JP4452232B2

JP4452232B2 - プリント配線基板及びその製造方法

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Publication number: JP4452232B2
Application number: JP2005330909A
Authority: JP
Inventors: 真治平野
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
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Priority date: 2005-11-15
Filing date: 2005-11-15
Publication date: 2010-04-21
Anticipated expiration: 2025-11-15
Also published as: JP2007141975A

Description

本発明は、プリント配線基板及びその製造方法に係り、特には露光用マスクを設けた状態での露光及び現像を行う工程を経て導体のパターン形成を行うことを特徴とするプリント配線基板及びその製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化、高性能化に伴って電子部品の高密度実装化が要求されており、このような高密度実装化を達成するにあたり配線基板の多層化技術が重要視されている。多層化技術を用いた具体例としては、スルーホール部を設けたコア基板の片面または両面に、層間絶縁層及び導体を交互に積層形成したビルドアップ層を設けたプリント配線基板（いわゆるビルドアップ配線基板）がよく知られている。この種のプリント配線基板におけるビルドアップ層は、例えば以下のようなビルドアッププロセスを経て作製することができる。

まず層間絶縁層上における全体に銅めっき等により導体層を形成した後、その導体層上にマスク形成用の感光性樹脂層を形成する。次に、マスクパターンが描画された露光用マスクを感光性樹脂層上に配置し、この状態で露光及び現像を行うことにより、開口部を有するめっきレジストを形成する。この後、銅めっきを行うことにより、導体層上にめっき層を形成する。めっき工程後にめっきレジストを除去した後、めっき層を残しつつ導体層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、所望形状の導体パターンを形成する。この後、パターニングされた導体上にさらに層間絶縁層を形成し、ビア穴明けを行った後、銅めっきを行ってビア導体及び導体層を形成する。そして、このようなプロセスを必要に応じて複数回繰り返すことにより、ビルドアップ層を多層化していく。なお、このようなビルドアッププロセスについては、従来いくつかの例がある（例えば、特許文献１参照）。
特開平９−２１４１３８号公報

ところで、通常、ビルドアップ層におけるチップ搭載領域内には、フリップチップの各端子に接続されるべき多数の端子接続パッドが密集して配置されている。このチップ搭載領域の内層においては、当該端子接続パッドに対応して同様に多数の内層パッド（便宜上、第１パッドと呼ぶ。）が密集して配置されている。また、ビルドアップ層の内層においては、電源層またはグランド層として機能する広面積導体領域（いわゆるベタパターン）が設けられている場合もある。

ここで、複数の第１パッドにより包囲された領域内に導体（便宜上、第２パッドと呼ぶ。）が存在している場合を想定する。また、上記のような第１パッド群、第２パッド及び広面積導体領域が同一面内に存在するとともに、第２パッドと広面積導体領域とが、隣接する第１パッド間に位置するブリッジ部を介して電気的に接続されている場合を想定する。このような場合、第１パッド同士の配置ピッチが狭くなると、絶縁用のクリアランスを確保するためにブリッジ部の幅も狭くする必要性が生じる。また、露光用マスクを配置した状態で露光及び現像を行いさらにエッチングを行うプロセスでは、マスクパターンの設計値に比べて、実際に得られる導体パターンの幅寸法のほうが若干小さくなる傾向がある。従ってこれらの事情からすると、上記の構造では、狭くなったブリッジ部（特にブリッジ部のくびれ部分）にオープン不良が発生しやすくなる。それゆえ、オープン不良の増加によって電気検査歩留まりが低下するという問題があった。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、オープン不良の発生率が低くなるため、電気検査歩留まりを向上させることができるプリント配線基板及びその製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するための手段（手段１）としては、導体と層間絶縁層とを交互に積層してなり、複数の端子接続パッドを密集して配置してなる半導体集積回路チップ搭載領域が表層に設けられたビルドアップ層における内層導体として、前記半導体集積回路チップ搭載領域の内層において前記複数の端子接続パッドに対応して配置され、前記複数の端子接続パッドとビア導体を介して接続され、その直径が前記ビア導体の直径よりも大きい複数の第１パッドと、前記複数の第１パッドに包囲され、内層側にビア導体が接続されていない第２パッドと、電源層またはグランド層として機能する広面積導体領域と、前記第２パッドを前記広面積導体領域に対して接続し、等しい幅を有する直線状の導体部であって、前記複数の第１パッドとの間にクリアランスが確保されている補強ブリッジ部とを備え、４つ以上の前記第１パッドにより１つの前記第２パッドを包囲するとともに、前記第２パッドに隣接した異なる位置に２つ以上ある前記補強ブリッジ部を介して、当該第２パッドを前記広面積導体領域に対して接続したことを特徴とするプリント配線基板がある。

