JP2010186769A - プローブ基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 配線パターンに応じた凹凸や段差が当該配線パターンを構成する導電層上の絶縁層の表面に生じるのを抑制することができるプローブ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線基板上に導電層からなる第１配線パターンを形成する第１配線パターン形成ステップと、第１配線パターンの形成後の配線基板上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成ステップと、第１配線パターンに対応する第１絶縁層の領域を選択的に露光させる第１絶縁層露光ステップと、露光された第１絶縁層を除去する第１絶縁層除去ステップと、第１絶縁層の除去後に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成ステップからなる。
【選択図】 図４

Description

本発明は、プローブ基板の製造方法に係り、さらに詳しくは、配線パターンを構成する導電層上に絶縁層が形成されたプローブ基板の製造方法の改良に関する。

半導体装置の製造工程には、半導体ウェハ上に形成された電子回路の電気的特性を検査する検査工程がある。この電気的特性の検査は、検査対象とする回路チップにテスト信号を入力させてその応答を検出するテスター装置を用いて行われる。通常、テスター装置から出力されたテスト信号は、プローブカードを介して半導体ウェハ上の回路チップに伝達される。プローブカードは、回路チップの微小な端子電極に接触させてテスター装置からのテスト信号を当該回路チップに伝達する多数のコンタクトプローブと、これらのコンタクトプローブが配設されたインターポーザと呼ばれるプローブ基板などからなり、コンタクトプローブ側の主面を半導体ウェハに対向させた状態で用いられる。

近年、電子機器の小型化及び多機能化の要求により、回路チップの端子は、多ピン及び狭ピッチとなっており、コンタクトプローブの配列も狭ピッチ化される傾向にある。このため、多数のコンタクトプローブが配設されるプローブ基板上の配線パターンには、高精度のパターン形成が求められている。しかしながら、プローブ基板が、配線パターンを構成する導電層が絶縁層を挟んで形成される多層基板である場合、従来のプローブ基板の製造方法では、配線パターンに応じた凹凸や段差が当該配線パターンを構成する導電層上の絶縁層の表面に生じてしまうという問題があった。絶縁層の表面に凹凸や段差があると、コンタクトプローブが配設される配線パターンをフォトリソグラフィーによってパターニングする際、或いは、さらにこの配線パターン上に導電層を積層することによってコンタクトプローブを形成する際に、パターニングの解像度が低下し、高精度のパターン形成が困難になってしまう。

また、レジスト膜の開口部に導電性物質を選択的にめっきすることによって、配線パターンがシード膜上に形成されるプローブ基板の場合、導電性物質をめっきした後のレジスト膜は、通常、アセトンやそれに代わるレジスト剥離液などの溶剤に配線基板を浸漬することで除去されるが、剥離性を良くするために超音波洗浄を併用することで行われる。しかしながら、超音波洗浄によってレジスト膜を除去する従来の方法では、レジスト膜除去時に配線基板に熱的及び物理的ダメージが加えられるので、プローブ基板の物理的強度、層間の密着性及び電気的絶縁性が低下してしまうという問題があった。

そこで、超音波洗浄によるレジスト膜除去に代えて、レジスト膜のパターニング時と同様に、配線パターン形成後の配線基板に光を照射してレジスト膜を露光させ、そして、露光後の配線基板を現像液に浸してレジスト膜を除去することが考えられる。しかし、この方法は、超音波洗浄に比べてレジスト膜の除去性能が低く、めっき液によるフォトレジストの変質の影響により、配線パターン間などにフォトレジストが残留してしまうという問題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、絶縁層上に配線パターンを形成する際、或いは、配線パターン上にコンタクトプローブを形成する際のパターン形成の精度を向上させたプローブ基板の製造方法を提供することを目的としている。特に、配線パターンに応じた凹凸や段差が当該配線パターンを構成する導電層上の絶縁層の表面に生じるのを抑制することができるプローブ基板の製造方法を提供することを目的としている。

本発明の他の目的は、物理的強度、層間の密着性及び電気的絶縁性を低下させることなく、配線パターンの形成に用いたレジスト膜を十分に除去することができるプローブ基板の製造方法を提供することにある。特に、レジスト膜の開口部に導電性物質を選択的にめっきすることによって形成される配線パターン間などにフォトレジストを残留させることなく、レジスト膜を除去することができるプローブ基板の製造方法を提供することにある。

