KR100963369B1 - 통전핀, 그의 통전핀 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 MEMS 프로세스를 이용하여 2D블레이드형상 통전핀, 3D캔틸레버 형상 통전핀 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 통전핀에 응력변형을 감소시키는 응력감쇄편과 프로브 접촉마크가 동일지점에 형성되도록 하는 직진유지편 기능을 갖는 형상을 부가하고, 연결부에는 안정적인 접합과 통전을 위한 형상을 형성한 것이다.

응력감쇄편, 직진유지편, 통전편, 접합편

Description

통전핀, 그의 통전핀 제조방법{Electric Conduction pin, method of manufacturing the Electric conduction pin}

본 발명은 반도체칩 검사용 통전핀 관한 것으로서, 통전핀을 MEMS 공정으로 2D블레이드 형상의 통전핀과 3D캔틸레버 형상의 통전핀을 제조하고, 통전핀에 기능성을 부가하여 응력변형에도 정확한 반도체칩을 검사할 수 있는 프로브카드용 통전핀을 제공하는 것이다.

주지하는 바와같이 전기적전도체에 통전핀이 조립된 프로브카드는 웨이퍼에 패턴이 형성된 반도체칩의 불량유무를 검사하는 장치로서 프로버장비에 장착되어 사용되는 것이며, 상기 전기적전도체에 조립되는 통전핀은 금속박판을 가공하여 블레이드팁으로 사용하거나, Mirco Electric Mechanical System(MEMS)프로세스인 CVD공정,리소그래피공정,식각공정,금속도금공정,평탄화공정(CMP),잔유물제거 및 세척공정을 이용하여 2D블레이드 형상의 통전핀과 3D캔틸레버 형상의 통전핀을 미세하고 균일하게 제작하여 사용되는 것이다.

도1a(가 내지 바)은 종래의 프로브카드의 통전핀들이 반도체칩패드에 접촉시 프로브 접촉마크는 동일지점에 접촉이 않되고 산발적으로 불규칙하게 접촉되며, 프 로브 접촉마크 크기는 일률적이지 않게 반도체칩패드에 프로브 접촉마크가 생기는 것을 보여주는 것이다.

상기 불규칙한 프로브 접촉마크는 통전핀들이 반도체칩패드 중앙검사위치에 접촉시에 통전핀들은 반도체칩패드에 사선으로 진입하여 스크러빙되거나, 또한 빔부영역 내측전체가 개구된 빔부는 침부단면이 반도체칩패드에 접촉시 침압이 허용범위를 벗어나면 빔부의 상측암부와 하측암부는 서로 이격되여 접촉하여 통전핀들의 침부단면이 동일지점에 접촉이 않되고 프로브 접촉마크는 반도체칩패드 중앙위치를 벗어나 산발적으로 프로브 접촉마크가 발생되고 접촉마크 크기는 일률적이지 않게 된다.

상기 불규칙한 프로브 접촉마크 문제는 반도체칩의 패드사이즈가 작아짐에 정확한 반도체칩 검사에 문제가 될 수 있는 것이다. 또한 프로브카드는 검사조건에 따라 일정량의 오버드라이브를 부여하여 반도체칩을 검사하는데 프로버장비의 프로브카드 장착헤드와 프로브카드의 평탄도에 따라 통전핀 침부단면이 반도체칩패드에 접촉시 과도한 응력변형이 통전핀의 빔부에서 연결부에 발생한다.

과도한 침압은 과도한 응력변형이 발생되며 웨이퍼가 받는 허용하중이 초과하여 웨이퍼는 데미지를 받아 깨어지거나 통전핀 침부단면이 패드에 깊게 접촉하여 회로패턴이 손상 될 수 있다.

도1b(가 와 나)은 프로브카드의 통전핀들이 반도체칩패드에 접촉시 프로브 접촉마크가 동일지점에 일정한크기로 접촉되는 것을 보여주는 것이다.

도2a는 종래의 통전핀이 반도체칩패드에 침부단면이 접촉시에 통전핀에 응력 변형이 많게 발생된 분포와 통전핀이 접촉후 상하 운동시 비틀려 동작된 것을 보여주는 것이다.

도2b는 본 발명의 기능성이 부가된 통전핀이 반도체칩패드에 침부단면이 접촉시 통전핀에 응력변형이 적게 발생된 분포와 통전핀 침부가 접촉후 상하 운동시 비틀리지 않고 수직으로 동작된 것을 보여주는 것이다.