従って、この手段１に記載の構成によると、等しい幅を有する直線状の導体部をブリッジ部（補強ブリッジ部）としているため、ブリッジ部にくびれ部分ができず、オープン不良が起こりにくくなる。また、補強ブリッジ部と複数の第１パッドとの間にはクリアランスが確保されているため、ショート不良も起こりにくい。従って、電気検査歩留まり性のよいプリント配線基板を実現することができる。

上記手段１における複数の第１パッド、第２パッド、広面積導体領域及びブリッジ部は、いずれもビルドアップ層における内層導体の一部であって、一般的には半導体集積回路チップが搭載されるべき領域内に位置している。

複数の第１パッドの上面側及び下面側の少なくともいずれかには、通常、ビア導体が接続している。第１パッドの平面視形状は特に限定されないが、例えば円形状や楕円形状などが一般的であり、好ましくは円形状である。即ち、ビア導体と第１パッドとの位置合わせの便宜上、両者は相似の断面形状を有していることがよい。このような第１パッドの直径は、ビア導体の直径よりも大きい値に設定されている。例えば、ビア導体の直径が５０μｍであるような場合、第１パッドの直径は６０μｍ〜１００μｍ程度に設定されることがよい。また、ビア導体の直径が３０μｍであるような場合、第１パッドの直径は４０μｍ〜８０μｍ程度に設定されることがよい。複数の第１パッドの周囲には、他の導体との絶縁を図るために所定幅のクリアランスがそれぞれ確保されている。また、隣接する複数の第１パッド同士の中心間距離（即ちパッドピッチ）の最小値は限定されないが、例えば５０μｍ〜１５０μｍ程度に設定される。

第２パッドは、少なくとも４つ以上の第１パッドにより包囲されている。この場合、第２パッドは広面積導体領域に対して１つのブリッジ部を介して接続されていてもよく、異なる位置にある２つ以上のブリッジ部を介して接続されていてもよい。

広面積導体領域とは、いわゆるベタパターンと呼ばれる導体領域であって、電源層またはグランド層として機能するものを指す。ここでいう広面積導体領域は、第１パッド及び第２パッドの面積に比べて少なくとも数倍大きい面積を有している。

ブリッジ部は、隣接する２つの第１パッド間に位置する導体部であって、第２パッドと広面積導体領域とを接続している。従来技術における一般的なブリッジ部は、その中央にくびれ部分を有していたが、手段１におけるブリッジ部（補強ブリッジ部）はこのようなくびれ部分を有さず、等しい幅を有する直線状の導体部となっている。この場合、手段１における補強ブリッジ部の幅（即ち直線状の導体部の幅）は限定されないが、２０μｍ以上であることがよく、特には２０μｍ以上５０μｍ以下であることがよい。即ち、この幅が２０μｍ未満であると、オープン不良の発生率を十分に低くできないおそれがある。また、この幅が５０μｍを超えると、オープン不良の発生率を低減できる一方で、ビルドアップ層の微細化が達成しにくくなる。

