JP2000200975A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 小径のブラインドビア孔の形成が可能で、高
密度の配線が可能となる多層配線基板の製造方法を提供
する。 【解決手段】 所要の配線パターン３０を形成した基材
３２上に、樹脂層３４付き金属箔３６を積層し、熱圧着
して金属箔を樹脂層により基材上に固着する工程と、配
線パターンと接続すべき部位に対応する金属箔部分を所
要の範囲で除去して開口部３８を形成する開口部形成工
程と、金属箔が開口されて露出した樹脂層部分に、開口
部の径よりも小径のブラインドビア孔４０を形成して配
線パターンの部位を露出させるレーザー加工工程と、露
出した配線パターン上、ブラインドビア孔側壁、露出し
た樹脂層の段差部４２上および少なくとも開口部周縁の
金属箔上に被膜を形成する無電解めっき工程と、この被
膜上に被膜４４を形成する電解めっき工程と、金属箔に
配線パターンを形成するエッチング工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板の製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】多層配線基板の製造方法には種々のもの
が知られている。図６にその一例を示す。まず、配線パ
ターン１０が形成された樹脂基材１２上に、接着用の樹
脂層（プリプレグまたはポリイミド樹脂層など）１４付
きの金属箔１６（例えば銅箔など）を積層して、熱圧着
することにより、金属箔１６を樹脂層１４により基材１
２上に接着する（同図（ａ）、および（ｂ））。そして
例えば金属板をマスクとして用い、炭酸ガスレーザー加
工等により、金属箔１６および樹脂層１４に配線パター
ン１０に至るブラインドビア孔１８を形成する（同図
（ｃ））。次いで、無電解銅めっきおよび電解銅めっき
によりブラインドビア孔１８内にめっき被膜２０を形成
し、配線パターン１０と金属箔１６との電気的導通をと
る。そして金属箔１６をエッチング加工して所要の配線
パターンに形成する（図示せず）。上記工程を所要回数
繰り返し行い、所要複数段の多層配線基板を製造するこ
とができる。

【０００３】図７はさらに他の多層配線基板の製造方法
の例を示す。この方法では、配線パターン１０が形成さ
れた基材１２上に感光性を有する樹脂層２２を形成する
（同図（ａ））。そして樹脂層２２をフォトリソグラフ
ィー法によりエッチング加工して、配線パターンに至る
ブラインドビア孔２４を形成し、スパッタリングおよび
電解めっきによりブラインドビア孔２４および樹脂層２
２上にめっき被膜２６を形成し（同図（ｂ））、樹脂層
２２上に形成されためっき被膜をエッチング加工によっ
て所望の配線パターンに形成するのである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のように多層配線
基板の製造方法は種々あるが、図７の製造方法では、樹
脂層２２上にめっき給電層として、スパッタリング膜を
形成し、あるいは無電解めっきによって薄いめっき膜を
形成し、これら導体層をめっき給電層として電解めっき
を施して電解めっき被膜を形成しており、樹脂層２２と
スパッタリング膜あるいはめっき膜との密着性が必ずし
も確実でないことから、この間での剥離などが問題とな
る。配線基板を多層に形成する場合はとくに、層間にお
ける配線パターンの電気的接続の信頼性が製品の信頼性
に大きく影響を与える。この点、図６に示す方法では、
金属箔１６があらかじめ樹脂層１４に所要の強度で接着
された材料を用いるので、配線パターンの樹脂材との密
着性のよい多層配線基板を提供できる。

【０００５】ところで図６に示す方法でも次のような課
題が生じるに至っている。すなわち、昨今では、配線パ
ターンがますます高密度化する傾向にあり、したがって
線幅も細く、上下の配線パターンを接続するために必要
な上記ブラインドビア孔１８は小径のものに形成する必
要が生じている。このブラインドビア孔１８は上記のよ
うに炭酸ガスレーザーにより加工を行うのが一般的であ
るが、炭酸ガスレーザーでは孔径が８０μｍ前後が限界
とされ、より小径のものの加工ができない。また、上記
のようにブラインドビア孔径が小径化するなかで、めっ
き被膜２０を電解めっきで形成するときは、図８に示す
ように、ブラインドビア孔１８の口縁となる金属箔１６
の角Ａに電流が集中しやすく、この角部にめっき被膜２
０が厚く付く結果、ブラインドビア孔１８が入口が小さ
い蛸壺のような形状となり、中にめっき液が抱き込まれ
て悪影響が生じたり、逆に孔奥のめっき被膜２０が薄く
なり、ビア孔内の断線を招くなどの課題が生じるに至っ
ている。

