CN101738512A - 探针组件配置 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种探针组件配置,即一种组装于一探针卡平台上的探针阵列。前述探针阵列中的各探针具有包含一握把的探针基底。前述探针基底具有二种或更多种不同形状。前述不同形状的探针基底相互交错,以便前述平台上任二相邻的探针具有不同形状的探针基底。前述探针配置可增加探针之间的有效间距,以便利于操纵一操作工具。
Description
技术领域
本发明是关于一种微机电系统(micro-electro-mechanical system;MEMS);更详细地说,本发明是关于一种MEMS探针的阵列的组装。
背景技术
微机电系统(MEMS)是通过微制造(microfabrication)技术,整合机械组件、传感器、致动器及电子器件于一共享基板(例如一硅基板)上的系统。电子器件是利用集成电路(integrated circuit;IC)工艺(例如CMOS工艺、双极工艺或BICMOS工艺)加以制造,而微机械组件则利用兼容的「微加工(micromachining)」工艺加以制造,「微加工」工艺借助选择性地蚀刻掉硅晶片的某些部分或者添加新结构层而形成机械及机电装置。
一MEMS装置包含具有微米规模(百万分之一米)尺寸的微小结构。MEMS技术的重要部分是采用集成电路(IC)技术。举例而言,类似于集成电路,MEMS结构一般是实行于薄膜材料中并以光刻法(photolithographic)予以图案化。同时,类似于集成电路,MEMS结构一般皆是借助一系列沉积、微影印刷及蚀刻步骤而制造于一晶片上。
随着MEMS结构的复杂度增加,MEMS装置的工艺亦变得日趋复杂。举例而言,一MEMS探针阵列可组装于一探针卡(probe card)的应用平台上。探针卡是一电子测试系统与一待测半导体晶片之间的界面。探针卡于测试系统与晶片上的电路之间提供一电性路径,藉此,将可于切割及封装晶片上的芯片之前达成晶片层级的电路测试及验证。
一探针卡通常于一单个平台上包含成百至上万个探针。因此,二相邻探针之间距通常处于0.1毫米或以下的范围。据此,于探针组装过程中,探针之间的紧密间距将难以使用一探针操作工具抓握、定位及放置探针。一般探针操作工具具有相当于或宽于探针的间距的尺寸。若操作工具宽于探针之间的有效间距,则在探针组装过程中,操作工具将无法在不碰触到早已接合至平台表面的相邻探针的情况下,轻易地在探针之间移动。应注意的是,探针操作工具可为一机械夹钳、一真空夹钳、一磁性夹钳或任何能够抓握探针的精密工具。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种探针阵列组件,其包含一平台以及多个探针。前述各探针具有一探针基底(probe base)、一弹簧以及一接触尖端(contact tip)。前述探针具有二种或更多种不同形状的探针基底,且前述探针是根据前述不同形状的探针基底以相互交错的配置组装于前述平台上。
本发明的另一目的在于提供一种方法,其包含下列步骤:根据一式样,并排配置多个探针于一探针卡平台上,其中前述各探针具有一探针基底,前述探针基底包含一握把,前述配置中的探针具有不同形状的探针基底;以及于前述探针卡平台上重复前述式样。
此外,本发明的再一目的在于提供一种装置,其包含一探针卡平台以及位于前述探针卡平台上的多个探针。前述各探针具有一弹簧、一接触尖端以及包含一握把的一探针基底,其中前述探针的弹簧对齐,且前述探针的握把于前述探针卡平台上形成一错列或锯齿形式样。
综上所述,本发明的探针阵列组件、包含前述探针的装置以及方法提供一探针卡平台的探针配置。前述探针配置将可增大探针之间的有效间距,以便利于操纵一操作工具。
在参阅附图及随后描述的实施方式后,该技术领域具有通常知识者便可了解本发明的其它目的,以及本发明的技术手段及实施态样。