第１の本発明によるプローブ基板の製造方法は、配線基板上に導電層からなる第１配線パターンを形成する第１配線パターン形成ステップと、第１配線パターンの形成後の上記配線基板上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成ステップと、第１配線パターンに対応する第１絶縁層の領域を選択的に露光させる第１絶縁層露光ステップと、露光された第１絶縁層を除去する第１絶縁層除去ステップと、第１絶縁層の除去後に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成ステップとを備えて構成される。

この製造方法では、第１配線パターンを形成した後の配線基板上に絶縁層を形成する際、まず、第１絶縁層を配線基板上に形成する。次に、第１配線パターンに対応する第１絶縁層の領域を選択的に露光させ、露光された第１絶縁を除去する。そして、第１絶縁層を除去した後に第２絶縁層を形成する。コンタクトプローブは、例えば、この第２絶縁層上に配設される配線パターン上に形成される。この様な構成によれば、配線パターンに対応して第１絶縁層をパターニングする際、光の拡散現象によって配線パターン周辺の絶縁層も除去されるので、第１配線パターンの周囲に絶縁層の傾斜面を形成させることができる。この絶縁層の傾斜面によって配線パターン間の絶縁層を配線パターンよりも突出させられるので、第１絶縁層のパターニングを行わない場合に比べて、第２絶縁層の表面を平坦化することができる。従って、配線パターンに応じた凹凸や段差が当該配線パターンを構成する導電層上の絶縁層の表面に生じるのを抑制することができる。また、絶縁層の表面が平坦化されるので、当該絶縁層上に配線パターンを形成する際、或いは、さらにその配線パターン上にコンタクトプローブを形成する際のパターン形成の精度を向上させることができる。さらに、絶縁層表面の平坦化により、配線パターンが下地層の起伏の影響で断線するのを抑制することができる。

第２の本発明によるプローブ基板の製造方法は、上記構成に加え、第１絶縁層の除去後の配線基板を加熱することによって、第１絶縁層を収縮させる基板加熱ステップを備え、上記第２絶縁層形成ステップが、加熱後の配線基板上に第２絶縁層を形成するステップであるように構成される。この様な構成によれば、配線パターン間に形成された絶縁層の突出部を加熱によって収縮させられるので、第２絶縁層の表面をさらに効果的に平坦化することができる。また、第１絶縁層のパターニング後に、アライメントのずれによって配線パターン上に絶縁層が残留している場合であっても、加熱によって残留絶縁層が収縮するので、アライメントのずれの影響を低減させることができる。

第３の本発明によるプローブ基板の製造方法は、配線基板上にシード膜を形成するシード膜形成ステップと、上記シード膜上にフォトレジストからなるレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップと、上記レジスト膜の開口部に導電性物質を選択的にめっきすることによって、配線パターンを形成する配線パターン形成ステップと、上記導電性物質のめっき後に配線基板をドライエッチングすることによって、上記レジスト膜の表面層を除去するレジスト表面層除去ステップと、上記ドライエッチング後に上記レジスト膜を露光させるレジスト膜露光ステップと、露光された上記レジスト膜を現像処理によって除去するレジスト膜除去ステップとを備えて構成される。

この製造方法では、レジスト膜の開口部に導電性物質を選択的にめっきした後、配線基板をドライエッチングすることによってレジスト膜の表面層を除去してから、レジスト膜を露光させてレジスト膜が除去される。この様な構成によれば、導電性物質のめっき時にめっき液によって硬化したレジスト膜の変質層をドライエッチングによって除去することができるので、ドライエッチング後の露光及び現像処理によってレジスト膜を十分に除去することができる。従って、レジスト膜の開口部に導電性物質を選択的にめっきすることによって形成される配線パターン間などにフォトレジストを残留させることなく、レジスト膜を除去することができる。また、露光及び現像処理によってレジスト膜を除去するので、超音波洗浄によってレジスト膜を除去する従来の方法に比べて、物理的強度、層間の密着性及び電気的絶縁性を低下させることなく、配線パターンの形成に用いたレジスト膜を十分に除去することができる。