【０００６】そこで本発明は上記課題を解決すべくなさ
れものであり、その目的とするところは、小径のブライ
ンドビア孔の形成が可能で、高密度の配線が可能になる
と共に、ビア部分での電気的接続が確実になされ、層間
で配線パターンを確実に電気的に接続することができる
多層配線基板の製造方法を提供するにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る多
層配線基板の製造方法は、所要の配線パターンを形成し
た電気的絶縁性を有する基材上に、片面に金属層が形成
された樹脂基板の他面側を積層する積層工程と、前記配
線パターンと接続すべき部位の前記金属層部分を所要の
範囲で除去して開口部を形成する開口部形成工程と、該
金属層の開口部に露出した前記樹脂基板の樹脂層部分に
レーザー光を照射して、前記開口部の径よりも小径のブ
ラインドビア孔を形成し、該ブラインドビア孔の底面に
前記配線パターンの部位を露出させるレーザー加工工程
と、該露出した配線パターンの部位、前記ブラインドビ
ア孔の側壁、露出した前記樹脂層の段差部および少なく
とも前記開口部周縁の金属層上に無電解めっき被膜を形
成する無電解めっき工程と、該無電解めっき被膜上に電
解めっき被膜を形成する電解めっき工程と、該電解めっ
き工程の後、前記金属層をエッチングして所要の配線パ
ターンを形成するエッチング工程とを含むことを特徴と
している。上記のように金属箔の開口部の径をブライン
ドビア孔の径よりも大きくしたので、電解めっきの際電
流が開口部の金属箔の角部に集中して該部位のめっき厚
が厚くなっても、従来のように該開口部の部位が狭くな
ることはなく、めっき液の残留もなくなり、またビア孔
の奥側まで所要厚さのめっき被膜を形成できる。上記レ
ーザー加工は紫外線領域の波長を有するレーザー光によ
り行うことでより小径のブラインドビア孔の形成が可能
となる。

【０００８】また本発明に係る多層配線基板の製造方法
では、所要の配線パターンを形成した電気的絶縁性を有
する基材上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、該樹
脂層上に金属箔を貼着する金属箔貼着工程と、前記配線
パターンと接続すべき部位の前記金属箔部分を所要の範
囲で除去して開口部を形成する開口部形成工程と、該金
属箔の開口部に露出した前記樹脂層部分にレーザー光を
照射して、前記開口部の径よりも小径のブラインドビア
孔を形成し、該ブラインドビア孔の底面に前記配線パタ
ーンの部位を露出させるレーザー加工工程と、該露出し
た配線パターンの部位、前記ブラインドビア孔の側壁、
露出した前記樹脂層の段差部および少なくとも前記開口
部周縁の金属箔上に無電解めっき被膜を形成する無電解
めっき工程と、該無電解めっき被膜上に電解めっき被膜
を形成する電解めっき工程と、該電解めっき工程の後、
前記金属箔をエッチングして所要の配線パターンを形成
するエッチング工程とを含むことを特徴としている。上
記レーザー加工でも紫外線領域の波長を有するレーザー
光により行うことでより小径のブラインドビア孔の加工
が可能となる。

【０００９】また本発明に係る多層配線基板の製造方法
では、前記樹脂層部分にレーザー光を照射して、底面に
前記配線パターンの部位が露出するブラインドビア孔を
形成するレーザー加工工程と、前記樹脂層の表面、露出
した配線パターンの部位及び前記ブラインドビア孔の側
壁に無電解めっき被膜を形成する無電解めっき工程と、
該無電解めっき被膜上に配線パターンとなる部位を露出
させるめっき用のレジストパターンを形成するレジスト
パターン形成工程と、該レジストパターンをマスクと
し、前記無電解めっき被膜をめっき給電層としてブライ
ンドビア孔内に電解めっき被膜を充填して前記無電解め
っき被膜上に電解めっき被膜を形成する電解めっき工程
と、電解めっき被膜を形成した後、前記レジストパター
ンを除去し、次いで、前記無電解めっき被膜をエッチン
グして所要の配線パターンを形成するエッチング工程と
を含むことを特徴とする。

