KR100977207B1 - 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법 - Google Patents

프로브 및 프로브 카드의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100977207B1
KR100977207B1 KR1020080086765A KR20080086765A KR100977207B1 KR 100977207 B1 KR100977207 B1 KR 100977207B1 KR 1020080086765 A KR1020080086765 A KR 1020080086765A KR 20080086765 A KR20080086765 A KR 20080086765A KR 100977207 B1 KR100977207 B1 KR 100977207B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
probe
body portion
conductive layer
manufacturing
photoresist
Prior art date
Application number
KR1020080086765A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100027737A (ko
Inventor
한정섭
Original Assignee
윌테크놀러지(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌테크놀러지(주) filed Critical 윌테크놀러지(주)
Priority to KR1020080086765A priority Critical patent/KR100977207B1/ko
Publication of KR20100027737A publication Critical patent/KR20100027737A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100977207B1 publication Critical patent/KR100977207B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

팁부를 가지는 제 1 본체부 및 상기 제 1 본체부 상에 위치하는 제 2 본체부를 포함하는 프로브 카드용 프로브의 제조 방법은 희생 기판을 마련하는 단계, 상기 희생 기판 상에 도전층을 형성하는 단계, 상기 도전층 상에 상기 프로브의 상기 제 1 본체부에 대응하는 제 1 함몰부를 가지는 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 함몰부에 도전성 물질을 채워 상기 제 1 본체부를 형성하는 단계, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계, 상기 도전층을 성장시켜 상기 제 1 본체부의 측면을 둘러싸는 성장 도전층을 형성하는 단계, 상기 제 1 본체부 상에 상기 프로브의 상기 제 2 본체부에 대응하는 제 2 함몰부를 가지는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 2 함몰부에 도전성 물질을 채워 상기 제 2 본체부를 형성하는 단계 및 상기 제 1 본체부 및 상기 제 2 본체부를 둘러싸고 있는 부분을 제거하는 단계를 포함한다.
프로브 카드, 포토리소그래피, 도전층

