KR101051136B1 - 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간변환기의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

프로브를 포함하는 프로브 카드에 사용되는 공간 변환기는 기판 본체부 및 상기 프로브가 장착되는 상호 접속 요소를 포함하는 패턴 기판, 상기 상호 접속 요소와 직접 연결되는 제 1 도전 패턴, 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층 및 상기 제 1 도전 패턴과 연결되는 제 1 연결부를 포함하는 제 1 층 및 제 2 도전 패턴, 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층 및 제 2 도전 패턴과 연결되는 제 2 연결부를 포함하는 제 2 층을 포함한다.

공간 변환기, 상호 접속 요소

Description

공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법{SPACE TRANSFORMER, PROBE CARD HAVING SPACE TRANSFORMER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SPACE TRANSFORMER}

본 발명은 공간 변환기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반도체 웨이퍼 등의 피검사체를 검사할 수 있는 프로브 카드에 사용되는 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼(wafer) 상에 회로 패턴 및 검사를 위한 접촉 패드를 형성하는 패브리케이션(fabrication) 공정과 회로 패턴 및 접촉 패드가 형성된 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해서 제조된다.

패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드에 전기 신호를 인가하여 웨이퍼의 전기적 특성을 검사하는 검사 공정이 수행된다. 이 검사 공정은 웨이퍼의 불량을 검사하여 어셈블리 공정 시 불량이 발생한 웨이퍼의 일 부분을 제거하기 위해 수행하는 공정이다.

검사 공정 시에는 웨이퍼에 전기적 신호를 인가하는 테스터라고 하는 검사 장비와 웨이퍼와 테스터 사이의 인터페이스 기능을 수행하는 프로브 카드라는 검사 장비가 주로 이용된다. 이 중에서 프로브 카드는 테스터로부터 인가되는 전기 신호를 수신하는 인쇄 회로 기판 및 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 복수개의 프로브를 포함한다.

최근에, 고집적 반도체 칩의 수요가 증가함에 따라서, 패브리케이션 공정에 의해 웨이퍼에 형성되는 회로 패턴이 고집적하게 되며, 이에 의해, 이웃하는 접촉 패드간의 간격, 즉 피치(pitch)가 매우 좁게 형성되고 있다.

이러한 미세 피치의 접촉 패드를 검사하기 위해, 프로브 카드의 프로브와 인쇄 회로 기판 사이에 피치 변환의 기능을 수행하는 공간 변환기(space transformer)가 사용되고 있다.

이하, 도 1을 참조하여 종래의 프로브 카드를 설명한다.

도 1은 공간 변환기를 구비한 종래의 프로브 카드의 단면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 프로브 카드(10)는 인쇄 회로 기판(11), 인터포져(12), 공간 변환기(13) 및 프로브(14)를 포함한다.

인쇄 회로 기판(11)은 검사 공정을 위해 형성된 회로 패턴(미도시) 및 기판 패드(11a)를 포함하며, 테스터(도시하지 않음)로부터 인가된 전기 신호를 수신하여 프로브(14)로 전달하는 기능을 수행한다.

인터포저(12)는 인쇄 회로 기판(11)의 기판 패드(11a)에 접속되어 인쇄 회로 기판(11)과 공간 변환기(13) 사이를 전기적으로 연결하는 기능을 수행한다.

공간 변환기(13)는 하면에 형성되어 있으며 서로 마주하는 제 1 단자(13a)간 거리(피치)가 상면에 형성되어 있으며 서로 마주하는 제 2 단자(13b)간 거리(피치)보다 좁게 형성되어, 피치 변환의 기능을 수행한다.

또한, 공간 변환기(13)는 도전 패턴이 형성된 세라믹 기판 복수개를 소결(sintering) 공정을 이용해 상호 접합하여 복수층의 세라믹 기판을 포함하는 다층 세라믹 기판(MLC, multi layer ceramic substrate)으로 이루어져 있으며, 각 층에 형성된 도전 패턴에 의해 인쇄 회로 기판(11)으로부터 받은 전기 신호를 프로브(14)로 전달한다.

프로브(14)는 공간 변환기(13)의 제 2 단자(13b)에 직접 접속되어 있다.

이와 같이, 종래의 공간 변환기(13)는 도전 패턴을 가진 복수층의 세라믹 기판으로 이루어지기 때문에, 제조 비용이 상승하며 이로 인해 프로브 카드(10)의 제조 비용이 상승하는 요인으로 작용하는 문제점이 있었다.

또한, 종래의 공간 변환기(13)는 도전 패턴을 가지는 세라믹 기판을 복수개 형성한 후, 각 세라믹 기판을 소결 공정을 이용해 접합하여 제조하기 때문에, 제조 시간이 오래 걸리는 동시에 제조 수율이 낮은 문제점이 있었다.

또한, 종래의 공간 변환기(13)는 각 세라믹 기판을 접합하는 소결 공정에서 소결 공정 시의 고온 환경에 의해 각 세라믹 기판이 뒤틀리는 등의 변형을 일으키거나 각 세라믹 기판에 형성된 도전 패턴이 뒤틀리는 등의 변형을 일으키는 불량에 의해 공간 변환기(13)의 자체 평탄도에 불량이 발생하여 공간 변환기(13)에 접속 되어 있는 프로브(14)의 평탄도에 불량이 발생하는 문제점이 있었다.

또한, 종래의 공간 변환기(13)는 소결 공정에 의해 각 세라믹 기판을 접합하 기 때문에, 대면적의 반도체 웨이퍼 등의 대면적 피검사체를 검사하기 위해 공간 변환기(13)의 크기가 커져 각 층에 위치하는 세라믹 기판이 대면적으로 커질 경우, 소결 공정으로는 이웃하는 대면적의 세라믹 기판의 중심 영역을 접합하기 어렵기 때문에 대면적의 세라믹 기판을 상호 접합하기 어려운 문제점이 있었다.

