KR102030618B1

KR102030618B1 - 컨택트 장치 제조 방법 및 컨택트 장치

Info

Publication number: KR102030618B1
Application number: KR1020180051420A
Authority: KR
Inventors: 이현근
Original assignee: 주식회사 마이크로컨텍솔루션
Priority date: 2018-05-03
Filing date: 2018-05-03
Publication date: 2019-10-10

Abstract

본 발명은 컨택트 장치 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 미세 피치를 갖는 컨택트 프로브를 갖는 컨택트 장치 제조 방법에 관한 것이다.

Description

컨택트 장치 제조 방법 및 컨택트 장치{MANUFACTURING METHOD OF CONTACT APPARATUS AND CONTACT APPARATUS}

반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능을 판단하기 위한 검사를 수행하게 된다. 반도체 소자의 성능 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 소정의 컨택트 장치를 반도체 소자와 검사회로기판 사이에 배치한 상태에서 수행된다.

최근 반도체 패키지 개발의 트렌드는 경박단소화라고 할 수 있다. 따라서, 반도체 패키지에 예컨대 ball 형태로 구비되는 접촉 단자들 또한 미세 피치를 갖도록 개발되고 있다.

도 1 은 종래 기술에 따른 컨택트 장치와 반도체 패키지 사이의 전기적 접촉을 나타낸 도면이다. 종래의 반도체 패키지의 검사에 사용되는 컨택트 장치(C)의 경우, 일반적으로 도 1 과 같이 반도체 패키지(A)에 ball 형태로 구비되는 접촉 단자(B)와 1:1 로 대응되는 배치를 갖는 도전부(D)를 갖는다. 따라서, 반도체 패키지에 마련된 접촉 단자와 컨택트 장치에 마련된 도전부가 서로 대응되는 배치 및 피치를 가지며 접촉한다.

그러나, 설계 변수, 및 각종 원인들로 인해서 반도체 패키지의 접촉 단자와 컨택트 장치의 도전부 간의 접촉에 missing 이 발생할 수 있다. 뿐만 아니라, 종래의 컨택트 장치의 제조 방법의 경우 위에서 밝힌 최근의 반도체 패키지 개발의 트렌드인 미세 피치에 대응하는 컨택트 프로브를 구현하기 어려운 한계가 있다.

이에, 반도체 패키지에 마련된 접촉 단자들의 미세 피치에 대응되어 미세한 피치를 갖는 컨택트 프로브를 갖는 컨택트 장치 및 그 제조 방법을 개발할 필요가 있다.

공개특허 제2011-0020735호

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 미세 피치를 갖는 컨택트 프로브를 갖는 컨택트 장치 제조 방법 및 그에 의해서 제조된 컨택트 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 컨택트 장치 제조 방법은,

(a) 성장 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;

(b) 상기 희생층 상에 서로 이격되게 배열되는 복수 개의 컨택트 프로브, 및 상기 복수 개의 컨택트 프로브와 연결되는 컨택트 캐리어를 포함하는 소정의 두께의 전도성 구조물을 형성하는 단계;

(c) 상기 희생층을 제거하여 상기 성장 기판으로부터 상기 전도성 구조물을 분리하는 단계;

(d) 상기 전도성 구조물을 복수 개 적층하여 적층 구조물을 형성하는 단계;

(e) 상기 적층 구조물의 상기 컨택트 프로브 사이에 액상의 절연 재질을 주입하여 상기 절연 재질이 상기 컨택트 프로브 사이를 둘러싸도록 하는 단계;

(f) 상기 절연 재질을 경화하는 단계; 및

(g) 상기 컨택트 캐리어를 상기 컨택트 프로브로부터 분리하는 단계;를 포함한다.

바람직하게는, 상기 컨택트 캐리어의 두께는 상기 컨택트 프로브의 두께보다 두껍게 구성되어, 상기 (d) 단계에서 적층된 각각의 전도성 구조물의 상기 컨택트 프로브는 서로 이격되게 구성된다.

바람직하게는, 상기 컨택트 캐리어는 상기 전도성 구조물의 외측 둘레를 구성하여, 상기 (d) 단계에서 적층된 상기 컨택트 캐리어는 상기 적층 구조물의 외측 둘레를 구성하는 챔버형 구조물을 형성하며, 상기 (e) 단계에서, 상기 액상의 절연 재질은 상기 챔버형 구조물 내에 주입된다.

바람직하게는, 상기 (g) 단계는, 상기 적층 구조물의 상기 컨택트 캐리어를 에칭하여 제거하는 단계이다.

바람직하게는, 상기 (b) 단계는,

(b-1) 상기 컨택트 캐리어의 적어도 일 부분, 및 상기 컨택트 프로브를 형성하는 소정의 두께의 제1 도금층을 적층하는 단계, 및

(b-2) 상기 제1 도금층 상에 제2 도금층을 적층하는 단계; 를 포함하며,

상기 제2 도금층은 상기 제1 도금층의 컨택트 캐리어 부분 상에 적층되어,

상기 컨택트 캐리어는 상기 컨택트 프로브보다 두껍게 구성된다.

바람직하게는, 상기 (b-1) 단계는,

(b-1-1) 상기 희생층 상에 제1 포토 레지스트층을 형성하는 단계;

(b-1-2) 상기 제1 포토 레지스트층 상에 제1 광 마스크를 배열하는 단계;

(b-1-3) 상기 제1 포토 레지스트층을 노광하는 단계;

(b-1-4) 상기 제1 포토 레지스트층을 현상하여 상기 제1 포토 레지스트층의 적어도 일부가 제거된 제1 제거 영역을 형성하는 단계;

(b-1-5) 상기 제1 제거 영역에 전기 전도성 재료를 도금하여 상기 컨택트 프로브를 형성하는 제1-1 도금층을 형성하는 단계;

를 포함한다.

바람직하게는, 상기 (b-1) 단계는,

(b-1-6) 상기 제1 포토 레지스트층을 제거하는 단계;

(b-1-7) 상기 희생층 상에 제1-2 도금층을 형성하는 단계; 를 더 포함한다.

바람직하게는, 상기 (b-2) 단계는,

상기 제1-2 도금층 상에 제2 도금층을 형성하는 단계;를 포함한다.