附图说明
附图中以举例而非限定方式图解说明本发明的实施例,其中相同参考编号表示相同的组件。应注意,本发明中所提及的「一(an)」或「一个(one)」未必是指同一实施例,且这些措词意指至少一个。附图中:
图1例示一探针的实施例;
图2例示具有不同形状的探针基底的二探针的实施例;
图3例示利用图2所示二探针的探针阵列组件的实施例;
图4例示具有不同形状的探针基底的二探针的另一实施例;
图5例示三探针的实施例,前述三探针具有位于探针基底的不同位置的握把;
图6例示利用图5所示三探针的探针阵列组件的实施例;
图7例示二探针的实施例,前述二探针具有位于探针基底的不同位置的凹槽;
图8例示利用图7所示二探针的探针阵列组件的实施例;
图9A-图9B例示一基板的一立体图及一剖视图,前述基板上形成用于制作一探针的导电层;
图10A-图10B例示形成于一第一牺牲层的开孔;
图11A-图11B例示形成一尖端基底及一框架于第一牺牲层上;
图12A-图12B例示形成探针的接触尖端;
图13A-图13B例示形成一探针本体;
图14A-图14B例示一平坦化工艺;以及
图15A-图15B例示移除第一牺牲层。
具体实施方式
以下将描述一探针阵列组件于一探针卡平台上的配置。于探针阵列组件中,各探针具有包含一握把的探针基底。这些探针基底具有二种或更多种不同形状。而这些不同形状的探针基底是相互交错,以便平台上任二相邻探针具有不同形状的探针基底。这配置将可增大探针之间的有效间距,以便利于操纵一操作工具。
为使具有不同形状的探针相互交错,探针卡平台上相邻探针的握把(亦称为工具操作部)将不互相对齐。这些探针的握把至少部分地形成一错列(staggered)或锯齿形(zigzag)式样。此种配置可形成更大的空间,以操纵一操作工具。因此,操作工具可利用这些工具操作部之间的空间,更容易地操纵(例如拾取或放置)探针,同时避免无意间碰触到早已接合至平台表面的相邻探针或使相邻探针移位。
文中所述的探针是利用微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System;MEMS)技术制成。而文中所述的探针组件是借助一种取放工艺(pick-and-place process)制成。于取放工艺中,将MEMS探针(或「探针」)分别自一基板分离(或「取」),随后以未封装状态固定(或「放」)至一应用平台。此「取放」技术不仅可提高探针的良率,且亦可大幅提高探针的制造及使用方式的灵活性。举例而言,探针阵列可同时自基板分离,或每次一或多个零件地自基板分离。由同一基板制成的各探针可固定至同一或不同应用平台。此外,一探针卡可包含自一或多个基板制成的一或多个MEMS探针。固定至一探针卡的MEMS探针可具有不同的方向、形状、大小及材料。此外,探针于探针卡上的位置将可被客制。
因探针是制造于一基板上,该基板与最终应用时所用的基板将不相同,故单个探针的良率将不直接影响最终产品的良率。于探针被组装于探针卡之前,可实施一可用探针的选择程序。瑕疵的探针可于进行该固定工艺之前被丢弃或者留在基板上。
本文的术语「基板」是指如下基板:其仅用于探针工艺,而不参与探针及探针卡的运作。用于制造MEMS探针的基板的实例包括但不限于陶瓷、玻璃、金属板、塑料板及半导体(例如硅;Si)晶片。与硅基基板相比,非硅基板提供更多数量的标准尺寸且可用作一更厚且非圆形的标准基板。此外,某些非硅基板对制造工艺中所用的大多数化学品呈惰性。包括硅基基板在内的大多数基板上可加工有MEMS探针于其基板上。加工于基板上的材料可于不损坏基板的情况下后续被移除或溶解。因此,除非另外指明,本文所述用于制造MEMS探针的基板是一「可重复使用的基板」。于MEMS探针自重复使用的基板分离且残留物质被移除后,可重复使用的基板可被重复用于下一批MEMS探针的制造。
