KR101299725B1 - 좌굴 프로브 핀 - Google Patents

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KR101299725B1
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김정규
이방근
김웅겸
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디플러스(주)
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Abstract

좌굴 프로브 핀은 직사각형 플레이트 형상을 갖고 외력에 의하여 좌굴 되는 밴딩부; 상기 밴딩부의 일측단에 일체로 형성된 플레이트 형상으로 소켓에 고정되는 고정부; 상기 고정부에 일체로 형성된 기둥 형상으로 단자에 접속되는 프로브 핀부; 및 상기 밴딩부의 상기 일측단과 대향하는 타측단에 일체로 형성된 플레이트 형상으로 소켓에 고정되는 헤드부를 포함한다.

Description

좌굴 프로브 핀{BUCKING PROBE PIN}
본 발명은 좌굴 프로브 핀에 관한 것이다.
일반적으로 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 반도체 칩들, 액정표시장치의 단자들 및 다양한 전자 제품의 단자들을 전기적 테스트하기 위해서 프로브 핀(probe pin)을 갖는 프로브 검사 장치가 널리 사용되고 있다.
프로브 검사 장치에 사용되는 프로브 핀은 일반적으로 좁은 면적에 다수개가 밀집되어 배치되어 작은 사이즈의 단자들과 접촉되고 프로브 핀으로부터 단자들로 또는 단자들로부터 프로브 핀으로 테스트용 신호가 인가되어 전기적 테스트가 진행된다.
최근 개발된 프로브 유닛들은 프로브 핀 및 단자의 접촉 신뢰성을 향상시키고 단자 표면을 프로브 핀이 과도하게 가압하여 단자 표면 손상이 발생되는 것을 방지하기 위해서 프로브 핀에 스프링이 장착되고 있다.
그러나, 매우 작은 사이즈를 갖는 프로브 핀에 스프링을 장착할 경우, 스프링을 정확하게 장착하기 어렵고, 조립 신뢰성이 감소 되며 프로브 유닛의 사이즈가 증가되는 등 다양한 문제점이 발생 된다.
본 발명은 프로브 핀의 헤드부 및 헤드부와 대향하며 단자와 직접 접촉되는 프로브 핀부가 일직선 상에 배치되지 않은 상태에서 자체 탄성에 의하여 프로브 핀이 스프링 역할도 함께 할 수 있어 장착성, 조립 신뢰성 및 사이즈를 크게 감소시킨 좌굴 프로브 핀을 제공한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
일실시예로서, 좌굴 프로브 핀은 직사각형 플레이트 형상을 갖고 외력에 의하여 좌굴 되는 밴딩부; 상기 밴딩부의 일측단에 일체로 형성된 플레이트 형상으로 소켓에 고정되는 고정부; 상기 고정부에 일체로 형성된 기둥 형상으로 단자에 접속되는 프로브 핀부; 및 상기 밴딩부의 상기 일측단과 대향하는 타측단에 일체로 형성된 플레이트 형상으로 소켓에 고정되는 헤드부를 포함한다.
좌굴 프로브 핀은 상기 밴딩부 및 상기 고정부의 사이에 형성된 제1 파손 방지부; 및 상기 밴딩부 및 상기 헤드부의 사이에 형성된 제2 파손 방지부를 더 포함한다.
좌굴 프로브 핀의 상기 제1 파손 방지부는 상기 밴딩부로부터 상기 고정부를 향할수록 폭이 증가하는 삼각 플레이트 형상으로 형성되고, 상기 제2 파손 방지부는 상기 밴딩부로부터 상기 헤드부를 향할수록 폭이 증가하는 삼각 플레이트 형상으로 형성된다.
좌굴 프로브 핀의 상기 제1 및 제2 파손 방지부들의 각 빗변들의 사이각은 2°내지 5°이다.
좌굴 프로브 핀의 상기 고정부 및 상기 헤드부의 폭은 상기 밴딩부의 폭보다 넓게 형성되고, 상기 프로브 핀부는 상기 밴딩부의 폭보다 좁게 형성된다.