補強ブリッジ部と第１パッドとの間に確保されるクリアランスの幅は限定されないが、１５μｍ以上であることがよく、特には１５μｍ以上５０μｍ以下であることがよい。即ち、この幅が１５μｍ以下であると、ショート不良の発生率を十分に低くできないおそれがある。また、この幅が５０μｍを超えると、ショート不良の発生率を低減できる一方で、ビルドアップ層の微細化が達成しにくくなる。

上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、導体と層間絶縁層とを交互に積層してなるビルドアップ層における内層導体として、平面視円形状を呈する直径１００μｍ以下の複数の第１パッドと、前記複数の第１パッドに包囲され、内層側にビア導体が接続されていない第２パッドと、電源層またはグランド層として機能する広面積導体領域と、前記第２パッドを前記広面積導体領域に対して接続し、２０μｍ以上５０μｍ以下の等しい幅を有する直線状の導体部であって、前記複数の第１パッドとの間に１５μｍ以上５０μｍ以下のクリアランスが確保されている補強ブリッジ部とを備えたことを特徴とするプリント配線基板がある。

また、上記課題を解決するための別の手段（手段３）としては、開口部を有するめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、前記レジスト形成工程後にめっきを行うことにより、導体層上にめっき層を形成するめっき工程と、前記めっきレジストを除去するレジスト除去工程と、前記めっき層を残しつつ前記導体層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、複数の第１パッド、前記複数の第１パッドに包囲された第２パッド、電源層またはグランド層として機能する広面積導体領域、及び、前記第２パッドと前記広面積導体領域とを接続するブリッジ部を形成するエッチング工程とを含むビルドアップ法により形成されるプリント配線基板の製造方法であって、前記第２パッドと前記広面積導体領域とがブリッジ部のみを介して接続されている場合に、補強ブリッジ部の形成のためにめっきレジストの開口部を等しい幅を有する直線状に設定することを特徴とするプリント配線基板の製造方法がある。

従って、手段３に記載の製造方法によれば、第２パッドと広面積導体領域とが第１パッドの半径以下のブリッジ部のみを介して接続されている場合には、当該ブリッジ部にオープン不良が起こりやすいため、その位置に対応するめっきレジストの開口部を等しい幅を有する直線状に設定する。このような設定にしてめっき工程、レジスト除去工程及びエッチング工程を行うことで、等しい幅を有する直線状の補強ブリッジ部を形成することができる。この場合に形成される補強ブリッジ部はくびれ部分を有しないため、オープン不良の発生率が低くなり、電気検査歩留まりが向上する。

以下、手段３にかかるプリント配線基板の製造方法を詳細に説明する。なお、上記プリント配線基板は、基本的にレジスト形成工程、めっき工程、レジスト除去工程及びエッチング工程を含むビルドアップ法により形成される。

レジスト形成工程を実施する場合、それに先立って、導体層上にマスク形成用の感光性樹脂層を形成する感光性樹脂層形成工程を行ってもよい。前記導体層としては特に限定されないが、例えば銅めっき層が好適である。

レジスト形成工程では、所定位置に開口部を有するめっきレジストを形成する。ここで所定位置とは、例えば、ビルドアップ層の内層導体である複数の第１パッド、第２パッド、広面積導体領域及びブリッジ部の形成予定位置のことを指す。なお、レジスト形成工程を実施する場合には、マスクパターンが描画された露光用マスクをあらかじめ準備する必要がある。そして、この露光用マスクを感光性樹脂層上に配置した状態で露光及び現像を行い、所定位置に開口部を形成する。

前記第２パッドと前記広面積導体領域とが第１パッドの半径以下（好ましくは最小幅２０μｍ未満）のブリッジ部のみを介して接続されるような場合、当該ブリッジ部の形成予定位置に配置されるめっきレジストの開口部を、等しい幅を有する直線状に設定することがよい。この場合、設定後における直線状の開口部は、少なくとも設定前における当該ブリッジ部の最小幅よりも大きくなるようにする。

