된다. 프로브는 프로브 카드의 애플리케이션 플랫폼에 부착되는 본딩 면을 갖는다. 본딩 면은 기판의 표면에 수직을 이루는 평면 상에 형성된다. 프로브를 기판으로부터 분리하기 위해 프로브 아래에 언더컷이 형성된다.

마이크로전자기계시스템, MEMS, 프로브

Description

프로브 카드 애플리케이션을 위한 재사용 가능한 기판 상의 ＭＥＭＳ 프로브 제조{MEMS PROBE FABRICATION ON A REUSABLE SUBSTRATE FOR PROBE CARD APPLICATION}

본 발명의 적어도 하나의 실시예는, 마이크로전자기계시스템(MEMS, Micro-Electro-Mechanical System)에 관한 것으로, 보다 상세하게는, MEMS 프로브의 형성에 관한 것이다.

마이크로전자기계시스템((MEMS, Micro-Electro-Mechanical System)은, 마이크로제조 기술을 통해 실리콘 기판과 같은 통상의 기판 상에 기계 요소들, 센서들, 액추에이터들, 및 전자 기기들의 집적화이다. 전자 기기들이 집적 회로(IC) 공정 시퀀스(예를 들면, CMOS, Bipolar, 또는 BICOMS 공정들)를 사용하여 제조되는 한편, 마이크로기계 컴포넌트들은, 기계 및 전자기계 장치를 형성하도록 실리콘 웨이퍼의 특정 부분들을 선택적으로 에칭하거나 새로운 구조 층들을 추가하는 호환 가능한 "마이크로가공(micromachining)" 공정들을 사용하여 제조된다.

MEMS 장치는 마이크로미터 스케일(미터의 100만분의 1) 단위의 작은 구조물들을 포함한다. MEMS 기술의 중요한 부분들은 집적 회로(IC) 기술로부터 채용되고 있다. 예를 들면, 집적 회로들과 마찬가지로, MEMS 구조물들은, 일반적으로, 박막 형태로 구현되고 포토리소그래피 방법들로 패터닝된다. 또한, 집적 회로들과 마찬가지로, MEMS 구조물들은, 일반적으로, 일련의 증착, 리소그래피 및 에칭에 의해 웨이퍼 상에 제조된다.

MEMS 구조물들의 복잡성이 증가할수록, MEMS 장치의 제조 공정 또한 복잡성이 증가하게 된다. 예를 들면, MEMS 프로브들의 배열은 프로브 카드로 조립될 수 있다. 프로브 카드는 전자 테스트 시스템과 테스트 중인 반도체 웨이퍼 사이의 인터페이스이다. 프로브 카드는 테스트 시스템과 웨이퍼 상의 회로 사이에 전기적인 경로를 제공하는데, 이에 따라 웨이퍼 상의 칩들을 절단하고 패키지화하기 전에, 웨이퍼 레벨에서 회로의 유효성 및 테스트가 가능해진다.

통상적으로, 프로브들은 전체 웨이퍼에 걸쳐 일련의 증착 단계들을 사용하여 기판의 표면에 대해 수직 방향으로 늘어선 다수의 층을 갖는 단일 기판에 제조된다. 통상적인 방법론의 관심사는 임의의 증착 단계 및 임의의 개별적인 프로브에서 발생하는 결함 또는 오염은 전체 웨이퍼의 불량을 초래할 수 있다는 것이다. 또한, 프로브 형상들의 설계는 일반적으로 프로브 스프링의 길이 축을 따르는 방향으로 프로브 물질들의 층들을 증착하는 통상의 공정들에 의해 제한된다. 이러한 통상의 공정들은 프로브 물질들의 모든 층을 쌓고 연결하는 다수의 리소그래피 단계들을 이용하여, 수직이고 다차원적인 프로브의 구조물을 만들어 낸다. 결과적으로, 프로브 스프링을 포함하는 최종 프로브 구조물은 톱날 같고 평평하지 않은 외곽선을 갖고 층들 사이에 매끄러운 전환이 부족한 경향이 있다. 그러므로, MEMS 프로브들의 생산성을 증가시키고, 작업 시간 및 비용을 줄이고, 프로브들의 설계를 향상시키기 위해서, 통상의 제조 공정들을 개선할 필요가 있다.

본 발명의 목적은, MEMS 프로브들의 생산성을 증가시키고 작업 시간 및 비용을 줄이며 프로브들의 설계를 향상시킬 수 있는 MEMS 프로브 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.

프로브 카드(probe card)와 같은 다른 플랫폼에서 사용을 위해 기판에 마이크로전자기계시스템(MEMS, Micro-Electro-Mechanical Systems) 프로브를 제조하기 위한 기술이 설명된다. 일 실시예에서, 적어도 하나의 프로브는 MEMS 처리 기술에 의해 기판에 제조된다. 각 프로브는 접촉 팁 및 프로브 몸체를 포함한다. 프로브 몸체는 팁부, 스프링부 및 베이스부를 더 포함한다. 프로브는 기판의 표면과 평행한 평면 상에 누워 있는 위치를 의미하는“누워 있는”위치에서 형성된다. 프로브 아래에 언더컷(undercut)을 형성하고 기판 상의 앵커 구조물로부터 베이스부를 절단함으로써, 프로브는 기판으로부터 분리된다. 그 다음, 프로브는 프로브 카드의 애플리케이션 플랫폼에 부착된다. 부착 공정 중에, 프로브는 “서 있는”위치로 들어 올려져 프로브 몸체의 베이스부만 애플리케이션 플랫폼에 부착된다.