Description

프로브 및 프로브 카드의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING PROBE AND PROBE CARD}
본 발명은 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 포토리소그래피(photolithography) 기술을 이용한 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼(wafer) 상에 회로 패턴 및 검사를 위한 접촉 패드를 형성하는 패브리케이션(fabrication) 공정과 회로 패턴 및 접촉 패드가 형성된 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해서 제조된다.
패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드에 전기 신호를 인가하여 웨이퍼의 전기적 특성을 검사하는 검사 공정이 수행된다. 이 검사 공정은 웨이퍼의 불량을 검사하여 어셈블리 공정 시 불량이 발생한 웨이퍼의 일 부분을 제거하기 위해 수행하는 공정이다.
검사 공정 시에는 웨이퍼에 전기적 신호를 인가하는 테스터라고 하는 검사 장비와 웨이퍼와 테스터 사이의 인터페이스 기능을 수행하는 프로브 카드라는 검사 장비가 주로 이용된다. 이 중에서 프로브 카드는 테스터로부터 인가되는 전기 신호를 수신하는 인쇄 회로 기판 및 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 복수개의 프로브를 포함한다.
최근에, 고집적 칩의 수요가 증가함에 따라서, 패브리케이션 공정에 의해 웨이퍼에 형성되는 회로 패턴 및 회로 패턴과 연결된 접촉 패드가 고집적 및 미세하게 형성되며, 이에 의해, 접촉 패드와 접촉하는 프로브 카드의 프로브 크기를 미세하게 제어할 수 있는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 이용한 프로브의 제조 방법이 개발되었다.
그런데, 이러한 종래의 프로브 제조 방법에 있어서는, 프로브를 포토리소그래피 공정에 의해 제작한 후, 프로브의 팁 부분을 예리하게 하기 위해 기계적 가공 공정을 수행하였기 때문에, 기계적 가공 공정 시 발생하는 뷸균등한 힘의 배분으로 인해, 각 프로브의 팁부의 길이가 서로 상이하게 되어, 결국 프로브 카드의 평탄도에 악영향을 끼쳤다.
한편, 한국공개특허 제2006-0021420호(출원일: 2003년 03월 17일)에는 “프로브 및 그 제조방법” 에 관한 발명이 개시되어 있다.
상기 문헌은 포토리소그래피 공정을 이용하여 순차적으로 복수개의 금속막을 형성하여 팁을 일체로 가지는 프로브를 제조하는 기술을 개시하고 있다.
상기 문헌에 개시된 기술에 따르면, 실리콘 기판 상에 포토레지스트(photoresist) 물질을 형성하는 포토리소그래피 공정을 이용하여 프로브를 제작하는데, 프로브를 제작하는 과정에서, 프로브의 팁부가 되는 도전성 물질이 포토레 지스트 물질과 직접 접촉하게 된다. 프로브의 팁부가 되는 도전성 물질을 구성하는 분자의 결정 구조와 포토레지스트 물질을 구성하는 분자의 결정 구조가 서로 상이하기 때문에, 도전성 물질과 포토레지스트 물질의 계면 상에 결함 등이 발생하게 된다. 이로 인해 결국 프로브 팁부의 표면 거칠기가 상승하거나 프로브 팁부의 표면 특성이 열화되는 문제점이 있었다.
본 발명의 일 실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 프로브의 팁 부분에 별도의 가공 공정을 수행하지 않아도 평탄도를 향상시킬 수 있는 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 포토리소그래피 공정으로 인하여 발생할 수 있는 계면 결함으로 인한 프로브 팁부의 특성 저하를 최소화할 수 있는 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면은 팁부를 가지는 제 1 본체부 및 상기 팁부를 제외한 상기 제 1 본체부 상에 위치하는 제 2 본체부를 포함하는 프로브 카드용 프로브의 제조 방법에 있어서, a) 희생 기판을 마련하는 단계, b) 상기 희생 기판 상에 도전층을 형성하는 단계, c) 상기 도전층 상에 상기 프로브의 상기 제 1 본체부에 대응하는 제 1 함몰부를 가지는 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, d) 상기 제 1 함몰부에 도전성 물질을 채워 상기 제 1 본체부를 형성하는 단계, e) 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계, f) 상기 도전층을 성장시켜 상기 제 1 본체부의 측면을 둘러싸는 성장 도전층을 형성하는 단계, g) 상기 제 1 본체부 상에 상기 프로브의 상기 제 2 본체부에 대응하는 제 2 함몰부를 가지는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, h) 상기 제 2 함몰부에 도전성 물질을 채워 상기 제 2 본체부를 형성하는 단계 및 i) 상기 제 1 본체부 및 상기 제 2 본체부를 둘러싸고 있는 부분을 제거하는 단계를 포함하는 프로브 제조 방법을 제공한다.
상기 f)단계는 상기 도전층을 이용한 도금 공정에 의해 수행될 수 있다.
상기 f)단계는 상기 성장 도전층을 연마하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 d)단계는 상기 도전층을 이용한 도금 공정에 의해 수행될 수 있다.
상기 d)단계는 상기 도전성 물질을 연마하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 h)단계는 상기 성장 도전층을 이용한 도금 공정에 의해 수행될 수 있다.
