KR20100027739A - 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

팁부를 가지는 제 1 본체부 및 상기 팁부를 제외한 상기 제 1 본체부 상에 위치하는 제 2 본체부를 포함하는 프로브 카드용 프로브의 제조 방법은 희생 기판을 마련하는 단계, 상기 희생 기판에 상기 프로브의 상기 제 2 본체부에 대응하는 제 1 함몰부를 형성하는 단계, 상기 희생 기판 상에 도전층을 형성하는 단계, 상기 도전층 상에 상기 제 1 본체부에 대응하는 제 2 함몰부를 가진 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 함몰부 및 상기 제 2 함몰부에 도전성 물질을 채워 상기 제 1 본체부 및 상기 제 2 본체부를 형성하는 단계, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 상기 도전층으로부터 분리하는 단계, 상기 제 1 본체부에 의해 노출된 상기 도전층을 제거하는 단계 및 상기 희생 기판을 제거하는 단계를 포함한다.

프로브, 프로브 카드, 포토리소그래피

Description

프로브 및 프로브 카드의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING PROBE AND PROBE CARD}

본 발명은 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 포토리소그래피(photolithography) 기술을 이용한 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼(wafer) 상에 회로 패턴 및 검사를 위한 접촉 패드를 형성하는 패브리케이션(fabrication) 공정과 회로 패턴 및 접촉 패드가 형성된 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해서 제조된다.

패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드에 전기 신호를 인가하여 웨이퍼의 전기적 특성을 검사하는 검사 공정이 수행된다. 이 검사 공정은 웨이퍼의 불량을 검사하여 어셈블리 공정 시 불량이 발생한 웨이퍼의 일 부분을 제거하기 위해 수행하는 공정이다.

검사 공정 시에는 웨이퍼에 전기적 신호를 인가하는 테스터라고 하는 검사 장비와 웨이퍼와 테스터 사이의 인터페이스 기능을 수행하는 프로브 카드라는 검사 장비가 주로 이용된다. 이 중에서 프로브 카드는 테스터로부터 인가되는 전기 신호를 수신하는 인쇄 회로 기판 및 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 복수개의 프로브를 포함한다.

최근에, 고집적 칩의 수요가 증가함에 따라서, 패브리케이션 공정에 의해 웨이퍼에 형성되는 회로 패턴 및 회로 패턴과 연결된 접촉 패드가 고집적 및 미세하게 형성되며, 이에 의해, 접촉 패드와 접촉하는 프로브 카드의 프로브 크기를 미세하게 제어할 수 있는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 이용한 프로브의 제조 방법이 개발되었다.

그런데, 이러한 종래의 프로브 제조 방법에 있어서는, 프로브를 포토리소그래피 공정에 의해 제작한 후, 프로브의 팁 부분을 예리하게 하기 위해 기계적 가공 공정을 수행하였기 때문에, 기계적 가공 공정 시 발생하는 뷸균등한 힘의 배분으로 인해, 각 프로브의 팁부의 길이가 서로 상이하게 되어, 결국 프로브 카드의 평탄도에 악영향을 끼쳤다.

한편, 한국공개특허 제2006-0021420호(출원일: 2003년 03월 17일)에는 “프로브 및 그 제조방법” 에 관한 발명이 개시되어 있다.

상기 문헌은 포토리소그래피 공정을 이용하여 순차적으로 복수개의 금속막을 형성하여 팁을 일체로 가지는 프로브를 제조하는 기술을 개시하고 있다.

상기 문헌에 개시된 기술에 따르면, 실리콘 기판 상에 포토레지스트(photoresist) 물질을 형성하는 포토리소그래피 공정을 이용하여 프로브를 제작하는데, 프로브를 제작하는 과정에서, 프로브의 팁부가 되는 도전성 물질이 포토레 지스트 물질과 직접 접촉하게 된다. 프로브의 팁부가 되는 도전성 물질을 구성하는 분자의 결정 구조와 포토레지스트 물질을 구성하는 분자의 결정 구조가 서로 상이하기 때문에, 도전성 물질과 포토레지스트 물질의 계면에 결함 등이 발생하게 된다. 이로 인해 결국 프로브 팁부의 표면 거칠기가 상승하거나 프로브 팁부의 표면 특성이 열화되는 문제점이 있었다.