일 실시예에서, 픽-앤-플레이스(pick-and-place) 공정이 설명된다. 픽-앤-플레이스 공정에서, MEMS 프로브들(또는 “프로브들”)은 기판으로부터 개별적으로 분리되고(“picked”), 그 다음 언패키지 상태로 애플리케이션 플랫폼(application platform)에 부착된다(“placed”). 이러한 "픽-앤-플레이스" 기술은 MEMS 프로브들의 생산성을 향상시킬 뿐만 아니라, MEMS 프로브들이 제조되고 사용되는 방식에 대한 유연성을 크게 증가시킨다. 예를 들면, MEMS 프로브들의 배열이 기판으로부터 동시에 분리되거나 한번에 적어도 하나의 부품이 분리될 수 있다. MEMS 프로브들 각각은 같은 애플리케이션 플랫폼에 부착되거나 서로 다른 애플리케이션 플랫폼들에 부착될 수 있다. 또한, 같은 애플리케이션 플랫폼에 부착되는 MEMS 프로브들은 제1 배치 형태로 기판 상에 제조되고 그 다음 제2 배치 형태로 애플리케이션 플랫폼에 부착될 수 있는데, 이때 제1 배치 형태와 제2 배치 형태는, MEMS 프로브들 사이의 이격 거리, MEMS 프로브들의 방향성(orientation) 또는 MEMS 프로브들 사이의 이격 거리과 MEMS 프로브들의 방향성의 조합에 있어서, 서로 다를 수 있다.

MEMS 프로브들은 최종 애플리케이션으로 사용되는 플랫폼과는 다른 기판 상에 제조되므로, 개별적인 MEMS 프로브들의 생산성은 최종 제품의 생산성에 직접적인 영향을 미치지 않는다. MEMS 프로브들의 선택 공정은 MEMS 프로브들이 애플리케이션 플랫폼에 조립되기 전에 수행된다. 결함이 있는 MEMS 프로브들은 부착 공정 전에 버려지거나 기판 상에 남을 수 있다.

본 발명은, MEMS 프로브들의 생산성을 증가시키고 작업 시간 및 비용을 줄이며 프로브들의 설계를 향상시킬 수 있다.

아래의 상세한 설명에서 많은 세부 사항들이 설명된다. 그러나 본 발명은 이러한 특정 세부 사항들이 없이 실시될 수 있음은 당업자에게 명백하다. 일부 예들에 있어서, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 이미 공지된 구성 및 장치는 블럭 다이어그램 형태로 도시된다.

본 명세서에서,“MEMS 프로브”란 용어는, MEMS 기술에 의해 제조되는 프로브(probe)를 말한다. 또한, 본 명세서에서 설명되는 기술은 다른 MEMS 부품들(예를 들면, 기계 부품, 광학 부품, 전자 부품 등)에 적용될 수 있다. 일반적으로, 일반적으로, MEMS 부품은 10 x 10 x 10 ㎛ 내지 5000 x 5000 x 5000 ㎛ 범위의 단위를 갖는다. MEMS 부품의 예들은 프로브, 레이저 모듈(laser module), 광학 렌즈(optical lenses), 마이크로-기어(micro-gears), 마이크로-저항(micro-resistors), 마이크로-커패시터(micro-capacitors), 마이크로-인덕터(micro-inductors), 마이크로-다이어프램(micro-diaphragms), 마이크로-중계기(micro-relays), 마이크로-스프링(micro-springs), 도파관(waveguides), 마이크로-그루브(micro-grooves) 등을 포함한다.

본 명세서에서,“기판”이란 용어는, 프로브들 및 프로브 카드의 동작에서의 개입 없이 프로브 제조 공정에서 사용되는 기판을 말한다. MEMS 프로브를 제조하기 위한 기판의 예들은 세라믹, 글래스, 금속 플레이트, 플라스틱 플레이트, 및 반도체(예를 들면, 실리콘(Si)) 웨이퍼를 포함하지만, 이에 한정되지 아니한다. 실리콘 기반의 기판(Si-based substrate)과 비교할 때, 비-실리콘 기판(non-silicon substrate)은 보다 다양한 표준 크기를 제공하며, 보다 두껍고 비-원형 표준 기판 으로 적용 가능하다. 또한, 비-실리콘 기판은 제조 공정에서 사용되는 대부분의 화학제품에 대해 비활성이다. 실리콘 기반의 기판을 포함하여 대부분의 기판은 그 위에 MEMS 부품들이 마련된 상태에서 처리될 수 있다. 기판 상에 처리된 물질들은 기판에 대한 손상 없이 나중에 제거되거나 용해될 수 있다. 따라서, 여기서 설명되는 MEMS 프로브들을 제조하기 위한 기판은, 다른 설명이 없다면, “재사용 가능한 기판”이다. 재사용 가능한 기판은, MEMS 프로브들이 기판으로부터 분리되고 잔여 물질들이 제거된 후에 다음 MEMS 프로브들의 제조를 위해 재사용될 수 있다.

본 명세서에서,“애플리케이션 플랫폼”이란 용어는, 프로브 카드의 일 부품으로, 프로브들이 부착되는 플랫폼을 제공하고 프로브들의 적어도 하나, 예를 들면 프로브들 각각을 전자 테스트 시스템(electronic test system)을 인터페이스 하는 PCB(printed circuit board)에 전기적으로 연결하는 부품을 말한다. 애플리케이션 플랫폼은 반도체, 글래스, 세라믹(예를 들면, LTCC(low-temperature co-fired ceramics), HTCC(high-temperature co-fired ceramics)), 금속, 유전체 물질, 유기체 물질 또는 이들의 화합물을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지 아니한다. MEMS 프로브들에 더하여, 애플리케이션 플랫폼은 전기적인 연결, 전기적인 접촉, 전기적인 격리, 전기적인 접지, 집적 회로 모듈, ASIC(application specific IC) 모듈, 유전체 패터닝, 전도 개구부 한정(conducting opening definition), 기계적인 지지, 기계적인 보호, 열 전도, 정전기적 방전 보호, 부품들을 위한 제한(confinement for parts), 및 와이어 본딩 패드 등과 같은 컴포넌트들(components)을 포함할 수 있다.

또한, 프로브 카드는 적어도 하나의 재사용 기판으로부터 제조되는 적어도 하나의 MEMS 프로브를 포함할 수 있다. 프로브 카드에 부착되는 MEMS 프로브들은 서로 다른 방향성, 형상, 크기 및 물질로 이루어질 수 있다. 프로브 카드 상의 프로브들의 위치는 고객의 사정에 따라 맞추어질 수 있다.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 기판에 MEMS 프로브를 제조하기 위한 공정의 일 실시예가 사시도 및 단면도로 도시된다. 위 도면들 중“a”가 붙여진 도면들은 사시도를, “b”가 붙여진 도면들은 단면도를 나타낸다. 도면들에는 하나의 MEMS 프로브만 도시되어 있지만, MEMS 프로브들의 배열을 제조함에 있어서도 동일한 공정이 적용될 수 있음은 물론이다. 본 발명의 주제와 직접적인 관련이 없고 당업자에 의해 쉽게 이해되는 일부 표준적인 또는 관례적인 처리 공정들은 이하 설명에서 생략될 수 있다.