바람직하게는, 상기 제1-2 도금층 및 상기 제2 도금층은,

상기 희생층의 상면의 외측 둘레 부분에 형성된다.

바람직하게는. 상기 (c) 단계는,

(c-1) 상기 희생층 상에 잔여한 포토 레지스트를 제거하는 단계; 및

(c-2) 상기 희생층을 에칭하는 단계;를 포함한다.

바람직하게는, 상기 (a) 단계는,

(a-1) 상기 성장 기판 상에 도전층을 증착하는 단계; 및

(a-2) 상기 도전층 상에 상기 희생층을 도금하는 단계;를 포함한다.

바람직하게는, 상기 (b) 단계는,

(b-a) 상기 컨택트 캐리어의 적어도 일 부분을 구성하는 소정의 두께의 제1 도금층을 적층하는 단계, 및

(b-b) 상기 제1 도금층 상에 상기 컨택트 캐리어의 적어도 일 부분, 및 상기 컨택트 프로브를 구성하는 제2 도금층을 적층하는 단계; 를 포함한다.

바람직하게는, 상기 (b-a) 단계는,

(b-a-1) 상기 희생층 상에 제1 포토 레지스트층을 형성하는 단계;

(b-a-2) 상기 제1 포토 레지스트층 상에 제1 광 마스크를 배열하는 단계;

(b-a-3) 상기 제1 포토 레지스트층을 노광하는 단계;

(b-a-4) 상기 제1 포토 레지스트층을 현상하여 상기 제1 포토 레지스트층의 적어도 일부가 제거된 제1 제거 영역을 형성하는 단계;

(b-a-5) 상기 제1 제거 영역에 전기 전도성 재료를 도금하여 상기 컨택트 캐리어의 적어도 일 부분을 형성하는 상기 제1 도금층을 형성하는 단계; 를 포함한다.

바람직하게는. 상기 (b-b) 단계는,

(b-b-1) 상기 제1 도금층의 적어도 일 부분 및 상기 제1 포토 레지스트층 상에 컨택트 프로브를 구성하는 제2-1 도금층을 형성하는 단계; 및

(b-b-2) 상기 제1 도금층 상에 컨택트 캐리어를 구성하는 제2-2 도금층을 형성하는 단계;

를 포함한다.

본 발명에 따른 컨택트 장치 제조 방법에 의하면, 컨택트 프로브와 컨택트 캐리어로 구성된 전도성 구조물을 적층하여 적층 구조물을 구성한 후, 상기 적층 구조물 내에 액상의 절연 재질을 주입하여 컨택트 유닛 및 컨택트 장치를 제조할 수 있으므로, 복잡한 공정을 거치지 않고 컨택트 장치를 제조할 수 있다. 즉, 적층된 컨택트 캐리어가 액상의 절연 재질이 충진될 수 있는 챔버 역할을 할 수 있으므로, 별도의 장치가 필요 없이 간단하게 액상의 절연 재질을 주입할 수 있다.

또한, 2 번의 포토 레지스트 공정을 통해 컨택트 캐리어 및 컨택트 프로브가 형성될 수 있으므로 미세 피치를 갖는 컨택트 프로브를 더욱 간단하게 구성할 수 있고, 따라서 최종적으로 제조된 컨택트 장치의 컨택트 프로브들이 미세 피치를 가질 수 있다.

본 발명에 따라서 제조된 컨택트 장치는 미세 피치를 갖는 컨택트 프로브를 가지므로, 반도체 패키지의 접촉 단자 사이의 피치와는 관계 없이 컨택트 프로브와 접촉 단자 사이의 전기 접촉이 이루어지므로 접촉 불량을 방지할 수 있다. 즉, 반도체 패키지의 하나의 접촉 단자에 대해서 미세 피치를 갖는 복수 개의 컨택트 프로브가 접촉할 수 있으므로, 접촉 불량이 방지될 수 있다. 또한, 미세한 피치를 갖는 접촉 단자를 갖는 반도체 패키지에 대해서도 신뢰성 있는 전기 연결을 달성할 수 있다.

즉, 본 발명에 따른 컨택트 장치 제조 방법에 의해서 제조된 컨택트 장치는 MEMS 공정을 이용하여, 컨택트 프로브간의 피치(간격)를 조절할 수 있으며, 기존의 제조 방법(최소 0.2mm)에 비해 더욱 작은 피치(0.001 mm)를 가질 수 있으므로, 접촉 단자에 따른 위치 제한이 없으며 정렬이 필요 없는 pitch free 개념의 컨택트 장치 및 소켓 제작이 가능하다.

또한, 컨택트 프로브는 적어도 하나 이상의 만곡부를 가지므로, 탄성을 가짐으로써, 보다 바람직한 전기 접촉이 달성될 수 있다.

도 1 은 종래 기술에 따른 컨택트 장치와 반도체 패키지 사이의 전기적 접촉을 나타낸 도면이다.
도 2 내지 15 는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 컨택트 장치 제조 방법을 단계별로 나타낸 도면이다.
도 16 은 본 발명에 따른 컨택트 장치 제조 방법에 의해서 제조된 컨택트 장치의 구조를 나타낸 도면이다.
도 17 및 도 18 은 제2 실시 형태에 따른 컨택트 장치 제조 방법에서, 제1 포토 리소그래피 공정 및 제1 도금 공정을 거친 상태, 및 제2 포토 리소그래피 공정 및 제2 도금 공정을 거친 상태를 각각 각타낸 도면이다.
도 19 및 도 20 은 본 발명에 따른 컨택트 장치와 반도체 패키지 사이의 전기적 접촉을 나타낸 도면이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.

도 2 내지 15 는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 컨택트 장치(2) 제조 방법을 단계별로 나타낸 도면이다.

먼저, 도 2 의 (a) 와 같이 성장 기판(10)을 마련한다. 이어서, 성장 기판(10) 상에 도전층(12)을 형성할 수 있다. 성장 기판(10)은 예컨대 Glass Wafer 일 수 있다. 도전층(12)은 성장 기판(10) 상에 증착되어 성장 기판(10)의 표면을 전기 도금이 가능한 도체 상태로 만든다. 이때, 도전층(12)의 증착은 예컨대 Ti/Cu 를 Sputter 하는 방법으로 이루어질 수 있다.