別の言い方をすると、前記第２パッドと前記広面積導体領域とが第１パッドの半径以下（好ましくは最小幅２０μｍ未満）のブリッジ部のみを介して接続されるような場合、当該ブリッジ部の形成予定位置に配置される前記マスクパターンの幅を、等しい幅を有する直線状に設定する。この場合、設定後における直線状のマスクパターンは、少なくとも設定前における当該ブリッジ部の最小幅よりも大きくなるようにする。

このようなめっきレジストの開口部（またはマスクパターン）の幅の設定変更は、上記条件を満たすブリッジ部について一律に行われてもよいが、そうでなくてもよい。その具体例を挙げると、例えば、第２パッドの内層側にビア導体が接続されていないブリッジ部についてのみ設定変更を行う一方、第２パッドの内層側にビア導体が接続されているブリッジ部については設定変更を行わないようにしてもよい。つまり、ビア導体が接続している第２パッドの場合、ブリッジ部がショートしたとしても、ビア導体との間で接続が確保されていれば、機能上特に問題がないことも多いからである。

めっき工程では、前記レジスト形成工程後にめっきを行うことにより、前記導体層上にめっき層を形成する。この工程におけるめっきとしては特に限定されないが、例えば銅めっきが好適である。

レジスト除去工程では、例えばレジストを溶解しうる溶液を処理して前記めっきレジストを除去することにより、導電層を露出させる。

エッチング工程では、エッチング液を用いて処理することにより、前記めっき層を残しつつ前記導体層を部分的に除去しうる条件でエッチングを行う。この処理を行うと、つながっていた導体層が所定箇所で切り離されて、複数の第１パッド、前記複数の第１パッドに包囲された第２パッド、電源層またはグランド層として機能する広面積導体領域、及び、前記第２パッドと前記広面積導体領域とを接続するブリッジ部がそれぞれ形成される。

そして、上記の各工程を必要に応じて繰り返すことにより所望構造のビルドアップ層が形成される。

また、前記複数の第１パッドと前記狭いブリッジ部との間にはクリアランスが設けられ、そのクリアランスの最小幅を１５μｍ以上確保するように設定することがよい。このため、前記クリアランスの形成予定位置に配置されるめっきレジストの幅を１５μｍ以上確保するように設定する。別の言い方をすると、露光用マスクにおいて、前記複数の第１パッドの形成予定位置に配置されるマスクパターンと、前記狭いブリッジ部の形成予定位置に配置されるマスクパターンとの間の幅（即ちクリアランス形成予定位置の幅）を１５μｍ以上確保するように設定する。

以下、本発明を具体化した実施形態のプリント配線基板及びその製造方法を図１〜図１２に基づき説明する。

図２に示されるように、このプリント配線基板１１は、両面にビルドアップ層３０を備える両面ビルドアッププリント配線基板である。プリント配線基板１１を構成するコア基板１２は、平面視で略矩形状の板状部材であり、第１主面である上面１３及び第２主面である下面（図示略）を有している。コア基板１２における複数箇所には、上面１３及び下面を貫通するスルーホール部１５が形成されている。これらのスルーホール部１５は、上面１３及び下面にて開口する貫通孔１６の内壁面に無電解銅めっきからなるスルーホールめっき１７を設けた構造を有している。スルーホール部１５内には充填材の硬化体１８が充填されている。ここでは充填材として、エポキシ樹脂をベースとしてそれに硬化剤及びフィラーを添加したペーストを用いている。スルーホール部１５における開口部には銅めっき層からなる蓋状導体２２が形成され、その結果スルーホール部１５が塞がれている。なお、コア基板１２においてスルーホール部１５のない箇所には、銅めっき層からなる第１内層導体２５が形成されている。

