CN101644725A - 在可重复使用的基板上制造探针卡的微机电探针 - Google Patents

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Abstract

本发明是一种可重复使用的基板上制造探针卡的微机电(micro－electro－mechanical system；MEMS)探针，是于一基板上制造一微机电探针，以供用于一探针卡。该探针具有一接合面，该接合面被附着至探针卡的一应用平台。该接合面是形成于一垂直于该基板的一表面的平面上。于该探针下面形成一底切(undercut)，用于将探针自基板分离。

Description

在可重复使用的基板上制造探针卡的微机电探针
技术领域
本发明是关于微机电(micro-electro-mechanical system；MEMS)，且更具体而言，是关于微机电探针的形成。
背景技术
微机电(MEMS)是通过微制造(microfabrication)技术整合机械元件、传感器、致动器及电子器件于一共享基板(例如一硅基板)上。电子器件是利用集成电路(integrated circuit；IC)工艺序列(例如，CMOS工艺、双极工艺、或BICMO工艺)加以制造，而微机械组件则利用兼容的“微加工(micromachining)”工艺加以制造，这些“微加工”工艺通过有选择地蚀刻掉硅晶片的某些部分或者添加新结构层而形成机械及机电装置。
一微机电装置包含具有微米规模(百万分之一米)尺寸的微小结构。微机电技术的各重要部分是采纳自集成电路(IC)技术。举例而言，类似于集成电路，微机电结构一般是达成于薄膜材料中并以光刻(photolithographic)方法予以图案化。而且，类似于集成电路，微机电结构一般是通过一系列沉积、光刻印刷及蚀刻步骤而制造于一晶片上。
随着微机电结构的复杂度的增加，微机电装置的制造工艺亦变得日趋复杂。举例而言，一微机电探针阵列可组装成一探针卡(probe card)。探针卡是一电子测试系统与一待测半导体晶片之间的界面。探针卡于测试系统与晶片上电路之间提供一电性路径，藉此于切割及封装晶片上的芯片之前达成晶片规模的电路测试及验证。
传统上，通过于整个晶片上采用一系列沉积步骤，于在垂直方向(相对于基板表面而言)具有多个层深的一单个基板上制造探针。现有方法的一问题在于，任一沉积步骤及任一单个探针出现瑕疵或污染皆可导致整个晶片报废。此外，探针形状的设计通常受到现有工艺的限制，这是因现有工艺是于沿探针弹簧纵向轴线的方向沉积探针材料层。这些现有工艺通过利用多个光刻印刷步骤堆叠及连接每一探针材料层而形成一探针的垂直多维结构。因此，最终探针结构，包括探针弹簧在内，趋于具有参差不齐且不平坦的外廓，且于各层之间缺乏平滑过渡。因此，需要改良现有制造工艺，藉以提高微机电探针的良率、缩短交付周期(lead time)、降低成本、并改良探针的设计。
发明内容
本发明提供一种于一基板上制造一微机电(micro-electro-mechanical system；MEMS)探针以供用于另一平台(例如探针卡)的技术。于一实施例中，利用微机电工艺技术于一基板上制造一个或多个探针。每一探针皆包含一接触尖端及一探针本体。该探针本体还包含一尖端部位、一弹簧部位及一基底部位。该探针是形成于一“平躺(lying)”位置，此意味着探针本体平躺于与基板表面平行的一平面上。通过于探针下面形成一底切(undercut)并将基底部位自基板上一锚定结构断开，将探针自基板分离。然后，将探针附着至一探针卡的一应用平台。于附着过程中，将探针提升至一“直立(standing)”位置，使得仅探针本体的基底部位附着至应用平台。