第４の本発明によるプローブ基板の製造方法は、上記構成に加え、上記レジスト膜の除去後の配線基板をドライエッチングすることによって、上記配線パターンの表面に付着しているフォトレジストを除去する残留レジスト除去ステップを備えて構成される。この様な構成によれば、レジスト膜を除去した後、配線基板を再度ドライエッチングすることによって配線パターンの表面に付着しているフォトレジストを除去するので、さらに効果的にレジスト膜の除去を行うことができる。

本発明によるプローブ基板の製造方法によれば、配線パターンに対応して第１絶縁層をパターニングすることによって配線パターン間の絶縁層を配線パターンよりも突出させられるので、第１絶縁層のパターニングを行わない場合に比べて、第２絶縁層の表面を平坦化することができる。従って、配線パターンに応じた凹凸や段差が当該配線パターンを構成する導電層上の絶縁層の表面に生じるのを抑制することができる。また、絶縁層の表面が平坦化されるので、当該絶縁層上に配線パターンを形成する際、或いは、さらにその配線パターン上にコンタクトプローブを形成する際のパターン形成の精度を向上させることができる。

また、導電性物質のめっき時にめっき液によって硬化したレジスト膜の変質層をドライエッチングによって除去することができるので、ドライエッチング後の露光及び現像処理によってレジスト膜を十分に除去することができる。従って、レジスト膜の開口部に導電性物質を選択的にめっきすることによって形成される配線パターン間などにフォトレジストを残留させることなく、レジスト膜を除去することができる。また、露光及び現像処理によってレジスト膜を除去するので、超音波洗浄によってレジスト膜を除去する従来の方法に比べて、物理的強度、層間の密着性及び電気的絶縁性を低下させることなく、配線パターンの形成に用いたレジスト膜を十分に除去することができる。

本発明の実施の形態によるプローブカードの概略構成の一例を示した図であり、プローブカード１を下側から見た様子が示されている。 図１のプローブカード１の断面図であり、Ａ−Ａ線による切断面の様子が示されている。 図１のプローブカード１の要部における構成例を模式的に示した説明図であり、コンタクトプローブ３が配設されるインターポーザ２の断面が示されている。 図３のインターポーザ２の製造工程の一部を模式的に示した説明図であり、配線基板３１上に絶縁層３３を形成して露光させるまでの工程の一例が示されている。 図３のインターポーザ２の製造工程の一部を模式的に示した説明図であり、配線基板３１上に絶縁層３４を形成するまでの工程が示されている。 本発明の実施の形態２によるインターポーザ２の製造工程の一部を模式的に示した説明図であり、配線パターン４４を形成するまでの工程の一例が示されている。 本発明の実施の形態２によるインターポーザ２の製造工程の一部を模式的に示した説明図であり、レジスト膜４３を除去するまでの工程の一例が示されている。

実施の形態１．
＜プローブカード＞
図１は、本発明の実施の形態１によるプローブカード１の概略構成の一例を示した平面図であり、プローブカード１を下側から見た様子が示されている。図２は、図１のプローブカード１の断面図であり、Ａ−Ａ線による切断面の様子が示されている。

プローブカード１は、半導体ウェハ上の電子回路の電気的特性を検査するのに用いられる検査装置であり、検査対象物に接触させる多数のコンタクトプローブ３が配設されている。プローブカード１は、プローブ装置（図示せず）によってコンタクトプローブ３が形成されている面を下にして水平に保持され、テスター装置（図示せず）に接続される。コンタクトプローブ３を回路チップの端子電極に当接させれば、当該コンタクトプローブ３を介してテスト用の電気信号をテスター装置及び回路チップ間で入出力させることができる。

このプローブカード１は、インターポーザ２、バッキングプレート４、メイン基板１０、フレキシブル基板１４及び補強板１５により構成される。メイン基板１０は、プローブ装置に着脱可能に取り付けられる円形形状のＰＣＢ（プリント回路基板）であり、テスター装置との間で信号の入出力を行うための多数の外部端子１１が周縁部に設けられている。

インターポーザ２は、下側の主面上に複数のコンタクトプローブ３が配設されたプローブ基板であり、中央部のコンタクトプローブ３と周縁部の端子とを接続する配線が形成されている。コンタクトプローブ３は、回路チップの微小な端子電極に接触させるプローブ（探針）である。この例では、回路チップの端子電極に当接させるコンタクト部が弾性的に支持されるカンチレバー（片持ち梁）型のコンタクトプローブ３が配設されている。各コンタクトプローブ３は、回路チップの端子の配置に合わせて整列配置されている。