【００１０】また本発明に係る多層配線基板の製造方法
では、所要の配線パターンを形成した電気的絶縁性を有
する基材上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記
樹脂層部分にレーザー光を照射して、底面に前記配線パ
ターンの部位が露出するブラインドビア孔を形成するレ
ーザー加工工程と、該露出した配線パターンの部位、前
記ブラインドビア孔の側壁、露出した前記樹脂層の表面
に無電解めっき被膜を形成する無電解めっき工程と、該
無電解めっき被膜をめっき給電層としてブラインドビア
孔内に電解めっき被膜を充填して前記無電解めっき被膜
上に電解めっき被膜を形成する電解めっき工程と、該電
解めっき被膜の表面に配線パターンとなる部位を被覆し
たレジストパターンを形成するレジストパターン形成工
程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記電解
めっき被膜及び無電解めっき被膜をエッチングし、次い
で、前記レジストパターンを除去して所要の配線パター
ンを形成するエッチング工程とを含むことを特徴とす
る。また、前記レーザー加工工程において、開口径２０
〜１００μｍ、深さ２０〜１００μｍ、アスペクト比
０．５〜１．５となるブラインドビア孔を形成すること
により、電解めっき工程でブラインドビア孔を電解めっ
き被膜により完全に充填することができ、配線パターン
とブラインドビアの導体表面を均一面に形成することが
可能となる。また、上記レーザー加工でも紫外線領域の
波長を有するレーザー光により行うことでより小径のブ
ラインドビア孔の加工が可能となる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１に第１の実
施形態を示す。まず、配線パターン３０が形成された基
材３２（プリント配線基板、セラミック配線基板等）上
に、接着用の樹脂層３４（プリプレグまたはポリイミド
樹脂層など）が片面側に形成された銅箔等の金属箔３６
（金属箔付き樹脂基板）を重ねる（同図（ａ））。次い
で加圧、加熱して樹脂層３４を硬化させ、樹脂層３４を
介して基材３２と金属箔３６とを固着する（同図
（ｂ））。

【００１２】次にレーザー加工もしくはエッチング加工
により配線パターン３０のブラインドビア接続部となる
ランドに対応する（直上）金属箔３６部分を除去して開
口部３８を形成し、樹脂層３４部分を露出させる（同図
（ｃ））。この場合開口部３８の径Ｘは配線パターン３
０のランド径Ｃより小径となるようにするのが好まし
い。後記するように、この開口部３８の部位が上下配線
パターンの接続部位となるのであるが、この接続部位が
ランド径Ｃより小径となるようにすることで、配線密度
に悪影響を及ぼすことがなく、高密度配線が可能とな
る。なお、あらかじめ配線パターンのランドに対応する
金属箔の開口部形成領域に開口部を設けた金属箔付き樹
脂基板を積層してもよい。

【００１３】次に開口部３８が形成されることにより露
出する樹脂層３４の部位に配線パターン３０の部位が底
面となるブラインドビア孔４０を形成するのである（同
図（ｄ））。ブラインドビア孔４０の径は開口部３８の
径よりも小さくなるようにする。ブラインドビア孔４０
はレーザー加工によって形成する。前記したように炭酸
ガスレーザーによるときは８０μｍ程度の径の孔しか開
口できない。もちろんマスク（メタルマスク）を用いれ
ば小径の孔加工もできるが、効率が悪い。そこで、波長
が紫外線領域となるように波長変換をし、さらにビーム
径を絞ったヤグレーザー光またはイルフレーザー光を照
射することによって、マスクを用いることなく３０μｍ
前後の小径の孔加工を行う。あるいは紫外線領域の波長
を有するエキシマレーザー光を照射して小径の孔加工を
行うようにしてもよい。紫外線領域の波長を有するレー
ザー光により樹脂層３４の炭素鎖の切断が行え、樹脂層
を分解除去できるのである。