도 1a 및 도 1b는 기판(11)에 형성되는 블랭킷 금속 층(12, blanket metal layer)(예를 들면, 금 또는 다른 전도성 물질)을 도시한다. 기판(11)에 대한 점착을 향상시키기 위해, 일 실시예에서, 블랭킷 금속 층(12)의 하부는 씨드 층(seed layer)이라고도 하는 얇은 필름(미도시, 예를 들면, 1 마이크론 미만)으로 코팅될 수 있으며, 이때, 씨드 층은 블랭킷 금속 층(12)과는 다른 전도성 물질(예를 들면, 크롬과 금의 화합물)로 이루어진다. 일 실시예에서, 블랭킷 금속 층(12)는 전기 도금(electrode plating)와 같은 전기 성형 공정(전착 공정(electrodeposition)으로도 알려짐)에 의해 증착된다. 씨드 층은 열적 기상(thermal evaporation), e-빔 기상(e-beam evaporation), 스퍼터링 증착(sputtering deposition) 등의 박막 증착 공정에 의해 형성된다.

블랭킷 금속 층(12)을 형성한 다음에, 제1 희생 층(23, first sacrificial layer)은 블랭킷 금속 층(12)에 형성된다(도 2a 및 도 2b). 제1 희생 층(23)은 블랭킷 금속 층(12) 및 기판(11)에 형성될 프로브와 다른 금속(예를 들면, 구리) 또는 합금으로 이루어진 층이다. 제1 희생 층(23)을 형성하는 방법 중 하나느 전기 성형에 의해서이다. 이하에서 설명될 이후 처리 공정들에서, 제1 희생 층(23)은 프로브 아래에서 제거된다. 일부 실시예들에서, 제1 희생 층(23)은 추가적인 처리 공정들이 수행되기 전에 평탄화될 수 있다. 평탄화는 랩핑 기계(lapping machine), 다이아몬드 플라이-커터(diamond fly-cutter) 등의 기계에 의해 수행될 수 있다.

도 3a 및 도 3b는 제1 희생 층(23)의 상부에 형성되는 팁 베이스(34, tip base)를 도시한다. 일 실시예에서, 팁 베이스(34)는 팁 베이스(34)의 형상을 한정하기 위한 제1 리소그래피 패턴 몰드(first lithographic patterned mold)(예를 들면, 포토레지스트 몰드)(미도시)를 사용하여 형성된다. 제1 리소그래피 패턴 몰드는 제1 희생 층(23)에 올려지고 전기 성형에 의해 금속(예를 들면, 니켈) 또는 합금 물질로 채워진다. 제1 리소그래피 패턴 몰드는 이후 처리 공정에서 제거될 것인데, 예를 들면, 팁 베이스(34) 다음에는 프로브의 접촉 팁(contact tip) 또는 프로브가 형성된다.

도 4a 및 도 4b는 팁 베이스(34)에 형성되고 팁 베이스(34)로부터 돌출되는 일 부분을 갖는 접촉 팁(45, contact tip)을 도시한다. 일 실시예에서, 접촉 팁(45)는 접촉 팁(45)의 형상을 한정하기 위한 제2 리소그래피 패턴 몰드(first lithographic patterned mold)(예를 들면, 포토레지스트 몰드)(미도시)를 사용하여 형성된다. 제2 리소그래피 패턴 몰드는 전기 성형에 의해 팁 베이스(34)의 물질과는 다른 금속(예를 들면, 로듐) 또는 합금 물질로 채워진다. 제2 리소그래피 패턴 몰드는 또한 이후 처리 공정에서 제거되는데, 예를 들면, 접촉 팁(45) 다음에는 프로브가 형성된다.

도 5a를 참조하면, 팁 베이스(34) 및 접촉 팁(45)은 기판(11)에 형성되는 프로브(51)의 부분이다. 팁 베이스(34) 및 접촉 팁(45)을 형성한 다음에, 프로브(51)의 나머지 부분 및 프로브(51)에 부착되는 프레임(57)이 기판(11)에 형성된다. 일 실시예에서, 팁 베이스(34)와 프로브(51)의 나머지 부분(접촉 팁(45)은 제외)은 도일한 물질(예를 들면, 니켈)에 의해 형성되고, 팁 베이스(34)는 도 5a에 명확하게 도시되지 않았지만 프로브(51)의 부분이 된다.

기판(11)에서, 프로브(51)는 기판(11)의 표면과 평행한 평면 상에 누워 있는 위치를 의미하는“누워 있는”위치에서 형성된다. 도 5b는 (I)축 및 (II)축에 따른 프로브(51)의 단면도를 도시한다. “누워 있는”위치에서, 프로브(51)의 두께 치수(t)는 기판(11)의 표면에 수직을 이루도록 도시된다. (I)축은 프로브(51)의 프로브 베이스(58)라 칭하는 긴 부분의 길이 방향을 따라 연장된다. 본딩 면(59)이라 칭하는 프로브 베이스(58)의 표면은 상기 두께 치수에 따른 평면 상에 누워 있고, 기판(11)의 표면에 대해 수직이다. (II)축은 프로브 베이스(58)에서 접촉 팁(45)으로 연장되고, 기판(11)의 표면에 대해 수직이다. 전술한 “누워 있는”위치는, 프로브(51)가 프로브 카드의 애플리케이션 플랫폼에 부착될 때의“서 있는”위치와 반대된다. “서 있는”위치에서, 본딩 면(59)은 애플리케이션 플랫폼의 표면에 부착되고, (II)축이 애플리케이션의 표면을 관통하도록 접촉 팁(45)은 들어 올려진다.

일 실시예에서, 얇은 금속 필름(예를 들면, 금)은, 프로브 베이스(58)와 애플리케이션 플랫폼의 표면 사이의 점착을 향상시키기 위한 목적으로, 본딩 면(59)에 증착될 수 있다.