インターポーザ２は、バッキングプレート４を介してメイン基板１０の下側の主面上に固着され、周縁部の各端子は、フレキシブル基板１４とワイヤーボンディング１６により接続されている。フレキシブル基板１４は、放射状に配列された複数のコネクタ１３とインターポーザ２とを接続する配線が形成された可撓性を有するシート状のプリント回路基板である。

コネクタ１３は、中継基板１２を介してフレキシブル基板１４とメイン基板１０とを着脱可能に接続する接続部品であり、コネクタ１３内の端子は、メイン基板１０の外部端子１１と接続されている。補強板１５は、メイン基板１０の上側の主面上に配置され、メイン基板１０を貫通する締結部材を介してバッキングプレート４が固着されている。

＜インターポーザ＞
図３は、図１のプローブカード１の要部における構成例を模式的に示した説明図であり、コンタクトプローブ３が配設されるインターポーザ２の断面が示されている。このインターポーザ２は、配線基板２０上に絶縁層Ｄ１〜Ｄ４を挟んで４つの導電層Ｍ１〜Ｍ４が形成された多層基板となっている。

配線基板２０は、シリコンなどのセラミックからなるベース基板であり、一方の主面、この図では、上側の面には、絶縁膜２１が形成されている。導電層Ｍ１〜Ｍ４は、この絶縁膜２１上に形成されている。

導電層Ｍ１は、半導体ウェハ上の回路チップに電源を供給するための配線パターンを構成する金属層であり、例えば、金を絶縁膜２１上に堆積させることによって形成される。導電層Ｍ２は、ＧＮＤとなる配線パターンを構成する金属層であり、導電層Ｍ１上に形成された絶縁層Ｄ１上に形成されている。

導電層Ｍ３及びＭ４は、それぞれ信号線となる配線パターンを構成する金属層であり、導電層Ｍ３は、導電層Ｍ２上に形成された絶縁層Ｄ２上に形成され、導電層Ｍ４は、導電層Ｍ３上に形成された絶縁層Ｄ３上に形成されている。

導電層Ｍ１〜Ｍ４は、絶縁層Ｄ１〜Ｄ３を貫通させて配設されたスルーホールを介して互いに電気的に接続されている。信号線に対応する導電層の数は、回路チップのピン数、半導体ウェハ上のチップ数に応じて決定される。

絶縁層Ｄ４は、導電層Ｍ４上に形成された最上位の絶縁層である。絶縁層Ｄ１〜Ｄ４としては、熱硬化性を有する樹脂、例えば、ポリイミドが用いられる。導電層Ｍ１〜Ｍ４及び絶縁層Ｄ１〜Ｄ４の露出している面には、絶縁膜２２が形成されている。

コンタクトプローブ３は、絶縁膜２２及び絶縁層Ｄ４を貫通させて導電層Ｍ４上に形成されたインナーパッド部２３に配設される。インターポーザ２の周縁部には、絶縁膜２２及び絶縁層Ｄ４を貫通させて導電層Ｍ４上に形成された上段ワイヤーボンドパッド部２４と、絶縁膜２２及び絶縁層Ｄ１を貫通させて導電層Ｍ１上に形成された下段ワイヤーボンドパッド部２５が形成されている。

＜インターポーザの製造工程１＞
図４及び図５は、図３のインターポーザ２の製造工程の一部を模式的に示した説明図である。図４（ａ）〜（ｃ）には、配線パターン３２が形成された配線基板３１上に絶縁層３３を形成して露光させるまでの工程の一例が示されている。

図４（ａ）には、導電層からなる配線パターン３２が形成された配線基板３１が示されている。配線基板３１は、絶縁性を有する基板であり、配線パターン３２は、スパッタリングなどの成膜法を利用して導電性物質を配線基板３１上に選択的に堆積させることによって形成される。ここでは、配線基板３１上に配線パターン３２や絶縁層３３が形成される場合の例について以下に説明するが、配線基板３１に代えて、絶縁層上に配線パターン３２や絶縁層３３を形成するものも本発明には含まれる。