이어서, 도 2 의 (b) 와 같이 도전층(12) 상에 희생층(14)을 형성한다. 희생층(14)의 형성은 상기 도전층(12) 상면을 도금하는 방식으로 이루어질 수 있다. 희생층(14)은 예컨대 Cu 재질로 구성될 수 있다.

다음으로, 도 3 과 같이 제1 포토 리소그래피 공정을 거친다. 제1 포토 리소그래피 공정은 희생층(14) 상에 제1-1 포토 레지스트층(16a)을 형성한 후, 제1 광 마스크(M1)를 배열하고, 노광한 후 현상, 세척하는 과정을 포함할 수 있다.

먼저, 도 3 의 (a) 와 같이, 희생층(14) 상에 제1-1 포토 레지스트층(16a)을 형성한다. 제1-1 포토 레지스트층(16a)은 빛에 반응하는 고분자 폴리머로 구성되며, 예컨대, 노보락(Novolak)[M 크레졸 포름알데히드(M-Cresol formaldehyde)], PMMA[폴리메틸 메타크릴레이트(PolyMethyl Methacrylate)], SU-8, 감광 폴리이미드(photo sensitive polyimide)를 포함할 수 있다.

다음으로, 도 3 의 (b) 와 같이 제1-1 포토 레지스트층(16a) 상에 제1 광 마스크(M1)를 배열한 후, 노광한다. 제1 실시예에 의하면, 제1 광 마스크(M1)의 2 차원 형상은 후술하는 컨택트 프로브(100)의 2 차원 이미지를 나타낼 수 있다.

상기 제1-1 포토 레지스트층(16a)의 형성, 제1 광 마스크(M1)의 배열 및 노광 과정에서, 음성 포토 레지스트와 양성 포토 레지스트 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 예컨대, 양성 포토 레지스트가 사용되면, 제1 광 마스크(M1)에 의해서 커버되지 아니하여 노광에 노출된 부분이 경화되게 된다. 반대로, 음성 포토 레지스트가 사용되면, 제1 광 마스크(M1)에 의해서 커버되어 노광에 노출되지 않은 부분이 경화되게 된다.

다음으로, 도 3 의 (c) 와 같이, 노광된 상기 제1-1 포토 레지스트층(16a)을 현상 및 세척한다. 현상 및 세척 과정에 따라서 제1-1 포토 레지스트층(16a)의 노광된 부분, 또는 노광되지 않은 부분이 용해되고 세척되어 제거되게 된다. 이에 따라서, 제1-1 포토 레지스트층(16a)이 제거된 부분에는 제1 제거 영역(V1)이 형성된다.

도 4 는 이와 같은 과정을 거친 후의 결과물을 도시한 도면이다. 제1-1 포토 레지스트층(16a)이 제거된 부분에는 제1 제거 영역(V1)이 형성된다. 이때, 제1 제거 영역(V1)의 형상은 컨택트 프로브(100)의 2 차원 형상과 같다.

위에서 설명한 바와 같이, 양성 포토 레지스트가 사용될 경우에는 노광되지 않은 부분이 현상 및 세척 과정에서 제거되며, 음성 포토 레지스트가 사용될 경우에는 노광된 부분이 현상 및 세척 과정에서 제거되게 된다.

바람직하게는, 위의 제1 포토 리소그래피 공정에서, 제1-1 포토 레지스트층(16a)의 두께 및, 제1-1 포토 레지스트층(16a)의 부분 제거에 의해 형성된 상기 제1-1 제거 영역(V1)의 깊이는 비교적 작은 크기를 가질 수 있다. 일 예로, 상기 제1-1 포토 레지스트층(16a)의 두께 및, 제1-1 제거 영역(V1)의 깊이는 50 ~ 0.1 um 일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.

이어서, 도 5 의 (a) 와 같이, 제1 도금 공정이 이루어진다. 제1 도금 공정은, 상기 제1 포토 리소그래피 공정을 거쳐서 생성된 상기 제1-1 제거 영역(V1), 내에 전기 전도성 재료를 도금하여 제1-1 도금층(18a)을 형성하는 공정이다. 제1 도금 공정에서는 구리, 니켈, 알루미늄, 로듐, 팔라듐, 텅스텐 또는 다른 금속과 같은 전기 전도성 재료가 사용될 수 있다. 바람직하게는, 상기한 희생층(14)의 형성 과정에서 사용된 재질과 제1 도금 공정에서 사용된 재질은 서로 상이할 수 있다.

이어서, 도 5 의 (b) 와 같이 제1 평탄화 공정이 이루어질 수 있다. 평탄화 공정에 따라서 과잉 도금된 부분이 제거된다. 따라서, 바람직하게는 제1 제거 영역(V1) 내에 충진된 제1-1 도금층(18a)의 두께와, 희생층(14) 상에 잔여한 제1-1 포토 레지스트층(16a)의 두께가 같은 크기를 갖고 전체적으로 평탄한 상면을 갖게 될 수 있다. 즉, 제1-1 도금층(18a)의 두께는, 50 ~ 0.1 um 일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 한편, 이와 같은 제1 평탄화 공정은 생략될 수 있다.

도 6 은 상기 과정을 거쳐 생성된 구조물의 형태의 일 예를 나타낸 도면이다. 성장 기판(10), 도체층(12), 희생층(14), 제1-1 포토 레지스트층(16a), 및 제1-1 도금층(18a)이 적층된 구조물은 층상 구조를 갖는 적층형 구조물이며, 바람직하게는 전체적으로 사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 도 6 의 구조물에서는 도 4 의 구조물에서 제1 제거 영역(V1) 내에 제1-1 도금층(18a)이 충진되어 있다.

이어서, 도 7 과 같이, 제1-1 포토 레지스트층(16a)을 제거한다. 이와 같은 제1-1 포토 레지스트층(16a)의 제거는, 예컨대, 습식 화학 공정, 아세튼 기반 제거 공정, 및 플라즈마 제거 공정 등에 의해서 수행될 수 있다.