于一实施例中，提供一种取放工艺(pick-and-place process)。于一取放工艺中，将微机电探针(或“探针”)分别自基板分离(“取”)，随后以未封装状态附着(“放”)至一应用平台。此“取放”技术不仅可提高探针的良率，且亦可大幅提高微机电探针的制造及使用方式的灵活性。举例而言，微机电探针阵列可同时自基板分离，或每次一个或多个零件地自基板分离。各该微机电探针可附着至同一或不同应用平台。此外，附着至同一应用平台的微机电探针可以一第一排列形式制造于该基板上，然后以一第二排列形式附着至应用平台上，其中第一排列形式及第二排列形式可具有不同的微机电探针间距、不同的微机电探针取向、或二者之一组合。
因微机电探针是制造于与最终应用所用基板不同的一基板上，故单个微机电探针的良率不直接影响最终产品的良率。于微机电探针被组装于探针卡之前，可实施一选择可接受微机电探针的程序。具有瑕疵的微机电探针可于进行该附着工序之前被丢弃或者留在基板上。
附图说明
附图中以举例而非限定方式图解说明本发明的一个或多个实施例，其中相同标号表示相同的元件，附图中：
图1A-图1B例示一上面形成有一导电层的基板的一立体图及一剖视图；
图2A-图2B例示涂覆至该导电层的一第一牺牲层；
图3A-图3B例示形成于该第一牺牲层上的一尖端基底；
图4A-图4B例示形成于该尖端基底上的一接触尖端；
图5A-图5B例示一探针本体及一框架的形成；
图6A-图6B例示在一平坦化工艺中形成于探针上的一第二牺牲层；
图7A-图7B例示该第一牺牲层的移除；
图8A-图8B例示一替代工艺，其中一开口形成于该第一牺牲层中；
图9A-图9B例示在该替代工艺中形成尖端基底及框架；
图10A-图10B例示在该替代工艺中形成接触尖端；
图11A-图11B例示在该替代工艺中形成探针本体；
图12A-图12B例示该替代工艺中的一平坦化工艺；
图13A-图13B例示在该替代工艺中移除第一牺牲层；
图14例示一探针的一结构；
图15A-图15B例示在基底部位中存在厚度变化的探针；
图16例示具有一曲折状基底的一探针；
图17例示具有二个弹簧反作用阶段的一探针；
图18(a)-(f)例示探针设计的变化形式；以及
图19(a)-(e)例示探针设计的其它变化形式。
具体实施方式
于下文说明中，将阐述诸多细节。然而，熟悉此项技术者将容易理解，无需这些具体细节亦可实施本发明。于某些情形中，为避免使本发明模糊不清，以方块图而非具体细节形式显示众所熟悉的结构及装置。
本文的术语“微机电探针”是指通过微机电技术制成的探针。应理解，本文所述技术亦可应用于其它微机电零件(例如机械零件、光学零件、电性零件等等)。通常，微机电零件的尺寸介于10×10×10微米至5000×5000×5000微米之间。微机电零件的实例包括一探针、一激光模块、光学透镜、微齿轮、微电阻器、微电容器、微电感器、微隔膜、微继电器、微弹簧、波导、微凹槽等等。
本文的术语“基板”是指如下基板：其仅用于探针制造工艺，而不参与探针及探针卡的运作。用于制造微机电探针的基板的实例包括但不限于陶瓷、玻璃、金属板、塑料板及半导体(例如硅(Si))晶片。与硅基基板相比，非硅基板提供更多数量的标准尺寸且可用作一更厚且非圆形的标准基板。此外，某些非硅基板对制造工艺中所用的大多数化学品呈惰性。包括硅基基板在内的大多数基板上皆可加工有微机电零件。加工于基板上的材料可于不损坏基板的情况下后续被移除或溶解。因此，除非另外指明，本文所述用于制造微机电探针的基板皆是“可重复使用的基板”。于微机电探针自其分离且残留物质被移除后，可重复使用的基板可被重复用于下一批次微机电探针的制造。