상기 h)단계는 상기 도전성 물질을 연마하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 c)단계는 상기 도전층 상에 제 1 포토레지스트층을 형성하는 단계 및 상기 제 1 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 g)단계는 상기 제 1 본체부 상에 제 2 포토레지스트층을 형성하는 단계 및 상기 제 2 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 2 측면은 프로브 카드의 제조 방법에 있어서, 기판을 마련하는 단계 및 상기 방법에 의해 제조된 프로브를 상기 기판에 장착하는 단계를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법을 제공한다.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 하나에 의하면, 다각적인 포토리소그래 피 공정을 이용해 프로브의 팁 부분에 대한 별도의 가공 공정이 필요 없이 평탄도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 다각적인 포토리소그래피 공정 중 성장 도전층을 형성하여 포토리소그래피 공정으로 인하여 발생할 수 있는 계면 결함으로 인한 프로브 팁부의 특성 저하를 최소화할 수 있는 효과가 있다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재와 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함” 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브 카드에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브 카드의 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 프로브의 사시도이며, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브 카드(1000)는 인쇄 회로 기판(100), 인터포저(200), 공간 변환기(300) 및 프로브(400)를 포함한다.
인쇄 회로 기판(100)은 대략 원판 형상으로 형성되며, 검사 공정을 위한 프로브 회로 패턴(미도시)을 포함한다. 인쇄 회로 기판(100)은 검사 공정을 위한 컴퓨터와 연결되어 있을 수 있다. 프로브 회로 패턴(미도시)은 인쇄 회로 기판(100)의 하면에 형성된 기판 패드(110)와 연결되어 있다. 기판 패드(110)에는 인터포저(200)가 연결되어 있다.
인터포저(200)는 인쇄 회로 기판(100)과 공간 변환기(300) 사이에 위치하고 있으며, 인쇄 회로 기판(100)의 프로브 회로 패턴(미도시)과 연결되어 인쇄 회로 기판(100)과 공간 변환기(300) 사이를 전기적으로 연결하는 기능을 수행한다.
공간 변환기(300)는 인터포저(200)를 사이에 두고 인쇄 회로 기판(100)과 대향하고 있으며, 상면에 형성되어 인터포저(200)와 직접 연결되어 있는 제 1 패드(310) 및 하면에 형성되어 프로브(400)와 직접 연결되어 있는 제 2 패드(320)를 포함한다. 서로 마주하는 제 1 패드(310)간의 거리는 서로 마주하는 제 2 패드(320)간의 거리보다 넓게 형성되어 있으며, 이로 인해 제 1 패드(310)로부터 제 2 패드(320)까지 공간 변환 기능이 수행된다. 즉, 공간 변환기(300)는 인쇄 회로 기판(100)으로부터 프로브(400)까지 공간 변환 기능을 수행한다. 공간 변환기(300)의 제 2 패드(320)에는 프로브(400)가 본딩되어 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 프로브(400)는 제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)를 포함한다.
제 1 본체부(410)는 팁부(411)를 가지고 있으며, 이 팁부(411)는 제 2 본체부(420)의 단부보다 외부로 돌출되어 있다. 팁부(411)는 검사 공정 시 웨이퍼 등의 피검사체에 형성되어 있는 접촉 패드와 접촉한다.
제 2 본체부(420)는 팁부(411)를 제외한 제 1 본체부(410) 상에 위치하고 있다. 제 2 본체부(420)는 팁부(411)를 제외한 제 1 본체부(410)와 실질적으로 동일한 형태를 이루고 있다.
이하, 도 3 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법의 순서를 나타낸 순서도이며, 도 5 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
우선, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 희생 기판(2000)을 마련한다(S110).
구체적으로, 실리콘 웨이퍼 등의 판 형상의 절연성 물질인 희생 기판(2000)을 마련한다.
다음, 희생 기판(2000) 상에 도전층(2200)을 형성한다(S120).
구체적으로, 희생 기판(2000) 상에 스퍼터링(sputtering) 공정 등을 이용하여 티타늄(Ti) 등을 포함하는 접착층(2100)과 구리(Cu) 등을 포함하는 도전층(2200)을 순차적으로 형성한다. 접착층(2100)은 도전층(2200)과 희생 기판(2000) 사이의 접착을 도와주는 역할을 한다.
다음, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 도전층(2200) 상에 제 1 포토레지스트 패턴(2350)을 형성한다(S130).
구체적으로, 우선, 도전층(2200) 상에 포토레지스트(photoresist) 물질로 이루어진 제 1 포토레지스트층(2300)을 형성한다. 다음, 제 1 포토레지스트층(2300) 상에 후에 형성될 제 1 함몰부(2351)에 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬하고, 상기 마스크를 통해 제 1 포토레지스트층(2300)에 자외선 등을 조사하여 제 1 포토레지스트층(2300)을 노광한다. 다음, 현상액을 이용하여 노광된 제 1 포토레지스트층(2300)을 현상하여 제 1 함몰부(2351)를 가지는 제 1 포토레지스트 패턴(2350)을 형성한다.
다음, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 본체부(410)를 형성한다(S140).
구체적으로, 도전층(2200)을 이용한 전해 도금 공정 등의 도금 공정을 이용하여 제 1 함몰부(2351)에 니켈(Ni) 등을 포함하는 도전성 물질(C)을 채워 제 1 본체부(410)를 형성한다. 이 때, 도금 공정으로 인해 제 1 본체부(410) 상으로 도전성 물질이 돌출될 경우, 제 1 본체부(410) 상으로 돌출된 도전성 물질을 화학적 또는 물리적 연마 공정을 이용해 연마하여 제 1 본체부(410)를 형성한다.
한편, 도금 공정으로 인해 제 1 본체부(410) 상으로 도전성 물질(C)이 돌출될 경우, 돌출된 도전성 물질(C)을 지금 단계에서 연마하지 않고, 후에 형성될 성장 도전층(2250)의 연마 공정 시 성장 도전층(2250)과 함께 도전성 물질(C)을 연마 할 수 있다. 이 경우, 한 번의 연마 공정으로 인해 제 1 본체부(410) 및 성장 도전층(2250)이 형성되어 공정의 단순화가 수행된다.
다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 포토레지스트 패턴(2350)을 제거한다(S150).
구체적으로, 에슁(ashing) 공정 또는 리프트 오프(lift off) 공정 등을 이용해 도전층(2200)으로부터 제 1 포토레지스트 패턴(2350)을 제거한다.