본 발명의 일 실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 제조 비용을 절감할 수 있는 있는 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 제조 시간을 절감하는 동시에 제조 수율을 향상시킬 수 있는 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 자체 평탄도를 향상시킬 수 있는 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 대면적의 피검사체를 검사하기 위해 대면적으로 형성할 수 있는 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면은 프로브를 포함하는 프로브 카드에 사용되는 공간 변환기에 있어서, 관통홀이 형성되어 있는 기판 본체부 및 상기 관통홀에 일부가 위치하여 상기 기판 본체부로부터 돌출되어 상기 프로브가 장착되는 상호 접속 요소를 포함하는 패턴 기판, 상기 패턴 기판 상에 위치하며 상기 상호 접속 요소와 직접 연결되는 제 1 도전 패턴, 상기 패턴 기판 상에 위치하며 상기 제 1 도전 패턴의 일부 이상을 노출시키는 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층 및 상기 제 1 개구부에 위치하여 상기 제 1 도전 패턴과 연결되는 제 1 연결부를 포함하는 제 1 층 및 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 1 연결부와 직접 연결되어 면 방향으로 연장되어 있는 제 2 도전 패턴, 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 2 도전 패턴의 일부 이상을 노출시키는 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층 및 상기 제 2 개구부에 위치하여 상기 제 2 도전 패턴과 연결되는 제 2 연결부를 포함하는 제 2 층을 포함하는 공간 변환기를 제공한다.

상기 제 2 층이 반복 형성되어 다층 도전 패턴을 포함할 수 있다.

상기 상호 접속 요소 및 상기 제 2 연결부는 각각 상기 패턴 기판 및 상기 제 2 층에 복수개 형성되어 있으며, 이웃하는 상기 상호 접속 요소의 간격과 이웃하는 상기 제 2 연결부의 간격은 서로 상이할 수 있다.

상기 패턴 기판과 상기 제 1 층 사이에 위치하는 절연층을 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 제 2 측면은 프로브를 포함하는 프로브 카드에 사용되는 공간 변환기의 제조 방법에 있어서, (a) 기판을 마련하는 단계, (b) 상기 기판 상에, 제 1 도전 패턴, 상기 기판 상에 위치하며 상기 제 1 도전 패턴의 일부 이상을 노출시키는 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층 및 상기 제 1 개구부에 위치하여 상기 제 1 도전 패턴과 연결되는 제 1 연결부를 포함하는 제 1 층을 형성하는 단계, (c) 상기 제 1 층 상에, 상기 제 1 연결부와 직접 연결되어 면 방향으로 연장되어 있는 제 2 도전 패턴, 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 2 도전 패턴의 일부 이상을 노출시키는 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층 및 상기 제 2 개구부에 위치하여 상기 제 2 도전 패턴과 연결되는 제 2 연결부를 포함하는 제 2 층을 형성하는 단계 및 (d) 상기 기판으로부터, 상기 제 1 도전 패턴과 대응하는 관통홀이 형성되어 있는 기판 본체부 및 상기 관통홀에 일부가 위치하여 상기 제 1 도전 패턴과 직접 연결되어 있으며 상기 기판 본체부로부터 돌출되어 상기 프로브가 장착되는 상호 접속 요소를 포함하는 패턴 기판을 형성하는 단계를 포함하는 공간 변환기의 제조 방법을 제공한다.

다층 도전 패턴을 형성하도록 상기 (c)단계를 반복 수행할 수 있다.

상기 (c)단계 및 상기 (d)단계 각각에서, 상기 제 2 연결부 및 상기 상호 접속 요소는 각각 상기 제 2 층 및 상기 패턴 기판에 복수개 형성되어 있으며, 이웃하는 상기 제 2 연결부의 간격과 이웃하는 상기 상호 접속 요소의 간격은 서로 상이할 수 있다.