또한, 상기 문헌에 개시된 기술은 팁을 가지는 금속막과 다른 금속막 각각을 서로 다른 공정을 이용해 형성하기 때문에, 팁을 가지는 금속막과 다른 금속막 사이 계면 상에 결함 등이 발생할 수 있다. 이러한 계면 결함으로 인해 검사 공정 시 팁을 가지는 금속막과 다른 금속막 사이가 분리되는 등의 문제점이 발생할 수 있다.

또한, 상기 문헌에 개시된 기술은 팁을 가지는 금속막 및 다른 금속막을 형성한 후, 팁을 가지는 금속막 및 다른 금속막을 형성할 때 이용한 2개의 포토레지스트 패턴을 제거하기 때문에, 에슁(ashing) 공정만을 이용하여 2개의 포토레지스트 패턴을 제거할 수 있다. 즉, 에슁 공정에 비해 제조 시간이 적게 드는 리프트 오프(lift off) 공정을 사용하여 포토레지스트 패턴을 제거할 수 없는 문제점이 있었다.

본 발명의 일 실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 프로브의 팁 부분에 별도의 가공 공정을 수행하지 않아도 평탄도를 향상시킬 수 있는 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 포토리소그래피 공정으로 인하여 발생할 수 있는 계면 결함으로 인한 프로브 팁부의 특성 저하를 최소화할 수 있는 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 순차적인 포토리소그래피 공정에 의해 발생하는 금속층간의 계면 결함을 억제할 수 있는 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 다양한 공정을 이용하여 포토레지스트 패턴을 제거함으로써, 제조 시간을 절감할 수 있는 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면은 팁부를 가지는 제 1 본체부 및 상기 팁부를 제외한 상기 제 1 본체부 상에 위치하는 제 2 본체부를 포함하는 프로브 카드용 프로브의 제조 방법에 있어서, a) 희생 기판을 마련하는 단계, b) 상기 희생 기판에 상기 프로브의 상기 제 2 본체부에 대응하는 제 1 함몰부를 형성하는 단계, c) 상기 희생 기판 상에 도전층을 형성 하는 단계, d) 상기 도전층 상에 상기 제 1 본체부에 대응하는 제 2 함몰부를 가진 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, e) 상기 제 1 함몰부 및 상기 제 2 함몰부에 도전성 물질을 채워 상기 제 1 본체부 및 상기 제 2 본체부를 형성하는 단계, f) 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 상기 도전층으로부터 분리하는 단계, g) 상기 제 1 본체부에 의해 노출된 상기 도전층을 제거하는 단계 및 h) 상기 희생 기판을 제거하는 단계를 포함하는 프로브 제조 방법을 제공한다.

상기 b)단계는 상기 희생 기판 상에 상기 제 1 함몰부에 대응하는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제 1 함몰부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는 상기 희생 기판 상에 제 2 포토레지스트층을 형성하는 단계 및 상기 제 2 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 d)단계는 상기 도전층 상에 제 1 포토레지스트층을 형성하는 단계 및 상기 제 1 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 e)단계는 상기 도전층을 이용한 도금 공정에 의해 수행될 수 있다.

상기 e)단계는 상기 도전성 물질을 연마하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 f)단계는 리프트 오프(lift off) 공정에 의해 수행될 수 있다.

상기 h)단계는 습식 식각 공정에 의해 수행될 수 있다.

또한, 본 발명의 제 2 측면은 프로브 카드의 제조 방법에 있어서, 기판을 마 련하는 단계 및 상기 방법에 의해 제조된 프로브를 상기 기판에 장착하는 단계를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법을 제공한다.

전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 하나에 의하면, 다각적인 포토리소그래피 공정을 이용해 프로브의 팁 부분에 대한 별도의 가공 공정이 필요 없이 평탄도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 다각적인 포토리소그래피 공정 중 희생 기판에 제 1 함몰부를 형성하여 포토리소그래피 공정으로 인하여 발생할 수 있는 계면 결함으로 인한 프로브 팁부의 특성 저하를 최소화할 수 있는 효과가 있다.