本文的术语“应用平台”是指一探针卡的一零件，其提供一用以附着探针的平台并电性连接这些探针其中之一或多个至一介接一电子测试系统的印刷电路板(printed circuit board；PCB)。应用平台可包括但不限于半导体、玻璃、陶瓷(例如低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramics；LTCC)、高温共烧陶瓷(hightemperature co-fired ceramics；HTCC))、金属、其它介电材料、有机材料、或上述材料的任一组合。除微机电探针外，应用平台亦可包含例如以下等组件：电性连接、电性接触、电性隔离、电性接地、集成电路(integrated circuit；IC)模块、应用专用集成电路(application specific IC；ASIC)模块、介电图案化、导电开口界定、机械支撑、机械保护、热传导、静电放电(electrostatic discharge；ESD)保护、零件封闭、以及打线接合焊垫(wire bonding pads)。
应理解，一探针卡可包含自一个或多个可重复使用基板制成的一个或多个微机电探针。附着至一探针卡的微机电探针可是不同的定向、形状、尺寸及材料。可定制探针卡上探针的位置。
参见图1A-图7B，其显示一种于一基板上制造一微机电探针的方法的一实施例的立体图及剖视图。所有被标记为“A”的附图皆显示立体图，而所有被标记为“B”的附图皆显示剖视图。尽管图中仅显示一个微机电探针，然而应理解，同一方法亦可应用于制造一微机电探针阵列。于下文说明中，与本发明的标的物不直接相关、但容易被此项技术中的通常技术者理解的某些标准或常规处理操作可被省略。
图1A及图1B显示一毯覆金属层(blanket metal layer)12(例如金或其它导电材料)形成于一基板11上。为提高对基板11的黏附力，于一实施例中，毯覆金属层12的底部可被涂覆以一薄膜(例如小于1微米，图未显示)，该薄膜亦被称为一种子层(seed layer)，是由不同于毯覆金属层12的一导电材料(例如，铬与金的一组合)制成。于一实施例中，毯覆金属层12是通过一电性成型工艺(亦称为电沉积)沉积而成，例如通过电镀形成。该种子层则是通过一薄膜沉积工艺形成，该薄膜沉积工艺可是热蒸镀(thermal evaporation)、电子束蒸镀(e-beamevaporation)、溅射沉积(sputtering deposition)等等。
于毯覆金属层12形成之后，形成一第一牺牲层23于毯覆金属层12上(图2A及图2B)。第一牺牲层23是一层金属(例如铜)或合金，该金属或合金不同于毯覆金属层12及欲形成于基板11上的探针。一种用以形成第一牺牲层23的方式是电性成型。于下文所将说明的后续处理操作中，将自探针下面移除第一牺牲层23。于某些实施例中，于实施进一步的处理操作之前，可将第一牺牲层23平坦化。平坦化可通过例如研磨机(lapping machine)、钻石飞刀(diamond fly-cutter)等机器实施。
图3A及图3B显示一尖端基底34形成于第一牺牲层23顶上。于一实施例中，通过利用一第一光刻印刷模具(例如一光致抗蚀剂模具)(图未显示)界定尖端基底34的形状，形成尖端基底34。第一光刻印刷图案化模具被置于第一牺牲层23上并通过电性成型而被填充以一金属(例如镍)或合金材料。第一光刻印刷图案化模具将于一后续处理操作中被移除，例如于形成尖端基底34、探针的接触尖端、或探针后。
图4A及图4B显示一接触尖端45形成于尖端基底34上，其中接触尖端45的一部分自尖端基底34突出。于一实施例中，通过利用一第二光刻印刷模具(例如一光致抗蚀剂模具)(图未显示)界定接触尖端45的形状，形成接触尖端45。第二光刻印刷图案化模具通过电性成型被填充以不同于尖端基底34的材料的一金属(例如铑)或合金材料。第二光刻印刷图案化模具亦于一后续处理操作中被移除，例如于形成接触尖端45或探针后。