상기 기판과 상기 제 1 층 사이에 위치하도록 상기 기판 상에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 (b)단계는 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계, 상기 제 1 도전층 상에 상기 제 1 도전 패턴과 대응하는 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 1 도전층을 식각하여 상기 제 1 도전 패턴을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 제 1 수지막을 형성하는 단계, 상기 제 1 수지막 상에 상기 제 1 개구부와 대응하는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 1 수지막을 식각하여 상기 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층을 형성하는 단계, 상기 제 1 개구부에 제 1 도전성 물질을 채우는 단계 및 상기 제 1 수지층 상에 위치하는 부분을 제거하여 상기 제 1 연결부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 (c)단계는 상기 제 1 층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계, 상기 제 2 도전층 상에 상기 제 2 도전 패턴과 대응하는 제 3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 3 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 2 도전층을 식각하여 상기 제 2 도전 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 층 상에 제 2 수지막을 형성하는 단계, 상기 제 2 수지막 상에 상기 제 2 개구부와 대응하는 제 4 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 4 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 2 수지막을 식각하여 상기 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층을 형성하는 단계, 상기 제 2 개구부에 제 2 도전성 물질을 채우는 단계 및 상기 제 2 수지층 상에 위치하는 부분을 제거하여 상기 제 2 연결부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 (d)단계는 상기 제 1 층과 대향하는 상기 기판 상에 상기 관통홀과 대응하는 제 5 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 5 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 기판을 식각하여 상기 제 1 도전 패턴을 노출시키는 상기 관통홀을 형성하는 단계, 상기 관통홀에 제 3 도전성 물질을 채우는 단계, 상기 제 1 층과 대향하는 상기 기판 상에 위치하는 부분을 제거하여 상기 상호 접속 요소를 형성하는 단계 및 상기 기판의 두께가 얇아지도록 상기 기판을 식각하여 상기 기판 본체부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 기판 상에 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층이 형성된 기판이 상측에 위치하도록 상기 기판을 뒤집는 단계를 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 제 3 측면은 프로브를 포함하는 프로브 카드에 있어서, 관통홀이 형성되어 있는 기판 본체부 및 상기 관통홀에 일부가 위치하여 상기 기판 본체부로부터 돌출되어 상기 프로브가 장착되어 있는 상호 접속 요소를 포함하는 패턴 기판, 상기 패턴 기판 상에 위치하며 상기 상호 접속 요소와 직접 연결되는 제 1 도전 패턴, 상기 패턴 기판 상에 위치하며 상기 제 1 도전 패턴의 일부 이상을 노출시키는 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층 및 상기 제 1 개구부에 위치하여 상기 제 1 도전 패턴과 연결되는 제 1 연결부를 포함하는 제 1 층 및 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 1 연결부와 직접 연결되어 면 방향으로 연장되어 있는 제 2 도전 패턴, 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 2 도전 패턴의 일부 이상을 노출시키는 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층 및 상기 제 2 개구부에 위치하여 상기 제 2 도전 패턴과 연결되는 제 2 연결부를 포함하는 제 2 층을 포함하는 공간 변환기 및 상기 공간 변환기를 사이에 두고 상기 프로브와 대향하고 있으며, 상기 제 2 연결부와 연결되어 있는 단자를 포함하는 인쇄 회로 기판을 포함하는 프로브 카드를 제공한다.

상기 공간 변환기는 상기 제 2 층이 반복 형성되어 다층 도전 패턴을 포함할 수 있다.

상기 상호 접속 요소 및 상기 제 2 연결부는 각각 상기 패턴 기판 및 상기 제 2 층에 복수개 형성되어 있으며, 이웃하는 상기 상호 접속 요소의 간격과 이웃 하는 상기 제 2 연결부의 간격은 서로 상이할 수 있다.

전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 하나에 의하면, 각 층이 수지층을 포함하여 형성되기 때문에, 제조 비용이 절감되는 기술적 효과가 있다.

또한, 각 층이 별도의 접합 공정이 수행되지 않고 접합되기 때문에, 제조 시간이 절감되는 동시에 제조 수율이 향상되는 기술적 효과가 있다.

또한, 각 층이 별도의 접합 공정을 수행하지 않기 때문에, 자체 평탄도가 향상되는 기술적 효과가 있다.

또한, 각 층이 별도의 접합 공정을 수행하지 않기 때문에, 대면적의 피검사체를 검사하기 위해 대면적으로 형성할 수 있는 기술적 효과가 있다.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재와 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함” 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기 및 이를 포함하는 프로브 카드에 대하여 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기 및 이를 포함하는 프로브 카드의 단면도이다.

도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드(1000)는 인쇄 회로 기판(100), 인터포져(200), 공간 변환기(300) 및 프로브(400)를 포함한다.

인쇄 회로 기판(100)은 대략 원판 형상으로 형성되며, 검사 공정을 위한 프로브 회로 패턴(미도시) 및 프로브 회로 패턴(미도시)과 연결되어 있는 단자(110)를 포함한다. 인쇄 회로 기판(100)은 검사 공정을 위한 컴퓨터와 연결되어 있을 수 있다. 프로브 회로 패턴(미도시)은 인쇄 회로 기판(100)의 하면에 형성된 단자(110)와 연결되어 있다. 단자(110)에는 인터포져(200)가 접속되어 있다.

인터포져(200)는 인쇄 회로 기판(100)과 공간 변환기(300) 사이의 연결을 수행하는 역할을 하며, 인쇄 회로 기판(100)의 단자(110)와 후술할 공간 변환기(300)의 제 2 연결부(343) 사이를 연결한다. 인터포져(200)를 사이에 두고 인쇄 회로 기판(100)과 대향하여 공간 변환기(300)가 위치하고 있다.

공간 변환기(300)는 패턴 기판(310), 절연층(320), 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)을 포함한다.

패턴 기판(310)은 프로브(400)와 대향하고 있으며, 기판 본체부(311) 및 상호 접속 요소(312)를 포함한다.

기판 본체부(311)는 양면 연마된 실리콘 웨이퍼(Doble Side Polishing Si wafer)로부터 형성될 수 있으며, 프로브(400)에 대응하여 기판 본체부(311)를 관통 형성되어 있는 관통홀(311a)을 포함한다. 관통홀(311a)에는 상호 접속 요소(312)의 일부가 위치하고 있으며, 프로브(400)와 대향하는 기판 본체부(311)의 일면은 상호 접속 요소(312)의 외부로 노출되어 있는 단부와 단차를 이루고 있다.

상호 접속 요소(312)는 관통홀(311a)에 일부가 위치하여 기판 본체부(311)로부터 프로브(400) 방향으로 돌출되어 있다. 돌출되어 있는 상호 접속 요소(312)의 일 단부에는 프로브(400)가 장착되며, 상호 접속 요소(312)의 타 단부는 제 1 층(330)의 제 1 도전 패턴(331)과 연결된다. 패턴 기판(310) 상에는 절연층(320)이 위치하고 있다.

절연층(320)은 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등으로 형성되며, 제 1 층(330)과 패턴 기판(310) 사이의 단락을 방지하는 층으로서의 역할을 한다. 절연층(320)을 사이에 두고 패턴 기판(310) 상에는 제 1 층(330)이 위치하고 있다.