本文的术语「应用平台」(亦称为「平台」或「探针卡平台」)是指一探针卡的零件,其提供一用以固定探针的平台并电性连接前述探针其中之一或多者(例如各个)至一介接一电子测试系统的印刷电路板(printed circuit board;PCB)。应用平台可包括但不限于半导体、玻璃、陶瓷(例如「低温共烧陶瓷(low temperatureco-fired ceramics;LTCC)」、「高温共烧陶瓷(high temperature co-fired ceramics;HTCC)」)、金属、其他介电材料、有机材料或上述材料的任一组合。除MEMS探针外,应用平台亦可包含例如以下组件:电性连接、电性接触、电性隔离、电性接地、集成电路(integrated circuit IC)模块、特殊应用集成电路(application specificIC;ASIC)模块、介电图案化、导电开口界定、机械支撑、机械保护、热传导、静电放电(electrostatic discharge;ESD)保护、零件封闭以及打线接合焊垫(wirebonding pads)。
图1是绘示一探针140的实施例,探针140包含一接触尖端145及一探针本体。探针本体还包含三主要部位:一探针基底141、一弹簧142及一尖端支撑部143。探针基底141对探针结构的其余部分提供机械支撑,并于底部包含一接合面144,用以在一探针卡的平台上固定至一导电带或垫。弹簧142被设计成具有客户要求所规定的弹簧常数(spring constant)。弹簧142以一压曲力(buckling force)反作用施加于接触尖端145的压力部。尖端支撑部143支撑接触尖端145,以形成与待测装置(device-under-test;DUT)的接触。所有三部位(141、142及143)及接触尖端145皆可被客制成满足不同应用的要求。
可改变探针基底141的设计以满足不同应用的需求。可客制探针基底141的形状(在X-Z平面中看去)以满足不同应用的需求。例如,探针基底141可具有一凹槽或一突出区域,以利于由一工具(例如利用探针基底抓握一探针的机械夹钳)操作。工具的可操作性取决于相邻探针之间的间距;更具体而言,取决于相邻探针基底之间的间距(因通常是借助工具从探针的基底拾取探针)。术语「节距(pitch)」是指二相邻探针基底的纵向轴线之间的距离(或指二相邻探针基底的相同侧之间的距离,乃因本文所述的探针在Y方向上具有相同的宽度)。因此,任二相邻探针基底之间的间距皆等于(节距)与(探针宽度)的差值。紧密的间距使得难以操纵工具。为增大间距,可使一同组装于一应用平台的各个探针具有不同形状的探针基底。
图2是绘示一探针210及一探针280的实施例。探针210具有长度为(D+L)的探针基底212,探针基底212包含长度为L的握把213,握把213沿纵向朝探针基底212的一远程(即不连接弹簧的端部)延伸。探针280具有长度为D的探针基底282,探针基底282包含一握把283,握把283在探针基底282的远程或附近相对于基底的顶面(即位于X-Y平面的表面)垂直地突出。握把283可具有小于L的长度(在X方向上)。尽管图2中是绘示为一矩形,然而握把213及283可于X-Z平面中具有任意形状,例如具圆角的矩形、圆形、三角形或梯形等等。
于本实施例中,由X-Z平面中观看,握把283将「较高」但具有「较短」的长度,而握把213将「较低」但具有「较长」的长度。可利用一夹钳,借助探针的握把将探针抓取至一位置,以便实施接合、组装或维修。于一实施例中,可首先抓取并接合探针280(具有「较高」但「较短」的握把283)至一平台。然后,可在探针280之后,抓取并接合探针210(具有「较低」但「较长」的握把213)至前述平台。