参见图5A，尖端基底34及接触尖端45是形成于基板11上的一探针51的一部分。于形成尖端基底34及接触尖端45后，于基板11上形成探针51的其余部分以及一附着至探针51的框架57。于其中尖端基底34与探针51的其余部分(除接触尖端45外)二者由同一材料(例如镍)形成的一实施例中，尖端基底34变成探针51的一部分，此未明确显示于图5A中。
于基板11上，探针51形成于一“平躺”位置，此意味着探针51平躺于与基板11的表面平行的一平面中。图5B显示探针51沿轴线(I)及轴线(II)的剖视图。于“平躺”位置上，显示探针51的一厚度尺寸t垂直于基板11的表面。轴线(I)沿探针51的一细长区段(被称为探针基底58)的纵向延伸。探针基底58的一表面(被称作一接合面59)位于沿厚度尺寸的一平面上并垂直于基板11的表面。轴线(II)自探针基底58延伸至接触尖端45并平行于基板11的表面。该“平躺”位置是与当探针51被附着至一探针卡的应用平台时的“直立”位置相对而言。于“直立”位置上，接合面59被附装至应用平台的表面，而接触尖端45被抬起，使得轴线(II)穿过应用平台表面。
于一实施例中，为提高探针基底58对应用平台表面的黏附力，此时可于接合面59上沉积一金属薄膜(例如金)。
框架57(亦称作“岛”或“锚定结构”)用于将探针51锚定至基板11上一固定位置。于移除探针51下面第一牺牲层23的后续操作中，框架57成为使探针51留存于基板11上的唯一支撑。于一实施例中，框架57的表面积大于探针51的表面积。典型地，框架57与探针51的表面积之比介于25∶1(或以上)与2∶1(或以下)之间。理论上，该表面积之比不存在上限。然而，表面积之比较大意味着基板11上的框架57较大，因此用于探针的空间较小。此外，表面积之比可相依于框架57与探针51的相对形状。举例而言，若框架57具有一实质圆形形状、而探针51具有一狭长形状，则表面积之比可大幅减小(例如5∶1、2∶1、1∶1或更小)。于某些实施例中，一圆形框架57所具有的表面积可小于一狭长探针51。若框架57与探针51二者皆具有实质相同的形状，则表面积之比可增大(例如大于1∶1、5∶1、7∶1、10∶1或更大)。(框架57及探针51)的表面积之比及相对形状使得探针51下面的第一牺牲层23与框架57下面的第一牺牲层23具有不同的蚀刻速率，此特征有利于分离探针51，此将于下文参照图7A及图7B予以更详细说明。
可通过利用一第三光刻印刷图案化模具(图未显示)界定探针51及框架57的形状，形成探针51(尖端基底34及接触尖端45除外)及框架57。该第三光刻印刷图案化模具可通过电性成型被填充以一导电材料，例如一金属(例如镍)或合金。于某些实施例中，第一、第二及第三光刻印刷图案化模具可由相同材料(例如光致抗蚀剂)制成，或由不同材料制成。
第三光刻印刷图案化模具亦界定探针基底58与框架57之间一锚定接合部52的形状。锚定接合部52被造型成在用以连接探针基底58与框架57的接合段的二侧具有深V形切口。锚定接合部52的横截面(由一切割探针基底58及框架57的接合段的平面界定)是一薄且窄的区域。举例而言，锚定接合部52被造型成于二侧具有深V形切口，使其横截面实质呈一条线的形状，该条线沿探针层的厚度延伸。如下文将参照图7A及图7B所更详细说明，锚定接合部52的形状有利于以外力自框架57分离探针51。
于探针51形成后，对探针51实施一平坦化操作，以控制探针51的厚度(图6A及图6B)。框架57可同时随探针51一起被平坦化。当基板11上同时制造多个探针时，可实施平坦化以使基板11上所有探针形成实质相等的厚度(在设计规格以内)。平坦化可于探针51上形成一剪切力(shear force)而导致损坏探针51。为防止潜在损坏，第三光刻印刷图案化模具可在平坦化过程中保持于基板11上，并于平坦化完成后被剥除或溶解。另一选择为，第三光刻印刷图案化模具于探针51形成后被移除，且于探针51及基板11的外露表面上涂覆一第二牺牲层62作为一毯覆层。第二牺牲层62可由与任一先前所涂覆的光刻印刷图案化模具相同的材料、与第一牺牲层23相同的导电材料(例如铜或合金)、或光致抗蚀剂制成。于图6A及图6B所示实施例中，第二牺牲层62是与第一牺牲层23相同的材料。