또한, 제 1 본체부 및 제 2 본체부를 한번에 형성하여 제 1 본체부와 제 2 본체부간의 계면 결함의 발생을 억제할 수 있는 효과가 있다.

또한, 리프트 오프 공정을 이용하여 포토레지스트 패턴을 제거함으로써, 제조 시간을 절감할 수 있는 효과가 있다.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재와 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다 른 부재가 존재하는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함” 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브 카드에 대하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브 카드의 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 프로브의 사시도이며, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브 카드(1000)는 인쇄 회로 기판(100), 인터포저(200), 공간 변환기(300) 및 프로브(400)를 포함한다.

인쇄 회로 기판(100)은 대략 원판 형상으로 형성되며, 검사 공정을 위한 프로브 회로 패턴(미도시)을 포함한다. 인쇄 회로 기판(100)은 검사 공정을 위한 컴퓨터와 연결되어 있을 수 있다. 프로브 회로 패턴(미도시)은 인쇄 회로 기판(100)의 하면에 형성된 기판 패드(110)와 연결되어 있다. 기판 패드(110)에는 인터포저(200)가 연결되어 있다.

인터포저(200)는 인쇄 회로 기판(100)과 공간 변환기(300) 사이에 위치하고 있으며, 인쇄 회로 기판(100)의 프로브 회로 패턴(미도시)과 연결되어 인쇄 회로 기판(100)과 공간 변환기(300) 사이를 전기적으로 연결하는 기능을 수행한다.

공간 변환기(300)는 인터포저(200)를 사이에 두고 인쇄 회로 기판(100)과 대 향하고 있으며, 상면에 형성되어 인터포저(200)와 직접 연결되어 있는 제 1 패드(310) 및 하면에 형성되어 프로브(400)와 직접 연결되어 있는 제 2 패드(320)를 포함한다. 서로 마주하는 제 1 패드(310)간의 거리는 서로 마주하는 제 2 패드(320)간의 거리보다 넓게 형성되어 있으며, 이로 인해 제 1 패드(310)로부터 제 2 패드(320)까지 공간 변환 기능이 수행된다. 즉, 공간 변환기(300)는 인쇄 회로 기판(100)으로부터 프로브(400)까지 공간 변환 기능을 수행한다. 공간 변환기(300)의 제 2 패드(320)에는 프로브(400)가 본딩되어 있다.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 프로브(400)는 제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)를 포함한다.

제 1 본체부(410)는 팁부(411)를 가지고 있으며, 이 팁부(411)는 제 2 본체부(420)의 단부보다 외부로 돌출되어 있다. 팁부(411)는 검사 공정 시 웨이퍼 등의 피검사체에 형성되어 있는 접촉 패드와 접촉한다.

제 2 본체부(420)는 팁부(411)를 제외한 제 1 본체부(410) 상에 위치하고 있다. 제 2 본체부(420)는 팁부(411)를 제외한 제 1 본체부(410)와 실질적으로 동일한 형태를 이루고 있다.

이하, 도 3 내지 도 15를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 대하여 설명한다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법의 순서를 나타낸 순서도이며, 도 5 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.

우선, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 희생 기판(2100)을 마련한다(S110).

구체적으로, 실리콘(Si) 웨이퍼 등의 판 형상의 절연성 물질인 희생 기판(2100)을 마련한다.

다음, 도 5 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 희생 기판(2100)에 제 1 함몰부(2150)를 형성한다(S120).

구체적으로, 우선, 도 5에 도시된 바와 같이, 희생 기판(2100) 상에 절연층(2200)을 형성한다. 희생 기판(2100)이 실리콘 웨이퍼인 경우, 희생 기판(2100)의 상면을 물(H₂O) 환경에서 습식 열산화 방법을 이용해 산화시켜, 희생 기판(2100)의 상에 산화 실리콘(SiO₂)으로 형성된 절연층(2200)을 형성할 수 있다.

다음, 절연층(2200) 상에 포토레지스트(photoresist) 물질로 이루어진 제 2 포토레지스트층(2300)을 형성하고, 제 2 포토레지스트층(2300) 상에 후에 형성될 제 1 함몰부(2150)에 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬한 후, 상기 마스크를 통해 제 2 포토레지스트층(2300)에 자외선 등을 조사하여 제 2 포토레지스트층(2300)을 노광한다. 노광 후 도 6에 도시된 바와 같이, 현상액을 이용하여 노광된 제 2 포토레지스트층(2300)을 현상하여 제 1 함몰부(2150)에 대응하는 노출 영역(2351)을 가지는 제 2 포토레지스트 패턴(2350)을 형성한다.

