JPH05242812A - 気体放電表示素子およびその製造方法 - Google Patents
気体放電表示素子およびその製造方法Info
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- JPH05242812A JPH05242812A JP4075801A JP7580192A JPH05242812A JP H05242812 A JPH05242812 A JP H05242812A JP 4075801 A JP4075801 A JP 4075801A JP 7580192 A JP7580192 A JP 7580192A JP H05242812 A JPH05242812 A JP H05242812A
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- Japan
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- photoresist
- cathode
- base
- coated
- cathodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気体放電表示素子において、被覆型陰極間の
ピッチの高精細化を可能にする。 【構成】 多数の下地陰極を有する背面基板上の全面
に、フォトレジストをコーティングし、下地陰極間の一
部を露光、現像することによって、表面陰極のパターニ
ングを行う。その後、表面陰極となる電子放出材料をプ
ラズマ溶射またはスパッタリングによって、上記表面陰
極パターン上につけ、フォトレジストをケトン系溶剤あ
るいはエーテル系溶剤で剥離、または４５０〜５００℃
で熱処理することにより被覆型陰極を形成する。 【効果】 高精細な被覆型陰極を形成することができ
る。
ピッチの高精細化を可能にする。 【構成】 多数の下地陰極を有する背面基板上の全面
に、フォトレジストをコーティングし、下地陰極間の一
部を露光、現像することによって、表面陰極のパターニ
ングを行う。その後、表面陰極となる電子放出材料をプ
ラズマ溶射またはスパッタリングによって、上記表面陰
極パターン上につけ、フォトレジストをケトン系溶剤あ
るいはエーテル系溶剤で剥離、または４５０〜５００℃
で熱処理することにより被覆型陰極を形成する。 【効果】 高精細な被覆型陰極を形成することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、気体放電表示素子
（いわゆるプラズマディスプレイ）とその製造方法とに
関し、特に、気体放電表示素子のうちの被覆型陰極が、
フォトレジストを用いたリフトオフ法により形成されて
いる気体放電表示素子と、そのような被覆型陰極を形成
し得る製造方法とに関するものである。
（いわゆるプラズマディスプレイ）とその製造方法とに
関し、特に、気体放電表示素子のうちの被覆型陰極が、
フォトレジストを用いたリフトオフ法により形成されて
いる気体放電表示素子と、そのような被覆型陰極を形成
し得る製造方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、例えば特開平２−３０４８３
８号公報に示された、従来のプラズマディスプレイにお
ける被覆型陰極の一例を示す要部断面図であり、図にお
いて、１は背面基板、２は被覆型陰極、２ａは下地陰
極、２ｂは表面陰極である。上記被覆型陰極２は、背面
基板１上に複数のライン状に印刷された下地陰極２ａの
上に、印刷によって表面陰極２ｂで下地陰極２ａを覆う
ことにより形成されている。なお、下地陰極２ａは、誘
電体やトリガー電極を介して、背面基板１上に設けられ
る場合もある。なお、図示しないが、被覆型陰極２と相
対する陽極をマトリックス状に設けた前面基板が、背面
基板１とペアをなす。
８号公報に示された、従来のプラズマディスプレイにお