좌굴 프로브 핀의 상기 밴딩부, 상기 고정부, 상기 프로브 핀부 및 상기 헤드부는 동일한 두께로 형성되며, 상기 두께는 0.01mm 내지 0.1mm이다.
좌굴 프로브 핀의 상기 밴딩부의 폭은 상기 밴딩부의 두께 대비 1배 내지 1.25배이고, 상기 프로브 핀부의 폭은 상기 밴딩부의 두께 대비 1배 내지 2배이다.
좌굴 프로브 핀의 상기 밴딩부, 상기 고정부, 상기 프로브 핀부 및 상기 헤드부는 니켈 및 코발트의 합금인 니켈-코발트 합금이며, 상기 니켈-코발트 합금에 포함된 상기 니켈의 함량은 60wt% 내지 90wt% 이고, 상기 코발트의 함량은 10wt% 내지 40wt%이다.
좌굴 프로브 핀의 상기 밴딩부, 상기 고정부, 상기 프로브 핀부 및 상기 헤드부의 일측면에는 금속 씨드층이 형성된다.
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본 발명의 일실시예에 따른 좌굴 프로브 핀에 의하면, 프로브 핀의 중간 부분인 밴딩부가 좌굴 된 상태에서 프로브 핀부가 단자에 접촉될 수 있도록 함으로써 프로브 핀에 별도의 스프링 없이 밴딩부가 스프링 역할을 하도록 하여 조립성, 신뢰성, 조립 부품수 감소의 효과를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 좌굴 프로브 핀의 사시도이다.
도 2는 도 1의 평면도이다.
도 3은 도 1의 측면도이다.
도 4은 도 1의 좌굴 프로브 핀이 좌굴 된 상태 및 좌굴 된 상태에서의 응력 분포를 시뮬레이션한 응력 분포도 및 사시도이다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 일실시예에 따른 좌굴 프로브 핀의 제조 방법을 도시한 사시도들이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 좌굴 프로브 핀의 사시도이다. 도 2는 도 1의 평면도이다. 도 3은 도 1의 측면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 좌굴 프로브 핀(100)은 밴딩부(10), 고정부(20), 프로브 핀부(30) 및 헤드부(40)를 포함한다.
좌굴 프로브 핀(100)의 전체적인 형상은 밴딩부(10)의 양쪽에 각각 고정부(20)와 헤드부(40)가 일체로 형성되고 고정부(20)에 프로브 핀부(30)가 형성된다.
본 발명의 일실시예에서, 좌굴 프로브 핀(100)의 전체 길이(TL)는 약 3mm 내지 12mm일 수 있다.
밴딩부(10)는 직육면체 플레이트 형상으로 형성된다. 밴딩부(10)를 직육면체 플레이트 형상으로 형성하는 것은 밴딩부(10)가 보다 쉽게 좌굴을 일으킬 수 있도록 하기 위함이다.
밴딩부(10)를 직육면체 플레이트 형상으로 형성하지 않고 원기둥 형상, 사각 기둥 형상 등으로 형성할 경우 좌굴이 어렵고 밴딩부(10)가 쉽게 부러질 수 있기 때문에 본 발명의 일실시예에서, 밴딩부(10)는 바람직하게 직육면체 플레이트 형상으로 형성된다.
밴딩부(10)는, 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이 약 0.01mm 내지 약 0.1mm의 두께(T)로 형성되며, 밴딩부(10)의 폭(W1)은 밴딩부(10)의 두께(T)의 1배 이상 2.5배 이하로 형성될 수 있다.
본 발명의 일실시예에서 밴딩부(10)의 폭(W1)이 너무 좁을 경우 밴딩부(10)가 좌굴 된 상태에서 밴딩부(10)의 위치가 임의로 변경되어 인접한 밴딩부(10)와 쇼트 될 수 있고, 반대로 밴딩부(10)의 폭(W1)이 지나치게 넓을 경우 좌굴 프로브 핀(100)의 배치 간격이 넓어지고 역시 인접한 밴딩부(10)와 쇼트 될 수 있기 때문에 밴딩부(10)의 폭(W1)은 밴딩부(10)의 두께의 1배 이상 2.5배 이하로 형성하는 것이 바람직하다.