다음, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 성장 도전층(2250)을 형성한다(S160).
구체적으로, 도전층(2200)을 이용한 전해 도금 공정 등의 도금 공정을 이용하여 제 1 포토레지스트 패턴(2350)이 제거된 위치에 도전층(2200)이 위치하도록 도전층(2200)을 성장시켜 성장 도전층(2250)을 형성한다. 이 때, 도금 공정으로 인해 제 1 본체부(410) 상으로 성장 도전층(2250)이 돌출될 경우, 제 1 본체부(410) 상으로 돌출된 성장 도전층(2250)을 화학적 또는 물리적 연마 공정을 이용해 연마하여 성장 도전층(2250)를 형성한다.
성장 도전층(2250)은 제 1 본체부(410)의 측면을 둘러싸며, 성장 도전층(2250)에 의해 제 1 본체부(410)의 표면이 둘러싸이게 된다. 특히, 검사 공정 시 피검사체에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 제 1 본체부(410)의 팁부(411)에 해당하는 제 1 본체부(410)의 표면이 성장 도전층(2250)에 의해 둘러싸이게 된다. 성장 도전층(2250) 및 제 1 본체부(410)는 금속 계열이기 때문에, 각각을 구성하는 분자간의 결정 구조의 차이가 포토레지스트 물질과 제 1 본체부(410) 각각을 구성하는 분자간의 결정 구조의 차이보다 더 적다. 이상과 같이, 성장 도전층(2250)과 제 1 본체부(410)가 서로 접촉하는 계면의 결정 구조의 차이가 작기 때문에, 성장 도전층(2250)에 의해 제 1 본체부(410)의 계면 상에 결함 발생이 억제된다.
다음, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 제 1 본체부(410) 상에 제 2 포토레지스트 패턴(2450)을 형성한다(S170).
구체적으로, 우선, 제 1 본체부(410) 상에 포토레지스트 물질로 이루어진 제 2 포토레지스트층(2400)을 형성한다. 다음, 제 2 포토레지스트층(2400) 상에 후에 형성될 제 2 함몰부(2451)에 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬하고, 상기 마스크를 통해 제 2 포토레지스트층(2400)에 자외선 등을 조사하여 제 2 포토레지스트층(2400)을 노광한다. 다음, 현상액을 이용하여 노광된 제 2 포토레지스트층(2400)을 현상하여 제 2 함몰부(2451)를 가지는 제 2 포토레지스트 패턴(2450)을 형성한다.
다음, 도 13에 도시된 바와 같이, 제 2 본체부(420)를 형성한다(S180).
구체적으로, 성장 도전층(2250)을 이용한 전해 도금 공정 등의 도금 공정을 이용하여 제 2 함몰부(2451)에 니켈 등을 포함하는 도전성 물질을 채워 제 2 본체부(420)를 형성한다. 이 때, 도금 공정으로 인해 제 2 본체부(420) 상으로 도전성 물질이 돌출될 경우, 제 2 본체부(420) 상으로 돌출된 도전성 물질을 화학적 또는 물리적 연마 공정을 이용해 연마하여 제 2 본체부(420)를 형성한다.
다음, 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)를 둘러싸고 있는 부분을 제거하여 프로브(400)를 형성한다(S190).
구체적으로, 제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)를 포함하는 프로브(400)를 둘러싸고 있는 제 2 포토레지스트 패턴(2450)을 에슁 공정 또는 리프트 오프 공정을 이용해 성장 도전층(2250)으로부터 제거한 후, 희생 기판(2000), 성장 도전층(2250) 및 접착층(2100)을 순차적인 습식 식각 공정을 이용하여 프로브(400)로부터 제거하여, 도 3에 도시된 바와 같은 프로브(400)를 제조한다.
다음, 프로브(400)를 기판에 장착한다(S200).
구체적으로, 프로브(400)를 별도의 본딩 공정을 이용해, 공간 변환기(300)에 장착한다.
다른 실시예에서, 프로브(400)는 공간 변환기(300) 없이 프로브 카드에 사용되는 인쇄 회로 기판(100)에 장착되거나, 또는 프로브(400)가 장착되는 별도의 장착 기판에 장착될 수 있다.
이상과 같은 방법에 의하여 프로브(400) 및 프로브 카드(1000)가 제조된다.
이와 같이, 다각적인 포토리소그래피(photolithography) 공정을 이용해 웨이퍼 등의 피검사체에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 팁부(411)를 포함하는 프로브(400)가 형성되기 때문에, 팁부(411)를 예리하게 형성하기 위해 팁부(411)를 형성하기 위한 기계적 가공 공정을 수행할 필요가 없다. 이에 의해, 기계적 가공 공정 시 발생하는 뷸균등한 힘의 배분으로 인해, 발생할 수 있는 평탄도에 대한 악영향이 발생하지 않는다. 즉, 프로브 카드(1000)의 평탄도가 향상된다.
또한, 팁부(411)가 예리하게 형성되어 접촉 패드 상에 접촉하고자 하는 정확한 위치에 접촉할 수 있기 때문에, 검사 공정 시 프로브(400)에 의해 접촉 패드에 형성되는 자국인 스크럽(scrub)이 작게 형성된다. 이에 의해, 검사 공정으로 인한 피검사체의 불량이 억제된다.
또한, 제 2 본체부(420)가 형성될 때, 제 1 본체부(410)의 팁부(411)가 되는 부분이 성장 도전층(2250)에 의해 둘러싸이게 되므로, 제 1 본체부(410)의 팁부(411)가 성장 도전층(2250)과 접촉하여 형성되게 된다. 성장 도전층(2250) 및 제 1 본체부(410) 각각을 구성하는 분자의 결정 구조 차이가 작기 때문에, 성장 도전층(2250)과 제 1 본체부(410)의 계면 상에 결함 발생이 억제된다. 즉, 제 1 본체부(410)의 팁부(411)의 표면 거칠기는 감소하고, 제 1 본체부(410)의 팁부(411)의 표면 특성 열화가 저하된다.
이에 의하여 접촉 신뢰도가 향상되고 계면 결함이 억제된 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법이 제공된다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되 는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브 카드의 단면도이고,
도 2는 도 1에 도시된 프로브의 사시도이고,
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법의 순서를 나타낸 순서도이며,
도 5 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.