본 발명의 목적은 통전핀 침부단면이 반도체칩패드 접촉시 접촉마크가 동일지점에 접촉되는 기능을 갖는 것과 응력변형이 적게 발생되는 통전핀과 빔부는 비틀림없이 상하 수직으로 동작되는 것.

종래의 통전핀보다 침부단면이 반도체칩패드 접촉시 접촉마크 크기는 더작고 동일하며, 반복 접촉시에도 접촉마크는 동일위치에 표시되며, 접촉마크 깊이는 더얕고 또한 프로브카드 통전핀 조립성은 X,Y,Z축은 더정밀하게 될 수 있는 통전핀.

본 발명의 실시예에 따라 1.통전핀의 침부단면이 반도체칩패드에 접촉시 발생되는 압력에 따른 응력변형을 통전핀 빔부의 일단에서 연결부일단에 응력감쇄편을 부가하여 웨이퍼에 걸리는 전체하중을 적게하고, 통전핀의 침부단면이 반도체칩패드에 접촉시 접촉깊이를 얕게하여 접촉으로 인한 칩패드 잔재물이 침부단면에 적게붙어 접촉저항을 적게할수 있으며, 또한 접촉밀림길이를 짧게하여 칩패드 사이즈가 작아지는 것에 대응할 수 있는 것.

2.통전핀의 연결부 일단에 형성된 직진유지편을 중앙부를 절단하여 침부단면이 반도체칩패드 접촉시 접촉마크가 동일지점에 접촉되는 기능을 갖는 것.

3.통전핀 연결부 상측에 장착지지편 또는 장착정합편을 형성하여 장착과 정합을 쉽게하고 통전편을 형성하여 전기적전도체 접속홀에 쉽게 접합과 탈착을 할수있는 것과, 다른 접합방법은 연결부 상측단을 2단 단차지게 접합편을 형성하여 통전핀이 반도체칩패드에 침부단면이 접촉시 통전핀 침부단면이 흔들림없이 안정적으로 접촉하며 2단 단차 접합편은 우측접합편 또는 좌측접합편으로 하여 전기적전도체에 배선패턴 배열에 따라 지그재그로 접합편을 접합하여 접합시 이웃접합편에 접합간섭을 방지 할수 있는 것.

4.MEMS 프로세스를 이용하여 2D블레이드형 통전핀과 3D캔틸레버형 통전핀등의 다양한 통전핀 형상을 정밀하게 제조하고 다양한 방법으로 제조하는 것.

본 발명은 12인치이상 웨이퍼에 회로패턴이 형성된 반도체 칩을 1번에 검사 할수 있는 프로브카드의 통전핀이 반도체칩 검사시 칩패드에 접촉할때 부여되는 오버드라이브에 의한 침압을 빔부에서 연결부에 발생되는 응력변형을 최소한으로 발생하게하는 응력감쇄편을 부가하여 웨이퍼에 걸리는 전체 통전핀에서 발생된 하중을 축소하고, 통전핀 침부단면이 칩패드 접촉시 발생되는 접촉 깊이를 얕게하여 접촉으로 인한 칩패드 잔재물이 적게붙어 접촉저항을 적게할 수 있으며, 또한 접촉밀림길이를 작게하여 칩패드 사이즈가 작아지는 것에 대응할 수 있다. 또한 연결부 일측에 직진유지부를 형성하여 침부단면이 칩패드 접촉시 접촉마크가 동일지점에 접촉되는 기능을 갖는 유용한 발명인 것이다.

이하 본 발명의 실시예와 통전핀(10) 제조방법으로부터 얻게 되는 특유의 효과등에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 하기와 같다.

본 발명에서 설명의 편의상 통전핀의 부호를 부여하였으며, 프로브카드 구조와 용도에 따라 통전핀 형상을 통전핀(10)과 통전핀(30)과 통전핀(40)으로 구분하였다.