【００１４】レーザー光を上記のように小さなビーム径
に絞りこむことができ、また開口部３８の径は配線パタ
ーンのランド径の範囲内で大きくできるから、レーザー
光照射の際のアライメントが容易となる。また開口部３
８の径よりもブラインドビア孔４０の径を小さくしたこ
とから、ブラインドビア孔４０の開口部周囲に樹脂層３
４の段差部４２が残る。レーザー加工による加工残渣を
除去した後、配線パターン３０上、ブラインドビア孔４
０の側壁、露出した樹脂層３４の段差部４２上および少
なくとも開口部３８周縁の金属箔３６上に銅等の無電解
めっき被膜を形成し、さらに無電解めっき被膜上に電解
めっき被膜４４を形成する（同図（ｅ））。そして同図
（ｆ）に示すように金属箔３６をエッチング加工により
所要の配線パターン３６ａに形成するのである。さらに
上記と同様の工程を繰り返すことにより配線パターン３
６ａ上にさらに多層の配線層を形成することができる。

【００１５】上記のように本実施の形態では、開口部３
８の径をブラインドビア孔４０の径よりも大きく形成で
き、樹脂層３４の段差部４２も残り、金属箔３６の開口
部３８口縁がビア孔４０口縁よりも後退していることか
ら、電解めっき被膜４４を形成する際、開口部３８口縁
の金属箔３６の角部に電流が集中して該角部にめっき被
膜が厚く付いたとしても、図３に示す従来の例とは異な
り、開口部３８、ブラインドビア孔４０からなる凹部が
蛸壺のようにはならず、入口側が大きく開口しているこ
とからめっき液が該凹部内に残留することもなく、また
めっき液の流通が良好に確保できるから、ビア孔４０の
奥側まで所要厚さを有するめっき被膜を形成することが
できる。

【００１６】図２は第２の実施の形態を示す。本例で
は、先ず同図（ａ）に示すように、配線パターン３０が
形成されたプリント回路基板等の基材３２上にポリイミ
ド樹脂等からなる樹脂を塗布し、加熱して樹脂層３４を
形成する。樹脂層３４は樹脂フィルムを積層して形成し
てもよい。次いで同図（ｂ）に示すようにこの樹脂層３
４上に金属箔３６を接着剤を用いて貼着する。この後の
工程は上記第１の実施の形態における図１の（ｃ）図以
降の工程と同じであるので説明を省略する。本例でも上
記と同様の作用効果を奏する。

【００１７】なお、図１（ｄ）のブラインドビア孔４０
を形成した後、無電解銅めっきを施し、さらに電解めっ
き被膜４４を形成する同図（ｅ）の工程の際、以下のよ
うなめっき条件下でめっきを行うことによって、図３に
示すように、ブラインドビア孔４０をほぼ電解めっき被
膜４４によって埋め尽くすようなめっきが可能であっ
た。すなわち、電解銅めっきを行う際の電流密度を通常
の電流密度（２〜３ASD ）よりも低くするのである。ブ
ラインドビア孔４０内は通常はめっきの付き回りが平坦
な個所（樹脂層３４上に形成した導体層３６の表面）よ
りもよくないが、電流密度を低く（０．１〜２ASD 、好
ましくは１ASD 前後）することにより、平坦な個所とブ
ラインドビア孔４０内とのめっき析出速度がほぼ均一化
するか、むしろブラインドビア孔４０内の方が平坦な個
所よりもめっき析出速度が大きくなることが判明した。

【００１８】ブラインドビア孔４０内のめっき析出速度
が大きくなれば、ブラインドビア孔４０内は底面のみな
らず側壁からもめっき被膜が盛り上がるから、底面から
のめっき厚ｔ₂ は平坦な個所のめっき厚ｔ₁ よりも大き
くなり、ブラインドビア孔４０内を埋め尽くすことも可
能である。なお、めっき時間を長くし、めっきを厚付け
すれば、いずれブラインドビア孔４０内はめっき被膜に
より埋め尽くされることになるが、上記のように電流密
度を低くすることにより、ブラインドビア孔４０の開口
径が５０μｍ、深さ４０μｍのとき、金属箔３６（厚さ
５μｍ程度）の厚さとめっき被膜の厚さｔ₁ （無電解め
っき被膜と電解めっき被膜とを併せた厚さ）とを含めた
厚さが２０μｍ程度となった時点でブラインドビア孔４
０内をめっき被膜でほぼ埋めることができた。