이어서, 제2 포토 리소그래피 공정을 수행한다. 제2 포토 리소그래피 공정을 수행함으로써, 도 8 과 같이, 제1-2 포토 레지스트층(16b)을 형성한다. 제2 포토 리소그래피 공정은 앞서 설명한 제1 포토 리소그래피 공정과 상통한다. 즉, 희생층(14) 상에 재차 제1-2 포토 레지스트층(16b)을 도포한 후, 노광한 후, 현상 세척한다. 이러한 제2 포토 리소그래피 공정에 관한 설명은 제1 포토 리소그래피 공정과 대동소이하여 중복되므로 상세한 설명은 피한다.

제2 포토 리소그래피 공정에서, 세척에 의해서 제거되는 영역은 희생층(14) 상의 외측 둘레 부분이다. 따라서, 희생층(14) 상의 외측 둘레 부분을 둘러싸는 형태의 제2 제거 영역(V2)이 형성되도록 한다. 이를 위해, 제2 포토 리소그래피 공정에서는 희생층(14) 상의 외측 둘레 부분을 둘러싸는 형태의 광 마스크가 사용될 수 있다. 아울러, 이와 같은 제2 포토 리소그래피 공정에 의해서 형성된 제2 제거 영역(V2)의 형상은, 컨택트 캐리어(102)의 2 차원 이미지와 같을 수 있다. 아울러, 바람직하게는, 제1-1 도금층(18a)의 컨택트 프로브(100)의 양 단부 부분은 외측으로 적어도 일 부분이 돌출되어 제2 제거 영역(V2) 내로 소정 폭만큼 돌출되어 있도록 한다.

이어서, 도 9 와 같이 제2 도금 공정을 수행한다. 제2 도금 공정에 따라서, 제2 제거 영역(V2)에 충진된 제1-2 도금층(18b)은 컨택트 캐리어(102)의 일 부분을 구성하게 된다. 바람직하게는, 추후 선택적 제거가 가능하도록, 제2 도금 공정에 의해서 충진된 제1-2 도금층(18b)의 재질은, 제1 도금 공정에서 형성된 제1-1 도금층(18a)의 재질과 상이할 수 있다. 예컨대, 제1-2 도금층(18b)의 재질은 구리일 수 있다.

제2 도금 공정을 수행한 후, 제2 평탄화 공정이 수행될 수 있다. 한편, 제1 평탄화 공정을 생략하고, 제1-1 도금층(18a)과 제1-2 도금층(18b)을 동시에 평탄화시키도록 제2 평탄화 공정만을 수행할 수도 있다.

제1-1 도금층(18a)과 제1-2 도금층(18b)은 동일 평면상에 위치하며, 이후에서는 편의상 이를 하나의 층으로 취급할 때는 제1 도금층(18)이라고 치칭한다.

이어서, 도 10 과 같이 제3 포토 리소그래피 공정을 거친다. 제3 포토 리소그래피 공정은 제1 포토 리소그래피 공정 및 제2 포토 리소그래피 공정과 유사하다. 즉, 제3 포토 레지스트층(20)을 형성한 후, 제2 광 마스크(M2)를 배열하고, 노광한 후 현상, 세척하는 과정을 포함할 수 있다. 다만, 제3 포토 레지스트층(20)은 위에서 설명한 제1 도금층(18)과 제1-2 포토 레지스트층(16b) 상에 형성된다는 점이 상이하다.

먼저, 도 10 의 (a) 와 같이 제1 도금층(18)과 제1-2 포토 레지스트층(16b) 상에 제2 포토 레지스트층(20)을 형성한다. 제2 포토 레지스트층(20)은 제1 포토 레지스트층(16)과 같이 빛에 반응하는 고분자 폴리머로 구성되며, 예컨대, 노보락(Novolak)[M 크레졸 포름알데히드(M-Cresol formaldehyde)], PMMA[폴리메틸 메타크릴레이트(PolyMethyl Methacrylate)], SU-8, 감광 폴리이미드(photo sensitive polyimide)를 포함할 수 있다.

다음으로, 도 10 의 (b) 와 같이, 제2 포토 레지스트층(20) 상에 제2 광 마스크(M2)를 배열한 후, 노광한다. 제2 광 마스크(M2)의 2 차원 형상은 컨택트 캐리어(102)의 2 차원 형상과 동일할 수 있다.

상기 제2 포토 레지스트층(20)의 형성 과정, 제2 광 마스크(M2)의 배열 및 노광 과정에서도, 음성 포토 레지스트와 양성 포토 레지스트 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 바람직하게는, 제1 포토 레지스트층(16)과 제2 포토 레지스트층(20)을 구성하는 포토 레지스트는 둘다 양성, 또는 둘 다 음성 포토 레지스트일 수 있다.

이어서, 도 10 의 (c) 와 같이, 상기 제2 포토 레지스트층(20)을 현상 및 세척한다. 현상 및 세척 과정에 따라서 제2 포토 레지스트층(20)의 노광된 부분, 또는 노광되지 않은 부분이 용해되고 세척되게 되며, 따라서 제2 제거 영역(V3)이 형성되게 된다. 위에서 설명한 바와 같이, 양성 포토 레지스트가 사용될 경우에는 노광되지 않은 부분이 현상 및 세척 과정에서 제거되며, 음성 포토 레지스트가 사용될 경우에는 노광된 부분이 현상 및 세척 과정에서 제거되게 된다. 도 10 에서는 노광되지 않은 부분이 현상 및 세척 과정에서 제거된 것으로 설명되어 있다.

상기 과정을 거쳐서 형성된 제3 제거 영역(V3)의 형상은 도 11 과 같다. 즉, 상기 현상 및 세척 과정에 의해서 형성된 제2 제거 영역(V3)은 상기 제1 도금층(18) 상에 형성되되, 제1-2 도금층(18b) 상에 형성될 수 있다. 따라서, 제1-2 도금층(18b)은 상방향으로 노출된다. 또한 제3 제거 영역(V3)을 위에서 바라본 형상은 컨택트 캐리어(102)의 2 차원 이미지와 같다.