실시예1

통전핀(10)은 도 3a 내지 도 3c에 도시한 바와같은 형상으로 이루어지는 것이다. 도 3a에서와 같은 통전핀(10)은 빔부 내측중앙단(11)에서부터 연결부(12) 내측에 응력감쇄편(13a)과 연결부(12)에 직진유지편(14a)을 형성하여 상기 응력감쇄편(13a)은 통전핀(10)이 반도체칩 검사시 칩패드에 접촉할때 부여되는 오버드라이브에 의한 침압을 빔부에서 연결부(12)에 발생되는 응력변형을 최소한으로 발생하게 하여 웨이퍼에 걸리는 전체하중을 줄이고, 침부단면이 칩패드에 접촉시 발생되는 접촉 깊이를 얕게하여 접촉으로 인한 잔재물이 침부단면에 적게 붙어 접촉저항을 적게할 수 있으며, 또한 침부단면이 칩패드에 접촉시(Scrubing)에 접촉밀림길이를 작게하여 칩패드 사이즈가 작아지는 것에 대응할 수 있는 것이다.

상기 빔부 내측중앙단(11)에서부터 연결부(12) 내측에 형성되는 응력감쇄편 형상은 도 3a의 (13a)형상, 도 3b의(13b)형상, 도 3c의(13c) 형상으로 형성되는 것이다.

상기 응력감쇄편(13a,13b,13c)은 응력변형을 감소시키는 것이며 요구되는 침압에 따라 응력감쇄편 형상이 결정된다.

상기 도 3b와 같은 통전핀(10)의 응력감쇄편(13b) 형상과 상기 도 3c와 같은 통전핀(10)의 응력감쇄편(13c) 형상은 다르더라도 도 3a와 같은 통전핀(10)의 기능과 특성과 목적은 같은 것이다.

도 4b와 같은 통전핀(10)은 연결부(12) 외측일단에 형성된 직진유지편의 외측중앙부가 절단된 직진유지편(14b)형상으로 되는 것이다.

도 4c와 같은 통전핀(10)은 연결부(12) 외측일단에 형성된 직진유지편의 내측중앙부가 절단된 직진유지편(14c)형상으로 되는 것이다.

상기 외측중앙부가 절단된 직진유지편(14b)과 상기 내측중앙부가 절단된 직진유지편(14c)은 응력변형을 절단부에서 감소시키고 또한 통전핀(10)의 침부단면이 반도체칩 패드 접촉시 사선진입을 방지하여 접촉마크가 동일지점에 접촉되는 기능을 갖는 것이다.

상기 응력감쇄편(13a,13b,13c) 형상과 직진유지편(14b,14c) 형상은 통전핀(10)의 침부단면이 반도체칩 패드에 접촉시 연결부(12)에서 응력을 감쇄시키는 것이다.

통전핀(40)은 도 6a 내지 도 6c에 도시한 바와같은 형상으로 이루어지는 것이다. 도 6a와 같은 통전핀(40)은 연결부(12) 상측일단부 좌측과 우측에 날개걸림돌기(15a)가 형성된 장착지지편(15)과 연결부(12) 상측 중앙에 날개고정돌기(18a)가 형성된 통전편(18)이 전기적전도체 접속홀에 삽입시 날개고정돌기(18a)가 통전 편 기둥요홈(18b)에 오므라들어 삽입되고 날개고정돌기(18a)가 삽입완료시에는 날개고정돌기(18a)가 탄성이있어 펴지는 것으로 전기적전도체 접속홀(미도시) 내측벽에 장착되는 통전편(18)을 형성하여 지지판(미도시)에 장착과 정열을 용이하게 할 수 있고, 전기적전도체 접속홀에 통전편(18)이 쉽게 삽입되며 안정적으로 장착과 고정되어 통전되는 것이다. 또한, 날개걸림돌기(15a)와 날개고정돌기(18a)의 날개 끝단은 하향으로 향하며, 날개걸림돌기(15a)는 장착지지편(15)의 기둥 요홈(15b)에 오무라들어 지지판 홀에 장착된후에 펴지는 것이다.

상기 날개지지편(15)과 날개장착돌기통전편(18)은 탄성력이 우수한 소재로 성형된다. 또한 상기 날개지지편(15)과 날개장착돌기 통전편(18)은 연결부(12)소재와 다른소재로 제조될 수 도 있는 것이다.

도 6b와 같은 통전핀(40)은 연결부(12) 상측 좌 우 양쪽은 상향으로된 끼움돌기편(16)을 형성하여 지지판 저면의 장착바 슬릿홈(미도시)에 끼어져 고정되는 것이다.