Claims (10)

  1. 팁부를 가지는 제 1 본체부 및 상기 팁부를 제외한 상기 제 1 본체부 상에 위치하는 제 2 본체부를 포함하는 프로브 카드용 프로브의 제조 방법에 있어서,
    a) 희생 기판을 마련하는 단계,
    b) 상기 희생 기판 상에 도전층을 형성하는 단계,
    c) 상기 도전층 상에 상기 프로브의 상기 제 1 본체부에 대응하는 제 1 함몰부를 가지는 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
    d) 상기 제 1 함몰부에 도전성 물질을 채워 상기 제 1 본체부를 형성하는 단계,
    e) 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계,
    f) 상기 도전층을 성장시켜 상기 제 1 본체부의 측면을 둘러싸는 성장 도전층을 형성하는 단계,
    g) 상기 제 1 본체부 상에 상기 프로브의 상기 제 2 본체부에 대응하는 제 2 함몰부를 가지는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
    h) 상기 제 2 함몰부에 도전성 물질을 채워 상기 제 2 본체부를 형성하는 단계 및
    i) 상기 제 1 본체부 및 상기 제 2 본체부를 둘러싸고 있는 부분을 제거하는 단계
    를 포함하는 프로브 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 f)단계는,
    상기 도전층을 이용한 도금 공정에 의해 수행되는 것인 프로브 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 f)단계는,
    상기 성장 도전층을 연마하는 단계를 포함하는 프로브 제조 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 f)단계는,
    상기 성장 도전층을 연마하는 단계를 포함하는 프로브 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 d)단계는,
    상기 도전성 물질을 연마하는 단계를 포함하는 프로브 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 h)단계는,
    상기 성장 도전층을 이용한 도금 공정에 의해 수행되는 것인 프로브 제조 방 법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 h)단계는,
    상기 도전성 물질을 연마하는 단계를 포함하는 프로브 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 c)단계는,
    상기 도전층 상에 제 1 포토레지스트층을 형성하는 단계 및
    상기 제 1 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계
    를 포함하는 프로브 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 g)단계는,
    상기 제 1 본체부 상에 제 2 포토레지스트층을 형성하는 단계 및
    상기 제 2 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계
    를 포함하는 프로브 제조 방법.
  10. 프로브 카드의 제조 방법에 있어서,
    기판을 마련하는 단계 및
    제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 프로브를 상기 기판에 장착하는 단계
    를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법.
KR1020080086765A 2008-09-03 2008-09-03 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법 KR100977207B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080086765A KR100977207B1 (ko) 2008-09-03 2008-09-03 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080086765A KR100977207B1 (ko) 2008-09-03 2008-09-03 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100027737A KR20100027737A (ko) 2010-03-11
KR100977207B1 true KR100977207B1 (ko) 2010-08-20