다음, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 노출 영역(2351)에 의해 노출된 절연층(2200)을 건식 식각 또는 습식 식각 공정을 이용해 제거한 후, 식각된 절연층(2200)과 제 2 포토레지스트 패턴(2350)을 마스크로 이용해 희생 기판(2100)을 식각하여 제 1 함몰부(2150)를 형성한다.

다음, 도 8에 도시된 바와 같이, 에슁(ashing) 공정 또는 리프트 오프(lift off) 공정을 이용하여 제 2 포토레지스트 패턴(2350)을 절연층(2200)으로부터 제거한 후, 절연층(2200)을 습식 식각 공정을 이용하여 제 1 함몰부(2150)가 형성된 희생 기판(2100)으로부터 분리한다.

이상과 같은 공정에 의해, 희생 기판(2100)에 제 1 함몰부(2150)가 형성된다.

다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 희생 기판(2100) 상에 도전층(2500)을 형성한다(S130).

구체적으로, 제 1 함몰부(2150)가 형성된 희생 기판(2100) 상에 스퍼터링(sputtering) 공정 등을 이용하여 티타늄(Ti) 등을 포함하는 접착층(2400)과 구리(Cu) 등을 포함하는 도전층(2500)을 순차적으로 형성한다. 접착층(2400)은 도전층(2500)과 희생 기판(2100) 사이의 접착을 도와주는 역할을 한다.

다음, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 도전층(2500) 상에 제 1 포토레지스트 패턴(2650)을 형성한다(S140).

구체적으로, 도전층(2500) 상에 포토레지스트 물질로 이루어진 제 1 포토레지스트층(2600)을 형성한다. 다음, 제 1 포토레지스트층(2600) 상에 후에 형성될 제 2 함몰부(2651)에 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬하고, 상기 마스크를 통해 제 1 포토레지스트층(2600)에 자외선 등을 조사하여 제 1 포토레지스트층(2600)을 노광한다. 다음, 현상액을 이용하여 노광된 제 1 포토레지스트층(2600) 을 현상하여 제 2 함몰부(2651)를 가지는 제 1 포토레지스트 패턴(2650)을 형성한다.

다음, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)를 형성한다(S150).

구체적으로, 도전층(2500)을 이용한 전해 도금 공정 등의 도금 공정을 이용하여 제 1 함몰부(2150) 및 제 2 함몰부(2651)에 니켈(Ni) 등을 포함하는 도전성 물질(C)을 채워 제 1 함몰부(2150)에는 제 2 본체부(420)를 형성하고, 제 2 함몰부(2651)에는 제 1 본체부(410)를 형성한다. 이 때, 도금 공정으로 인해 제 1 본체부(410) 상으로 도전성 물질이 돌출될 경우, 제 1 본체부(410) 상으로 돌출된 도전성 물질을 화학적 또는 물리적 연마 공정을 이용해 연마하여 제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)를 형성한다.

이상과 같은 공정에 의해 제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)가 형성된다.

제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)가 형성될 때, 제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)의 표면은 도전층(2500)에 의해 둘러싸이게 된다. 특히, 검사 공정 시 피검사체에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 제 1 본체부(410)의 팁부(411)에 해당하는 제 1 본체부(410)의 일부 표면이 도전층(2500)에 의해 둘러싸이게 된다. 도전층(2500) 및 제 1 본체부(410)는 금속 계열이기 때문에, 각각을 구성하는 분자간의 결정 구조의 차이가 포토레지스트 물질과 제 1 본체부(410) 각각을 구성하는 분자간의 결정 구조의 차이보다 더 적다. 이상과 같이, 도전층(2500)과 제 1 본체 부(410)가 서로 접촉하는 계면의 결정 구조의 차이가 작기 때문에, 도전층(2500)에 의해 제 1 본체부(410)의 계면 상에 결함 발생이 억제된다.