고정부(20)는 밴딩부(10)의 일측단에 일체로 형성된다. 예를 들어, 고정부(20)는 밴딩부(10)의 하단에 일체로 형성된다.
본 발명의 일실시예에서, 밴딩부(10)에 일체로 형성된 고정부(20)는 하측 소켓에 고정되는 부분이다. 고정부(20)는 직육면체 플레이트 형상으로 형성되고, 고정부(20)의 두께는 밴딩부(10)의 두께(T)와 동일한 두께로 형성되며, 고정부(20)의 폭(W2)은 하측 소켓에 결합하기 위하여 밴딩부(10)의 폭(W1)보다 넓게 형성된다.
한편, 고정부(20)의 폭(W2)이 밴딩부(10)의 폭(W1)보다 넓을 경우 고정부(20)의 폭(W2) 및 밴딩부(10)의 폭(W1)의 편차에 따라 형성된 불연속적인 부분에 응력이 집중되어 밴딩부(10)가 쉽게 피로 파괴 또는 부러질 수 있기 때문에 고정부(20)와 밴딩부(10)의 사이에는 제1 파손 방지부(25)가 형성될 수 있다.
제1 파손 방지부(25)는 밴딩부(10) 및 고정부(20)의 사이에 형성되며, 제1 파손 방지부(25)는 밴딩부(10)의 단부로부터 고정부(20)를 향할수록 폭이 증가 되는 형상을 갖는다. 예를 들어, 제1 파손 방지부(25)는 도 2에 도시된 바와 같이 삼각 플레이트와 유사한 형상으로 형성될 수 있다.
제1 파손 방지부(25)는 밴딩부(10) 및 고정부(20) 사이에 불연속적인 부분이 발생되지 않도록 하여 밴딩부(10) 및 고정부(20)가 피로 파괴 또는 부러지는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 제1 파손 방지부(25)의 대향하는 2 개의 빗변들 사이의 사이각(A1)은, 예를 들어, 2°내지 5°일 수 있다.
제1 파손 방지부(25)의 대향하는 2 개의 빗변들 사이의 사이각(A1)이 2°보다 작을 경우 제1 파손 방지부(25)의 길이가 불필요하게 길어지고 제1 파손 방지부(25)의 2 개의 빗변들 사이의 사이각(A1)이 5°보다 클 경우 제1 파손 방지부(25)의 길이가 짧아지면서 응력이 집중되어 피로 파괴가 발생 될 수 있다.
도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 프로브 핀 부(30)는 고정부(20)에 일체로 형성된다. 프로브 핀부(30)는 외부 단자에 직접적으로 접촉하는 부분이다. 프로브 핀부(30)는 고정부(20)에 일차로 형성되며 프로브 핀부(30)는 기둥 형상과 유사한 형상으로 형성된다.
프로브 핀부(30)의 폭(W3)은 프로브 핀부(30)가 단자에 접촉될 때 휨을 방지하기 위하여 프로브 핀부(30)의 두께의 1배 이상 2배 이하인 것이 바람직하며, 프로브 핀부(30)의 두께는 밴딩부(10)의 두께(T)와 실질적으로 동일한 두께로 형성된다.
본 발명의 일실시예에서, 프로브 핀부(30)의 길이(L1)는 0.4mm 내지 1.5mm 인 것이 바람직하다.
헤드부(40)는 밴딩부(10)의 일측단과 대향 하는 타측단에 일체로 형성되며, 헤드부(40)는 플레이트 형상으로 형성된다.
헤드부(40)의 폭(W4)은 밴딩부(10)의 폭(W1) 보다 넓게 형성된다.
본 발명의 일실시예에서, 밴딩부(10)의 타측단에 일체로 형성된 헤드부(40)는 상측 소켓에 고정되는 부분으로 헤드부(40)의 길이(L2)는 상측 소켓의 두께에 대응하여 결정된다.