于平坦化操作完成后，剥除或溶解第二牺牲层62。于其中第二牺牲层62由与第一牺牲层23相同的材料制成的一实施例中，可自探针51下面选择性地蚀刻或溶解掉第一牺牲层23及第二牺牲层62二者。此种选择性移除于探针51下面形成一底切73(图7A及图7B)。如上所述，框架57及探针51的表面积及/或形状(如图5A所示)使探针51下面的第一牺牲层23较框架57下面的第一牺牲层23蚀刻得更快。当第一牺牲层23被从探针51下面完全移除时，于框架57下面仍留存相当数量的第一牺牲层23，用以将框架57固定于基板11上。此时，探针51仅通过框架57在锚定接合部52处固定于定位上。
如上所述，为提高探针基底58对应用平台表面的黏附力，可于平坦化操作之前沉积一金属薄膜(例如金)于接合面59上。于一替代实施例中，可在此时，而非在平坦化操作之前，沉积该金属表面。
于形成底切73之后，探针51即准备以人工方式或通过机器自框架57分离。于锚定接合部52附近施加一侧向力(相对于基板11的表面)至探针51即可使探针51恰好于锚定接合部52处自框架57分离。另一选择为，可施加一向上的摆动力(swing force)至锚定接合部52或其附近而使探针51自框架57分离。将探针51自框架57分离的再一方式是以激光切割锚定接合部52。于所有探针51皆被分离之后，基板11上留下框架57。通过继续蚀刻或溶解第一牺牲层23直到框架57自基板11分离，基板11可被重复用于制造下一批次的探针。然后，基板11可与留存于基板11上的毯覆金属层12或毯覆金属层12底部的薄膜一起被重复使用。
探针51的分离可相对于基板11的表面通过外力在锚定接合部52处或附近实施。该水平或向上的外力或激光切割会使该狭窄连接在锚定接合部52处实体断开。于该狭窄连接断开后，于先前连接至框架57的探针基底58的侧面形成一“破裂”表面。该破裂表面有别于由不利用外力使一探针自基板分离的现有探针形成方法所界定的表面。一般而言，现有方法所形成的表面是光滑的且具有规则的形状。而通过强迫破裂所形成的表面(例如探针基底58的破裂表面)则一般是粗糙且实质不规则的。此项技术中的通常技术者将能够通过检查表面光滑度及形状而辨别出破裂表面所代表的该“特征”。于其中探针51是由金属制成的情形中，一破裂金属表面的粗糙度及不规则性可通过视觉鉴别并有别于由光致抗蚀剂或其它牺牲材料所界定的镀覆金属表面。
以下将参照图8A-图13B来解释图2A-图7B所述方法的一替代方法。于图8A及图8B中，在形成毯覆金属层12于基板11上之后、电性成型第一牺牲层23之前，形成一光致抗蚀剂开口图案81。形成第一牺牲层23之后，剥除光致抗蚀剂以通过开口81暴露出毯覆金属层12或毯覆金属层12底部的一薄膜(亦称为一种子层，图未显示)。利用一第一光刻印刷图案化模具(图未显示)界定尖端基底34及框架92的形状(图9A及图9B)。框架92不同于框架57(图5A及图5B)之处在于，框架92与毯覆金属层12或毯覆金属层12底部的种子层存在直接接触，而框架57是形成于第一牺牲层23上而不直接接触毯覆金属层12或种子层。于一实施例中，框架92及尖端基底34是通过电性成型而形成于相同的时间期间。因此，尖端基底34及框架92的厚度实质相同。因框架92的侧面区域是形成于第一牺牲层23顶上且框架92的中央区域是形成于毯覆金属层12或毯覆金属层12的种子层顶上，故框架92的中央区域形成一凹槽93。于某些实施例中，可通过平坦化工艺移除凹槽93。