제 1 층(330)은 패턴 기판(310)과 제 2 층(340) 사이에 위치하여 패턴 기판(310) 및 제 2 층(340)과 접착되어 있으며, 제 1 도전 패턴(331), 제 1 수지층(332) 및 제 1 연결부(333)를 포함한다.

제 1 도전 패턴(331)은 티타늄(Ti) 및 구리(Cu) 등의 도전성 물질로 이루어져 있으며, 면 방향으로 연장되어 있다. 제 1 도전 패턴(331)은 상호 접속 요소(312) 및 제 1 연결부(333)와 직접 연결되어 상호 접속 요소(312)와 제 1 연결부(333) 사이를 전기적으로 연결하는 동시에 제 1 연결부(333)로부터 상호 접속 요 소(312)까지 피치(pitch) 변환의 기능을 수행한다.

여기서, 피치란 이웃하는 상호 접속 요소(312)간의 간격 및 이웃하는 제 1 연결부(333)간의 간격을 말한다.

제 1 수지층(332)은 제 1 도전 패턴(331)을 사이에 두고 패턴 기판(310) 상에 위치하고 있으며, 제 1 도전 패턴(331)의 일부를 노출시키는 제 1 개구부(332a)를 포함한다. 제 1 개구부(332a) 내에는 제 1 연결부(333)가 위치하고 있다.

제 1 연결부(333)는 제 1 개구부(332a) 내에 위치하여 제 1 도전 패턴(331) 및 제 2 층(340)의 제 2 도전 패턴(341)과 직접 연결되어 있다. 제 1 연결부(333)는 프로브(400)가 장착되어 있는 상호 접속 요소(312)와 전기적으로 연결되어 있다.

제 2 층(340)은 제 1 층(330) 상에 위치하여 제 1 층(330)에 접착되어 있으며, 제 2 도전 패턴(341), 제 2 수지층(342) 및 제 2 연결부(343)를 포함한다.

제 2 도전 패턴(341)은 티타늄 및 구리 등의 도전성 물질로 이루어져 있으며, 면 방향으로 연장되어 있다. 제 2 도전 패턴(341)은 제 1 연결부(333) 및 제 2 연결부(343)와 직접 연결되어 제 1 연결부(333)와 제 2 연결부(343) 사이를 전기적으로 연결하는 동시에 제 2 연결부(343)로부터 제 1 연결부(333)까지 피치 변환의 기능을 수행한다.

여기서, 피치란 이웃하는 제 2 연결부(343)간의 간격 및 이웃하는 제 2 연결부(343)간의 간격을 말한다.

제 2 수지층(342)은 제 2 도전 패턴(341)을 사이에 두고 제 1 층(330) 상에 위치하고 있으며, 제 2 도전 패턴(341)의 일부를 노출시키는 제 2 개구부(342a)를 포함한다. 제 2 개구부(342a) 내에는 제 2 연결부(343)가 위치하고 있다.

제 2 연결부(343)는 제 2 개구부(342a) 내에 위치하여 제 2 도전 패턴(341) 및 인터포져(200)와 직접 연결되어 있다. 제 2 연결부(343)는 프로브(400)가 장착되어 있는 상호 접속 요소(312) 및 인터포져(200)와 전기적으로 연결되어 있다.

이상과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기(300)는 인쇄 회로 기판(100)의 프로브 회로 패턴(미도시)과 연결되어 제 2 연결부(343)로부터 상호 접속 요소(312)까지의 피치 변환을 수행한다. 다시 말해, 이웃하는 상호 접속 요소(312)의 간격, 이웃하는 제 1 연결부(333)의 간격 및 이웃하는 제 2 연결부(343)의 간격은 서로 상이하다.

다른 실시예에서, 공간 변환기(300)는 제 2 층(340)이 복수개 형성되어 제 N 층을 포함할 수 있으며, 제 1 층(330) 내지 제 N 층의 조합에 의해 다층 도전 패턴을 포함하여 피치 변환의 기능을 수행할 수 있다.

프로브(400)는 상호 접속 요소(312)에 장착되어 공간 변환기(300)를 통해 인쇄 회로 기판(100)의 프로브 회로 패턴(미도시)과 연결되어 있으며, 검사 공정 시 반도체 웨이퍼 등의 피검사체에 형성된 접촉 패드와 접촉하여 인쇄 회로 기판(100)으로부터 공간 변환기(300)를 거친 전기 신호를 피검사체의 접촉 패드에 전달하거나, 피검사체를 거친 상기 전기 신호를 전달받는 역할을 한다.

다른 실시예에서, 인터포져(200) 없이 공간 변환기(300)의 상호 접속 요소(312)가 인쇄 회로 기판(100)의 단자(110)와 직접 연결되어 상호 접속 요소(312) 에 의해 공간 변환기(300)와 인쇄 회로 기판(100)간의 연결이 수행될 수 있으며, 이 경우 상호 접속 요소(312)는 인쇄 회로 기판(100)의 단자(110)와 대응하여 위치하며, 제 2 연결부(343)는 프로브(400)와 대응하여 위치한다. 즉, 상호 접속 요소(312)는 인쇄 회로 기판(100)의 단자(110)와 접속되며 제 2 연결부(343)에 프로브(400)가 장착된다.

이하, 도 3 내지 도 15를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기의 제조 방법을 설명한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기의 제조 방법을 나타낸 순서도이며, 도 4 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.

우선, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(710)을 마련한다(S100).

구체적으로, 구체적으로, 양면 연마된 실리콘 웨이퍼와 같이 양면이 연마된 절연성 기판(710)을 마련한다.