【００１９】上記のようにブラインドビア孔４０内をめ
っき被膜で充填するには、電解銅めっきにおける電流密
度を低くすることが最大の要因となる。その他の要因と
しては、次の条件があげられる。まず、無電解銅めっき
の条件を、析出速度０．２〜３μｍ／ｈｒ、めっき厚を
０．５〜３．０μｍとするのが好ましい。また、ブライ
ンドビア孔４０は図示のように入口側が拡開したテーパ
ー孔とするとめっき液の循環が良好となりめっきの付き
回りがよくなる。さらに、ブラインドビア孔４０の開口
径ｒ、深さをｈとした際のアスペクト比ｈ／ｒは０．５
〜１．５位が好ましい。

【００２０】上記の条件で、 ｔ₂ ＞ｔ₁ ｔ₂ ＞ｈ／２ の条件となる厚さｔ₂ のブラインドビア孔４０内のめっ
き被膜が得られる。なお、ブラインドビア孔４０にめっ
き被膜を充填するには、必ずしも、ブラインドビア孔４
０の回りの金属箔３６を図示のように開口部から後退さ
せる必要はなく、場合によっては、金属箔３６は存在し
なくとも、ブラインドビア孔４０内にめっき被膜を充填
させることができる。

【００２１】図４はブラインドビア孔４０内をめっき被
膜によって充填する方法により多層配線基板を製造する
実施形態を示す。図４(a) 、(b) は配線パターン３０が
形成された基材３２に接着用の樹脂層３４が片面側に形
成された銅箔等の金属箔３６を重ね、加圧、加熱して樹
脂層３４を硬化させ、基材３２と金属箔３６とを固着し
た工程である。次に、金属箔３６をエッチングして樹脂
層３４の表面を露出させる（同図(c))。樹脂層３４を形
成する方法としては、接着用の樹脂層３４が片面側に形
成された金属箔３６を使用するかわりに、基材３２の配
線パターン３０が形成された面にポリイミド樹脂等から
なる電気的絶縁を有する樹脂を塗布し、あるいは電気的
絶縁性を有する絶縁樹脂フィルムを接着する方法もあ
る。

【００２２】次に、レーザー加工により配線パターン３
０が底面に露出するブライドビア孔４０を形成する（同
図(d))。本実施の形態ではブラインドビア孔４０の径寸
法等を適当に選択することにより、ブラインドビア孔４
０がめっき被膜によって完全に充填され、めっきによっ
て形成されるブラインドビア孔４０の導体と樹脂層３４
の表面に形成される配線パターンの導体の表面が均一面
になるようにすることを特徴とする。このようなめっき
を施すには、電解めっきを施す際の電流密度等のめっき
条件の他に、ブラインドビア孔４０の形状が問題とな
る。

【００２３】ブラインドビア孔４０をめっき被膜で充填
するに好適なブラインドビア孔４０の形状について実験
したところ、ブラインドビア孔４０の開口径をｒ、深さ
をｈとして、次の条件を満足するときにブラインドビア
孔４０がめっき被膜によって好適に充填できることが確
かめられた。 ビア開口径 ｒ ： ２０〜１００μｍ ビア深さ ｈ ： ２０〜１００μｍ アスペクト比 ｈ／ｒ＝０．５〜１．５ なお、このアスペクト比は好ましいアスペクト比として
前述した値と同一である。ブラインドビア孔４０は図４
(d) に示すように、入口側が拡開したテーパー孔とする
とめっき液の循環が良好となってめっきの付き回りがよ
くなるが、必ずしもテーパー孔に形成しなければならな
いわけではなく、単なる円柱状の孔形状であってよい。