图10A及图10B显示接触尖端45形成于探针基底34顶上。图11A及图11B显示探针51的其余部分是与附着至探针51的框架92形成于一起。如在图4A及图5B的方法中所述，可利用一第二光刻印刷图案化模具及一第三光刻印刷图案化模具(图未显示)形成接触尖端45、探针51及框架92。框架92此时被锚定于毯覆金属层12或毯覆金属层12底部的种子层。为提高探针基底58与探针卡的平台表面间的黏附力，可实施其它工艺来涂覆一金属薄膜(例如金)至探针基底58的接合面59。
图12A及图12B显示利用第二牺牲层62将探针表面平坦化，于本实施例中，第二牺牲层62是由与第一牺牲层23相同的材料制成。如上文参照图6A及图6B所述，第二牺牲层62亦可由光致抗蚀剂、或由与任一先前所涂覆光刻印刷图案化模具相同的材料制成。于平坦化之后，例如通过化学蚀刻或溶解移除第一牺牲层23及第二牺牲层62(图13A及图13B)。蚀刻及溶解时间可远长于在图7A及图7B中所述的工艺，直到牺牲材料全部被蚀刻或溶解。不像在图7A及图7B中所述的工艺一样为防止自框架57下面完成移除第一牺牲层23而存在用以停止蚀刻或溶解的关键定时。于该替代工艺中，框架92被锚定至毯覆金属层12或毯覆金属层12底部的种子层，因而完全移除第一牺牲层23不会造成问题。移除第一牺牲层23会于探针51下面形成一底切37。类似于在图7A及图7B中所述的工艺，可通过施加一物理力而使探针51自框架92分离。于框架92被蚀刻或溶解掉之后，基板11仍可重复使用。
参见图14，一探针140(例如探针51)的基本结构包含一接触尖端145及一探针本体。探针本体还包含三主要部位：一基底部位141、一弹簧部位142及一尖端部位143。基底部位141对探针结构的其余部分提供机械支撑，并于底部包含一用以附着至一探针卡的接合面144。弹簧部位142被设计成具有客户要求所规定的一弹簧常数(spring constant)。尖端部位143支撑接触尖端145，以形成与待测装置(device-under-test；DUT)的接触。所有该三部位(141、142及143)及接触尖端145皆可被定制成满足不同应用的要求。
弹簧部位142以一屈曲力(buckling force)反作用于施加于尖端部位143的一压力。于一实施例中，弹簧部位142的形状是一圆或变形的圆的一部分(例如半圆、半椭圆、四分之一椭圆或四分之一圆)，其中一端延伸至尖端部位143、另一端则锚定至基底部位141。弹簧部位142亦可被设计成使其宽度(图14中显示为“W”)沿弹簧长度(显示为“L”)变化而得到一最佳化摩擦标记(scrubbing mark)。因弹簧部位142的形状是由一个光刻印刷模具(如上所述的第三光刻印刷图案化模具)界定并于一个光刻印刷操作(例如上面图5A-5B及图11A-11B所述的工艺)中形成，故弹簧部位142的形状可被设计成于垂直方向(相对于探针卡表面)具有平滑曲线或其它几何形状。现有工艺是相对于探针卡表面垂直地形成一弹簧。因此，需要多次光刻印刷操作来堆叠并连接用以形成弹簧的每一个层。最终弹簧结构变得参差不齐且于各层之间不存在平滑过渡。
本文所述探针结构是由至少三个单独光刻印刷工艺形成，这些光刻印刷工艺用以形成尖端基底、接触尖端、及探针本体的其余部分。该三个光刻印刷工艺使探针本体沿其横截面存在厚度变化，其中厚度是沿垂直于基板11的表面的一方向量测。举例而言，于尖端基底形成过程中，可沉积一金属或合金材料于探针本体的一凹槽区段150中(图15A及图15B)。当对探针本体电性成型时，区段150被覆盖以光致抗蚀剂。于剥除光致抗蚀剂后，区段150最终仅具有尖端基底层的一厚度。由此，可于基底部位中得到一“细”的区段以方便机械抓握(图15A)。类似地，图15B的凹槽区段151可被形成为当将探针接合至探针卡的应用平台时能限制接合材料。若有必要可引入更多光刻印刷步骤以进一步增大沿探针的厚度变化。