다음, 기판(710) 상에 절연층(320)을 형성한다(S200).

구체적으로, 기판(710)을 질소 환경 또는 산소 환경에 노출시켜 기판(710) 상에 산화 실리콘 또는 질화 실리콘 등의 절연성 재료로 이루어진 절연층(320)을 형성한다.

다음, 도 4 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 층(330)을 형성한다(S300).

이하, 제 1 층(330)을 형성하는 공정을 구체적으로 설명한다.

우선, 도 4에 도시된 바와 같이, 절연층(320)을 사이에 두고 기판(710) 상에 스퍼터링(sputtering) 공정 등을 이용하여 구리 및 티타늄 중 하나 이상 등으로 이루어진 제 1 도전층(720)을 형성한다.

다음, 제 1 도전층(720) 상에 포토레지스트 물질로 이루어진 포토레지스트층을 형성하고, 포토레지스트층 상에 후에 형성될 제 1 도전 패턴(331)과 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬한 후, 상기 마스크를 통해 포토레지스트층에 자외선 등을 조사하여 포토레지스트층을 노광한다. 노광 후 현상액을 이용하여 노광된 포토레지스트층을 현상하여 제 1 도전 패턴(331)과 대응하는 제 1 포토레지스트 패턴(730)을 형성한다. 이 때, 제 1 도전 패턴(331)으로 형성될 부분이 제 1 포토레지스트 패턴(730)에 의해 가려진다.

다음, 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 포토레지스트 패턴(730)을 마스크로 이용한 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 이용해 제 1 도전층(720)을 식각하여 제 1 도전층(720)으로부터 제 1 도전 패턴(331)을 형성한다.

다음, 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 포토레지스트 패턴(730)을 에슁(ashing) 공정 또는 리프트 오프(lift off) 공정을 이용하여 제거한 후, 제 1 도전 패턴(331)을 사이에 두도록 기판(710) 상에 제 1 수지막(740)을 형성한다.

다음, 제 1 수지막(740) 상에 포토레지스트 물질로 이루어진 포토레지스트층을 형성하고, 포토레지스트층 상에 후에 형성될 제 1 개구부(332a)와 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬한 후, 상기 마스크를 통해 포토레지스트층에 자외선 등을 조사하여 포토레지스트층을 노광한다. 노광 후 현상액을 이용하여 노광된 포토레지스트층을 현상하여 제 1 개구부(332a)와 대응하는 제 2 포토레지스트 패 턴(750)을 형성한다. 이 때, 제 1 개구부(332a)로 형성될 부분이 제 2 포토레지스트 패턴(750)에 의해 노출된다.

다음, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 2 포토레지스트 패턴(750)을 마스크로 이용한 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 이용해 제 1 수지막(740)을 식각하여 제 1 수지막(740)으로부터 제 1 개구부(332a)가 형성된 제 1 수지층(332)을 형성한다.

다음, 제 1 도전 패턴(331)을 이용한 도금 공정 또는 도포 장치를 이용한 페이스팅(pasting) 공정 또는 스퍼터링 공정을 이용하여 제 1 개구부(332a)에 제 1 도전성 물질(760)을 채운다. 이때, 제 1 도전성 물질(760)이 제 1 개구부(332a) 상에도 형성될 수 있다.

다음, 도 8에 도시된 바와 같이, 기계적 연마 공정 또는 화학적 연마 공정을 이용하여 제 1 수지층(332) 상에 위치하는 부분인 제 1 도전성 물질(760)의 일부 및 제 2 포토레지스트 패턴(750)을 제 1 수지층(332)으로부터 제거하여 제 1 연결부(333)를 형성한다.

이상과 같은 공정에 의해 제 1 층(330)이 형성된다.

다음, 도 8 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 제 2 층(340)을 형성한다(S400).

이하, 제 2 층(340)을 형성하는 공정을 구체적으로 설명한다.

우선, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 층(330) 상에 스퍼터링 공정을 이용하여 구리 및 티타늄 중 하나 이상 등으로 이루어진 제 2 도전층(770)을 형성한다.

다음, 제 2 도전층(770) 상에 포토레지스트 물질로 이루어진 포토레지스트층 을 형성하고, 포토레지스트층 상에 후에 형성될 제 2 도전 패턴(341)과 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬한 후, 상기 마스크를 통해 포토레지스트층에 자외선 등을 조사하여 포토레지스트층을 노광한다. 노광 후 현상액을 이용하여 노광된 포토레지스트층을 현상하여 제 2 도전 패턴(341)과 대응하는 제 3 포토레지스트 패턴(780)을 형성한다. 이 때, 제 2 도전 패턴(341)으로 형성될 부분이 제 3 포토레지스트 패턴(780)에 의해 가려진다.

다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 제 3 포토레지스트 패턴(780)을 마스크로 이용한 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 이용해 제 2 도전층(770)을 식각하여 제 2 도전층(770)으로부터 제 2 도전 패턴(341)을 형성한다.

다음, 제 3 포토레지스트 패턴(780)을 에슁 공정 또는 리프트 오프 공정을 이용하여 제거한 후, 제 2 도전 패턴(341)을 사이에 두도록 제 1 층(330) 상에 제 2 수지막(790)을 형성한다.

다음, 제 2 수지막(790) 상에 포토레지스트 물질로 이루어진 포토레지스트층을 형성하고, 포토레지스트층 상에 후에 형성될 제 2 개구부(342a)와 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬한 후, 상기 마스크를 통해 포토레지스트층에 자외선 등을 조사하여 포토레지스트층을 노광한다. 노광 후 현상액을 이용하여 노광된 포토레지스트층을 현상하여 제 2 개구부(342a)와 대응하는 제 4 포토레지스트 패턴(810)을 형성한다. 이 때, 제 2 개구부(342a)로 형성될 부분이 제 4 포토레지스트 패턴(810)에 의해 노출된다.