図２に示されるように、コア基板１２の上面１３上にはビルドアップ層３０を構成する層間絶縁層３１が形成されている。層間絶縁層３１はその厚さが約３０μｍであって、例えば連続多孔質ＰＴＦＥにエポキシ樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる。第１層めの層間絶縁層３１の表面上には第２内層導体（即ち第１パッド５１、第２パッド５２、広面積導体領域５３及び補強ブリッジ部５４）が形成されている。第１層めの層間絶縁層３１における所定箇所、例えば第１パッド５１の直下部には、直径約３０μｍのビア凹部４１が設けられている。ビア凹部４１内には電解銅めっきが充填され、これによって第１内層導体２５と第２内層導体とを導通するビア導体４２が形成されている。

第１層めの層間絶縁層３１の表面上には、第２層めの層間絶縁層６１が形成されている。層間絶縁層６１はその厚さが約３０μｍであって、例えば連続多孔質ＰＴＦＥにエポキシ樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる。第２層めの層間絶縁層６１の表面上には、外層導体である端子接続パッド６２が多数形成されている。第２層めの層間絶縁層６１における所定箇所、例えば端子接続パッド６２の直下部には、直径約３０μｍのビア凹部７１が設けられている。ビア凹部７１内には電解銅めっきが充填され、これによって第２内層導体と外層導体とを導通するビア導体７２が形成されている。第２層めの層間絶縁層６１の表面上にはソルダーレジスト８１が形成されるとともに、ソルダーレジスト８１に設けられた開口部を介して端子接続パッド６２が外部に露出されている。

図３には補強対策を講じていないブリッジ部５４ａを有する第２内層導体６０が示され、図１，図５には補強対策を施したブリッジ部５４ａ（つまり補強ブリッジ部５４）を有する第２内層導体６０が示されている。プリント配線基板１１における第１層めの層間絶縁層３１の表面上には、複数の第１パッド５１が密集して形成されている。これらの第１パッド５１は直径約６０μｍ〜７０μｍの平面視円形状であり、個々の第１パッド５１の周囲は絶縁のためのクリアランス９１により取り囲まれている。隣接する２つの第１パッド５１同士の間には、ブリッジ部５４，５４ａが形成されている。図１，図５に示す補強ブリッジ部５４は等しい幅を有する直線状である一方、図３に示す補正前のブリッジ部５４ａは幅が等しくなく中央にくびれ部分を有している。本実施形態では、補強前のブリッジ部５４ａにおけるくびれ部分の幅（即ち最小幅）は約１５μｍ、補強ブリッジ部５４の幅は約２１μｍとなっている。

図１，図３において６つの第１パッド５１により包囲される領域には、第２パッド５２が形成されている。第２パッド５２は、電源層またはグランド層として機能する広面積導体領域５３に対し、ブリッジ部５４，５４ａを介して接続されている。また、ブリッジ部５４ａと第１パッド５１との間に確保されるクリアランス９１の最小幅は約２０μｍとされ（図３参照）、補強ブリッジ部５４と第１パッド５１との間に確保されるクリアランス９１の最小幅は約１７μｍとされている（図１，図５参照）。

図４には、本実施形態で使用される露光用マスク１０１が示されている。この露光用マスク１０１は、透明なガラス板１０５と、そのガラス板１０５の一方の面上に描画された光不透過のインク層１０３，１０４とからなる。そして、これらのインク層１０３，１０４によりマスクパターン１０２が形成されている。図４において左高右低のハッチングが付された領域は補強前からある既存のインク層１０３を示し、右高左低のハッチングが付された領域は新たに追加した補強用インク層１０４を示している。即ち、補強用インク層１０４は補強ブリッジ部５４を形成するための箇所に対応して設けられている。このような補強用インク層１０４は、等しい幅を有する長方形部と、その長方形部の両端に位置する半円形部とを組み合わせて形成されている。補強用インク層１０４の長さは、第１パッド５１の直径の１．５倍以上２．０倍以下に設定されている。そして、この補強用インク層１０４は、隣接する２つの第１パッド５１の中心点Ｏ１を結ぶ直線Ｌ１に直交するような状態で配置されている。なお、補強用インク層１０４の長さが第１パッド５１の直径の２．０倍を超えると、近くにあるクリアランス９１にかかってしまう可能性があるからである。逆に、補強用インク層１０４の長さが第１パッド５１の直径の１．５倍よりも小さいと、描画時における補強用インク層１０４の位置合わせ精度を高くする必要があるからである。