Family

ID=42178668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080086765A KR100977207B1 (ko) 2008-09-03 2008-09-03 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100977207B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220119880A (ko) * 2021-02-22 2022-08-30 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002174645A (ja) 2000-12-08 2002-06-21 Toppan Printing Co Ltd 検査治具の製造方法
KR100573089B1 (ko) 2003-03-17 2006-04-24 주식회사 파이컴 프로브 및 그 제조방법
KR20060118816A (ko) * 2005-05-17 2006-11-24 주식회사 크라또 프로브 유닛 및 그 제조 방법
KR20080064714A (ko) * 2007-01-05 2008-07-09 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 프로브의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002174645A (ja) 2000-12-08 2002-06-21 Toppan Printing Co Ltd 検査治具の製造方法
KR100573089B1 (ko) 2003-03-17 2006-04-24 주식회사 파이컴 프로브 및 그 제조방법
KR20060118816A (ko) * 2005-05-17 2006-11-24 주식회사 크라또 프로브 유닛 및 그 제조 방법
KR20080064714A (ko) * 2007-01-05 2008-07-09 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 프로브의 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220119880A (ko) * 2021-02-22 2022-08-30 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
KR102519285B1 (ko) 2021-02-22 2023-04-17 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100027737A (ko) 2010-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101051136B1 (ko) 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간변환기의 제조 방법
JP2006032593A (ja) プローブカセット、半導体検査装置および半導体装置の製造方法
KR100977207B1 (ko) 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법
KR100997179B1 (ko) 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법
KR20230078613A (ko) 전기 장치 검사용 프로브 헤드
KR100961454B1 (ko) 프로브 기판과 프로브 기판의 제조 방법
KR100977209B1 (ko) 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간변환기의 제조 방법
KR101010667B1 (ko) 프로브 본딩용 유닛, 프로브 본딩용 유닛의 제조 방법 및 프로브 본딩용 유닛을 이용한 프로브 본딩 방법
KR20100027738A (ko) 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법
KR100961457B1 (ko) 프로브 기판과 프로브 기판의 제조 방법
KR100959797B1 (ko) 접촉 구조물의 제조 방법
KR20100027739A (ko) 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법
KR101010671B1 (ko) 프로브와 프로브의 제조 방법
KR101058513B1 (ko) 프로브 카드의 제조 방법
KR101846010B1 (ko) 영상표시패널 검사용 프로브 유닛의 제작 방법 및 이에 의해 제작된 프로브 유닛
JP2007121152A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法およびプローブカードの製造方法
KR100977213B1 (ko) 프로브 본딩용 프로브 유닛의 제조 방법
KR100996926B1 (ko) 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법
KR100943724B1 (ko) 프로브 카드
KR100977204B1 (ko) 프로브 카드와 프로브 카드의 제조 방법
KR101024098B1 (ko) 프로브 본딩 방법
KR20100046981A (ko) 접촉 구조물의 제조 방법
KR100954363B1 (ko) 프로브 및 프로브의 제조 방법
KR20100000993A (ko) 접촉 구조물의 제조 방법
KR20100048631A (ko) 프로브 본딩용 프로브 유닛과 이를 이용한 프로브 본딩 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130913

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140729

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150721

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160803

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170810

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180813

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190813

Year of fee payment: 10