프레임(57)(“섬(island)”또는“앵커 구조물(anchoring structure)”이라고도 칭함)은, 프로브(51)를 기판(11) 상의 정해진 위치에 고정하기 위해 사용된다. 프로브(51) 아래의 제1 희생 층(23)을 제거하는 이후 공정에서, 프레임(57)은 프로브(51)를 위한 유일한 지지체가 되어 기판(11)에 남아있게 된다. 일 실시예에서, 프레임(57)의 표면적은 프로브(51)의 표면적보다 크다. 대표적으로, 프레임(57) 대비 프로브(51)의 표면적 비율은 25:1 (또는 더 크게) 내지 2:1 (또는 더 작게) 범위를 갖는다. 이론적으로, 이러한 표면적 비율에는 상한(upper bound)이 존재하지 않는다. 그러나, 표면적 비율이 크다는 것은 기판(11) 상에서 프레임(57)이 크다는 것을 의미하고, 이에 따라 프로브들을 위한 공간이 적어진다. 또한, 표면적 비율은 프레임(57) 및 프로브(51)의 상대적인 형상에 따라 좌우될 수 있다. 예를 들면, 프레임(57)이 실질적으로 라운드 형상을 갖고 프로브(51)가 길고 좁은 형상을 갖는 경우, 표면적 비율은 크게 감소할 수 있다(예를 들면, 5:1, 2:1, 1:1 또는 그 미만). 프레임(57)과 프로브(51) 모두 실질적으로 동일한 형상을 갖는 경우, 표면적 비율은 증가할 수 있다(1:1 보다 크게, 5:1, 7:1, 10:1 또는 더 크게). 표면적 비 율 및 (프레임(57) 및 프로브(51))의 상대적인 형상은, 프로브(51) 및 프레임(57) 아래의 제1 희생 층(23)의 차별적인 에칭률(differential etching rates)에 기여하는데, 이는 프로브(51)의 분리를 용이하게 하는 특징으로, 도 7a 및 도 7b를 참조하여 상세히 후술하기로 한다.

프로브(51)(팁 베이스(34) 및 접촉 팁(45)은 제외) 및 프레임(57)은 프로브(51) 및 프레임(57)의 형상을 한정하는 제3 리소그래피 패턴 몰드(미도시)를 사용하여 형성될 수 있다. 제3 리소그래피 패턴 몰드는 전기 성형에 의해 금속(예를 들면, 니켈) 또는 합금과 같은 전도성 물질로 채워진다. 일부 실시예들에서, 제1, 제2 및 제3 리소그래피 패턴 몰드는 포토레지스트와 같은 동일한 물질로 이루어질 수 있다.

제3 리소그래피 패턴 몰드는 또한 프로브 베이스(58)와 프레임(57) 사이의 앵커 조인트(52, anchoring joint)의 형상을 한정한다. 앵커 조인트(52)는 프로브 베이스(58)와 프레임(57)을 연결하는 조인트 부분의 양 측면에 깊은 V-컷(V-cuts)을 갖는 형상으로 이루어진다. (프로브 베이스(58)와 프레임(57)의 조인트 부분을 통해 절단한 평면에 의해 한정되는) 앵커 조인트(52)의 단면은 얇고 좁은 영역이다. 예를 들면, 앵커 조인트(52)는, 그 단면이 프로브 층의 두께를 따라 연장되는 실질적으로 라인의 형상을 갖도록, 양 측면에 V-컷을 갖는 형상으로 이루어진다. 이러한 앵커 조인트(52)의 형상은 외력에 의해 프로브(51)를 프레임(57)으로부터 분리하는 것을 용이하게 하는데, 이에 대해서는 도 7a 및 도 7b를 참조하여 더 상세히 후술하기로 한다.

프로브(51)를 형성한 다음에, 프로브(51)의 두께를 조절하기 위해, 평탄화 공정이 프로브(51) 상에서 수행된다(도 6a 및 도 6b). 프레임(57)은 프로브(51)와 동시에 평탄화될 수 있다. 기판(11)에 다수의 프로브를 동시에 제조하는 경우, 기판(11) 상의 모든 프로브들에 걸쳐서 실질적으로 균등한 두께(설계 사양 범위 내에서)를 제공할 수 있도록, 평탄화 공정이 수행될 수 있다. 평탄화 공정은 프로브(51)에 손상을 초래하는 전단력을 프로브(51)에 제공할 수 있다. 이러한 잠재적인 손상을 방지하기 위해, 제3 리소그래피 패턴 몰드는 평탄화 공정 동안 기판(11) 상에 유지되고, 평탄화 공정 이후에 벗겨지거나 용해될 수 있다. 다르게는, 제3 리소그래피 패턴 몰드는 프로브(51)의 형성 이후에 제거되고, 제2 희생 층(62)은 프로브(51)에 대해 블랭킷 층(blanket layer) 및 기판(11)의 노출 면으로 적용된다. 제2 희생 층(62)은, 그 전에 적용된 리소그래피 패턴 몰드들과 동일한 물질, 제1 희생 층(23)과 동일한 전도성 물질(예를 들면, 구리 또는 합금) 또는 포토레지스트로 이루어질 수 있다. 도 6a 및 도 6b에 도시된 실시예에서, 제2 희생 층(62)는 제1 희생 층(23)과 동일한 물질이다.

평탄화 공정 다음에, 제2 희생 층(62)은 벗겨지거나 용해된다. 제2 희생 층(62)이 제1 희생 층(23)과 동일한 물질로 이루어지는 일 실시예에서, 제1 및 제2 희생 층(23,62) 모두는 프로브(51) 아래에서 선택적으로 에칭되거나 용해될 수 있다. 이러한 선택적인 제거는 프로브(51) 아래에 언더컷(73, undercut)을 만들어 낸다(도 7a 및 도 7b). 전술한 바와 같이, 프레임(57) 및 프로브(51)의 표면적 및/또는 형상은, (도 5a에 도시된 바와 같이) 프로브(51) 아래의 제1 희생 층(23)이 프 레임(57) 아래의 제1 희생 층(23)보다 빠르게 에칭되도록 한다. 프로브(51) 아래의 제1 희생 층(23)이 완전히 제거된 경우, 프레임(57) 아래의 제1 희생 층(23)은 상당한 양이 남겨져 기판(11) 상에서 프레임(57)을 잡아주게 된다. 이러한 관점에서, 프로브(52)는 앵커 조인트(52)에서 단지 프레임(57)에 의해 그 자리에 유지된다.