図４（ｂ）には、配線パターン３２を構成する導電層上に絶縁層３３が形成された配線基板３１が示されている。絶縁層３３は、配線パターン３２を形成した後の配線基板３１上に絶縁性及び感光性を有する熱硬化樹脂を塗布することによって形成される。

この状態では、配線パターン３２上の絶縁層３３の厚さｔ_２に関わらず、配線パターン３２の基板面からの高さｔ_１に応じた段差が絶縁層３３の表面に形成されている。つまり、配線パターン３２間の領域などの配線パターン３２から離れた領域に比べて、配線パターン３２上で盛り上がるような段差が絶縁層３３表面に形成されている。

ここでは、絶縁層３３を構成する感光性物質として、露光によって現像液に対する溶解性が増すポジ型のフォトレジストが用いられるものとする。

図４（ｃ）には、フォトマスクＢを用いて絶縁層３３を選択的に露光させる工程が示されている。フォトマスクＢは、光を透過する開口部Ｂ１が配線パターン３２に対応して形成されたシート状の遮光部材であり、絶縁層３３を形成した後の配線基板３１に対向して配置させた状態で用いられる。

ここでは、フォトマスクＢの開口部Ｂ１が、例えば、配線パターン３２の上面に一致させて形成されているものとする。この様なフォトマスクＢとしては、例えば、配線パターン３２の形成時に使用したマスクをそのまま利用することができる。

絶縁層３３の形成後の配線基板３１にフォトマスクＢを介して光を照射することによって、配線パターン３２に対応する絶縁層３３の領域が選択的に露光される。

具体的には、絶縁層３３の表面のうち、開口部Ｂ１の直下の領域、すなわち、配線パターン３２上の領域は、開口部Ｂ１を透過した光がそのまま照射される。これに対して、配線パターン３２周辺の領域には、光の拡散現象によって、開口部Ｂ１の周縁部からの距離が遠ざかるに従って強度の低下した光が照射される。

図５（ａ）及び（ｂ）には、露光後の配線基板３１を現像処理することによって絶縁層３３の一部が除去された配線基板３１上に絶縁層３４を形成するまでの工程が示されている。

図５（ａ）には、露光処理後の配線基板３１を現像液に浸すことによって絶縁層３３の露光領域が除去された配線基板３１が示されている。露光処理後の配線基板３１を現像液に浸漬させることによって、フォトマスクＢの開口部Ｂ１に対応する絶縁層３３の露光領域がエッチングされ、配線パターン３２上の絶縁層３３が除去される。

露光領域のエッチングによって絶縁層３３は、配線パターン３２上の領域だけでなく、配線パターン３２周辺の領域も除去され、配線パターン３２の周囲に絶縁層３３の傾斜面が形成されている。この絶縁層３３の傾斜面の存在により、配線パターン３２よりも突出している絶縁層３３の突出部３３ａが配線パターン３２間に形成されている。

突出部３３ａの配線パターン３２上面からの高さｔ_３の上限は、配線基板３１上に形成する絶縁層３３の厚さｔ_２に応じて変化する。ここでは、高さｔ_３が、配線パターン３２の高さｔ_１よりも低くなるように、絶縁層３３の厚さが設定されるものとする。

図５（ｂ）には、絶縁層３３を除去した後に絶縁層３４が形成された配線基板３１が示されている。絶縁層３４は、絶縁層３３の一部を除去した後の配線基板３１上に絶縁性物質を塗布することによって形成される。

この絶縁層３４の表面は、絶縁層３３の突出部３３ａの高さｔ_３が配線パターン３２の高さｔ_１よりも低いので、フォトマスクＢを用いた絶縁層３３のパターニングを行わない場合に比べて、平坦化されている。

本実施の形態によれば、フォトマスクＢを用いて絶縁層３３をパターニングする際、光の拡散現象によって配線パターン３２周辺の絶縁層３３も除去されるので、配線パターン３２の周囲に絶縁層３３の傾斜面を形成させることができる。この絶縁層３３の傾斜面によって配線パターン３２間の絶縁層３３を配線パターン３２よりも突出させられるので、フォトマスクを用いた絶縁層のパターニングを行わない場合に比べて、絶縁層３４の表面を平坦化することができる。従って、配線パターン３２に応じた凹凸や段差が当該配線パターンを構成する導電層上の絶縁層の表面に生じるのを抑制することができる。