ける被覆型陰極の一例を示す要部断面図であり、図にお
いて、１は背面基板、２は被覆型陰極、２ａは下地陰
極、２ｂは表面陰極である。上記被覆型陰極２は、背面
基板１上に複数のライン状に印刷された下地陰極２ａの
上に、印刷によって表面陰極２ｂで下地陰極２ａを覆う
ことにより形成されている。なお、下地陰極２ａは、誘
電体やトリガー電極を介して、背面基板１上に設けられ
る場合もある。なお、図示しないが、被覆型陰極２と相
対する陽極をマトリックス状に設けた前面基板が、背面
基板１とペアをなす。
【０００３】次に、上記被覆型陰極２の形成方法につい
て説明する。気体放電表示素子の被覆型陰極としては、
一般に下地陰極２ａにはＮｉが、表面陰極２ｂには六硼
化物材料が使用されている。図１１を参照して形成工程
を説明すると、予め背面基板１上にトリガー電極、誘電
体を印刷で形成し、その上にまずＮｉペーストを印刷
し、乾燥、焼成過程を通してペーストを焼結させて下地
陰極２ａを形成する。つぎに、表面陰極２ｂとなる六硼
化物材料のペーストを、下地陰極２ａを覆う状態に印刷
し、乾燥、焼成過程を通してペーストを焼結させて、被
覆型陰極２を形成する。
て説明する。気体放電表示素子の被覆型陰極としては、
一般に下地陰極２ａにはＮｉが、表面陰極２ｂには六硼
化物材料が使用されている。図１１を参照して形成工程
を説明すると、予め背面基板１上にトリガー電極、誘電
体を印刷で形成し、その上にまずＮｉペーストを印刷
し、乾燥、焼成過程を通してペーストを焼結させて下地
陰極２ａを形成する。つぎに、表面陰極２ｂとなる六硼
化物材料のペーストを、下地陰極２ａを覆う状態に印刷
し、乾燥、焼成過程を通してペーストを焼結させて、被
覆型陰極２を形成する。
【０００４】上記六硼化物としては、例えば六硼化ラン
タン（ＬａＢ6 ）が用いられる。下地陰極２ａに用いら
れるＮｉも、そのままで陰極として使用されるが、
（ｉ）仕事関数が高い、（ｉｉ）イオン衝撃に弱いと言
った弱点をもつ。このため、（ｉ）融点が高い、（ｉ
ｉ）仕事関数が低い、（ｉｉｉ）イオン衝撃に強いと言
った利点をもつ六硼化物、炭化物、酸化物（例えば、そ
れぞれＬａＢ6 ，ＴｉＣ，ＢａＯ）を被覆した被覆型陰
極２が用いられる。ここでは、印刷による形成法を示し
たが、金属マスクを用いたプラズマ溶射法やスパッタリ
ング法などによる形成法もある。
タン（ＬａＢ6 ）が用いられる。下地陰極２ａに用いら
れるＮｉも、そのままで陰極として使用されるが、
（ｉ）仕事関数が高い、（ｉｉ）イオン衝撃に弱いと言
った弱点をもつ。このため、（ｉ）融点が高い、（ｉ
ｉ）仕事関数が低い、（ｉｉｉ）イオン衝撃に強いと言
った利点をもつ六硼化物、炭化物、酸化物（例えば、そ
れぞれＬａＢ6 ，ＴｉＣ，ＢａＯ）を被覆した被覆型陰
極２が用いられる。ここでは、印刷による形成法を示し
たが、金属マスクを用いたプラズマ溶射法やスパッタリ
ング法などによる形成法もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の被覆型陰極２で
は、以上のように、表面陰極２ｂが印刷法のほか、金属
マスクを用いたプラズマ溶射法やスパッタリング法など
により形成されるので、高精細な被覆型陰極が形成でき
ないと言った問題点がある。例えば金属マスクを用いた
場合、ピッチ１ｍｍを実現するのが限界であった。
は、以上のように、表面陰極２ｂが印刷法のほか、金属
マスクを用いたプラズマ溶射法やスパッタリング法など
により形成されるので、高精細な被覆型陰極が形成でき
ないと言った問題点がある。例えば金属マスクを用いた
場合、ピッチ１ｍｍを実現するのが限界であった。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、高精細化が可能となる被覆型
陰極をもつ気体放電表示素子を得ることを目的としてお
り、さらにこの素子に適した製造方法を得ることを目的
とする。