또한, 제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)가 한번의 공정으로 인해 형성되기 때문에, 제 1 본체부(410)와 제 2 본체부(420) 사이에 발생할 수 있는 계면 결함이 발생하지 않는다.

다음, 도 13에 도시된 바와 같이, 제 1 포토레지스트 패턴(2650)을 도전층(2500)으로부터 분리한다(S160).

구체적으로, 리프트 오프 공정을 이용해 도전층(2500)으로부터 제 1 포토레지스트 패턴(2650)을 분리한다. 리프트 오프 공정을 이용해 도전층(2500)으로부터 제 1 포토레지스트 패턴(2650)을 분리하기 때문에, 에슁 공정을 이용해 도전층(2500)으로부터 제 1 포토레지스트 패턴(2650)을 분리하는 경우보다 제조 시간이 절감된다.

다음, 도 14에 도시된 바와 같이, 노출된 도전층(2500)을 제거한다(S170).

구체적으로, 제 1 본체부(410)를 마스크로 이용하여 습식 식각 공정을 이용해 제 1 포토레지스트 패턴(2650)의 분리로 인해 노출된 도전층(2500) 및 접착층(2400)을 순차적으로 제거하여 희생 기판(2100)의 상면을 노출시킨다.

다음, 도 15 또는 도 3에 도시된 바와 같이, 희생 기판(2100)을 제거하여 프로브(400)를 제조한다(S180).

구체적으로, 습식 식각 공정을 이용하여 희생 기판(2100)을 접착층(2400)으로부터 분리하여 도 15에 도시된 바와 같은 프로브(400)를 제조하거나, 또는 이상 과 같은 공정 후, 접착층(2400) 및 도전층을 습식 식각 공정을 이용해 제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)로부터 제거하여, 도 3에 도시된 바와 같은 프로브(400)를 제조한다. 희생 기판(2100)을 식각할 때, 도전층(2500) 및 접착층(2400)의 제거로 인해 노출된 희생 기판(2100)의 상면 및 하면이 동시에 식각액에 의해 식각되기 때문에 희생 기판(2100)의 상면에 도전층(2500) 및 접착층(2400)이 위치할 때보다 제조 시간이 절감된다.

다음 프로브(400)를 기판에 장착한다(S190).

구체적으로, 프로브(400)를 별도의 본딩 공정을 이용해, 공간 변환기(300)에 장착한다.

다른 실시예에서, 프로브(400)는 공간 변환기(300) 없이 프로브 카드에 사용되는 인쇄 회로 기판(100)에 장착되거나, 또는 프로브(400)가 장착되는 별도의 장착 기판에 장착될 수 있다.

이상과 같은 방법에 의하여 프로브(400) 및 프로브 카드(1000)가 제조된다.

이와 같이, 다각적인 포토리소그래피(photolithography) 공정을 이용해 웨이퍼 등의 피검사체에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 팁부(411)를 포함하는 프로브(400)가 형성되기 때문에, 팁부(411)를 예리하게 형성하기 위해 팁부(411)를 형성하기 위한 기계적 가공 공정을 수행할 필요가 없다. 이에 의해, 기계적 가공 공정 시 발생하는 뷸균등한 힘의 배분으로 인해, 발생할 수 있는 평탄도에 대한 악영향이 발생하지 않는다. 즉, 프로브 카드(1000)의 평탄도가 향상된다.

또한, 팁부(411)가 예리하게 형성되어 접촉 패드 상에 접촉하고자 하는 정확 한 위치에 접촉할 수 있기 때문에, 검사 공정 시 프로브(400)에 의해 접촉 패드에 형성되는 자국인 스크럽(scrub)이 작게 형성된다. 이에 의해, 검사 공정으로 인한 피검사체의 불량이 억제된다.

또한, 제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)가 형성될 때, 제 1 본체부(410)의 팁부(411)가 되는 부분의 일부가 도전층(2500)에 의해 둘러싸이게 되므로, 제 1 본체부(410)의 팁부(411)의 일부가 도전층(2500)과 접촉하여 형성되게 된다. 도전층(2500) 및 제 1 본체부(410) 각각을 구성하는 분자의 결정 구조 차이가 작기 때문에, 제 1 본체부(410)의 계면 상에 결함 발생이 억제된다. 즉, 제 1 본체부(410)의 팁부(411)의 표면 거칠기는 감소하고, 제 1 본체부(410)의 팁부(411)의 표면 특성 열화가 저하된다.