【００２４】次に、無電解銅めっきを施し、ブラインド
ビア孔４０内で露出する配線パターン３０の部位、ブラ
インドビア孔４０の側壁及び前記樹脂層３４の表面を無
電解銅めっき層５０によって被覆する（同図(e))。無電
解銅めっき層５０は電解めっきを施すめっき給電層とす
るためのもので、数μｍ程度の厚さに形成すればよい。
次に、電解めっき用のレジストパターン５２を形成する
（同図(f))。レジストパターン５２は樹脂層３４に形成
する配線パターン３６ａとなる部位の無電解銅めっき層
５０を露出させて設ける。レジストパターン５２はブラ
インドビア孔４０を含む樹脂層３４の表面に感光性レジ
ストを塗布し、感光性レジストを所定パターンで露光、
現像して形成することができる。

【００２５】図４(g) は、無電解銅めっき層５０をめっ
き給電層として電解銅めっきを施し、ブラインドビア孔
４０に電解めっき被膜４４を充填するとともに、樹脂層
３４の表面に配線パターンの導体となる電解めっき被膜
４４を盛り上げて形成した状態である。前述したブライ
ンドビア４０の開口径ｒ、深さｈ、アスペクト比ｈ／ｒ
の条件で電解銅めっきを施すことによって、ブラインド
ビア孔４０が電解めっき被膜４４によって完全に充填さ
れる。なお、電解銅めっきのめっき条件は、通常の電流
密度（２〜３ASD ）よりも若干低く（０．１〜２ASD ）
設定したが、電流密度等のめっき条件は適宜選択するこ
とができる。

【００２６】次に、めっき用のレジストパターン５２を
除去する（同図(h))。レジストパターン５２を除去した
ことにより、樹脂層３４の表面に無電解銅めっき層５０
が露出する。次に、無電解銅めっき層５０をエッチング
して除去し、樹脂層３４の表面に配線パターン３６ａを
形成する（同図(i))。無電解銅めっき層５０の厚さは電
解めっき被膜４４の厚さにくらべてはるかに薄いから、
電解めっき被膜４４をレジスト等の保護膜で被覆するこ
となく、銅エッチングにより電解めっき被膜４４のみを
残して無電解銅めっき層５０を除去することができる。

【００２７】図５はブラインドビア孔４０内をめっき被
膜によって充填する方法を利用して多層配線基板を製造
する他の実施形態を示す。本実施形態で図５(a) 〜(e)
までの製造工程は、上記実施の形態とまったく同じであ
る。本実施形態では、樹脂層３４の表面に無電解銅めっ
きを施して、ブラインドビア孔４０の内面を含む樹脂層
３４の表面を無電解銅めっき層５０で被覆した（同図
(e))後、無電解銅めっき層５０をめっき給電層として電
解銅めっきを施し、樹脂層３４の表面全体に電解めっき
被膜４４を形成する（同図(f))。ブラインドビア孔４０
については、ブラインドビア孔４０の開口径ｒ、深さ
ｈ、アスペクト比ｈ／ｒを前記条件に合わせることによ
り、電解めっき被膜４４によって完全に充填されるよう
になる。

【００２８】図５(g) は、樹脂層３４を被覆している電
解めっき被膜４４をエッチングして配線パターン３６ａ
を形成した状態である。電解めっき被膜４４の表面に配
線パターン３６ａとなる部位を被覆したエッチング用の
レジストパターンを形成し、このレジストパターンをマ
スクとして電解めっき被膜４４およびその下層の無電解
銅めっき層５０をエッチングすることによって形成す
る。最後に、エッチング用のレジストパターンを除去す
ることにより、ブライドビア孔４０に電解めっき被膜４
４が充填され、樹脂層３４の表面に配線パターン３６ａ
が形成された配線層が得られる。

【００２９】配線層を多層に形成するには、図４(i) 、
図５(g) に示すように、電気的絶縁性を有する樹脂層３
４の表面に配線パターン３６ａを形成した後、配線パタ
ーン３６ａが形成された面に樹脂層３４を形成し、樹脂
層３４にブラインドビア孔４０をあけ、無電解銅めっき
及び電解銅めっきを施し、上述した方法と同様にして次
の層の配線パターン３６ａを形成していけばよい。

【００３０】上記製造工程で形成した無電解銅めっき層
５０は電解めっきのためのめっき給電層とするためのも
のであり、無電解銅めっきにかえてスパッタリング法に
よりめっき給電層を形成することも可能である。また、
上記製造工程では無電解銅めっき及び電解銅めっきを施
したが、めっき方法は銅めっきに限らず他のめっきによ
ることもできる。