전술한 바와 같이, 얇은 금속 필름(예를 들면, 금)은 평탄화 공정 전에, 프로브 베이스(58)와 애플리케이션 플랫폼의 표면 사이의 점착을 향상시키기 위한 목적으로, 본딩 면(59)에 증착될 수 있다. 다른 실시예에서, 얇은 금속 필름은 평탄화 공정 전 대신에 증착될 수 있다.

언더컷(73)을 형성한 다음에, 프로브(51)는 수작업 또는 기계를 사용하여 프레임(57)으로부터 분리되도록 준비된다. 앵커 조인트(52) 근처의 프로브(51)에 인가되는 (기판(11)의 표면에 관한) 측방력(lateral force)은, 앵커 조인트(52)에서 프로브(51)를 프레임(57)으로부터 분리할 수 있다. 다르게는, 프레임(57)으로부터 프로브(51)를 분리시키기 위해 앵커 조인트(52) 근처에 상방향 스윙력(upward swing force)이 인가될 수 있다. 프레임(57)으로부터 프로브(51)를 분리하는 또 다른 방법은, 앵커 조인트(52)를 레이저 절단하는 것이다. 기판(11)은, 모든 프로브(51)들이 분리된 후에, 프레임(57)을 계속 지니고 있다. 프레임(57)을 기판(11)으로부터 분리하기 전까지 제1 희생 층(23)에 대한 에칭 또는 용해를 계속함으로써, 기판(11)은 다음 프로브들의 제조를 위해 재사용될 수 있다. 그 다음, 기판(11)은 그 위에 블랭킷 금속 층(12) 또는 블랭킷 금속 층(12)의 하부에 얇은 필름이 있는 상태에서 재사용될 수 있다.

프로브(51)의 분리 공정은 기판(11)의 표면에 대해 앵커 조인트(52) 근처에 외력을 가함으로써 수행될 수 있다. 측방향 또는 상방향으로, 또는 레이저 절단에 의한 외력은 앵커 조인트(52)에서 좁은 연결을 물리적으로 절단한다. 이러한 좁은 연결이 절단된 후, 이전에 프레임(57)에 연결되었던 프로브 베이스(58)의 측면에는 “절단(broken)”면이 형성된다. 이러한 절단 면은, 기판으로부터 프로브를 분리하기 위한 외력을 사용하지 않는 통상의 프로브 형성 방법에 의해 형성되는 면과는 구별된다. 일반적으로, 통상의 방법에 의해 형성된 면은 매끄럽고 규칙적인 형상을 갖는다. (프로브 베이스(58)의 절단 면과 같이) 강제 절단에 의해 형성된 면은 일반적으로 거칠고 실질적으로 불규칙하다. 절단 면에 의해 표출되는 이러한“특징(signature)”은 그 면의 매끄러움 및 형상을 조사함으로써 당업자에게 인식될 수 있을 것이다. 프로브(51)가 금속으로 이루어진 일 예에서, 절단 금속 면의 거칠기 및 불규칙성은 포토레지스트 또는 다른 희생 물질에 의해 한정되는 금속 면(plated metal surface)과 시각적으로 식별 및 구별된다.

이하, 도 2 내지 도 7에서 설명한 공정과 다른 공정을 도 8 내지 도 13을 참조하여 설명한다. 도 8a 및 도 8b에서, 블랭킷 금속 층(12)이 기판(11)에 형성된 후, 제1 희생 층(23)이 전기 성형에 의해 형성되기 전에, 개구(81)의 포토레지스트 패턴이 형성된다. 제1 희생 층(23)이 형성된 후에, 포토레지스트는 벗겨져서 개구(81)를 통해 블랭킷 금속 층(12) 또는 블랭킷 금속 층(12)의 하부에서 씨드 층이라고도 하는 얇은 필름(미도시)을 노출시킨다. 제1 리소그래피 패턴 몰드(미도시)는 팁 베이스(34) 및 프레임(92)의 형상을 한정하도록 사용된다(도 9a 및 도 9b). 프레임(92)은 블랭킷 금속 층(12) 또는 블랭키 금속 층(12)의 하부에서의 씨드 층과 직접적인 접촉하는 반면, 프레임(57, 도 5a 및 도 5b)은 블랭킷 금속 층(12) 또는 씨드 층과 직접적인 접촉 없이 제1 희생 층(23)의 상부에 형성된다는 점에서, 프레임(92)은 도 5a 및 도 5b에 도시된 프레임(57)과 다르다. 일 실시예에서, 프레임(92) 및 팁 베이스(34)는 전기 성형에 의해 동일한 시간 동안 형성된다. 이에 따라, 팁 베이스(34)와 프레임(92)의 두께는 실질적으로 동일하다. 프레임(92)의 측면 영역이 제1 희생 층(23)의 상부에 형성되고 프레임(92)의 중앙 영역이 블랭킷 금속 층(12) 또는 블랭킷 금속 층(12)의 씨드 층의 상부에 형성되기 때문에, 프레임(92)의 중앙 영역은 격실(93, recess)을 형성한다. 일부 실시예들에서, 격실(93)은 평탄화 공정에 의해 제거될 수 있다.

도 10a 및 도 10b는 프로브 베이스(34)의 상부에 형성되는 접촉 팁(45)을 도시한다. 도 11a 및 도 11b는 프로브(51)에 부착되는 프레임(92)과 함께 형성되는 프로브(51)의 나머지 부분을 도시한다. 도 4 및 도 5의 공정에서 설명했던 바와 같이, 제2 및 제3 리소그래피 패턴 몰드(미도시)는 접촉 팁(45), 프로브(51) 및 프레임(92)을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 프레임(92)은 블랭킷 금속 층(12) 또는 블랭킷 금속 층(12)의 하부에서 씨드 층에 고정된다. 프로브 카드의 플랫폼의 표면과 프로브 베이스(58) 사이의 점착(adhesion)을 향상시키기 위해, 프로브 베이스(58)의 본딩 면(59)에 금속 얇은 필름(예를 들면, 금)을 적용하기 위한 추가적인 공정들이 수행될 수 있다.