헤드부(40)는 직육면체 플레이트 형상으로 형성되고, 헤드부(40)의 두께는 밴딩부(10)의 두께(T)와 동일한 두께로 형성되며, 헤드부(40)의 폭(W4)은 상측 소켓에 결합하기 위하여 밴딩부(10)의 폭(W1)보다 넓게 형성된다.
한편, 헤드부(40)의 폭(W4)이 밴딩부(10)의 폭(W1)보다 넓을 경우 헤드부(40)의 폭(W1) 및 밴딩부(10)의 폭(W1)의 편차에 따라 형성된 불연속적인 부분에 응력이 집중되어 밴딩부(10)가 쉽게 피로 파괴 또는 부러질 수 있기 때문에 헤드부(40)와 밴딩부(10)의 사이에는 제2 파손 방지부(45)가 형성될 수 있다.
제2 파손 방지부(45)는 밴딩부(10) 및 헤드부(40)의 사이에 형성되며, 제2 파손 방지부(45)는 밴딩부(10)의 단부로부터 헤드부(40)를 향할수록 폭이 증가 되는 형상을 갖는다. 예를 들어, 제2 파손 방지부(45)는 도 2에 도시된 바와 같이 삼각 플레이트와 유사한 형상으로 형성될 수 있다.
제2 파손 방지부(45)는 밴딩부(10) 및 헤드부(40) 사이에 불연속적인 부분이 발생되지 않도록 하여 밴딩부(10) 및 헤드부(40)가 피로 파괴 또는 부러지는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 제2 파손 방지부(45)의 대향하는 2 개의 빗변들 사이의 사이각(A2)은, 예를 들어, 2°내지 5°일 수 있다.
제2 파손 방지부(45)의 대향하는 2 개의 빗변들 사이의 사이각(A2)이 2°보다 작을 경우 제2 파손 방지부(45)의 길이가 불필요하게 길어지고 제2 파손 방지부(45)의 2 개의 빗변들 사이의 사이각(A2)이 5°보다 클 경우 제2 파손 방지부(45)의 길이가 짧아지면서 응력이 집중되어 피로 파괴가 발생 될 수 있다.
앞서 도 1 내지 도 3을 통해 도시 및 설명된 고정부(20), 프로브 핀부(30) 및 헤드부(40)의 두께는 각각 밴딩부(10)의 두께(T1)와 실질적으로 동일한 두께로 형성되며, 고정부(20), 프로브 핀부(30) 및 헤드부(40)의 두께는 약 0.01mm 내지 약 0.1mm일 수 있다.
한편, 상호 일체로 형성된 밴딩부(10), 고정부(20), 프로브 핀부(30) 및 헤드부(40)는 니켈 및 코발트의 합금인 니켈-코발트 합금을 포함한다.
구체적으로 상호 일체로 형성된 밴딩부(10), 고정부(20), 프로브 핀부(30) 및 헤드부(40)로 이루어진 좌굴 프로브 핀(100)을 이루는 니켈의 함량은 60wt% 내지 90wt%이고, 코발트의 함량은 10wt% 내지 40wt%이다.
본 발명의 일실시예에서, 좌굴 프로브 핀(100)을 니켈 코발트 합금으로 형성함으로써 좌굴 프로브 핀(100)의 강도 및 경도를 높일 뿐만 아니라 좌굴 프로브 핀(100)에 반복적으로 하중이 가해지더라도 좌굴 프로브 핀(100)이 부러지거나 파손되지 않도록 한다.
도 4은 도 1의 좌굴 프로브 핀이 좌굴 된 상태 및 좌굴 된 상태에서의 응력 분포를 시뮬레이션한 응력 분포도 및 사시도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 도 1에 도시된 좌굴 프로브 핀(100)은 도 4에 도시된 바와 같이 하부 소켓에 고정부(10)가 고정되고, 상부 소켓에 헤드부(40)가 고정되며 밴딩부(10)는 고정부(10) 및 헤드부(40)가 엇갈리게 배치됨에 따라 밴딩된다.