【００３１】上述した製造方法は、電気的絶縁性を有す
る樹脂層３４の表面に無電解銅めっき層５０等のめっき
給電層を設け、めっき給電層により電解めっきを施して
ブラインドビア孔４０を確実に電解めっき被膜４４によ
って充填できる方法であり、配線パターン３６ａを多層
に形成する多層配線基板の製造方法としてきわめて有効
に利用することができる。ブラインドビア孔４０内が完
全に電解めっき被膜４４によって充填されることから、
ブラインドビア孔４０内で電解めっき被膜４４が剥離し
たりすることがなく、層間で配線パターン３６ａが確実
に電気的に接続される。とくに、ブラインドビア孔を高
密度に配置するためブラインドビア孔４０の径寸法を数
十μｍ程度の小径に形成するような場合には、ブライン
ドビア孔４０を電解めっき被膜によって充填すること
は、ビア部分での電気的接続を確実にする上できわめて
有効である。また、ブラインドビア孔４０を電解めっき
被膜４４によって充填することによりビアの上にさらに
ビアを連続させて配置することができることから、ビア
を高密度に配置でき、なおかつ信頼性の高い多層配線基
板として提供することが可能になる。

【００３２】

【発明の効果】本発明に係る多層配線基板の製造方法に
よれば、上述したように、開口部の径をブラインドビア
孔の径よりも大きく形成でき、樹脂層の段差部も残り、
金属箔の開口部口縁がビア孔口縁よりも後退しているこ
とから、電解めっき被膜を形成する際、開口部口縁の金
属箔の角部に電流が集中して該角部にめっき被膜が厚く
付いたとしても、開口部、ブラインドビア孔からなる凹
部が蛸壺のようにはならず、入口側が大きく開口してい
ることからめっき液が該凹部内に残留することもなく、
まためっき液の流通が良好に確保できるから、ビア孔の
奥側まで所要厚さを有するめっき被膜を形成することが
できる。また、ブラインドビア孔を小径に形成できて同
時にブラインドビア孔を電解めっき被膜によって完全に
充填できることからビアの上にビアを配置することが可
能となり、ビアを高密度に配置することができて、層間
で配線パターンを確実に電気的に接続することが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態を示した製造工程図である。

【図２】第２の実施形態の部分工程図である。

【図３】ブラインドビア孔内にめっき被膜が充填された
状態の説明図である。

【図４】ブラインドビア孔内にめっき被膜を充填して多
層配線基板を製造する方法を示す説明図である。

【図５】ブラインドビア孔内にめっき被膜を充填して多
層配線基板を製造する他の方法を示す説明図である。

【図６】従来の工程の一例を示す製造工程図である。

【図７】従来の他の一例の製造工程図である。

【図８】ブラインドビア孔がめっき被膜により蛸壺状と
なった例を示す説明図である。

【符号の説明】

３０ 配線パターン ３２ 基材 ３４ 樹脂層 ３６ 金属箔 ３６ａ 配線パターン ３８ 開口部 ４０ ブラインドビア孔 ４２ 段差部 ４４ 電解めっき被膜 ５０ 無電解銅めっき層 ５２ レジストパターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 智弘 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 (72)発明者 小山 利徳 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 (72)発明者 片桐 規貴 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E346 AA05 AA12 AA15 AA22 AA43 BB01 CC31 DD01 DD12 DD25 DD32 DD33 DD47 EE02 EE06 EE09 EE13 EE31 FF04 FF15 GG15 GG17 GG22 GG23 GG28 HH07 HH25