可改变探针基底部位的设计以满足不同应用的要求。举例而言，于图16中，一探针160具有一“曲折状(corrugated)”基底部位161，以增强与可具有一相应曲折状设计的应用平台的配合及接合。于图17所示的一实施例中，一探针170具有一挡板171，以提供二个阶段的屈曲反作用。首先，当下压探针170的尖端时，探针170的整个弹簧以全部屈曲力进行反作用。若继续下压至使挡板171碰到探针170的弹簧部位，则仅弹簧部位的上部反作用于下压压力。该二阶段的屈曲反作用会于探针170的尖端部位形成垂直运动与侧向运动的不同组合。尖端部位的侧向运动与垂直运动进而又于待测装置(DUT)上形成一摩擦标记。
此项技术中的普通技术人员将知，通过调整例如探针高度、探针厚度、挡板位置及挡板间隙(其是挡板171与探针170的弹簧部位间的间隙或距离)等设计因素，可产生一所期望的屈曲力。探针弹簧的其它实例包括屈曲式弹簧(buckling spring)(图18(a))、蛇形弹簧(snake shape spring)(图18(b))、方形弹簧(square spring)(图18(c))、上弯弹簧(curve-up spring)(图18(d))、下弯弹簧(curve-down spring)(图18(e))、及双弹簧探针(two-spring probe)(图18(f))。图19(a)-(e)例示可由本文所述方法制成的更多弹簧形状。
摩擦标记的特征是由DUT上的标记的长度及深度大致表示。再次参见图14，为形成一所期望的摩擦标记，接触尖端145的形状可根据具体应用而被设计成使摩擦标记最佳化。接触尖端145被设计成被探针本体的金属层“夹持”，其中接触区域外露。该接触区域具有二平行的相对侧(即图11A中基板11的表面的上侧及下侧)。该接触区域的摩擦边缘可具有适合形成一所期望摩擦标记的锐利尖角。于一实施例中，用于形成接触尖端45的光刻印刷模具(如在上文参照图4A-4B及图10A-10B所述的工艺中)可被设计成使接触尖端45d的前摩擦边缘具有可产生适合于探针卡应用的摩擦压力的最佳曲率半径。
由此，已阐述一种于一基板上制造一微机电探针的技术。应理解，以上说明旨在用于例示目的，而非用以限制本发明。熟悉此项技术者于阅读并理解以上说明后，将容易得出诸多其它实施例。因此，本发明的范畴应根据随附本申请权利要求范围、以及此权利要求范围的等价内容的整个范畴加以确定。
尽管上文是参照具体实例性实施例来说明本发明，然而应认识到，本发明并非仅限于上述实施例，而是亦可通过于随附本申请权利要求范围的精神及范畴内实施修改及改动加以实施。因此，本说明书及附图应被视为具有例示性而非限定性。

Claims (20)

1.一种方法，包括：
在一基板上利用微机电工艺技术来制作一探针，该探针具有一接合面可以安装在一探针卡的一应用平台上，该接合面是形成在垂直于该基板的一表面的一平面上；以及
在该探针下方形成一底切使得该探针可以自该基板上分离。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包括：
通过拆离相连于该探针的一基底部位与该基板上的一支撑结构间的一接合点使该探针由该基板上分离。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于自该基板将该探针分离的方法还包括：
在该基板上形成一牺牲层；
在该牺牲层上形成该探针与该支撑结构；以及
去除该探针下方的该牺牲层，而不完全去除该支撑结构下方的该牺牲层。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于自该基板将该探针分离的方法还包括：
在该基板上形成一导电层；
在该导电层上形成一牺牲层，且该牺牲层具有使该导电层裸露出来的一开口；