이와 같이 밴딩부(10)가 좌굴되더라도 밴딩부(10)의 임계 응력이 과도하게 증가되지 않기 때문에 밴딩부(10)의 영구적인 변형을 방지할 수 있으며, 임계 하중 역시 고정부(10) 및 헤드부(40)의 엇갈린 쉬프트 거리를 조절하여 변경할 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 좌굴 프로브 핀(100)은 좌굴 프로브 핀(100) 자체가 탄성력을 갖기 때문에 별도의 스프링을 사용하지 않아도 되기 때문에 장착성, 조립 신뢰성 및 사이즈를 크게 감소시킬 수 있는 효과를 갖는다.
비록 본 발명의 일실시예에서는 좌굴 프로브 핀(100)이 단일 니켈-코발트 합금을 포함하는 것이 도시 및 설명되고 있지만, 좌굴 프로브 핀(100)의 측면에는 니켈-코발트 합금 이외에 다른 금속층이 배치되어도 무방하다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 일실시예에 따른 좌굴 프로브 핀의 제조 방법을 도시한 사시도들이다.
좌굴 프로브 핀(100)을 제조하기 위해서, 먼저 도 5a에 도시된 바와 같이 웨이퍼와 같은 기판(1)이 마련되고, 도 5b에 도시된 바와 같이 기판(1) 상에는 스퍼터링 공정 또는 화학 기상 증착(CVD) 공정에 의하여 금속 씨드막(2)이 형성된다.
금속 씨드막(2)은 매우 얇은 두께로 형성되지만, 금속 씨드막(2)은 후박한 두께로 형성되어도 무방하다.
금속 씨드막(2)이 기판(1) 상에 형성된 후, 도 5c에 도시된 바와 같이 금속 씨드막(2) 상에는 포토레지스트막(3)이 스핀 코팅 공정 등에 의하여 형성된다.
이어서, 도 5d에 도시된 바와 같이 금속 씨드막(2) 상에 형성된 포토레지스트막(3) 상에는 패턴 마스크(미도시)가 배치되고, 패턴 마스크를 이용하여 포토레지스트막(3)은 노광 장치에 의하여 노광 된다.
패턴 마스크는 밴딩 개구부, 고정 개구부, 프로브 핀 개구부 및 헤드 개구부를 각각 포함한다.
패턴 마스크의 밴딩 개구부는 도 2의 밴딩부(10)와 동일한 형상으로 형성되며, 패턴 마스크의 고정 개구부는 도 2의 고정부(20)와 동일한 형상으로 형성되며, 패턴 마스크의 프로브 핀 개구부는 도 2의 프로브 핀부(30)와 동일한 형상으로 형성되며, 패턴 마스크의 헤드 개구부는 도 2의 헤드부(40)와 동일한 형상으로 형성된다.
도 2의 좌굴 프로브 핀(100)과 동일한 형상의 개구를 갖는 패턴 마스크 및 노광 장치에 의하여 포토레지스트막(3)이 노광된 후 포토레지스트막(3)은 현상액에 의하여 현상 됨에 따라 포토레지스트막(3) 중 노광된 부분이 제거되고 이로 인해 도 2의 좌굴 프로브 핀(100)과 대응하는 형상을 갖는 개구가 형성된 포토레지스트 패턴(4)이 도 5e에 도시된 바와 같이 금속 씨드막(2) 상에 형성된다.
포토레지스트 패턴(4)의 개구에 의하여 금속 씨드막(2)은 노출되고, 포토레지스트 패턴(4)의 개구에 의하여 노출된 금속 씨드막(2)에는 도 5f에 도시된 바와 같이 전기 도금이 수행된다.
전기 도금에 의하여 포토레지스트 패턴(4)에 의하여 개구된 금속 씨드막(2) 상에는 예비 좌굴 프로브 핀(5)이 형성된다.
전기 도금에 의하여 형성된 예비 좌굴 프로브 핀(5)은 니켈의 함량이 60wt% 내지 90wt%이고, 코발트의 함량이 10wt% 내지 40wt%인 니켈-코발트 합금으로 형성된다.