도 12a 및 도 12b는 제1 희생 층(23)과 동일한 물질로 이루어진 제2 희생 층(62)을 사용하는 프로브 표면의 평탄화 공정을 도시한다. 도 6a 및 도 6b 관련하여 전술한 바와 같이, 다르게는 제2 희생 층(62)은 포토레지스트 또는 그 전에 적용된 리소그래피 패턴 몰드들과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 평탄화 공정 이후에, 제1 희생 층(23) 및 제2 희생 층(62)은, 예를 들면 화학적 에칭 또는 용해(도 13a 및 도 13b)에 의해 제거된다. 희생 물질 모두가 에칭되거나 용해될 때까지, 에칭 또는 용해 시간은 도 7a 및 도 7b에서 설명한 공정보다 훨씬 더 길어질 수 있다. 도 7a 및 도 7b에서 설명한 공정과 마찬가지로, 프레임(57) 아래의 제1 희생 층(23)의 완전한 제거를 방지하기 위해, 에칭 또는 용해를 중단하기 위한 결정적인 타이밍은 없다. 본 공정에서, 프레임(92)은 블랭킷 금속 층(12) 또는 블랭킷 금속 층(12)의 하부에서 씨드 층에 고정되므로, 제1 희생 층(23)의 완전한 제거는 문제를 발생시키지 않는다. 제1 희생 층(23)의 제거는 프로브(51) 아래에 언더컷(37, undercut)을 형성한다. 도 7a 및 도 7b에서 설명한 공정과 마찬가지로, 프로브(51)는 물리적인 힘을 가함으로써 프레임(92)으로부터 분리될 수 있다. 프레임(92)을 에칭하거나 용해시킨 후에, 기판(11)은 재사용될 수 있다.

도 14를 참조하면, 프로브(140, 예를 들면, 프로브(51))의 기본적인 구조물은 접촉 팁(145) 및 프로브 몸체를 포함한다. 프로브 몸체는 세 개의 메인부, 베이스부(141), 스프링부(142) 및 팁부(143)를 더 포함한다. 베이스부(141)는 프로브 구조물의 나머지 부분을 기계적으로 지지하고 프로브 카드에 부착을 위한 하부에 본딩 면(144)을 포함한다. 스프링부(142)는 고객의 요구 사양에 의해 특정된 스프링 상수를 갖는다. 팁부(143)는 접촉 팁(145)을 지지하여 피시험기기(DUT, device- under-test)와의 접촉을 형성한다. 세 개의 부분(141,142,143) 모두 및 접촉 팁(145)은 다양한 애플리케이션의 요구 사양을 충족시키도록 고객의 사정에 맞추어질 수 있다.

스프링부(142)는 팁부(143)에 인가되는 압력에 대한 버클링 힘(buckling force)으로 반작용한다. 일 실시예에서, 스프링부(142)는 원 또는 변형된 원(예를 들면, 반원, 반타원, 1/4 타원 또는 1/4 원)의 일부의 형상을 가지고, 일단부가 팁부(143)로 연장되고 타단부가 베이스부(141)에 고정된다. 스프링부(142)는 최적화된 스크러빙 마크(scrubbing mark)를 얻기 위해 그 폭(도 14에서“W”)이 스프링 길이(“L”)를 따라 변화하도록 설계될 수도 있다. 스프링부(142)의 형상은 하나의 리소그래피 몰드(전술한 제3 리소그래피 패턴 몰드)에 의해 한정되고 하나의 리소그래피 공정(예를 들면, 위의 도 5 및 도 11에서 설명한 공정들)에 의해 형성되므로, 스프링부(142)의 형상은 (프로브 카드의 표면에 대한) 수직 방향으로 매끄러운 곡선들 또는 다른 기하학적인 형상들을 갖도록 설계될 수 있다. 통상의 공정들은 프로브 카드의 표면에 대해 수직으로 스프링을 만들어 낸다. 그러므로, 이러한 스프링을 형성하는 모든 층을 쌓고 연결하기 위해서는 다수의 리소그래피 공정들이 요구된다. 최종 스프링 구조물은 톱날 같고(jagged) 층들 사이에 매끄러운 전환(smooth transition)이 없게 된다.

본 명세서에서 설명한 프로브 구조물은, 팁 베이스, 접촉 팁 및 프로브 몸체의 나머지 부분을 형성하는 적어도 세 개의 개별적인 리소그래피 공정들에 의해 형성된다. 이러한 세 개의 리소그래피 공정들은 프로브 몸체가 그 단면을 따라 두께 변화를 갖도록 할 수 있는데, 이때 두께는 기판(11)의 표면에 대해 수직 방향으로 측정된다. 예를 들면, 팁 베이스를 형성하는 동안, 금속 또는 합금 물질이 프로브 몸체의 격실부분(150)에 증착될 수 있다(도 15a 및 도 15b). 프로브 몸체를 전기 성형할 때, 격실부분(150)은 포토레지스트로 덮어진다. 포토레지스트가 벗겨진 후에, 격실부분(150)은 결국 팁 베이스 층만의 두께를 갖게 된다. 이에 따라, 용이한 기계적인 그립핑(gripping)을 위해 베이스부에 “thin”부분을 형성할 수 있다(도 15a). 마찬가지로, 도 15b의 격실부분(151)은, 프로브 카드의 애플리케이션 플랫폼에 프로브를 본딩할 때, 본딩 물질을 가두어 형성될 수 있다. 필요한 경우에, 프로브에 따른 두께 변화를 더 증가시키기 위해, 더 많은 리소그래피 단계들이 도입될 수 있다.