また、絶縁層の表面が平坦化されるので、当該絶縁層上に配線パターンを形成する際、或いは、さらにその配線パターン上にコンタクトプローブ３を形成する際のパターン形成の精度を向上させることができる。さらに、絶縁層表面の平坦化により、配線パターンが下地層の起伏の影響で断線するのを抑制することができる。

また、配線パターン３２間の絶縁層３３の突出部３３ａの高さｔ_３は、現像液に浸漬させることによる絶縁層３３のエッチング時間を十分に確保すれば、エッチング時間が長くなっても高くなることはないので、絶縁層３３のエッチングを容易に行うことができる。

なお、本実施の形態では、絶縁層３３の除去後の配線基板３１上に絶縁層３４を形成する場合の例について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁層３３の除去後の配線基板３１を加熱することによって、絶縁層３３を収縮させる工程を追加しても良い。すなわち、絶縁層３４を形成する工程の前に、加熱によって絶縁層３３を収縮させる工程を追加し、加熱処理後の配線基板３１上に絶縁層３４を形成するようにしても良い。

この様に加熱により絶縁層３３を収縮させれば、突出部３３ａの高さｔ_３を加熱処理前よりも低くなるので、絶縁層３４の表面をさらに効果的に平坦化することができる。また、フォトマスクＢを用いた絶縁層３３のパターニング後に、アライメントのずれによって配線パターン３２上に絶縁層３３が残留している場合であっても、加熱処理によって残留絶縁層が収縮し、或いは、軟化して除去されるので、アライメントのずれの影響を低減させることができる。

実施の形態２．
実施の形態１では、配線パターンを構成する導電層上に形成される絶縁層の表面を平坦化させる場合の例について説明した。これに対して、本実施の形態では、物理的強度、層間の密着性及び電気的絶縁性を低下させることなく、配線パターンの形成に用いたレジスト膜を除去する場合について説明する。

＜インターポーザの製造工程２＞
図６及び図７は、本発明の実施の形態２によるインターポーザ２の製造工程の一部を模式的に示した説明図である。図６（ａ）〜（ｃ）には、シード膜４２が形成された配線基板４１上にレジスト膜４３を形成し、その開口部４３ａに導電性物質をめっきして配線パターン４４を形成するまでの工程の一例が示されている。

図６（ａ）には、導電性を有するシード膜４２が形成された配線基板４１が示されている。配線基板４１は、絶縁性を有する基板であり、シード膜４２は、スパッタリングなどの成膜法を利用して導電性物質を配線基板４１上に堆積させることによって形成される。ここでは、配線基板４１上にシード膜４２や配線パターン４４が形成される場合の例について以下に説明するが、配線基板４１に代えて、絶縁層上にシード膜４２や配線パターン４４を形成するものも本発明には含まれる。

図６（ｂ）には、シード膜４２上にフォトレジストからなるレジスト膜４３が形成された配線基板４１が示されている。このレジスト膜４３は、シード膜４２上にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いて選択的に露光させ、現像液に浸して露光領域を除去することによって形成される。つまり、レジスト膜４３を構成するフォトレジストとしては、露光によって現像液に対する溶解性が増すポジ型のフォトレジストが用いられ、レジスト膜４３には、露光領域に対応する開口部４３ａが形成されている。

図６（ｃ）には、レジスト膜４３の開口部４３ａに導電性物質を選択的にめっきすることによって配線パターン４４が形成された配線基板４１が示されている。レジスト膜４３を形成した後の配線基板４１をめっき液に浸漬させ、導電性物質を開口部４３ａに選択的にめっきすることによって、導電層からなる配線パターン４４が形成される。

導電性物質をシード膜４２上にめっきする際、レジスト膜４３の露出している部分は、めっき液に曝される。このため、レジスト膜４３には、フォトレジストが硬化した変質層４３ｂが露出部分に形成されている。この変質層４３ｂは、レジスト膜４３の露出部分の表面付近にだけ形成される。

図７（ａ）〜（ｃ）には、導電性物質のめっき後の配線基板４１をドライエッチングしてレジスト膜４３の表面層を除去し、レジスト膜４３を露光して除去するまでの工程の一例が示されている。