다음, 도 10에 도시된 바와 같이, 제 4 포토레지스트 패턴(810)을 마스크로 이용한 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 이용해 제 2 수지막(790)을 식각하여 제 2 수지막(790)으로부터 제 2 개구부(342a)가 형성된 제 2 수지층(342)을 형성한다.

다음, 제 1 도전 패턴(331) 제 1 연결부(333) 및 제 2 도전 패턴(341)을 이용한 도금 공정 또는 도포 장치를 이용한 페이스팅 공정 또는 스퍼터링 공정을 이용하여 제 2 개구부(342a)에 제 2 도전성 물질(820)을 채운다. 이때, 제 2 도전성 물질(820)이 제 2 개구부(342a) 상에도 형성될 수 있다.

다음, 도 11에 도시된 바와 같이, 기계적 연마 공정 또는 화학적 연마 공정을 이용하여 제 2 수지층(342) 상에 위치하는 부분인 제 2 도전성 물질(820)의 일부 및 제 4 포토레지스트 패턴(810)을 제 2 수지층(342)으로부터 제거하여 제 2 연결부(343)를 형성한다.

이상과 같은 공정에 의해 제 2 층(340)이 형성된다.

다른 실시예에서, 공간 변환기(300)가 제 2 층(340)이 복수개 형성되어 제 1 층(330) 내지 제 N 층을 포함하여 제 1 층(330) 내지 제 N 층의 조합에 의해 다층 도전 패턴을 포함하도록 제 2 층(340)을 형성하는 공정을 반복 수행할 수 있다.

다음, 도 12에 도시된 바와 같이, 기판(710)을 뒤집는다(S500).

구체적으로, 기판(710)이 상측에 위치하도록 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)이 상측에 형성된 기판(710)을 뒤집는다.

다음, 도 12 내지 도 15에 도시된 바와 같이, 패턴 기판(310)을 형성한다(S600).

이하, 패턴 기판(310)을 형성하는 공정을 구체적으로 설명한다.

우선, 도 12에 도시된 바와 같이, 기판(710)을 사이에 두고 제 1 층(330)과 대향하는 기판(710)의 일면 상에 포토레지스트 물질로 이루어진 포토레지스트층을 형성하고, 포토레지스트층 상에 후에 형성될 관통홀(311a)과 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬한 후, 상기 마스크를 통해 포토레지스트층에 자외선 등을 조사하여 포토레지스트층을 노광한다. 노광 후 현상액을 이용하여 노광된 포토레지스트층을 현상하여 관통홀(311a)과 대응하는 제 5 포토레지스트 패턴(910)을 형성한다. 이 때, 관통홀(311a)로 형성될 부분이 제 5 포토레지스트 패턴(910)에 의해 노출된다.

다음, 도 13에 도시된 바와 같이, 제 5 포토레지스트 패턴(910)을 마스크로 이용한 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 이용해 기판(710) 및 절연층(320)이 관통되도록 기판(710) 및 절연층(320)을 식각하여 제 1 층(330)의 제 1 도전 패턴(331)을 노출시키는 관통홀(311a)을 형성한다.

다음, 제 1 도전 패턴(331)을 이용한 도금 공정 또는 도포 장치를 이용한 페이스팅 공정 또는 스퍼터링 공정을 이용하여 관통홀(311a)에 제 3 도전성 물질(920)을 채운다. 이때, 제 3 도전성 물질(920)이 관통홀(311a) 상에도 형성될 수 있다.

다음, 도 14에 도시된 바와 같이, 기계적 연마 공정 또는 화학적 연마 공정을 이용하여 제 1 층(330)과 대향하는 기판(710) 상에 위치하는 부분인 제 3 도전성 물질(920)의 일부 및 제 5 포토레지스트 패턴(910)을 기판(710)으로부터 제거하여 상호 접속 요소(312)를 형성한다.

다음, 도 15에 도시된 바와 같이, 식각액을 이용한 디핑(dipping) 공정 등의 습식 식각 공정을 이용하여 기판(710)의 두께가 얇아지도록 기판(710)을 식각하여 기판(710)으로부터 기판 본체부(311)를 형성한다. 기판 본체부(311)의 형성에 의해 상호 접속 요소(312)가 기판 본체부(311)로부터 돌출되게 된다.

이상과 같은 공정에 의해 패턴 기판(310)이 형성되는 동시에 패턴 기판(310), 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)을 포함하는 본 발명의 일 실싱예에 따른 공간 변환기(300)가 제조된다.

상술한 공정에 의해 제조된 공간 변환기(300)의 상호 접속 요소(312)에 프로브(400)가 장착되고 제 2 연결부(343)에 인쇄 회로 기판(100)의 단자(110)가 연결되거나, 또는 공간 변환기(300)의 상호 접속 요소(312)에 인쇄 회로 기판(100)의 단자(110)가 접속되고 제 2 연결부(343)에 프로브(400)가 장착될 수 있다.

이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기, 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법은 공간 변환기(300)의 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)이 도전 패턴 및 수지층으로 이루어지기 때문에, 각 층이 세라믹 기판으로 형성되는 공간 변환기에 비해 제조 비용이 절감된다.

또한, 공간 변환기(300)의 패턴 기판(310), 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)이 별도의 접합 공정이 수행되지 않고 접합되기 때문에, 각 층이 세라믹 기판으로 형성되는 공간 변환기에 비해 제조 시간이 절감되는 동시에 제조 수율이 향상된다.