프로브의 베이스부는 다양한 애플리케이션의 요구 사양을 만족시키도록 설계 변경이 가능하다. 예를 들면, 도 16에서, 프로브(160)는 "주름이 있는" 베이스부(161)를 가짐으로써, 상응하는 주름진 설계를 갖는 애플리케이션 플랫폼에 대한 피팅 및 본딩을 향상시킬 수 있다. 도 17에 도시된 일 실시예에서, 프로브(170)는 버클링 반작용(buckling reactions)의 두 스테이지를 제공하기 위한 스탑(171, stop)를 갖는다. 처음에, 프로브(170)의 팁 단부가 아래 방향으로 가압되었을 때, 프로브(170)의 전체 스프링은 전체 버클링 힘으로 반작용한다. 아래 방향으로의 가압이 계속되어 스탑(171)이 프로브(170)의 스프링부와 부딪치게 되면, 스프링부의 상부만이 아래 방향으로의 가압에 대해 반작용한다. 이러한 버클링 반작용의 두 스테이지는 프로브(170)의 팁부에서 수직 및 수평 이동의 다른 조합을 제공한다. 팁 부의 수평 및 수직 이동은 피시험기기(DUT, device-under-test)에 스크러빙 마크(scrubbing mark)를 제공한다.

당업자라면, 바람직한 버클링 힘은 프로브 높이, 프로브 두께, 스탑 위치 및 스탑 간격(프로브(170)의 스프링부와 스탑(171) 사이의 간격 또는 거리) 등의 설계 요소들을 조정하는 것에 의해 제공될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 프로브 스프링들의 추가적인 예들은 버클링 스프링(도 18(a)), 뱀 형상 스프링(도 18(b)), 사각 스프링(도 18(c)), 상향 만곡 스프링(도 18(d)), 하향 만곡 스프링(도 18(e)), 이중-스프링 프로브(도 18(f))를 포함한다. 도 19(a)-(e)는 본 명세서에서 설명한 공정들에 의해 제조 가능한 더 많은 스프링 형상들을 나타낸다.

스크러빙 마크(scrubbing mark)는 일반적으로 DUT 상의 마크의 길이 및 깊이에 의해 특징을 이룬다. 다시 도 14를 참조하면, 바람직한 스크러빙 마크를 제공하기 위해, 접촉 팁(145)의 형상은, 스크러빙 마크가 특정 애플리케이션에 따라 최적화될 수 있도록, 설계될 수 있다. 접촉 팁(145)은 노출된 접촉 영역과 함께 프로브 몸체의 금속 층들에 의해“끼워지도록(sandwiched)”설계된다. 접촉 영역은 두 개의 평행한 대향 면(즉, 도 11a의 기판(11)의 표면에 관해서는 상부면 및 하부면)을 갖는다. 접촉 영역의 전방 스크러빙 에지(front scrubbing edge)는 바람직한 스크러빙 마크를 형성하는데 적합하도록 날카롭고 뾰족한 각(angle)을 갖는다. 일 실시예에서, 접촉 팁(45)을 형성하기 위해 사용되는 리소그래피 몰드(도 4 및 도 10을 참조하여 전술한 공정들에서 처럼)는, 접촉 팁(45)의 전방 스크러빙 에지가 프로브 카드 애플리케이션에 적절한 스크러빙 가압을 제공하는데 최적화된 곡률 반경을 갖 도록, 설계될 수 있다.

이상, 기판에 MEMS 프로브를 제조하기 위한 기술을 설명하였다. 전술한 상세한 설명은 본 발명을 설명하기 위한 것이지 본 발명을 제한하는 것이 아니다. 전술한 상세한 설명에 기초하여 많은 다른 실시예들이 당업자에게 자명할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는, 첨부된 청구범위에 의해 부여되는 균등물의 전체 범위에 따라, 청구범위를 참조하여 결정된다.

본 발명은 특정 예시적인 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 설명된 실시예들에 한정되지 아니하며, 첨부된 청구범위의 정신 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 실행될 수 있음이 인식되어야 한다. 따라서, 상세한 설명 및 도면들은 제한적인 기능을 갖는 것이 아니라 설명적인 기능을 갖는 것으로 보아야 한다.

본 발명의 적어도 하나의 실시예는 첨부된 도면들에서 한정이 아니라 예로서 도시되며, 유사한 도면 부호는 유사한 구성 요소를 지시한다.

도 1a 및 도 1b는 전도 층이 형성되는 기판의 사시도 및 단면도를 나타낸다.

도 2a 및 도 2b는 전도 층에 도포되는 제1 희생 층을 나타낸다.

도 3a 및 도 3b는 제1 희생 층에 형성되는 팁 베이스를 나타낸다.

도 4a 및 도 4b는 팁 베이스에 형성되는 접촉 팁을 나타낸다.

도 5a 및 도 5b는 프로브 몸체 및 프레임의 형성을 나타낸다.

도 6a 및 도 6b는 평탄화 공정에서 프로브에 형성되는 제2 희생 층을 나타낸다.

도 7a 및 도 7b는 제1 희생 층의 제거를 나타낸다.

도 8a 및 도 8b는 제1 희생 층에서 개구를 형성하는 다른 공정을 나타낸다.

도 9a 및 도 9b는 다른 공정에서 팁 베이스 및 프레임의 형성을 나타낸다.

도 10a 및 도 10b는 다른 공정에서 접촉 팁의 형성을 나타낸다.

도 11a 및 도 11b는 다른 공정에서 프로브 몸체의 형성을 나타낸다.

도 12a 및 도 12b는 다른 공정에서 평탄화 공정를 나타낸다.

도 13a 및 도 13b는 다른 공정에서 제1 희생 층의 제거를 나타낸다.

도 14는 프로브의 구조물을 나타낸다.

도 15a 및 도 15b는 베이스부에서 두께 변화를 갖는 프로브를 나타낸다.

도 16은 주름이 있는 베이스를 갖는 프로브를 나타낸다.

도 17은 스프링 반작용의 두 개의 스테이지를 갖는 프로브를 나타낸다.

도 18의 (a) 내지 (f)는 프로브 설계의 변형 예들을 나타낸다.

도 19의 (a) 내지 (e)는 프로브 설계의 추가적인 변형 예들을 나타낸다.