도 6c와 같은 통전핀(40)은 연결부(12) 상측 좌 우 양쪽은 하향으로된 요홈형상의 장착정합편(17)을 형성하여 지지판 정열돌기(미도시)에 정합되어 고정할 수 있는 것이다.

또한 상기 도 6b의 통전핀(40) 및 도 6c의 통전핀(40)은 빔부 내측중앙단에서(11)에서부터 연결부(12)내측에 또다른 응력감쇄편(13b,13c) 형상을 형성할 수 도 있다.

상기 통전핀(40)은 선정되는 지지판(미도시)과 장착바(미도시)에 따라 연결 부(12)상측에 형성된 장착지지편 형상과 끼움돌기편 형상과 장착정합편 형상이 결정되는 것이다.

도 7의 제조공정A는 실시예1의 통전핀(10) 제조를 설명하는 순서도이며 제조방법은 도 7a단계와 같이 통전핀은 MEMS 프로세스를 이용하고, 식각성이 좋은 100방향의 단결정의 실리콘기판으로 제조되며 실리콘기판은 표면을 세정하여 밀착성과 도포성능을 좋게한다.

다음으로, 실리콘기판을 상면을 CVD 또는 PVD공정으로 산화막을 증착한다.

다음으로, 상면위에 절연막을 증착한다 절연막은 통전핀 하부면 절연막으로된다.

도 7b단계와 같이 배리어막과 시드막을 형성한다. 배리어막으로는 Ti/Au을 증착하고, 그위에 시드막을 Ni합금, Ni 또는 Cu 중 어느하나를 사용하는 것이 바람직하다.

선정된 시드막은 통전핀 형상에 전도성극재를 매립하는 전해도금을 이용할 경우 금속이온을 환원하는 전자를 공급하기위한 시드층으로 필요하게된다.

도 7c단계와 같이 실리콘기판 상면에 포토레지스트을 균일하고,평탄하게 스핀코터장치를 이용하여 도포한다.

도 7d단계와 같이 SiO2 마스크, 또는 포토레지스트 마스크를 준비하고 포토레지스트가 도포된 실리콘기판의 용매를 증발시키기위해 프리베이크 하고 준비된 통전핀형상 마스크로 노광과 현상하여 희망하는 통전핀 형상을 패터닝한다.

도 7e단계와 같이 통전핀 형상을 포토레지스트를 음각에칭으로 제거한다.

도 7f단계와 같이 통전핀 형상홈에 전해도금에 의한 전도성극재 금속층 충전매립하는 도금을 실행한다.

도 7g단계와 같이 오버매립된 금속층을 연마한다. 연마는 화학적기계가공(CMP)공정으로 실행하는 것이 바람직하다.

도 7h단계와 같이 산화막과 잔재한 포토레지스트를 제거한다.SiO2의 마스크를 포토레지스트마스크로 사용시에는 SiO2포토레지스트마스크를 에싱에 의해 제거한다.

도 7i단계와 같이 통전핀 상부면 절연막을 증착 형성한다.

마지막으로 도 7j단계와 같이 실리콘기판에서 통전핀을 분리하고 세정하여 통전핀을 사용된다.

통전핀은 절연막/니켈합금/절연막으로 제조되며, 상기 통전핀의 니켈합금은 니켈-철-코발트,니켈-텅스텐-코발트,니켈-코발트,니켈-철,니켈-크롬,니켈-료듐,니켈-팔라듐 중 어느 하나로 선정되며 통전핀 사용조건에 가장부합되고 가장우수한 금속재질을 선정하여 미세하고 균일하고 희망하는 형상의 통전핀을 제조하는 것이다.

실시예2.

실시예2은 전술한 실시예1의 다른 제조방법으로 수행하는 것이며 희생기판을 Quartz기판 또는 sus기판 또는 ceramic기판 중에서 어느 하나을 기판으로 선정하고, 통전핀(10) 형상홈에 무전해도금으로 충전매립하여 통전핀(40)을 제조하거나 또는 스퍼터링으로 금속을 증착하여 통전핀(40)을 제조하는 것이다.