图3则绘示借助交错多个探针210及280而形成的探针阵列的实例。探针210及探针280是以一交替次序放置。因此,有效间距是二最近握把213之间的间距或是二最近握把283之间的间距,即等于(二倍节距)与(探针宽度)的差值。如此一来,借助相互交错具有不同形状的探针基底的探针,使相邻探针之间的有效间距(取决于同一种握把中二最近握把之间的间距)将增大一节距宽度。
图4是绘示具有不同形状的探针基底的一对探针的另一实施例。图中显示二探针410及480于探针基底的远程具有一垂直突出部,但其中的一探针基底具有一额外长度。探针410具有一探针基底412,探针基底412包含长度为D的低段及位于基底远程且长度为L的高段。前述高段的突出部是一握把413。探针480具有一探针基底482,探针基底482具有长度为(D+L)的低段及位于基底远程的高段。前述高段的突出部是一握把483。握把483可具有等于或不同于L的长度。当相互交错多个探针410及480而于一平台上形成一探针阵列时,握把413及483形成一锯齿形式样。因此,类似于图3所示的实例,相邻探针之间的有效间距将增大一节距宽度。
可利用多于二种不同的探针基底设计以提供更大的空间用于操作工具。图5是绘示另一实施例,其中借助在探针基底的三不同位置上具有握把的探针,使相邻探针之间的有效间距更为增大。图5中绘示一组三个探针510、520及530。各探针具有一探针基底(511、521及531),于不同位置中,各探针基底(511、521及531)在相对于联结探针基底的近端(即连接弹簧的端部)具有一握把(512、522及532)。探针基底(511、521及531)的长度可相同或不同。如图6所示,当相互交错多个探针510、探针520及探针530于一平台上时,相邻探针之间的有效间距将增大至(三倍节距)与(探针宽度)的差值。熟习此项技艺者可理解,可相互交错多于三种探针以进一步增大有效间距。
图7绘示探针710及780的又一实施例,其中在探针基底的顶侧(如由上往下看时)上具有不同的凹槽位置。探针710具有一探针基底712,探针基底712包含长度为D的近端段713、长度为L的凹槽714、及一末端段715。凹槽714的高度相较近端段713及远程段715的高度为低。探针780具有一探针基底782,探针基底782包含长度为(D+L)的近端段783及位于远程的凹槽784。凹槽714及784的长度可是相同或不同。当多个探针710及探针780相互交错于一平台上时,各探针可由探针基底中其二侧紧邻的探针具有凹槽的处被抓取。换言之,可利用探针710的远程段715及探针780的近端段783(握把785)的至少一部分作为各别探针的握把。图8绘示具有相互交错的探针710及780的探针组件的实例。借助探针的探针基底中其二侧紧邻的探针具有凹槽之处抓取一探针,可使组件具有一更大的有效间距,前述有效间距将等于(二倍节距)与(探针宽度)的差值。类似于图6绘示的配置,借助相互交错且具有多于二个不同位置的凹槽的探针基底,将可进一步增大图8的有效间距。
所属技术领域具有通常知识者将可理解,上述实施例仅出于举例说明的目的。亦可利用其它探针基底设计以增大用于操纵操作工具的有效间距,此仍属于以上概念的范围。
以下说明提供一种用于制作上述探针的方法的实施例。尽管以下图式中仅绘示一个探针,然应理解,前述方法亦可用于制作具有不同形状的探针基底的多个探针。具有不同形状的探针基底的多个探针可同时(同一批中)制作于同一晶片上。举例而言,可借助软件绘制一个单一屏蔽以限定具有不同形状的探针基底的探针的形状(在X-Z平面中)。组装于同一应用平台的探针可来自同一晶片或不同晶片。
参照图9-图15,图中以立体图及剖视图显示一种用于制作一MEMS探针于一基板的过程的实施例。带标记「A」的所有附图是显示立体图,带标记「B」的所有附图则显示剖视图。某些标准或例行处理操作不与本发明的标的物直接相关,但可为此项技术中一般技术者所轻易理解,故不予赘述。
