KR100960437B1 - 통전핀,그의 통전핀 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 멤스공정으로 제조되는 통전핀의 연결부 중앙부 외측에 직진유지편이 형성된 통전핀에 있어서, 상기 통전핀(10)은 빔부 중앙내측(11)에서부터 연결부 내측(12)에 응력감쇄편(13)이 형성되는 것과, 상기 응력감쇄편(13)은 도 3a의 (13a)형상과 도 3b의 (13b)형상과 도 3c의 (13c)형상으로 형성되는 것을 특징으로하는 통전핀.
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- 멤스공정으로 제조되는 통전핀의 연결부 중앙부 외측에 직진유지편이 형성된 통전핀에 있어서, 상기 통전핀(10)은 연결부의 외측중앙부가 절단된 직진유지편(14b)과, 연결부의 내측중앙부가 절단된 직진유지편(14c)으로 되는 것을 특징으로하는 통전핀.
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- 제1항에 있어서, 상기 연결부(22) 상측은 2단 단차 접합편 구조로 형성되는 것과, 상기 연결부(22) 상측은 2단 단차 일괄접합편(27) 또는 연결부(22) 상측은 2단 단차 우측접합편(28) 또는 연결부(22) 상측은 2단 단차 좌측접합편(29)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 통전핀.
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- 기능성 형상이 형성된 통전핀(10) 제조공정A은실리콘기판 상면에 CVD 또는 PVD공정으로 산화막을 증착하고,상기 산화막위에 통전핀 하부면이 절연막이 되는 절연막을 증착하는 a단계;상기 절연막위에 배리어막과 시드막을 형성하는 b단계;상기 배리어막과 시드막위에 포토레지스트을 균일하고, 평탄하게 도포하는 c단계;상기 포토레지스트가 도포된 실리콘기판의 용매를 증발시키기위해 프리베이크 하고상기 통전핀 형상이 있는 마스크로 노광과 현상하여 희망하는 통전핀 형상을 패터닝하는 d단계;상기 통전핀 형상 포토레지스트를 음각에칭으로 제거하는 e단계;상기 통전핀 형상홈에 전해도금에 의한 전도성극재 금속층을 충전매립하는 도금을 실행하는 f단계;오버매립된 금속을 화학적기계가공(CMP)공정으로 연마하는 g단계;산화막과 잔재한 포토레지스트를 에싱에 의해 제거하는 h단계;상기 통전핀 상부면에 절연막을 증착 형성하는 i단계;실리콘기판을 세정하고, 상기 통전핀을 실리콘기판에서 분리하고 통전핀을 사용하는 j단계; 로 제조되는 것을 특징으로 하는 통전핀 제조방법.
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- 2단 단차 접합편이 형성된 통전핀(30) 제조공정C은실리콘기판 상면을 CVD 또는 PVD공정으로 산화막을 증착하는 a단계;상기 산화막위에 1차포토레지스트을 균일하고, 평탄하게 도포하는 b단계;상기 2단 단차 하면돌기 형상이 있는 포토마스크로 노광과 현상하여 희망하는 2단 단차 하면돌기 접합편을 패터닝하는 c단계;상기 2단 단차 하면돌기 형상을 에칭으로 형성하는 d단계;실리콘기판 상면에 시드막을 형성하는 e단계;상기 시드막위에 2차포토레지스트을 균일하고, 평탄하게 도포하는 f단계;상기 도포된 포토레지스트위에 통전핀 형상이 있는 포토마스크로 노광과 현상하여 희망하는 통전핀 형상을 패터닝하는 g단계;상기 통전핀 형상 포토레지스트를 에칭으로 제거하는 h단계;상기 통전핀 형상홈에 전해도금에 의한 전도성극재 금속층을 충전매립하는 도금을 실행하는 i단계;오버매립된 금속을 화학적기계가공(CMP)공정으로 연마하는 j단계;실리콘기판위에 3차포토레지스트을 균일하고, 평탄하게 도포하는 k단계;2단 단차 상면돌기 형상이 있는 포토마스크로 노광과 현상하여 희망하는 2단 단차 상면돌기 접합편을 패터닝하는 l단계;상기 2단 단차 상면돌기 형상을 에칭으로 제거하는 m단계;상기 2단 단차 상면돌기 형상홈에 전해도금에 의한 전도성극재 금속층을 충전매립하는 도금을 실행하는 n단계;산화막과 잔재한 포토레지스트를 에싱에 의해 제거하는 o단계;실리콘기판에서 상기 통전핀을 세정하고, 실리콘기판에서 분리하고 통전핀을 사용하는 p단계; 로 제조되는 것을 특징으로 하는 통전핀 제조방법.
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080009372A KR100960437B1 (ko) | 2008-01-30 | 2008-01-30 | 통전핀,그의 통전핀 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080009372A KR100960437B1 (ko) | 2008-01-30 | 2008-01-30 | 통전핀,그의 통전핀 제조방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100016949A Division KR100963369B1 (ko) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 통전핀, 그의 통전핀 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090083530A KR20090083530A (ko) | 2009-08-04 |
KR100960437B1 true KR100960437B1 (ko) | 2010-05-28 |
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ID=41204304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020080009372A KR100960437B1 (ko) | 2008-01-30 | 2008-01-30 | 통전핀,그의 통전핀 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100960437B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101650768B1 (ko) * | 2009-09-29 | 2016-08-25 | 송지은 | 어드밴스 프로브핀 |
KR101651587B1 (ko) * | 2015-03-20 | 2016-09-01 | 주식회사 애이시에스 | 엘이디 패키징 번인 테스트 검사 장치 |
KR101977473B1 (ko) * | 2017-07-27 | 2019-05-10 | 주식회사 기가레인 | 플럭스 확산이 개선된 프로브핀 및 이의 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200411355Y1 (ko) * | 2005-12-26 | 2006-03-15 | 송광석 | 반도체 검사용 프로브카드 |
KR20060058189A (ko) * | 2004-11-24 | 2006-05-29 | 세크론 주식회사 | 프로브 구조, 프로브 콘택 기판 및 그 제조 방법 |
KR200419002Y1 (ko) * | 2006-01-17 | 2006-06-15 | 송광석 | 반도체칩 검사용 탐침조립체 |
-
2008
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060058189A (ko) * | 2004-11-24 | 2006-05-29 | 세크론 주식회사 | 프로브 구조, 프로브 콘택 기판 및 그 제조 방법 |
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KR200419002Y1 (ko) * | 2006-01-17 | 2006-06-15 | 송광석 | 반도체칩 검사용 탐침조립체 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090083530A (ko) | 2009-08-04 |
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