도 7의 제조공정B은 통전핀(40) 제조를 설명하는 실시예2의 순서도이며 제조방법은 Quartz판, 서스기판, 세라믹판중에서 선정한 기판 상면에 CVD 또는 PVD공정으로 산화막을 증착하는 a단계;

산화막위에 시드막을 형성하는 b단계;

시드막위에 포토레지스트을 균일하고,평탄하게 도포하는 c단계;

포토레지스트가 도포된 실리콘기판의 용매를 증발시키기위해 프리베이크 하고 상기 통전핀 형상이 있는 마스크로 노광과 현상하여 희망하는 통전핀 형상을 패터닝하는 d단계;

통전핀 형상을 포토레지스트를 에칭으로 제거하는 e단계.

통전핀 형상홈에 무전해도금에 의한 전도성극재 금속층 충전매립하는 도금을 실행하는 f단계;

오버매립된 금속을 화학적기계가공(CMP)공정으로 연마하는 g단계;

산화막과 잔재한 포토레지스트를 에싱에 의해 제거하는 h단계;

기판을 세정하고 통전핀을 분리하고 통전핀을 사용하는 i단계; 로 제조되는 것이다.

실시예3

통전핀(30)은 도 5a 내지 도 5c에 도시한 바와같은 형상으로 이루어지는 것이다. 도 5a 내지 도 5c의 통전핀(30)은 빔부 내측중앙단(11)에서 연결부 내측에 응력감쇄편(13a,13b,13c)과 직진유지편(14a)을 형성하여 연결부(22) 상측단에 도 5a와 같이 통전핀(30)은 연결부(22) 상측을 2단 단차지게 일괄접합편(27)이 형성되 는 것이다. 도 5b와 같은 통전핀(30)은 연결부 상측을 2단 단차지게 형성된 우측접합편(28)과 도 5c와 같은 통전핀(30)은 연결부 상측을 2단 단차지게 형성된 좌측접합편(29)으로 하여 전기적전도체 배선패턴 배열(미도시)에 따라 지그재그로 접합편을 배선패턴에 접합하여 접합시 이웃에 접합된 접합편에 열간섭을 방지할수 있고, 연결부(22) 상측의 접합편이 2단 단차 구조로 되어있어 접합편을 전기적전도체 배선패턴에 안정적으로 고정접합 할 수 있다. 도 5a와 같이 통전핀(30)의 연결부의 상측에 형성된 2단 단차접합편(27)은 연결부의 상측 하면에 하면돌기(27a)를 형성하고 연결부의 상측 상면에 상면돌기(27b)를 형성하여 연결부 상측의 2단 단차접합편(27)이 되는 것이다.

상기 연결부(22) 상측이 2단 단차로된 일괄접합편(27)은 접합편이 연결부(22)보다 상측두께가 두껍게됨으로 안정적으로 전기적전도체 배선패턴(미도시)에 접합되여 통전핀(30)이 스크러빙 하기위해 반도체칩 패드에 접촉시 빔부가 흔들림 없이 진입되어 접촉마크가 산발적으로 발생 없이 일정한 위치에 접촉된다.

또한, 2단 단차접합부 구조는 연결부(22)의 상측단 양면이나 연결부(22)의 어느 일면에만 형성할 수 있는 것이다.

또한, 상기 통전핀(30)은 직진유지편(14a)의 외측중앙부가 절단된 것과, 직진유지편(14a)의 내측중앙부가 절단된 것으로 형성 할 수 있는 것이다.

도 7의 제조공정C은 통전핀(30)의 연결부 접합편이 2단 단차 구조로 형성된 실시예3의 순서도이며 제조방법은

실리콘기판을 상면을 CVD 또는 PVD공정으로 산화막을 증착하는 a단계;

산화막위에 1차포토레지스트을 균일하고,평탄하게 도포하는 b단계;

2단 단차 하면돌기 접합편 형상이 있는 포토마스크로 노광과 현상하여 희망하는 2단 단차 하면돌기 접합편을 패터닝하는 c단계;

2단 단차 하면돌기 접합편 형상을 에칭으로 형성하는 d단계;

기판 상면에 시드막을 형성하는 e단계;

시드막위에 2차포토레지스트을 균일하고,평탄하게 도포하는 f단계;

포토레지스트가 도포된 실리콘기판의 용매를 증발시키기위해 프리베이크 하고 통전핀 형상이 있는 포토마스크로 노광과 현상하여 희망하는 통전핀 형상을 패터닝하는 g단계;

통전핀 형상의 포토레지스트를 음각에칭으로 제거하는 h단계;