在该牺牲层上形成该探针与该支撑结构，该支撑结构通过该开口与该导电层接触；以及
去除该探针下方的该牺牲层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在该基板上形成一探针的方法还包括：
在一第一光刻印刷步骤中形成该探针的一接触尖端的一尖端基底；
在一第二光刻印刷步骤中在该尖端基底上形成一接触尖端；以及
在一第三光刻印刷步骤中在该基板上，形成该探针的一遗留部分。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于该支撑结构具有比该探针更大的一表面积区域。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于该支撑结构具有一圆形的形状而该探针具有一狭长的形状。
8.一种微机电探针，包括：
一接触尖端用以接触一待测装置，该接触尖端夹持于该微机电探针的二导电层间；
一探针本体，包括：
一尖端部位用以支撑该接触尖端；
一弹簧部位；及
一基底部位用以支撑该尖端部位及该弹簧部位，该基底部位具有一裸露的断裂表面，该断裂表面是该微机电探针由制造该微机电探针的一基板上施力拆卸下来时形成。
9.根据权利要求8所述的微机电探针，其特征在于该探针本体的横切面具有厚度变化，该厚度是沿垂直于该基板的一表面的一方向所测量。
10.根据权利要求8所述的微机电探针，其特征在于该弹簧部位具有一个以上的弯曲外廓及随着弹簧部位的一长度变化的一厚度，该弹簧部位的一第一端延伸至该尖端部位及一第二端连接至该基底部位。
11.根据权利要求8所述的微机电探针，其特征在于该弹簧部位包含一个以上的弯曲弹簧，彼此相互平行并连接。
12.根据权利要求8所述的微机电探针，其特征在于该弹簧部位以一介于二阶段间的挡板，提供具该二阶段的一屈曲力。
13.根据权利要求8所述的微机电探针，其特征在于该基底部位呈曲折状。
14.一种微机电探针，位于一基板上，该微机电探针包括：
与一待测装置形成接触的一接触尖端，该接触尖端夹持于该微机电探针的二导电层间；
一探针本体，包括：
一尖端部位用以支撑该接触尖端；
一弹簧部位；及
一基底部位用以支撑该尖端部位及该弹簧部位，该基底部位具有一接合面用以装置在一探针卡的一应用平台上，该接合面形成在垂直于该基板的一表面的一平面上。
15.根据权利要求14所述的微机电探针，其特征在于该基底部位通过一接合点与该基板上的一支撑结构相连接，该连接点具有一相对于该基底部位与该支撑结构较为细窄的横切面。
16.根据权利要求14所述的微机电探针，其特征在于该探针本体的横切面具有厚度的变化，该厚度沿垂直于该基板的一表面的一方向所测量。
17.根据权利要求14所述的微机电探针，其特征在于该基板可以重复使用于制造下一批探针。
18.一种制作微机电探针的方法，该方法包括：
在一基板上形成一牺牲层；
在该牺牲层上形成一第一导电层，该第一导电层具有该微机电探针的一尖端基底的一形状；
在该第一导电层上形成一第二导电层，该第二导电层具有该微机电探针的一接触尖端的一形状；且
在该第二导电层及该牺牲层上形成一第三导电层，该第三导电层具有该微机电探针的一探针本体与一支撑结构的一形状。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于该支撑结构固定在该牺牲层上，该方法还包括：
去除该微机电探针下方的该牺牲层，而不完全去除该支撑结构下方的该牺牲层。
20.根据权利要求18所述的方法，其特征在于该支撑结构固定在该牺牲层下方的一金属层上，该方法还包括：
移除该微机电探针下方的该牺牲层，保留该支撑结构固定在该金属层上。
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