또한, 공간 변환기(300)의 패턴 기판(310), 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)이 별도의 접합 공정을 수행하지 않고 접합되며, 패턴 기판(310)이 양면이 평탄하게 연마된 실리콘 웨이퍼로부터 형성되기 때문에, 공간 변환기(300)의 자체 평탄도가 향상되어 상호 접속 요소(312) 또는 제 2 연결부(343)에 접속되는 프로브(400)의 평탄도가 향상된다.

또한, 공간 변환기(300)의 패턴 기판(310), 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)이 별도의 접합 공정을 수행하지 않고 접합되기 때문에, 대면적의 피검사체를 검사하기 위해 대면적으로 공간 변환기(300)를 형성할 수 있다.

또한, 공간 변환기(300)가 자체적으로 프로브(400)가 장착되거나 인쇄 회로 기판(100)과의 연결을 위한 인터포져(200)로서의 역할을 수행할 수 있는 상호 접속 요소(312)를 포함하기 때문에, 인쇄 회로 기판(100)과 공간 변환기(300)의 접속을 위한 별도의 인터포져 또는 프로브(400)가 장착되기 위한 별도의 상호 접속 요소가 필요치 않으며, 이에 따라 프로브 카드(1000)의 제조 비용이 절감된다.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되 는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

도 1은 공간 변환기를 구비한 종래의 프로브 카드의 단면도이고,

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기 및 이를 포함하는 프로브 카드의 단면도이고,

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기의 제조 방법을 나타낸 순서도이며,

도 4 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.

Claims (15)

1. 프로브를 포함하는 프로브 카드에 사용되는 공간 변환기에 있어서,

   관통홀이 형성되어 있는 기판 본체부 및 상기 관통홀에 일부가 위치하여 상기 기판 본체부로부터 돌출되어 상기 프로브가 장착되는 상호 접속 요소를 포함하는 패턴 기판,

   상기 패턴 기판 상에 위치하며 상기 상호 접속 요소와 직접 연결되는 제 1 도전 패턴, 상기 패턴 기판 상에 위치하며 상기 제 1 도전 패턴의 일부 또는 전체를 노출시키는 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층 및 상기 제 1 개구부에 위치하여 상기 제 1 도전 패턴과 연결되는 제 1 연결부를 포함하는 제 1 층 및

   상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 1 연결부와 직접 연결되어 면 방향으로 연장되어 있는 제 2 도전 패턴, 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 2 도전 패턴의 일부 또는 전체를 노출시키는 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층 및 상기 제 2 개구부에 위치하여 상기 제 2 도전 패턴과 연결되는 제 2 연결부를 포함하는 제 2 층

   을 포함하는 공간 변환기.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 2 층 상에 위치하며 상기 제 2 연결부와 직접 연결되어 면 방향으로 연장되어 있는 제 3 도전 패턴, 상기 제 2 층 상에 위치하며 상기 제 3 도전 패턴의 일부 또는 전체를 노출시키는 제 3 개구부가 형성된 제 3 수지층 및 상기 제 3 개구부에 위치하여 상기 제 3 도전 패턴과 연결되는 제 3 연결부를 포함하는 제 3 층을 더 포함하는 공간 변환기.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 상호 접속 요소 및 상기 제 2 연결부는 각각 상기 패턴 기판 및 상기 제 2 층에 복수개 형성되어 있으며,

   이웃하는 상기 상호 접속 요소의 간격과 이웃하는 상기 제 2 연결부의 간격은 서로 상이한 것인 공간 변환기.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 패턴 기판과 상기 제 1 층 사이에 위치하는 절연층을 더 포함하는 공간 변환기.
5. 프로브를 포함하는 프로브 카드에 사용되는 공간 변환기의 제조 방법에 있어서,

   (a) 기판을 마련하는 단계,

   (b) 상기 기판 상에, 제 1 도전 패턴, 상기 기판 상에 위치하며 상기 제 1 도전 패턴의 일부 또는 전체를 노출시키는 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층 및 상기 제 1 개구부에 위치하여 상기 제 1 도전 패턴과 연결되는 제 1 연결부를 포함하는 제 1 층을 형성하는 단계,

   (c) 상기 제 1 층 상에, 상기 제 1 연결부와 직접 연결되어 면 방향으로 연장되어 있는 제 2 도전 패턴, 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 2 도전 패턴의 일부 또는 전체를 노출시키는 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층 및 상기 제 2 개구부에 위치하여 상기 제 2 도전 패턴과 연결되는 제 2 연결부를 포함하는 제 2 층을 형성하는 단계 및

   (d) 상기 기판으로부터, 상기 제 1 도전 패턴과 대응하는 관통홀이 형성되어 있는 기판 본체부 및 상기 기판 본체부로부터 돌출되어 상기 프로브가 장착되는 상호 접속 요소를 포함하는 패턴 기판을 형성하는 단계를 포함하되,

   상기 상호 접속 요소의 일부는 상기 관통홀에 위치하여 상기 제 1 도전 패턴과 직접 연결되는 것인 공간 변환기의 제조 방법.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 (c)단계 이후에,

   상기 제 2 층 상에, 상기 제 2 연결부와 직접 연결되어 면 방향으로 연장되어 있는 제 3 도전 패턴, 상기 제 2 층 상에 위치하며 상기 제 3 도전 패턴의 일부 또는 전체를 노출시키는 제 3 개구부가 형성된 제 3 수지층 및 상기 제 3 개구부에 위치하여 상기 제 3 도전 패턴과 연결되는 제 3 연결부를 포함하는 제 3 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 공간 변환기의 제조 방법.
7. 제 5 항에 있어서,