통전핀 형상홈에 전해도금에 의한 전도성극재 금속층 충전매립하는 도금을 실행하는 i단계;

오버매립된 금속을 화학적기계가공(CMP)공정으로 연마하는 j단계;

기판에위에 3차포토레지스트을 균일하고,평탄하게 도포하는 k단계;

2단 단차 상면돌기 접합편 형상이 있는 포토마스크로 노광과 현상하여 희망하는 2단 단차 상면돌기 접합편을 패터닝하는 1단계;

2단 단차 상면돌기 접합편 형상을 에칭으로 제거하는 m단계;

2단 단차 접합편 형상홈에 전해도금에 의한 전도성극재 금속층 충전매립하는 도금을 실행하는 n단계;

산화막과 잔재한 포토레지스트를 에싱에 의해 제거하는 o단계;

실리콘기판에서 통전핀(30)을 분리하고 세정하여 통전핀(30)을 사용하는 p단계; 로 제조 되는 것이다.

실시예4

실시예4는 Quartz기판, sus기판, 세라믹기판 또는 실리콘기판중에서 어느하나인 선정된기판 상면에 산화막이 증착된 기판 테두리부에 중합체(폴리머)을 증착하여 완성된 통전핀 전체를 기판에서 분리시에 테두리부는 기판에 접합되어있어 통전핀만 기판에서 분리되어 분리된 통전핀이 변형과 불량을 방지할 수 있고 양호한 통전핀을 선별하여 프로브카드 제조에 사용한다.

도 7의 제조공정D은 통전핀(40) 제조를 설명하는 실시예4의 순서도이며 제조방법은 선정된 기판 상면에 CVD 또는 PVD공정으로 산화막을 증착하는 a단계;

선정된 기판 상면 테두리에 중합체(폴리머)을 증착하는 b단계;

중합체와 산화막위에 시드막을 증착하는 c단계;

시드막위에 포토레지스트을 균일하고,평탄하게 도포하는 d단계;

포토레지스트가 도포된 상기 통전핀 형상이 있는 마스크로 노광과 현상하여 희망하는 통전핀 형상을 패터닝하는 e단계;

상기 통전핀 형상의 포토레지스트를 에칭하는 f단계;

상기 통전핀 형상홈에 스퍼터링에 의한 전도성금속을 증착매립을 하는 g단계;

산화막과 잔재한 포토레지스트를 제거하는 h단계;

기판에서 유기물을 세정하고 상기 통전핀을 분리하여 통전핀을 사용하는 i단 계; 로 제조되는 것이다.

본 발명은 상술한 통전핀의 형상과 통전핀의 제조방법은 상기 실시예들의 통전핀의 응력감쇄편,직진유지편,장착지지편,통전편,장착접합편 형상의 실시예들에 한정하는 것이 아니라 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에의해 여러 가지 변형이 가능하며 변형된 통전핀 형상의 상기 실시예들의 제조방법은 동일하다.

도 1a은 불규칙한 프로브 접촉마크를 보여주는 단면도이다.

도 1b은 동일한 프로브 접촉마크를 보여주는 단면도이다.

도 2a은 종래의 통전핀의 응력변형을 보여주는 단면도이다.

도 2b은 본 발명의 기능성이 형성된 통전핀의 응력변형을 보여주는 단면도이다.

도 3a, 도 3b, 도 3c은 본 발명의 통전핀에 형성된 응력감쇄편 형상이 예시된 단면도이다.

도 4b, 도 4c은 본 발명의 통전핀에 형성된 직진유지편이 중앙부가 절단된 형상이 예시된 단면도이다.

도 5a, 도 5b, 도 5c은 본 발명의 통전핀에 형성된 연결부 접합편 형상이 예시된 사시도이다.

도 6a, 도 6b, 도 6c은 본 발명의 통전핀에 형성된 연결부 통전편 형상이 예시된 단면도이다.

도 7은 본 발명의 통전핀 제조방법 A, B, C, D을 예시한 공정 순서도들이다.

＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞

11…빔부일단 12,22…연결부 13…응력감쇄편 14…직진유지편

15…장착지지편 16…끼움돌기편 17…장착정합편 18…통전편

27…일괄접합편 28…좌측접합편 29…우측접합편 10,30,40…통전핀

Claims (5)

1. 통전핀의 빔부 내측중앙단에서 부터 연결부 내측에 응력감쇄편이 형성되고, 연결부 외측중앙단에 직진유지편이 형성되는 통전핀에 있어서,

   통전핀(40)의 연결부(12a) 상측은 날개고정돌기(18a)가 형성된 통전편(18)과 날개걸림돌기(15a)가 형성된 장착지지편(15)이 형성되는 것과,

   상기 통전편(18)의 기둥외측에는 날개고정돌기(18a)의 요홈(18b)이 형성되는 것과,

   상기 장착지지편(15)은 통전편(18) 좌측과 우측에 형성되는 것과,

   상기 장착지지편(15)의 기둥외측에는 날개걸림돌기(15a)의 요홈(15b)이 형성되는 것을 특징으로 하는 통전핀.
2. 통전핀의 빔부 내측중앙단에서 부터 연결부 내측에 응력감쇄편이 형성되고, 연결부 외측중앙단에 직진유지편이 형성되는 통전핀에 있어서,

   통전핀(40)의 연결부(12b) 상측은 날개고정돌기(18a)가 형성된 통전편(18)과 끼움돌기편(16)이 형성되는 것과,

   상기 통전핀(40)은 연결부(12b)의 통전편(18) 좌측과 우측에 상향으로 된 끼움돌기편(16)이 형성되는 것을 특징으로 하는 통전핀.
3. 통전핀의 빔부 내측중앙단에서 부터 연결부 내측에 응력감쇄편이 형성되고, 연결부 외측중앙단에 직진유지편이 형성되는 통전핀에 있어서,

   통전핀(40)의 연결부(12c) 상측은 날개고정돌기(18a)가 형성된 통전편(18)과 장착정합편(17)이 형성되는 것과,

   상기 통전핀(40)은 연결부(12c)의 통전편(18) 좌측과 우측에 하향으로 된 장착정합편(17)이 형성되는 것을 특징으로 하는 통전핀.
4. 기능성 형상이 형성된 통전핀(40) 제조공정B은

   Quartz판, 서스(sus)기판 또는 세라믹판 중에서 어느 하나 기판 상면에 CVD 또는 PVD공정으로 산화막을 증착하는 a단계;

   상기 산화막위에 시드막을 형성하는 b단계;

   상기 시드막위에 포토레지스트을 균일하고, 평탄하게 도포하는 c단계;

   상기 포토레지스트가 도포된 실리콘기판의 용매를 증발시키기 위해 프리베이크 하고 상기 통전핀 형상이 있는 마스크로 노광과 현상하여 희망하는 통전핀 형상을 패터닝하는 d단계;

   상기 통전핀 형상 포토레지스트를 음각에칭으로 제거하는 e단계.

   상기 통전핀 형상홈에 무전해도금에 의한 전도성극재 금속층을 충전매립하는 도금을 실행하는 f단계;

   오버매립된 금속을 화학적기계가공(CMP)공정으로 연마하는 g단계;

   산화막과 잔재한 포토레지스트를 에싱에 의해 제거하는 h단계;

   기판을 세정하고, 통전핀을 기판에서 분리하고 통전핀을 사용하는 i단계; 로 제조되는 것을 특징으로 하는 통전핀 제조방법.
5. 기능성 형상이 형성된 통전핀(40) 제조공정D은

   선정된 기판 상면에 CVD 또는 PVD공정으로 산화막을 증착하는 a단계;

   상기 선정된 기판 상면 테두리에 중합체(폴리머)을 증착하는 b단계;

   상기 산화막과 중합체위에 시드막을 형성하는 c단계;

   상기 시드막위에 포토레지스트을 균일하고, 평탄하게 도포하는 d단계;

   상기 포토레지스트가 도포된 상기 통전핀 형상이 있는 마스크로 노광과 현상하여 희망하는 통전핀 형상을 패터닝하는 e단계;

   상기 통전핀 형상의 포토레지스트를 에칭하는 f단계;

   상기 통전핀 형상홈에 스퍼터링증착에 의한 전도성금속을 증착을 실행하는 g단계;

   잔재한 산화막과 포토레지스트를 제거하는 h단계;

   기판에서 유기물을 세정하고, 상기 통전핀을 분리하여 통전핀을 사용하는 i단계; 로 제조되는 것을 특징으로 하는 통전핀 제조방법.

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