通过下述过程制成的探针是形成于一「平躺」位置,此意味着探针本体是平躺于与基板表面平行的平面上。通过形成一底切(undercut)于探针之下并使探针基底自基板上的锚定结构断开,使各探针自基板分离。然后,固定各探针至一探针卡的应用平台。在固定过程中,向上提起探针至一「站立」位置,仅使探针本体的探针基底固定至该应用平台。
图9A及图9B绘示一毯覆金属层(blanket metal layer)12(例如,金或其它导电材料)形成于一基板11上。为改善与基板11的黏附力,于一实施例中,可于毯覆金属层12的底部涂覆一薄膜(例如,小于1微米的薄膜,图未示出),亦称为一种子层(seed layer),该薄膜是由不同于毯覆金属层12的导电材料(例如,铬与金的组合)制成。于一实施例中,毯覆金属层12是借助一电性成形工艺(亦称为电沉积)沉积而成,例如电镀。该种子层是借助一薄膜沉积工艺形成,该薄膜沉积工艺可是热蒸发(thermal evaporation)、电子束蒸发(e-beam evaporation)或是溅射沉积(sputtering deposition)等等。
在图10A及图10B中,毯覆金属层12形成于基板11上之后,然后在电性形成一第一牺牲层23之前,形成一开孔81的光致抗蚀剂图案。第一牺牲层23是一层金属(例如铜)或合金,其不同于毯覆金属层12及欲形成于基板11上的探针。一种形成第一牺牲层23的方式是借助电性成型。于下文所将说明的后续操作中,将自探针之下移除第一牺牲层23。于某些实施例中,可于实施进一步的处理操作之前,将第一牺牲层23平坦化。平坦化可借助一机器,例如一研磨机(lappingmachine)、一钻石飞刀(diamond fly-cutter)等实施。
于形成第一牺牲层23后,剥除光致抗蚀剂以通过开孔81暴露出毯覆金属层12或位于毯覆金属层12底部的薄膜(即种子层,图未示出)。利用一第一微影图案化模具(例如,一光致抗蚀剂模具,图未示出)限定尖端基底34及框架92(图11A及图11B)的形状。放置第一微影图案化模具于第一牺牲层23上并借助电性成型而填充以一金属(例如镍)或合金材料。第一微影图案化模具将于后一处理操作中被移除,例如在形成尖端基底34、探针的接触尖端、或探针之后。
框架92直接接触毯覆金属层12或位于毯覆金属层12底部的种子层。于一实施例中,框架92及尖端基底34是借助电性成型在相同的时间段中形成。因此,尖端基底34与框架92的厚度是实质相同。因框架92的侧面区域是形成于第一牺牲层23的顶部且框架92的中央区域是形成于毯覆金属层12的顶部或毯覆金属层12的种子层,故框架92的中央区域形成一凹槽93。于某些实施例中,可借助平坦化而移除凹槽93。
图12A及图12B显示接触尖端45形成于探针基底34的顶部,其中接触尖端45的一部分自尖端基底34突出。于一实施例中,接触尖端45是借助利用一第二微影图案化模具(例如一光致抗蚀剂模具,图未示出)形成以限定接触尖端45的形状。第二微影图案化模具借助电性成型而被填充以一金属(例如铑)或合金材料,该金属或合金材料不同于尖端基底34的材料。第二微影图案化模具亦于下一处理操作中被移除,例如在形成接触尖端45或探针之后。
如图12A-图12B及图13A-图13B所示,于形成尖端基底34及接触尖端45后,于基板11上形成探针及框架92的其余部分。于其中尖端基底34与探针51(接触尖端45除外)是由相同材料(例如,镍)形成的实施例中,尖端基底34变为探针51的一部分且未明确显示于以下的附图中。
图13A及图13B显示一探针51,探针51形成于固定该探针的框架92。可利用一第三微影图案化模具(图未示出)形成探针51(尖端基底34及接触尖端45除外)及框架92。第三微影图案化模具借助电性成型而被填充以一导电材料,例如一金属(例如镍)或合金。于某些实施例中,第一、第二及第三微影图案化模具可由相同材料(例如光致抗蚀剂)或不同材料制成。