이어서, 도 12 의 (a) 와 같이, 상기 제3 제거 영역(V3) 내에 전기 전도성 재료를 도금하여 제2 도금층(22)을 형성하는 제3 도금 과정을 거친다. 제3 도금 과정에서는 구리, 니켈, 알루미늄, 로듐, 팔라듐, 텅스텐 또는 다른 금속과 같은 전기 전도성 재료가 사용될 수 있다. 바람직하게는, 상기한 제1-2 도금층(18b)의 형성을 위한 제2 도금 과정에서 사용된 재질과 제3 도금 과정에서 사용된 재질은 서로 동일할 수 있다. 물론, 이에 반드시 한정하는 것은 아니다. 전기 전도성 재료의 도금에 따라서 제3 제거 영역(V3) 내에 상기 전기 전도성 재료로 이루어진 제2 도금층(22)이 형성되게 된다. 위에서 설명한 바와 같이, 제3 제거 영역(V3)은 제1 도금층(18)의 컨택트 캐리어(102) 부분 상에 형성되므로, 제1-2 도금층(18b)과 제2 도금층(22)을 합친 컨택트 캐리어(102) 부분의 두께가 제1 도금층(18)에 형성된 컨택트 프로브(100)의 두께보다 더 두꺼워지게 된다.

이어서, 도 12 에서는 생략되었으나, 바람직하게는 제2 도금층(22)의 형성 후, 제2 도금층(22)의 상면에 대한 평탄화 공정이 이루어질 수 있다. 평탄화 공정에 따라서 제2 도금층(22)의 상면이 전체적으로 평탄한 상면을 갖게 될 수 있다.

이와 같이 제2 도금 과정 및 평탄화 과정을 거침에 따라서, 제2 도금층(22)은, 50 ~ 0.1 um 의 두께를 가질 수 있다. 물론, 이에 한정하지 않는다.

이어서, 도 12 의 (b) 와 같이 포토 레지스트 제거 공정이 수행된다. 이에 따라서, 잔여한 제1-2 포토 레지스트층(16b) 및 제2 포토 레지스트층(20)이 제거된다. 포토 레지스트 제거 공정은 예컨대, 습식 화학 공정, 아세튼 기반 제거 공정, 및 플라즈마 제거 공정 등에 의해서 수행될 수 있다. 이와 같이 포토 레지스트 제거 공정을 거친 후에는, 희생층(14) 상에 제1 도금층(18) 및 제2 도금층(22)만이 남는다. 즉, 도금층만으로 구성된 소정의 전도성 구조물(1)만이 희생층(14) 상에 남게 된다.

이어서, 도 12 의 (c) 와 같이 희생층(14)을 제거한다. 희생층(14)의 제거는 예컨대 에칭 공정을 통해 이루어질 수 있으며, 희생층(14)이 제거됨에 따라서 제1 도금층(18) 및 제2 도금층(22)으로 구성된 전도성 구조물(1)이 성장 기판(10)으로부터 분리되게 된다.

상기 전도성 구조물(1)은 도 13 과 같은 형태를 가질 수 있다. 즉, 전도성 구조물(1)은 외측 둘레를 구성하는 컨택트 캐리어(102) 내에 복수 개의 컨택트 프로브(100)가 부착되어 있는 소정의 플레이트 형상의 구조물로 구성될 수 있다. 각각의 컨택트 프로브(100) 사이에는 공간부(104)가 형성되어 있다.

상기 복수 개의 컨택트 프로브(100)는 각각 만곡된 선 형상을 가지며 서로 평행하게 배열되어 있고, 상기 복수 개의 컨택트 프로브(100)의 양 단은 상기 컨택트 캐리어(102)에 연결되어 있다. 아울러, 컨택트 프로브(100) 사이에는 각각 공간(104)이 마련되어 있다. 또한, 각각의 컨택트 프로브(100)의 양 단부는 컨택트 캐리어(102) 내부로 돌출되어 있다.

앞서 설명한 바와 같이, 컨택트 프로브(100)는 제1-1 도금층(18a)에 의해서 형성된 것이며, 컨택트 캐리어(102)는 제1-2 도금층(18b), 및 제2 도금층(22)에 의해서 형성된 것이다. 따라서, 컨택트 캐리어(102)는 컨택트 프로브(100)보다 두꺼운 두께를 갖는다. 즉, 컨택트 프로브(100)의 두께 D1 은 제1 도금층(18)의 두께에 대응하는 50 ~ 0.1 um 의 두께를 가지며, 컨택트 캐리어(102)의 두께 D2 는 100 ~ 0.2 um 의 두께를 가질 수 있다. 단, 이에 반드시 한정하는 것은 아니다.

이어서, 도 14 와 같이, 상기 전도성 구조물(1)을 적층하여 타워형의 적층 구조물(2)을 형성한 후, 상기 타워형의 적층 구조물(2) 내에 액상의 절연 재질을 주입한다.

앞서 설명한 바와 같이, 전도성 구조물(1)은 컨택트 캐리어(102)와 컨택트 프로브(100)로 구성되어 있으며, 컨택트 캐리어(102)는 전도성 구조물(1)의 외곽에 마련되어 사각형 평판 형상을 가진다. 따라서, 전도성 구조물(1)을 적층할 경우, 도 14 와 같은 적층 구조물(2)이 마련되게 된다. 이때, 컨택트 캐리어(102)는 적층 구조물(2)의 둘레를 구성하여 소정의 챔버형 구조물을 구성하게 된다. 또한, 컨택트 캐리어(102)의 내부에는 컨택트 프로브(2)이 위치한다. 컨택트 캐리어(102)의 두께는 컨택트 프로브(100)의 두께보다 두꺼우므로, 상하로 적층된 각각의 전도성 구조물(1)의 컨택트 프로브(100)는 서로 상하로 이격되어, 상하로 나란히 위치하는 컨택트 프로브(100) 사이에 소정의 거리를 갖는 이격 공간이 형성되게 된다. 이때, 상기 이격 공간의 거리는 컨택트 캐리어(102)의 두께에서 컨택트 프로브(100)의 두께를 뺀 두께가 된다. 또한, 컨택트 캐리어(102)는 평탄한 상면 및 하면을 가지므로, 상기 적층 구조물(2)의 외측면은 서로 이격됨이 없이 밀착한 상태로 적층되게 된다.