図７（ａ）には、導電性物質をシード膜４２上にめっきして配線パターン４４を形成した後の配線基板４１をドライエッチングすることによって、レジスト膜４３の表面層が除去された配線基板４１が示されている。導電性物質のめっき処理後に行うドライエッチングとしては、例えば、エッチングガスに酸素ガスを用いるＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）が考えられる。

レジスト膜４３のドライエッチングによって、レジスト膜４３の露出部分の表面層が除去される。

図７（ｂ）には、ドライエッチング後のレジスト膜４３を露光させる工程が示されている。ドライエッチング処理後の配線基板４１に光、例えば、紫外線を照射してレジスト膜４３を露光させる。レジスト膜４３の露光処理は、全面露光により行われ、フォトマスクを用いることなくレジスト膜４３の露出部分全体が露光される。

図７（ｃ）には、露光されたレジスト膜４３が現像処理によって除去された配線基板４１が示されている。露光処理後の配線基板４１を現像液に浸漬させることによって、レジスト膜４３がエッチングされ、シード膜４２上から除去される。

この現像処理後、配線基板４１をドライエッチングする工程を必要に応じて追加すれば、配線パターン４４の表面に付着しているフォトレジストを完全に除去することができる。

本実施の形態によれば、導電性物質のめっき時にめっき液によって硬化したレジスト膜４３の変質層をドライエッチングによって除去することができるので、ドライエッチング後の露光及び現像処理によってレジスト膜４３を十分に除去することができる。従って、レジスト膜４３の開口部４３ａに導電性物質を選択的にめっきすることによって形成される配線パターン４４間などにフォトレジストを残留させることなく、レジスト膜４３を除去することができる。

また、露光及び現像処理によってレジスト膜４３を除去するので、超音波洗浄によってレジスト膜を除去する従来の方法に比べて、物理的強度、層間の密着性及び電気的絶縁性を低下させることなく、配線パターン４４の形成に用いたレジスト膜４３を十分に除去することができる。

１ プローブカード
２ インターポーザ
３ コンタクトプローブ
４ バッキングプレート
１０ メイン基板
１１ 外部端子
１２ 中継基板
１３ コネクタ
１４ フレキシブル基板
１５ 補強板
１６ ワイヤーボンディング
２０ 配線基板
２１，２２ 絶縁膜
２３ インナーパッド部
２４ 上段ワイヤーボンドパッド部
２５ 下段ワイヤーボンドパッド部
Ｂ フォトマスク
Ｄ１〜Ｄ４ 絶縁層
Ｍ１〜Ｍ４ 導電層

Claims (4)

1. 配線基板上に導電層からなる第１配線パターンを形成する第１配線パターン形成ステップと、
   第１配線パターンの形成後の上記配線基板上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成ステップと、
   第１配線パターンに対応する第１絶縁層の領域を選択的に露光させる第１絶縁層露光ステップと、
   露光された第１絶縁層を除去する第１絶縁層除去ステップと、
   第１絶縁層の除去後に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成ステップとを備えたことを特徴とするプローブ基板の製造方法。
2. 第１絶縁層の除去後の配線基板を加熱することによって、第１絶縁層を収縮させる基板加熱ステップを備え、
   上記第２絶縁層形成ステップが、加熱後の配線基板上に第２絶縁層を形成するステップであることを特徴とする請求項１に記載のプローブ基板の製造方法。
3. 配線基板上にシード膜を形成するシード膜形成ステップと、
   上記シード膜上にフォトレジストからなるレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップと、
   上記レジスト膜の開口部に導電性物質を選択的にめっきすることによって、配線パターンを形成する配線パターン形成ステップと、
   上記導電性物質のめっき後に配線基板をドライエッチングすることによって、上記レジスト膜の表面層を除去するレジスト表面層除去ステップと、
   上記ドライエッチング後に上記レジスト膜を露光させるレジスト膜露光ステップと、
   露光された上記レジスト膜を現像処理によって除去するレジスト膜除去ステップとを備えたことを特徴とするプローブ基板の製造方法。
4. 上記レジスト膜の除去後の配線基板をドライエッチングすることによって、上記配線パターンの表面に付着しているフォトレジストを除去する残留レジスト除去ステップを備えたことを特徴とする請求項３に記載のプローブ基板の製造方法。

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