또한, 제 1 본체부(410) 및 제 2 본체부(420)가 한번의 공정으로 인해 형성되기 때문에, 제 1 본체부(410)와 제 2 본체부(420) 사이에 발생할 수 있는 계면 결함이 발생하지 않는다. 이에 의해, 검사 공정 시, 프로브(400)에 인가되는 압력으로 인해 제 1 본체부(410)와 제 2 본체부(420) 사이가 떨어지는 불량이 억제된다.

또한, 리프트 오프 공정을 이용해 도전층(2500)으로부터 제 1 포토레지스트 패턴(2650)을 분리하기 때문에 에슁 공정을 이용해 도전층(2500)으로부터 제 1 포토레지스트 패턴(2650)을 분리하는 경우보다 제조 시간이 절감되며, 희생 기판(2100)을 식각할 때 도전층(2500) 및 접착층(2400)의 제거로 인해 노출된 희생 기판(2100)의 상면 및 하면이 동시에 식각액에 의해 식각되기 때문에 희생 기 판(2100)의 상면에 도전층(2500) 및 접착층(2400)이 위치할 때보다 제조 시간이 절감된다. 즉, 전체적으로 제조 시간이 절감되기 때문에 프로브 카드(1000)의 제조 비용이 절감된다.

이에 의하여 접촉 신뢰도가 향상되고, 계면 결함에 의한 불량이 억제되며, 제조 비용이 절감된 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법이 제공된다.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브 카드의 단면도이고,

도 2는 도 1에 도시된 프로브의 사시도이고,

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이고,

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법의 순서를 나타낸 순서도이며,

도 5 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 및 프로브의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.

Claims (9)

1. 팁부를 가지는 제 1 본체부 및 상기 팁부를 제외한 상기 제 1 본체부 상에 위치하는 제 2 본체부를 포함하는 프로브 카드용 프로브의 제조 방법에 있어서,

   a) 희생 기판을 마련하는 단계,

   b) 상기 희생 기판에 상기 프로브의 상기 제 2 본체부에 대응하는 제 1 함몰부를 형성하는 단계,

   c) 상기 희생 기판 상에 도전층을 형성하는 단계,

   d) 상기 도전층 상에 상기 제 1 본체부에 대응하는 제 2 함몰부를 가진 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,

   e) 상기 제 1 함몰부 및 상기 제 2 함몰부에 도전성 물질을 채워 상기 제 1 본체부 및 상기 제 2 본체부를 형성하는 단계,

   f) 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 상기 도전층으로부터 분리하는 단계,

   g) 상기 제 1 본체부에 의해 노출된 상기 도전층을 제거하는 단계 및

   h) 상기 희생 기판을 제거하는 단계

   를 포함하는 프로브 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 b)단계는,

   상기 희생 기판 상에 상기 제 1 함몰부에 대응하는 제 2 포토레지스트 패턴 을 형성하는 단계 및

   상기 제 2 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제 1 함몰부를 형성하는 단계

   를 포함하는 프로브 제조 방법.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,

   상기 희생 기판 상에 제 2 포토레지스트층을 형성하는 단계 및

   상기 제 2 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계

   를 포함하는 프로브 제조 방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 d)단계는,

   상기 도전층 상에 제 1 포토레지스트층을 형성하는 단계 및

   상기 제 1 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계

   를 포함하는 프로브 제조 방법.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 e)단계는,

   상기 도전층을 이용한 도금 공정에 의해 수행되는 것인 프로브 제조 방법.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 e)단계는,

   상기 도전성 물질을 연마하는 단계를 포함하는 프로브 제조 방법.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 f)단계는,

   리프트 오프(lift off) 공정에 의해 수행되는 것인 프로브 제조 방법.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 h)단계는,

   습식 식각 공정에 의해 수행되는 것인 프로브 제조 방법.
9. 프로브 카드의 제조 방법에 있어서,

   기판을 마련하는 단계 및

   제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 프로브를 상기 기판에 장착하는 단계

   를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법.

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