상기 적층 구조물(2) 내의 공간에 주입되는 액상의 절연 재질은 예컨대 액상의 실리콘일 수 있으며, 다른 예로는 파라핀, 밀랍 등일 수도 있다. 이와 같은 액상의 절연 재질의 주입됨으로써, 상기 컨택트 프로브(100) 사이의 공간이 절연 재질로 채워지게 된다. 앞서 설명한 바와 같이, 컨택트 캐리어(102)는 평탄한 상면 및 하면을 가지므로, 상기 적층 구조물(2)의 외측면은 서로 이격됨이 없이 밀착한 상태로 적층되어 액상의 절연 재질이 외부로 유출됨이 없이 적층 구조물(2) 내에 충진되게 된다.

액상의 절연 재질을 적층 구조물(2)에 주입한 후, 상기 절연 재질을 경화시킨다. 절연 재질이 경화되면 소정의 절연부(200)가 형성되게 된다.

도 15 (a) 는 적층 구조물(2) 내에 액상의 절연 재질이 충진된 후, 경화된 상태를 도시한 도면이다. 적층 구조물(2)의 외측 둘레에는 컨택트 캐리어(102)가 잔여해 있고, 컨택트 캐리어(102) 내의 공간에는 컨택트 프로브(100) 및 액상의 절연 재질이 경화되어 형성된 절연부(200)가 마련되어 있다.

이어서, 도 15 (b) 와 같이 컨택트 캐리어(102)를 제거한다. 컨택트 캐리어(102)의 제거는 예컨대 소정의 cupper 에칭 공정을 통해 이루어질 수 있다.

한편, 도시되지는 아니하였으나, 컨택트 캐리어(102)를 제거한 후, 소정의 마감 공정 등이 수행될 수도 있다.

위와 같은 과정을 거침에 따라서, 도 15 (b) 와 같은 컨택트 유닛(3)이 제조되게 된다. 위 과정을 따라서 제조된 컨택트 유닛(3)은 플레이트 형태의 절연부(200)의 내부에 상하로 연장된 컨택트 프로브(100)가 복수 개 배열되는 구성을 갖는다. 이때, 컨택트 프로브(100)는 측방향에서 볼 때 수 회 휘어진 만곡부를 가질 수 있다. 이는 앞서 설명한 바와 같이, 제1 포토 리소그래피 공정에 의해서 구현된 형상이다. 아울러, 컨택트 프로브(100)는 미세 피치를 가질 수 있는데, 예컨대, 컨택트 프로브(100) 간의 간격 S 는 50 ~ 0.1 um 일 수 있고, 이에 한정하지 않는다.

또한, 도 15 (b) 의 형상을 살펴보면, 컨택트 프로브(100)의 양 단부가 절연부(200)의 외부로 돌출되어 소정의 팁(P)을 갖는 것을 알 수 있다. 이는, 앞서 컨택트 프로브(100)의 양 단부가 돌출된 형상을 가져서, 컨택트 캐리어(102) 내부로 컨택트 프로브(100)가 돌출되도록 하였기 때문이다.

아울러, 위와 같은 공정을 거쳐서 컨택트 유닛(3)을 제조한 후, 상기 컨택트 유닛(3)을 평면 상에 복수 개 배열하고 서로 결합시켜서 소정의 면적을 갖는 컨택트 장치를 제조할 수도 있다. 도 16 은 이러한 컨택트 유닛(3)이 복수 개 결합되어 구성된 컨택트 장치(4)를 도시한 도면이다. 대면적의 컨택트 장치가 필요할 경우, 상기 컨택트 유닛(3)을 평면 상에 복수 개 배열하여 도 16 과 같은 소정의 면적을 갖는 컨택트 장치(4)를 제조하는 것도 가능하다.

이하에서는 도 17 및 도 18 을 참조하여, 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 컨택트 장치 제조 방법에 대해서 설명한다. 제2 실시 형태에 의한 컨택트 장치 제조 방법은 위에서 설명한 제1 실시 형태에 의한 컨택트 장치 제조 방법과 대동소이하되, 다만, 컨택트 캐리어(102)와 컨택트 프로브(100)의 형성 순서만이 상이하다. 따라서, 다른 설명 및 해당 설명에 대한 도시는 중복되므로 생략한다.

제2 실시 형태에 의한 컨택트 장치 제조 방법에 의하면, 제1 포토 리소그래피 공정 및 제1 도금 공정을 거침에 의해서 제1 도금층(58)이 형성된다. 상기 제1 도금층(58)은 컨택트 캐리어(102)의 적어도 일 부분을 구성한다. 도 17 은 이러한 제2 실시 형태에 의한 컨택트 장치 제조 방법에서 제1 도금층(58)의 형성까지 완료된 상태(제1 포토 리소그래피 공정 및 제1 도금 공정을 거친 상태)의 결과물을 도시한 도면이다. 따라서, 성장 기판(50), 도체층(52), 희생층(54), 및 제1 포토 레지스트층(56)이 도시되어 있다.

이어서, 제2 포토 리소그래피 공정 및 제2 도금 공정과, 제3 포토 리소그래피 공정 및 제3 도금 공정에 의해서 형성되는 제2 도금층(62)은 컨택트 캐리어(102)의 적어도 일 부분 및 컨택트 프로브(100)를 구성한다. 도 18 은 이러한 제2 실시 형태에 의한 컨택트 장치 제조 방법에서 제2 도금층(62)의 형성까지 완료된 상태(제2 포토 리소그래피 공정 및 제2 도금 공정을 거친 상태)의 결과물을 도시한 도면이다. 물론, 제2 포토 레지스트층(60)이 함께 도시되어 있다. 여기서, 제1 실시 형태에서 설명한 바와 유사하게, 제2 포토 리소그래피 공정 및 제2 도금 공정에서는 제2-1 도금층을 형성하여, 먼저 컨택트 프로브(100)를 형성하고, 이어서 제3 포토 리소그래피 공정 및 제3 도금 공정에서는 제2-2 도금층을 형성하여, 컨택트 캐리어(102)를 마저 형성할 수 있다.

