KR20060058189A - 프로브 구조, 프로브 콘택 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 웨이퍼 칩 패드에 콘택되는 프로브 카드의 프로브에 있어서,프로브 니들 팁과,상기 프로브 니들 팁에 S형태로 굴곡되게 연결되며 상기 웨이퍼 칩 패드에 접촉되었을 때 힘을 완충시키는 탄성체 부분과,상기 탄성체 부분에 연결되어 있는 기저 부분과,상기 기저 부분에 수직으로 연결되며 상기 프로브 카드의 콘택 기판의 콘택홀에 삽입 연결되기 위한 연결 핀을 포함하는 프로브 구조.
- 제 1항에 있어서,상기 프로브 니들 팁은 피라미드 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 구조.
- 제 1항에 있어서,상기 프로브 니들 팁, 상기 탄성체 부분, 상기 기저 부분 및 상기 연결 핀은 전기가 통하는 도전성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 프로브 구조.
- 제 1항에 있어서,상기 탄성체 부분은 보조 패턴을 통해 상기 기저 부분에 추가 연결되어 상기 프로브 니들 팁이 받는 응력을 분산시키는 것을 특징으로 하는 프로브 구조.
- 제 1항에 있어서,상기 기저 부분에 상기 연결 핀 방향으로 돌출된 패턴으로 이루어진 정렬 핀을 더 포함하여 상기 프로브를 상기 콘택 기판에 삽입과 동시에 자동으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 프로브 구조.
- 제 1항에 있어서,상기 연결 핀에 스피링 형태의 연결 탄성체 부분이 추가 설치된 것을 특징으로 하는 프로브 구조.
- 웨이퍼 칩 패드에 콘택되는 프로브 카드의 프로브가 삽입, 연결되는 콘택 기판에 있어서,수직 방향으로 관통하는 다수개의 콘택홀 어레이를 갖는 단층 실리콘 기판과,상기 단층 실리콘 기판 아래에 본딩되며 상기 다수개의 콘택홀 어레이 영역을 포함한 기판 부분이 기계가공된 지지 기판을 포함하는 프로브 콘택 기판.
- 제 7항에 있어서,상기 단층 실리콘 기판의 상기 다수개 콘택홀 어레이는 일정 간격을 두고 규칙적으로 배열되거나, 지그재그 형태로 배열된 것을 특징으로 하는 프로브 콘택 기판.
- 제 7항에 있어서,상기 지지 기판은 상기 다수개 콘택홀 어레이 영역을 포함하도록 기판이 식각된 형태는 타원형 또는 직사각형인 것을 특징으로 하는 프로브 콘택 기판.
- 제 7항에 있어서,상기 단층 실리콘 기판은 절연박막이 증착된 것을 특징으로 하는 프로브 콘택 기판.
- 제 7항에 있어서,상기 지지 기판은 실리콘, 유리, 세라믹 또는 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 프로브 콘택 기판.
- 웨이퍼 칩 패드에 콘택되는 프로브 카드의 프로브를 제조함에 있어서,반도체 기판 위에 도전층을 형성하는 단계와,상기 도전층 위에 프로브 니들 팁에 S형태로 굴곡된 탄성체 부분을 갖는 프 로브 패턴이 다수개 어레이로 배열된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,상기 포토레지스트 패턴에 의해 오픈된 상기 도전층 상부에 도금 공정으로 프로브 구조물을 형성하는 단계와,상기 포토레지스트 패턴, 상기 반도체 기판 및 상기 도전층을 제거하는 단계를 포함하는 프로브 제조 방법.
- 웨이퍼 칩 패드에 콘택되는 프로브 카드의 프로브를 제조함에 있어서,반도체 기판 위에 도전층을 형성하는 단계와,상기 도전층 위에 프로브 니들 팁에 S형태로 굴곡된 탄성체 부분을 갖는 프로브 패턴이 다수개 어레이로 배열된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,상기 포토레지스트 패턴에 의해 오픈된 상기 도전층을 패터닝하여 프로브 구조물을 형성하는 단계와,상기 포토레지스트 패턴 및 상기 반도체 기판을 제거하는 단계를 포함하는 프로브 제조 방법.
- 제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 반도체 기판은 100방향의 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.
- 제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 방법은 상기 반도체 기판을 제거한 후에, 상기 다수개의 어레이로 연결된 프로브 패턴을 각각의 어레이별로 분리하고, 각각 어레이에서 각 프로브를 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.
- 제 15항에 있어서,상기 각 프로브를 분리하기 전에, 상기 각 어레이단위로 프로브 패턴의 니들 팁의 끝단을 습식 식각 공정, 또는 연마 방법으로 가공하여 피라미드 형태로 가공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.
- 웨이퍼 칩 패드에 콘택되는 프로브 카드의 프로브가 삽입, 연결되는 콘택 기판을 제조함에 있어서,단층 실리콘 기판에 수직 방향으로 관통하는 다수개의 콘택홀 어레이를 형성하는 단계와,지지 기판에서 상기 다수개의 콘택홀 어레이 영역을 포함한 기판 부분을 기계가공하여 오픈 영역을 형성하는 단계와,상기 다수개의 콘택홀 어레이 영역과 상기 오픈 영역이 대응하도록 상기 단층 실리콘 기판과 상기 지지 기판을 본딩하는 단계을 포함하는 프로브 콘택 기판 제조 방법.
- 제 17항에 있어서,상기 다수개 콘택홀 어레이는 일정 간견을 두고 규칙적으로 배열되거나, 지그재그 형태로 배열되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 콘택 기판 제조 방법.
- 제 17항에 있어서,상기 다수개의 콘택홀 어레이는 MEMS 딥 식각 공정으로 형성되는 특징으로 하는 프로브 콘택 기판 제조 방법.
- 제 17항에 있어서,상기 방법은 상기 다수개의 콘택홀 어레이를 형성한 후에, 상기 단층 실리콘 기판 상부에 절연박막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 콘택 기판 제조 방법.
- 웨이퍼 칩 패드에 콘택되는 프로브 카드 제조 방법에 있어서,프로브 니들 팁에 S형태로 굴곡되게 연결된 탄성체 부분을 갖는 프로브의 연결 핀을 단층 실리콘 기판과 지지 기판이 본딩된 콘택 기판의 콘택홀에 삽입, 연결하는 단계와,상기 콘택 기판에 인쇄회로 기판을 마운팅하여 프로브 카드를 제조하는 단계를 포함하는 프로브 카드 제조 방법.
- 제 21항에 있어서,상기 프로브의 정렬 핀이 상기 연결 핀이 삽입되는 콘택홀과 인접된 다른 콘택홀에 삽입되어 프로브 정렬을 측정하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
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