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所要の配線パターンを形成した電気的絶
   縁性を有する基材上に、片面に金属層が形成された樹脂
   基板の他面側を積層する積層工程と、 前記配線パターンと接続すべき部位の前記金属層部分を
   所要の範囲で除去して開口部を形成する開口部形成工程
   と、 該金属層の開口部に露出した前記樹脂基板の樹脂層部分
   にレーザー光を照射して、前記開口部の径よりも小径の
   ブラインドビア孔を形成し、該ブラインドビア孔の底面
   に前記配線パターンの部位を露出させるレーザー加工工
   程と、 該露出した配線パターンの部位、前記ブラインドビア孔
   の側壁、露出した前記樹脂層の段差部および少なくとも
   前記開口部周縁の金属層上に無電解めっき被膜を形成す
   る無電解めっき工程と、 該無電解めっき被膜上に電解めっき被膜を形成する電解
   めっき工程と、 該電解めっき工程の後、前記金属層をエッチングして所
   要の配線パターンを形成するエッチング工程とを含むこ
   とを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】 所要の配線パターンを形成した電気的絶
   縁性を有する基材上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程
   と、 該樹脂層上に金属箔を貼着する金属箔貼着工程と、 前記配線パターンと接続すべき部位の前記金属箔部分を
   所要の範囲で除去して開口部を形成する開口部形成工程
   と、 該金属箔の開口部に露出した前記樹脂層部分にレーザー
   光を照射して、前記開口部の径よりも小径のブラインド
   ビア孔を形成し、該ブラインドビア孔の底面に前記配線
   パターンの部位を露出させるレーザー加工工程と、 該露出した配線パターンの部位、前記ブラインドビア孔
   の側壁、露出した前記樹脂層の段差部および少なくとも
   前記開口部周縁の金属箔上に無電解めっき被膜を形成す
   る無電解めっき工程と、 該無電解めっき被膜上に電解めっき被膜を形成する電解
   めっき工程と、 該電解めっき工程の後、前記金属箔をエッチングして所
   要の配線パターンを形成するエッチング工程とを含むこ
   とを特徴とする多層配線基板の製造方法。
3. 【請求項３】 所要の配線パターンを形成した電気的絶
   縁性を有する基材上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程
   と、 前記樹脂層部分にレーザー光を照射して、底面に前記配
   線パターンの部位が露出するブラインドビア孔を形成す
   るレーザー加工工程と、 前記樹脂層の表面、露出した配線パターンの部位及び前
   記ブラインドビア孔の側壁に無電解めっき被膜を形成す
   る無電解めっき工程と、 該無電解めっき被膜上に配線パターンとなる部位を露出
   させるめっき用のレジストパターンを形成するレジスト
   パターン形成工程と、 該レジストパターンをマスクとし、前記無電解めっき被
   膜をめっき給電層としてブラインドビア孔内に電解めっ
   き被膜を充填して前記無電解めっき被膜上に電解めっき
   被膜を形成する電解めっき工程と、 電解めっき被膜を形成した後、前記レジストパターンを
   除去し、次いで、前記無電解めっき被膜をエッチングし
   て所要の配線パターンを形成するエッチング工程とを含
   むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】 所要の配線パターンを形成した電気的絶
   縁性を有する基材上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程
   と、 前記樹脂層部分にレーザー光を照射して、底面に前記配
   線パターンの部位が露出するブラインドビア孔を形成す
   るレーザー加工工程と、 該露出した配線パターンの部位、前記ブラインドビア孔
   の側壁、露出した前記樹脂層の表面に無電解めっき被膜
   を形成する無電解めっき工程と、 該無電解めっき被膜をめっき給電層としてブラインドビ
   ア孔内に電解めっき被膜を充填して前記無電解めっき被
   膜上に電解めっき被膜を形成する電解めっき工程と、 該電解めっき被膜の表面に配線パターンとなる部位を被
   覆したレジストパターンを形成するレジストパターン形
   成工程と、 前記レジストパターンをマスクとして、前記電解めっき
   被膜及び無電解めっき被膜をエッチングし、次いで、前
   記レジストパターンを除去して所要の配線パターンを形
   成するエッチング工程とを含むことを特徴とする多層配
   線基板の製造方法。
5. 【請求項５】 レーザー加工工程において、開口径２０
   〜１００μｍ、深さ２０〜１００μｍ、アスペクト比
   ０．５〜１．５となるブラインドビア孔を形成すること
   を特徴とする請求項３または４記載の多層配線基板の製
   造方法。
6. 【請求項６】 上記レーザー加工工程は、紫外線領域の
   波長を有するレーザー光により行うことを特徴とする請
   求項１、２、３、４または５記載の多層配線基板の製造
   方法。