   상기 (c)단계 및 상기 (d)단계 각각에서,

   상기 제 2 연결부 및 상기 상호 접속 요소는 각각 상기 제 2 층 및 상기 패턴 기판에 복수개 형성되어 있으며,

   이웃하는 상기 제 2 연결부의 간격과 이웃하는 상기 상호 접속 요소의 간격은 서로 상이한 것인 공간 변환기의 제조 방법.
8. 제 5 항에 있어서,

   상기 기판과 상기 제 1 층 사이에 위치하도록 상기 기판 상에 절연층을 형성 하는 단계를 더 포함하는 공간 변환기의 제조 방법.
9. 제 5 항에 있어서,

   상기 (b)단계는,

   상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계,

   상기 제 1 도전층 상에 상기 제 1 도전 패턴과 대응하는 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,

   상기 제 1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 1 도전층을 식각하여 상기 제 1 도전 패턴을 형성하는 단계,

   상기 기판 상에 제 1 수지막을 형성하는 단계,

   상기 제 1 수지막 상에 상기 제 1 개구부와 대응하는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,

   상기 제 2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 1 수지막을 식각하여 상기 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층을 형성하는 단계,

   상기 제 1 개구부에 제 1 도전성 물질을 채우는 단계 및

   상기 제 1 수지층 상에 위치하는 부분을 제거하여 상기 제 1 연결부를 형성하는 단계

   를 포함하는 공간 변환기의 제조 방법.
10. 제 5 항에 있어서,

    상기 (c)단계는,

    상기 제 1 층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계,

    상기 제 2 도전층 상에 상기 제 2 도전 패턴과 대응하는 제 3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,

    상기 제 3 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 2 도전층을 식각하여 상기 제 2 도전 패턴을 형성하는 단계,

    상기 제 1 층 상에 제 2 수지막을 형성하는 단계,

    상기 제 2 수지막 상에 상기 제 2 개구부와 대응하는 제 4 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,

    상기 제 4 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 2 수지막을 식각하여 상기 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층을 형성하는 단계,

    상기 제 2 개구부에 제 2 도전성 물질을 채우는 단계 및

    상기 제 2 수지층 상에 위치하는 부분을 제거하여 상기 제 2 연결부를 형성하는 단계

    를 포함하는 공간 변환기의 제조 방법.
11. 제 5 항에 있어서,

    상기 (d)단계는,

    상기 제 1 층과 대향하는 상기 기판 상에 상기 관통홀과 대응하는 제 5 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,

    상기 제 5 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 기판을 식각하여 상기 제 1 도전 패턴을 노출시키는 상기 관통홀을 형성하는 단계,

    상기 관통홀에 제 3 도전성 물질을 채우는 단계,

    상기 제 1 층과 대향하는 상기 기판 상에 위치하는 부분을 제거하여 상기 상호 접속 요소를 형성하는 단계 및

    상기 기판의 두께가 얇아지도록 상기 기판을 식각하여 상기 기판 본체부를 형성하는 단계

    를 포함하는 공간 변환기의 제조 방법.
12. 제 5 항에 있어서,

    상기 기판 상에 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층이 형성된 기판이 상측에 위치하도록 상기 기판을 뒤집는 단계를 더 포함하는 공간 변환기의 제조 방법.
13. 프로브를 포함하는 프로브 카드에 있어서,

    관통홀이 형성되어 있는 기판 본체부 및 상기 기판 본체부로부터 돌출되어 상기 프로브가 장착되어 있는 상호 접속 요소를 포함하는 패턴 기판, 상기 패턴 기판 상에 위치하며 상기 상호 접속 요소와 직접 연결되는 제 1 도전 패턴, 상기 패턴 기판 상에 위치하며 상기 제 1 도전 패턴의 일부 또는 전체를 노출시키는 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층 및 상기 제 1 개구부에 위치하여 상기 제 1 도전 패턴과 연결되는 제 1 연결부를 포함하는 제 1 층 및 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 1 연결부와 직접 연결되어 면 방향으로 연장되어 있는 제 2 도전 패턴, 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 2 도전 패턴의 일부 또는 전체를 노출시키는 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층 및 상기 제 2 개구부에 위치하여 상기 제 2 도전 패턴과 연결되는 제 2 연결부를 포함하는 제 2 층을 포함하는 공간 변환기 및

    상기 공간 변환기를 사이에 두고 상기 프로브와 대향하고 있으며, 상기 제 2 연결부와 연결되어 있는 단자를 포함하는 인쇄 회로 기판을 포함하되,

    상기 상호 접속 요소의 일부는 상기 관통홀에 위치하는 것인 프로브 카드.
14. 제 13 항에 있어서,

    상기 제 2 층 상에 위치하며 상기 제 2 연결부와 직접 연결되어 면 방향으로 연장되어 있는 제 3 도전 패턴, 상기 제 2 층 상에 위치하며 상기 제 3 도전 패턴의 일부 또는 전체를 노출시키는 제 3 개구부가 형성된 제 3 수지층 및 상기 제 3 개구부에 위치하여 상기 제 3 도전 패턴과 연결되는 제 3 연결부를 포함하는 제 3 층을 더 포함하는 프로브 카드.
15. 제 13 항에 있어서,

    상기 상호 접속 요소 및 상기 제 2 연결부는 각각 상기 패턴 기판 및 상기 제 2 층에 복수개 형성되어 있으며,

    이웃하는 상기 상호 접속 요소의 간격과 이웃하는 상기 제 2 연결부의 간격은 서로 상이한 것인 프로브 카드.

Images