따라서, 제2 실시 형태에 의한 컨택트 장치 제조 방법에 의하면, 먼저 제1 포토 리소그래피 공정 및 제1 도금 공정에 의해서 컨택트 캐리어(102)의 적어도 일 부분이 형성된 후, 이어서 제2 포토 리소그래피 공정, 제2 도금 공정, 제3 포토 리소그래피 공정 및 제3 도금 공정에 의해서 컨택트 캐리어(102)의 나머지 부분 및 컨택트 프로브(100)가 형성되게 된다. 상기 외의 단계는 상기 제1 실시 형태에 의한 컨택트 장치 제조 방법과 동일하다. 즉, 컨택트 캐리어(102)와 컨택트 프로브(100)로 구성된 전도성 구조물을 분리한 후, 상기 전도성 구조물을 적층하여 적층 구조물을 구성하고, 액상의 절연 재질을 주입하며, 컨택트 캐리어를 제거하는 공정이 수행된다.

이하에서는 본 발명에 따른 컨택트 장치 제조 방법의 효과에 대해서 설명한다.

본 발명에 따른 컨택트 장치 제조 방법에 의하면, 컨택트 프로브(100)와 컨택트 캐리어(102)로 구성된 전도성 구조물(1)을 적층하여 적층 구조물(2)을 구성한 후, 상기 적층 구조물(2) 내에 액상의 절연 재질을 주입하여 컨택트 유닛(3) 및 컨택트 장치(4)를 제조할 수 있으므로, 복잡한 공정을 거치지 않고 컨택트 장치를 제조할 수 있다. 즉, 적층 구조물(2)의 외측 둘레를 구성하며 적층된 컨택트 캐리어(102)가 액상의 절연 재질이 충진될 수 있는 챔버 역할을 할 수 있으므로, 별도의 장치가 필요 없이 간단하게 액상의 절연 재질을 주입할 수 있다.

또한, 복수 회의 포토 레지스트 공정을 통해 컨택트 캐리어(102) 및 컨택트 프로브(100)가 형성될 수 있으므로 미세 피치를 갖는 컨택트 프로브(100)를 간단하게 구성할 수 있고, 따라서 최종적으로 제조된 컨택트 장치의 컨택트 프로브(100)들이 미세 피치를 가질 수 있다.

이와 같이 본 발명에 따른 제조 방법에 의해서 제조된 상기 컨택트 장치(2)에 구비된 컨택트 프로브(100)는 미세한 면적 및 미세 피치를 가질 수 있다. 따라서, 컨택트 장치(2) 위의 소정의 반도체 장치 및 하부의 PCB 등의 연결을 매개할 때 보다 안정적인 전기적 연결을 달성할 수 있다.

예컨대, 반도체 패키지의 접촉 단자가 볼(ball)형태의 접촉 단자로 구성될 경우, 1:1 컨택 구조를 갖는 종래의 컨택트 장치의 경우에는 반도체 패키지의 접촉 단자와 컨택트 장치의 연결 단자 사이의 피치가 일치하지 않음으로써 반도체 패키지의 접촉 단자에 따라서 컨택트 장치를 선택해야 하므로 범용성이 저해되거나, 또는 설계 변수 등으로 발생한 피치 간 불일치로 인해 접촉 불량이 발생할 수 있다. 특히, 종래에 따른 컨택트 장치 제조 방법에 의하면, 미세 피치를 갖는 연결 단자를 갖는 컨택트 장치를 제조하는 것이 매우 어려우며, 따라서 위와 같은 문제를 해결하기 어렵다.

그러나, 도 19, 20 에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 컨택트 장치(4)에서는 반도체 패키지(A)의 접촉 단자(B) 사이의 피치와는 관계 없이 전기 접촉이 이루어지므로 접촉 불량을 방지할 수 있다. 즉, 도 16 에 도시된 바와 같이, 하나의 접촉 단자(B)에 대해서 원형으로 표시된 복수 개의 컨택트 프로브(100)가 접촉할 수 있으므로, 접촉 불량이 방지된다. 또한, 작은 크기, 또는 미세한 피치를 갖는 접촉 단자를 갖는 반도체 패키지에 대해서도 신뢰성 있는 전기 연결을 달성할 수 있다.

즉, 본 발명에 따른 컨택트 장치 제조 방법에 의해서 제조된 컨택트 장치(4)는 MEMS 공정을 이용하여, 컨택트 프로브(100)간의 피치(간격)를 조절할 수 있으며, 기존의 제조 방법(최소 0.2mm)에 비해 더욱 작은 피치(0.001 mm)를 가질 수 있으므로, 실질적으로 pitch free 개념의 컨택트 장치 및 소켓 제작이 가능하다. 예컨대, 앞서 도 1 을 참조하여 설명한 ball 형태의 접촉 단자에 대해 본 발명에 따른 컨택트 장치(4)가 연결될 경우, 상기 접촉 단자의 최소 직경은 0.1 mm 이상으로서, 만일 컨택트 장치(4)의 피치가 0.025 mm 이하일 경우에는, 상기 접촉 단자의 위치와 무관하게 모든 접촉 단자는 컨택트 장치(4)의 컨택트 프로브(100)와 무조건적으로 접촉할 수 있게 된다. 따라서, 접촉 단자의 위치에 따라서 정렬되어야 접촉이 가능한 종래의 컨택트 장치와 달리, 본 발명에 따른 컨택트 장치(4)는 컨택트 프로브(100)의 위치 제한이 없고, 정렬이 필요 없게 되어 pitch free 개념의 컨택트 장치 및 소켓이 구현될 수 있다.

또한, 도 19 에 도시된 바와 같이, 컨택트 프로브(100)는 적어도 하나 이상의 만곡부를 가지므로, 접촉 시 탄성을 가져서 보다 바람직한 전기 접촉이 달성될 수 있다.

이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.