次に、本実施形態のプリント配線基板１１の製造方法について述べる。

所定のコア基板１２を用意し、これに対して孔あけ、スルーホールめっき１７の形成、充填材の充填、蓋めっき等を行う。そして、第１内層導体２５のパターニングを行った後、第１層めの層間絶縁層３１の形成、ビア穴あけ、銅めっき等を行うことにより、第１層めの層間絶縁層３１内にビア導体４２を形成するとともに、第１層めの層間絶縁層３１上に導体層としての第１銅めっき層１１１を全体的に形成する（図６参照）。

続くレジスト形成工程では、まず第１銅めっき層１１１上にマスク形成用の感光性樹脂層１１２を形成する（図７参照）。本実施形態では感光性を付与したエポキシ樹脂を用いている。次に、図４の露光用マスク１０１を用意し、これを感光性樹脂層１１２上に積層配置する。このとき、露光用マスク１０１においてマスクパターン１０２が形成されている面の側を、感光性樹脂層１１２上に密着させるようにする（図８参照）。

次に、露光用マスク１０１を介して紫外線を所定時間だけ照射（露光）し、未硬化の感光性樹脂層１１２を部分的に光硬化させる。その後、現像を行うことにより、所定箇所に開口部１１４を有するめっきレジスト１１３を形成する（図９参照）。この開口部１１４は、第２内層導体である複数の第１パッド５１、第２パッド５２、広面積導体領域５３及び補強ブリッジ部５４の形成予定位置に存在している。なお、このとき補強ブリッジ部５４の形成予定位置に形成される開口部１１４は、その幅が補強前のものよりもいくぶん広くなる。

上記のようなレジスト形成工程後に実施されるめっき工程では、電解銅めっきを行って、第１銅めっき層１１１上における露出部分に第２銅めっき層１１５を形成する（図１０参照）。続くレジスト除去工程では、めっきレジスト１１３を溶解しうる溶液を処理してめっきレジスト１１３を溶解除去することにより、第１銅めっき層１１１層を露出させる（図１１参照）。

続くエッチング工程では、銅を溶解するエッチング液を用いてソフトエッチ処理を行うことにより、第２銅めっき層１１５を残しつつ第１銅めっき層１１１を部分的に除去する。このような条件設定でエッチング処理を行うと、つながっていた第１銅めっき層１１１が所定箇所で切り離されて、複数の第１パッド５１、第２パッド５２、広面積導体領域５３及び補強ブリッジ部５４がそれぞれ形成される。なお、このとき形成される補強ブリッジ部５４は、幅が補強前のものよりもいくぶん広くなる。

この後、第２層めの層間絶縁層６１の形成、ビア穴あけ、銅めっき等を行うことにより、第２層めの層間絶縁層６１内にビア導体７２を形成する。また、第２層めの層間絶縁層６１上にてパターニングを行って端子接続パッド６２を形成した後、ソルダーレジスト８１の形成を行い、ビルドアップ層３０を完成させる。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

露光用マスク１０１を配置した状態で露光及び現像を行いさらにエッチングを行うプロセスでは、マスクパターン１０２の設計値に比べて、実際に得られる導体パターンの幅寸法のほうが若干小さくなる傾向がある。それゆえ、このような構造では、狭くなったブリッジ部５４ａ（特にブリッジ部５４ａのくびれ部分）にオープン不良が発生しやすくなる。これに対して、本実施形態のプリント配線基板１１では、オープン不良の起こりやすい箇所であるブリッジ部５４ａにつき所定の補強対策を講じている。即ち、等しい幅を有する直線状の補強ブリッジ部５４としたことにより、補強ブリッジ部５４にくびれ部分ができず、オープン不良が起こりにくくなる。また、補強ブリッジ部５４と複数の第１パッド５１との間にはあらかじめ所定のクリアランス９１が確保されているため、ショート不良も起こりにくい。従って、電気検査歩留まり性のよいプリント配線基板１１を実現することができる。