전기 도금에 의하여 예비 좌굴 프로브 핀(5)이 금속 씨드막(2) 상에 형성된 후, 금속 씨드막(2) 상에 형성된 포토레지스트 패턴(4)은 애싱(ashing) 공정 또는 스트립(strip) 공정에 의하여 금속 씨드막(2)으로부터 제거된다.
이후, 기판(1) 상에는 금속 씨드막(2) 및 예비 좌굴 프로브 핀(5) 만이 남게 되는데, 예비 좌굴 프로브 핀(5)이 형성된 금속 씨드막(2)은 금속 씨드막(2)을 선택적으로 식각하는 식각 공정에 의하여 식각되어 좌굴 프로브 핀(100)이 제조된다.
이와 다르게, 예비 좌굴 프로브 핀(5)을 마스크로 이용하여 금속 씨드막(2)을 식각하여 좌굴 프로브 핀(5)의 일측면에 금속 씨드막(2)을 남겨 두어도 상관없다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 프로브 핀의 중간 부분인 밴딩부가 좌굴 된 상태에서 프로브 핀부가 단자에 접촉될 수 있도록 함으로써 프로브 핀에 별도의 스프링 없이 밴딩부가 스프링 역할을 하도록 하여 조립성, 신뢰성, 조립 부품수 감소의 효과를 구현할 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
100...좌굴 프로브 핀 10...밴딩부
20...고정부 30...프로브 핀부
40...헤드부

Claims (11)

  1. 직사각형 플레이트 형상을 갖고 외력에 의하여 좌굴 되는 밴딩부;
    상기 밴딩부의 일측단에 일체로 형성된 플레이트 형상으로 소켓에 고정되는 고정부;
    상기 고정부에 일체로 형성된 기둥 형상으로 단자에 접속되는 프로브 핀부;
    상기 밴딩부의 상기 일측단과 대향하는 타측단에 일체로 형성된 플레이트 형상으로 소켓에 고정되는 헤드부;
    상기 밴딩부 및 상기 고정부의 사이에 형성된 제1 파손 방지부; 및
    상기 밴딩부 및 상기 헤드부의 사이에 형성된 제2 파손 방지부를 포함하며,
    상기 제1 파손 방지부는 상기 밴딩부로부터 상기 고정부를 향할수록 폭이 증가하는 삼각 플레이트 형상으로 형성되고, 상기 제2 파손 방지부는 상기 밴딩부로부터 상기 헤드부를 향할수록 폭이 증가하는 삼각 플레이트 형상으로 형성되며,
    상기 제1 및 제2 파손 방지부들의 각 빗변들의 사이각은 2°내지 5°이고,
    상기 밴딩부의 폭은 상기 밴딩부의 두께 대비 1배 내지 1.25배이고, 상기 프로브 핀부의 폭은 상기 밴딩부의 두께 대비 1배 내지 2배인 좌굴 프로브 핀.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 고정부 및 상기 헤드부의 폭은 상기 밴딩부의 폭보다 넓게 형성되고, 상기 프로브 핀부는 상기 밴딩부의 폭보다 좁게 형성된 좌굴 프로브 핀.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 밴딩부, 상기 고정부, 상기 프로브 핀부 및 상기 헤드부는 동일한 두께로 형성되며, 상기 두께는 0.01mm 내지 0.1mm인 좌굴 프로브 핀.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 밴딩부, 상기 고정부, 상기 프로브 핀부 및 상기 헤드부는 니켈 및 코발트의 합금인 니켈-코발트 합금이며, 상기 니켈-코발트 합금에 포함된 상기 니켈의 함량은 60wt% 내지 90wt% 이고, 상기 코발트의 함량은 10wt% 내지 40wt%인 좌굴 프로브 핀.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 밴딩부, 상기 고정부, 상기 프로브 핀부 및 상기 헤드부의 일측면에는 금속 씨드층이 형성된 좌굴 프로브 핀.
  10. 삭제
  11. 삭제
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