1: 전도성 구조물
2: 적층 구조물
3: 컨택트 유닛
4: 컨택트 장치
10: 성장 기판
12: 도체층
14: 희생층
16: 제1 포토 레지스트층
18: 제1 도금층
18a: 제1-1 도금층
18b: 제1-2 도금층
20: 제2 포토 레지스트층
22: 제2 도금층
50: 성장 기판
52: 도체층
54: 희생층
56: 제1 포토 레지스트층
58: 제1 도금층
50: 제2 포토 레지스트층
52: 제2 도금층
100: 컨택트 프로브
102: 컨택트 캐리어
104: 공간부
200: 절연부

Claims

(a) 성장 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;
(b) 상기 희생층 상에 서로 이격되게 배열되는 복수 개의 컨택트 프로브, 및 상기 복수 개의 컨택트 프로브와 연결되는 컨택트 캐리어를 포함하는 소정의 두께의 전도성 구조물을 형성하는 단계;
(c) 상기 희생층을 제거하여 상기 성장 기판으로부터 상기 전도성 구조물을 분리하는 단계;
(d) 상기 전도성 구조물을 복수 개 적층하여 적층 구조물을 형성하는 단계;
(e) 상기 적층 구조물의 상기 컨택트 프로브 사이에 액상의 절연 재질을 주입하여 상기 절연 재질이 상기 컨택트 프로브 사이를 둘러싸도록 하는 단계;
(f) 상기 절연 재질을 경화하는 단계; 및
(g) 상기 컨택트 캐리어를 상기 컨택트 프로브로부터 분리하는 단계;를 포함하는 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 컨택트 캐리어의 두께는 상기 컨택트 프로브의 두께보다 두껍게 구성되어,
상기 (d) 단계에서 적층된 각각의 전도성 구조물의 상기 컨택트 프로브는 서로 이격되는 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 2에 있어서,
상기 컨택트 캐리어는 상기 전도성 구조물의 외측 둘레를 구성하여,
상기 (d) 단계에서 적층된 상기 컨택트 캐리어는 상기 적층 구조물의 외측 둘레를 구성하는 챔버형 구조물을 형성하며,
상기 (e) 단계에서, 상기 액상의 절연 재질은 상기 챔버형 구조물 내에 주입되는 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 3에 있어서,
상기 (g) 단계는,
상기 적층 구조물의 상기 컨택트 캐리어를 에칭하여 제거하는 단계인 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 3에 있어서,
상기 (b) 단계는,
(b-1) 상기 컨택트 캐리어의 적어도 일 부분, 및 상기 컨택트 프로브를 형성하는 소정의 두께의 제1 도금층을 적층하는 단계, 및
(b-2) 상기 제1 도금층 상에 제2 도금층을 적층하는 단계; 를 포함하며,
상기 제2 도금층은 상기 제1 도금층의 컨택트 캐리어 부분 상에 적층되어,
상기 컨택트 캐리어는 상기 컨택트 프로브보다 두껍게 구성되는 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 5에 있어서,
상기 (b-1) 단계는,
(b-1-1) 상기 희생층 상에 제1 포토 레지스트층을 형성하는 단계;
(b-1-2) 상기 제1 포토 레지스트층 상에 제1 광 마스크를 배열하는 단계;
(b-1-3) 상기 제1 포토 레지스트층을 노광하는 단계;
(b-1-4) 상기 제1 포토 레지스트층을 현상하여 상기 제1 포토 레지스트층의 적어도 일부가 제거된 제1 제거 영역을 형성하는 단계;
(b-1-5) 상기 제1 제거 영역에 전기 전도성 재료를 도금하여 상기 컨택트 프로브를 형성하는 제1-1 도금층을 형성하는 단계;
를 포함하는 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 6에 있어서,
상기 (b-1) 단계는,
(b-1-6) 상기 제1 포토 레지스트층을 제거하는 단계;
(b-1-7) 상기 희생층 상에 제1-2 도금층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 7에 있어서,
상기 (b-2) 단계는,
상기 제1-2 도금층 상에 제2 도금층을 형성하는 단계;를 포함하는 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 7에 있어서,
상기 제1-2 도금층 및 상기 제2 도금층은,
상기 희생층의 상면의 외측 둘레 부분에 형성되는 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 7에 있어서,
상기 (c) 단계는,
(c-1) 상기 희생층 상에 잔여한 포토 레지스트를 제거하는 단계; 및
(c-2) 상기 희생층을 에칭하는 단계;를 포함하는 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 (a) 단계는,
(a-1) 상기 성장 기판 상에 도전층을 증착하는 단계; 및
(a-2) 상기 도전층 상에 상기 희생층을 도금하는 단계;를 포함하는 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 3에 있어서,
상기 (b) 단계는,
(b-a) 상기 컨택트 캐리어의 적어도 일 부분을 구성하는 소정의 두께의 제1 도금층을 적층하는 단계, 및
(b-b) 상기 제1 도금층 상에 상기 컨택트 캐리어의 적어도 일 부분, 및 상기 컨택트 프로브를 구성하는 제2 도금층을 적층하는 단계; 를 포함하는 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 12에 있어서,
상기 (b-a) 단계는,
(b-a-1) 상기 희생층 상에 제1 포토 레지스트층을 형성하는 단계;
(b-a-2) 상기 제1 포토 레지스트층 상에 제1 광 마스크를 배열하는 단계;
(b-a-3) 상기 제1 포토 레지스트층을 노광하는 단계;
(b-a-4) 상기 제1 포토 레지스트층을 현상하여 상기 제1 포토 레지스트층의 적어도 일부가 제거된 제1 제거 영역을 형성하는 단계;
(b-a-5) 상기 제1 제거 영역에 전기 전도성 재료를 도금하여 상기 컨택트 캐리어의 적어도 일 부분을 형성하는 상기 제1 도금층을 형성하는 단계; 를 포함하는 컨택트 장치 제조 방법.
청구항 13에 있어서,
상기 (b-b) 단계는,
(b-b-1) 상기 제1 도금층의 적어도 일 부분 및 상기 제1 포토 레지스트층 상에 컨택트 프로브를 구성하는 제2-1 도금층을 형성하는 단계; 및
(b-b-2) 상기 제1 도금층 상에 컨택트 캐리어를 구성하는 제2-2 도금층을 형성하는 단계;
를 포함하는 컨택트 장치 제조 방법.
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 의해서 제조된 컨택트 장치.