また、本実施形態のプリント配線基板１１の製造方法では、いわばマスクパターン１０２における補強ブリッジ部５４の形成予定位置を広くする補強を行ったうえで、露光工程、現像工程、めっき工程、レジスト除去工程及びエッチング工程等を行うこととしている。従って、等しい幅を有する直線状の補強ブリッジ部５４を、比較的容易にかつ確実に形成することができる。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）第１銅めっき層上にマスク形成用の感光性樹脂層を形成する感光性樹脂層形成工程と、マスクパターンが描画された露光用マスクを前記感光性樹脂層上に配置した状態で露光及び現像を行うことにより、開口部を有するめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、前記レジスト形成工程後にめっきを行うことにより、前記第１銅めっき層上にそれよりも厚い第２銅めっき層を形成するめっき工程と、前記めっきレジストを除去するレジスト除去工程と、前記第２銅めっき層を残しつつ前記第１銅めっき層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、複数の第１パッド、前記複数の第１パッドに包囲された第２パッド、電源層またはグランド層として機能する広面積導体領域、及び、前記第２パッドと前記広面積導体領域とを接続するブリッジ部を形成するエッチング工程とを含むビルドアップ法により形成されるプリント配線基板の製造方法であって、前記第２パッドと前記広面積導体領域とが第１パッドの半径以下のブリッジ部のみを介して接続されている場合に、補強ブリッジ部の形成のためにめっきレジストの開口部を等しい幅を有する直線状に設定することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。

（２）第１銅めっき層上にマスク形成用の感光性樹脂層を形成する感光性樹脂層形成工程と、マスクパターンが描画された露光用マスクを前記感光性樹脂層上に配置した状態で露光及び現像を行うことにより、開口部を有するめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、前記レジスト形成工程後にめっきを行うことにより、前記第１銅めっき層上にそれよりも厚い第２銅めっき層を形成するめっき工程と、前記めっきレジストを除去するレジスト除去工程と、前記第２銅めっき層を残しつつ前記第１銅めっき層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、複数の第１パッド、前記複数の第１パッドに包囲された第２パッド、電源層またはグランド層として機能する広面積導体領域、及び、前記第２パッドと前記広面積導体領域とを接続するブリッジ部を形成するエッチング工程とを含むビルドアップ法により形成されるプリント配線基板の製造方法であって、前記第２パッドと前記広面積導体領域とが第１パッドの半径以下のブリッジ部のみを介して接続されている場合に、前記露光用マスクにおいて当該ブリッジ部の形成予定位置に配置される前記マスクパターンを、等しい幅を有する直線状に設定するとともに、そのマスクパターンの幅を所定のクリアランスを確保した状態で広くすることにより、当該ブリッジ部を補強することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。

（３）第１銅めっき層上にマスク形成用の感光性樹脂層を形成する感光性樹脂層形成工程と、マスクパターンが描画された露光用マスクを前記感光性樹脂層上に配置した状態で露光及び現像を行うことにより、開口部を有するめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、前記レジスト形成工程後にめっきを行うことにより、前記第１銅めっき層上にそれよりも厚い第２銅めっき層を形成するめっき工程と、前記めっきレジストを除去するレジスト除去工程と、前記第２銅めっき層を残しつつ前記第１銅めっき層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、平面視円形状を呈する直径１００μｍ以下の複数の第１パッド、前記複数の第１パッドに包囲された第２パッド、電源層またはグランド層として機能する広面積導体領域、及び、前記第２パッドと前記広面積導体領域とを接続するブリッジ部を形成するエッチング工程とを含むビルドアップ法により形成されるプリント配線基板の製造方法であって、前記第２パッドと前記広面積導体領域とが最小幅２０μｍ未満のブリッジ部のみを介して接続されている場合に、補強ブリッジ部の形成のためにめっきレジストの開口部を、２０μｍ以上５０μｍ以下の等しい幅を有する直線状に設定するとともに、前記複数の第１パッドと前記補強ブリッジ部との間に１５μｍ以上５０μｍ以下のクリアランスを確保することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。