第三微影图案化模具亦限定一探针基底58与框架92之间的锚定接合部(anchoring joint)的形状。锚定接合部52是被成型为在用以连接探针基底58及框架92的接合部的二侧上具有深V形切口。锚定接合部52的横截面(由穿过探针基底58与框架92的接头部的平面限定)是一薄且窄的区域。举例而言,锚定接合部52被成型为在二侧上具有深V形切口,以便使其横截面具有实质一直线的形状,前述直线沿探针层的厚度延伸。锚定接合部52的形状有利于借助外力使探针52自框架92分离。
框架92此时锚定至毯覆金属层12或位于毯覆金属层12底部的种子层。于基板11上,探针51是形成于一「平躺」位置,此意味着探针51平躺于平行于基板11表面的平面上。图13B显示探针51沿轴线(I)及轴线(II)的剖视图。于「平躺」位置上,显示探针51的厚度尺寸t垂直于基板11的表面。轴线(I)沿探针51的延长段(称为探针基底58)的纵向延伸。探针基底58的表面(称为一接合面59)位于沿厚度尺寸的平面上并垂直于基板11的表面。轴线(II)自探针基底58延伸至接触尖端45,且平行于基板11的表面。该「平躺」位置是与当探针51固定至一探针卡的应用平台时的「站立」位置相反。于「站立」位置上,接合面59固定至应用平台的表面,同时接触尖端45被抬起,以便使轴线(II)穿过应用平台的表面。
可执行附加工序以涂覆一金属薄膜(例如金)至探针基底58的接合面59,目的在于改善探针基底58与探针卡的平台表面之间的黏附性。
图14A及图14B显示使用第二牺牲层62将探针表面平坦化,于本实施例中,第二牺牲层62是由与第一牺牲层23相同的材料制成。或者,第二牺牲层62可由光致抗蚀剂,或者由与任何前面所应用的微影图案化模具相同的材料制成。于平坦化之后,借助例如化学蚀刻或溶解而移除第一牺牲层23及第二牺牲层62(第15A及15B图)。蚀刻或溶解时间可执行至所有牺牲材料皆被蚀刻或溶解为止。因框架92是锚定至毯覆金属层12或毯覆金属层12底部的种子层,故完全移除第一牺牲层23不会造成问题。移除第一牺牲层23会在探针51之下形成一底切37。
于一实施例中,可在此时而非在平坦化操作之前,沉积一薄金属膜(例如金)于接合面59上,以便改善探针基底58与应用平台表面之间的黏附性。
可通过用手或用机器施加一物理力于锚定接合部52或其附近,使探针51自框架92分离。在框架92被蚀刻或溶解后,基板11可重新使用。
探针51的分离可相对于基板11的表面借助外力在锚定接合部52处或附近实施。借助横向或向上的外力,或借助激光切割(laser cutting),可在实体上断开锚定接合部52处的窄连接。于前述窄连接断开后,一「破裂」表面形成于探针基底58的远程(此是探针基底58先前连接至框架92的一侧)。前述破裂表面不同于由彼等不利用外力使一探针自基板分离的习知探针形成方法所限定的表面。一般而言,习知方法所形成的表面是光滑的且具有规则的形状。而通过强迫破裂所形成的表面(例如探针基底58的破裂表面)则一般是粗糙且实质不规则的。熟悉此项技术的普通技术人员将能够借助检查表面光滑度及形状而辨别出破裂表面所代表的「特征(signature)」。于其中探针51是由金属制成的情形中,一破裂金属表面的粗糙度及不规则性是可借助视觉鉴别并有别于由光致抗蚀剂或其他牺牲材料所限定的镀覆金属表面。
由此,已阐述一种于一探针卡平台上配置一探针组件的技术。应理解,以上说明旨在用于例示目的,而非用以限制本发明。熟悉此项技术者于阅读并理解以上说明后,将容易得出诸多其他实施例。因此,本发明的范畴应根据随附本申请权利要求范围、以及这些权利要求范围的等价内容的整个范畴加以确定。
尽管上文是参照具体实例性实施例来说明本发明,然而应认识到,本发明并非仅限于上述实施例,而是亦可借助于随附本申请权利要求范围的精神及范畴内实施修改及改动加以实施。因此,本说明书及附图应被视为具有例示性而非限定性。