Claims

프로브 카드의 애플리케이션 플랫폼에 부착되고 기판의 일 면에 수직을 이루는 평면에 형성되는 본딩 면을 갖는 프로브를 마이크로전자기계시스템(MEMS) 처리 기술을 이용하여 상기 기판에 형성하는 단계; 및

상기 프로브를 상기 기판으로부터 분리시키기 위해 상기 프로브 아래에 언더컷(undercut)을 형성하는 단계를 포함하며,

상기 프로브를 기판에 형성하는 단계는,

제1 리소그래피 공정에서 상기 프로브의 접촉 팁을 위한 팁 베이스를 형성하는 단계;

제2 리소그래피 공정에서 상기 팁 베이스에 접촉 팁을 형성하는 단계; 및

제3 리소그래피 공정에서 상기 기판에서 상기 프로브의 나머지 부분을 형성하는 단계를 포함하는 MEMS 프로브 제조 방법.
제1항에 있어서,

상기 기판에서 상기 프로브의 베이스부와 앵커 구조물 사이에 위치한 조인트를 절단함으로써 상기 프로브를 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 MEMS 프로브 제조 방법.
제2항에 있어서,

상기 프로브를 상기 기판으로부터 분리하는 단계는,

희생 층을 상기 기판에 형성하는 단계;

상기 프로브 및 상기 앵커 구조물을 상기 희생 층에 형성하는 단계; 및

상기 앵커 구조물 아래의 상기 희생 층을 완전히 제거하지 않으면서 상기 프로브 아래의 상기 희생 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 MEMS 프로브 제조 방법.
제2항에 있어서,

상기 프로브를 상기 기판으로부터 분리하는 단계는,

전도 층을 상기 기판에 형성하는 단계;

상기 전도 층을 노출시키는 개구를 갖는 희생 층을 상기 전도 층에 형성하는 단계;

상기 프로브 및 상기 개구를 통해 상기 전도 층에 접촉하는 상기 앵커 구조물을 상기 희생 층에 형성하는 단계; 및

상기 프로브 아래의 상기 희생 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 MEMS 프로브 제조 방법.
삭제
제2항에 있어서,

상기 앵커 구조물은 상기 프로브의 표면적보다 큰 표면적을 갖는 MEMS 프로브 제조 방법.
제2항에 있어서,

상기 앵커 구조물은 실질적으로 라운드 형상을 갖고, 상기 프로브는 실질적으로 길고 좁은 형상을 갖는 MEMS 프로브 제조 방법.
피시험기기와 접촉을 형성하고, 마이크로전자기계시스템(MEMS) 프로브의 두 개의 전도 층 사이에 끼워지는 접촉 팁; 및

프로브 몸체를 포함하며,

상기 프로브 몸체는,

상기 접촉 팁을 지지하는 팁부;

스프링부; 및

상기 팁부 및 상기 스프링부를 지지하고, 상기 MEMS 프로브가 조립되었던 기판으로부터 상기 MEMS 프로브를 힘으로 분리하는 것에 의해 형성되는 노출된 절단 면을 갖는 베이스부를 포함하며,

상기 스프링부는 적어도 하나의 만곡 형상 및 상기 스프링부의 길이를 따라 변하는 폭을 가지며, 상기 스프링부의 제1 단부는 상기 팁부로 연장되고 상기 스프링부의 제2 단부는 상기 베이스부에 연결되는 것을 특징으로 하는 MEMS 프로브.
제8항에 있어서,

상기 프로브 몸체는 그 단면들에 있어서 두께 변화를 갖고, 상기 두께는 상기 기판의 일 면에 수직을 이루는 방향으로 측정되는 MEMS 프로브.
삭제
제8항에 있어서,

상기 스프링부는 병렬식으로 연결되는 두 개 이상의 만곡 스프링을 포함하는 MEMS 프로브.
제8항에 있어서,

상기 스프링부는 두 개의 스테이지를 갖는 버클링 힘을 제공하고, 상기 두 개의 스테이지 사이에는 스탑이 있는 MEMS 프로브.
제8항에 있어서,

상기 베이스부는 주름이 있는 MEMS 프로브.
피시험기기와 접촉을 형성하고, 마이크로전자기계시스템(MEMS) 프로브의 두 개의 전도 층 사이에 끼워지는 접촉 팁;

프로브 몸체를 포함하며,

상기 프로브 몸체는,

상기 접촉 팁을 지지하는 팁부;

스프링부; 및

상기 팁부 및 상기 스프링부를 지지하고, 프로브 카드의 애플리케이션 플랫폼에 부착되고 기판의 일 면에 수직을 이루는 평면에 형성되는 본딩 면을 갖는 베이스부를 포함하며,

상기 스프링부는 적어도 하나의 만곡 형상 및 상기 스프링부의 길이를 따라 변하는 폭을 가지며, 상기 스프링부의 제1 단부는 상기 팁부로 연장되고 상기 스프링부의 제2 단부는 상기 베이스부에 연결되는 것을 특징으로 하는 MEMS 프로브.
제14항에 있어서,

상기 베이스부는 조인트를 통해 상기 기판 상의 앵커 구조물에 연결되고, 상기 조인트는 상기 베이스부 및 상기 앵커 구조물과 비교해서 얇고 좁은 단면을 갖는 MEMS 프로브.
제14항에 있어서,

상기 프로브 몸체는 그 단면들에 있어서 두께 변화를 갖고, 상기 두께는 상기 기판의 일 면에 수직을 이루는 방향으로 측정되는 MEMS 프로브.
제14항에 있어서,

상기 기판은 다음 프로브들을 제조하기 위해 재사용 가능한 MEMS 프로브.
희생 층을 기판에 형성하는 단계;

마이크로전자기계시스템(MEMS) 프로브의 팁 베이스의 형상을 갖는 제1 전도 패턴을 상기 희생 층에 형성하는 단계;

상기 MEMS 프로브의 접촉 팁의 형상을 갖는 제2 전도 패턴을 상기 제1 전도 패턴에 형성하는 단계; 및

상기 MEMS 프로브를 위한 앵커 구조물 및 프로브 몸체의 형상을 갖는 제3 전도 패턴을 상기 제2 전도 패턴에 형성하는 단계를 포함하는 MEMS 프로브 제조 방법.
제18항에 있어서,

상기 앵커 구조물은 상기 희생 층에 고정되며,

상기 앵커 구조물 아래의 상기 희생 층을 완전히 제거하지 않으면서 상기 MEMS 프로브 아래의 상기 희생 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 MEMS 프로브 제조 방법.
제18항에 있어서,

상기 앵커 구조물은 상기 희생 층 아래의 금속 층에 고정되며,

상기 앵커 구조물이 상기 금속 층에 고정된 상태에서 상기 MEMS 프로브 아래의 상기 희생 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 MEMS 프로브 제조 방법.