本発明を具体化した実施形態のプリント配線基板において、ブリッジ部の補強対策を講じた後の第２内層導体を示す部分平面図。図１のプリント配線基板のＡ−Ａ線における概略断面図。プリント配線基板において、ブリッジ部の補強対策を講じる前の第２内層導体を示す部分平面図。本実施形態にて使用する露光用マスクを示す概略図。実施形態のプリント配線基板において、ブリッジ部の補強対策を講じた後の第２内層導体を示す要部拡大平面図。本実施形態のプリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。本実施形態のプリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。本実施形態のプリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。本実施形態のプリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。本実施形態のプリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。本実施形態のプリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。本実施形態のプリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。

符号の説明

１１…プリント配線基板
２５…導体としての第１内層導体
３０…ビルドアップ層
３１，６１…層間絶縁層
４２…ビア導体
５１…第１パッド
５２…第２パッド
５３…広面積導体領域
５４…補強ブリッジ部
５４ａ…（補強前の）ブリッジ部
６０…導体としての第２内層導体
６２…導体としての端子接続パッド
９１…クリアランス
１１１…導体層としての第１銅めっき層
１１３…めっきレジスト
１１４…開口部
１１５…めっき層としての第２銅めっき層

Claims

導体と層間絶縁層とを交互に積層してなり、複数の端子接続パッドを密集して配置してなる半導体集積回路チップ搭載領域が表層に設けられたビルドアップ層における内層導体として、
前記半導体集積回路チップ搭載領域の内層において前記複数の端子接続パッドに対応して配置され、前記複数の端子接続パッドとビア導体を介して接続され、その直径が前記ビア導体の直径よりも大きい複数の第１パッドと、
前記複数の第１パッドに包囲され、内層側にビア導体が接続されていない第２パッドと、
電源層またはグランド層として機能する広面積導体領域と、
前記第２パッドを前記広面積導体領域に対して接続し、等しい幅を有する直線状の導体部であって、前記複数の第１パッドとの間にクリアランスが確保されている補強ブリッジ部と
を備え、
４つ以上の前記第１パッドにより１つの前記第２パッドを包囲するとともに、前記第２パッドに隣接した異なる位置に２つ以上ある前記補強ブリッジ部を介して、当該第２パッドを前記広面積導体領域に対して接続した
ことを特徴とするプリント配線基板。
前記第２パッドと前記広面積導体領域とが２０μｍ以上の幅の補強ブリッジ部のみを介して接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
前記複数の第１パッドと前記補強ブリッジ部との間にはクリアランスが設けられ、そのクリアランスの最小幅を１５μｍ以上確保することを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線基板。
開口部を有するめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記レジスト形成工程後にめっきを行うことにより、導体層上にめっき層を形成するめっき工程と、
前記めっきレジストを除去するレジスト除去工程と、
前記めっき層を残しつつ前記導体層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、複数の第１パッド、前記複数の第１パッドに包囲された第２パッド、電源層またはグランド層として機能する広面積導体領域、及び、前記第２パッドと前記広面積導体領域とを接続するブリッジ部を形成するエッチング工程と
を含むビルドアップ法により形成される請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント配線基板の製造方法であって、
前記第２パッドと前記広面積導体領域とがブリッジ部のみを介して接続されている場合に、補強ブリッジ部の形成のためにめっきレジストの開口部を等しい幅を有する直線状に設定する
ことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。