Claims (20)
1.一种探针阵列组件,其特征在于包含:
一平台;以及
多个探针,各自具有一探针基底、一弹簧及一接触尖端,所述探针具有二种或更多种不同形状的探针基底,所述探针是根据这些不同形状的探针基底以相互交错的配置组装于所述平台上。
2.根据权利要求1所述的探针阵列组件,其特征在于具有一第一形状的每一探针基底包含相对于所述探针基底的一顶面而垂直突出的握把。
3.根据权利要求1所述的探针阵列组件,其特征在于具有一第二形状的每一探针基底包含使所述探针基底沿纵向朝所述探针基底的末端而延伸的握把。
4.根据权利要求1所述的探针阵列组件,其特征在于所述各探针基底于所述探针基底的顶面上包含一握把,所述探针基底的握把是位于所述探针基底上的二个或更多个不同位置。
5.根据权利要求1所述的探针阵列组件,其特征在于所述各探针基底包含一凹槽,所述探针基底的凹槽是位于所述探针基底中的二个或更多个不同位置。
6.根据权利要求1所述的探针阵列组件,其特征在于具有一第一形状的每一探针基底包含一第一握把,具有一第二形状的每一探针基底包含一第二握把,且所述第一握把是低于并长于所述第二握把。
7.根据权利要求1所述的探针阵列组件,其特征在于所述各探针基底包含一握把,所述配置的握把形成一错列或锯齿形式样。
8.根据权利要求1所述的探针阵列组件,其特征在于所述各探针基底的末端具有一破裂表面,所述破裂表面是借助力将所述探针自装配有所述探针的基板分离而形成。
9.根据权利要求1所述的探针阵列组件,其特征在于所述探针之间,用于一操作工具的有效间距是二倍或更多倍于一节距减一探针宽度,所述节距是等于二紧邻探针之间的距离。
10.根据权利要求1所述的探针阵列组件,其特征在于所述探针基底具有二个或更多个不同长度。
11.一种方法,其特征在于包含:
根据一式样,并排配置多个探针于一探针卡平台上,所述各探针具有一探针基底,所述探针基底包含一握把,所述配置中的探针具有不同形状的探针基底;以及
于所述探针卡平台上重复所述式样。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于还包含:
在使所述探针的弹簧保持对齐时,使紧邻的探针的握把错列于所述探针卡平台上。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于所述式样的握把是位于所述探针基底上的二个或更多个不同位置。
14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于所述式样的各探针基底包含一凹槽,且所述式样的凹槽是位于所述探针基底中的二个或更多个不同位置。
15.一种装置,其特征在于包含:
一探针卡平台;以及
位于所述探针卡平台上的多个探针,所述各探针具有一弹簧、一接触尖端及包含一握把的探针基底,其中所述探针的弹簧对齐,且所述探针的握把于所述探针卡平台上形成一错列或锯齿形式样。
16.根据权利要求15所述的装置,其特征在于所述握把是自所述探针基底的一顶面突出并位于所述探针基底上的二个或更多个不同位置。
17.根据权利要求15所述的装置,其特征在于所述各探针基底包含一凹槽,且所述探针基座的凹槽是位于所述探针基底中的二个或更多个不同位置。
18.根据权利要求15所述的装置,其特征在于具有一第一形状的每一探针基底包含一第一握把,具有一第二形状的每一探针基底包含一第二握把,且所述第一握把是低于并长于所述第二握把。
19.根据权利要求15所述的装置,其特征在于具有不同形状的探针基底的探针是相互交错。
20.根据权利要求15所述的装置,其特征在于所述探针基底具有二个或更多个不同长度。
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