るためになされたもので、高精細化が可能となる被覆型
陰極をもつ気体放電表示素子を得ることを目的としてお
り、さらにこの素子に適した製造方法を得ることを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この請求項１に記載の発
明に係る気体放電表示素子は、フォトレジストを用いた
リフトオフ法により形成された被覆型陰極を有するもの
である。
明に係る気体放電表示素子は、フォトレジストを用いた
リフトオフ法により形成された被覆型陰極を有するもの
である。
【０００８】また、請求項２に記載の発明の製造方法
は、背面基板上に下地陰極用ペーストを印刷し、乾燥、
焼成過程を通してペーストを焼結させて多数の下地陰極
を形成し、つぎにこの下地陰極が形成された側の背面基
板の全面にフォトレジストをコーティングし、フォトレ
ジストを乾燥させた後、下地陰極間のみにフォトレジス
トを残し、下地陰極の表面からはフォトレジストを除去
するように、下地陰極間の一部を露光、現像することに
よって、フォトレジストのパターニングを行い、これに
より表面陰極パターンを形成し、つぎに表面陰極用材料
を上記表面陰極パターン上につけ、最後に、上記フォト
レジストを除去することにより、上記フォトレジストに
付着した表面陰極用材料を一緒に脱落させる、リフトオ
フ法により、被覆型陰極を形成するものである。
は、背面基板上に下地陰極用ペーストを印刷し、乾燥、
焼成過程を通してペーストを焼結させて多数の下地陰極
を形成し、つぎにこの下地陰極が形成された側の背面基
板の全面にフォトレジストをコーティングし、フォトレ
ジストを乾燥させた後、下地陰極間のみにフォトレジス
トを残し、下地陰極の表面からはフォトレジストを除去
するように、下地陰極間の一部を露光、現像することに
よって、フォトレジストのパターニングを行い、これに
より表面陰極パターンを形成し、つぎに表面陰極用材料
を上記表面陰極パターン上につけ、最後に、上記フォト
レジストを除去することにより、上記フォトレジストに
付着した表面陰極用材料を一緒に脱落させる、リフトオ
フ法により、被覆型陰極を形成するものである。
【０００９】さらに、請求項３に記載の発明の製造方法
は、背面基板上にトリガー電極、誘電体を印刷で形成
し、その印刷の上に下地陰極用Ｎｉペーストを印刷し、
乾燥、焼成過程を通してＮｉペーストを焼結させて多数
の下地陰極を形成し、つぎに下地陰極が形成された側の
背面基板上には、ポジ型フォトレジスト、ネガ型フォト
レジスト、またはポジ型フォトレジストの上にネガ型フ
ォトレジストを積層する積層型フォトレジストのうちの
いずれかのフォトレジストを全面にコーティングし、フ
ォトレジストを乾燥させた後、下地陰極間のみにフォト
レジストを残し、下地陰極の表面からはフォトレジスト
を除去するように、下地陰極間の一部を露光、現像する
ことによって、フォトレジストのパターニングを行い、
これにより表面陰極パターンを形成し、つぎに、表面陰
極となる六硼化物、炭化物、あるいは酸化物のうち少な
くとも１種類の材料を、プラズマ溶射またはスパッタリ
ング法によって上記表面陰極パターンにつけ、最後に、
溶剤による剥離、または加熱処理による燃焼のうちの適
切な処理により上記フォトレジストを除去し、このフォ
トレジストに付着した前記表面陰極用材料を一緒に脱落
させる、リフトオフ法で、被覆型陰極を形成するもので
ある。
は、背面基板上にトリガー電極、誘電体を印刷で形成
し、その印刷の上に下地陰極用Ｎｉペーストを印刷し、
乾燥、焼成過程を通してＮｉペーストを焼結させて多数
の下地陰極を形成し、つぎに下地陰極が形成された側の
背面基板上には、ポジ型フォトレジスト、ネガ型フォト
レジスト、またはポジ型フォトレジストの上にネガ型フ
ォトレジストを積層する積層型フォトレジストのうちの
いずれかのフォトレジストを全面にコーティングし、フ
ォトレジストを乾燥させた後、下地陰極間のみにフォト
レジストを残し、下地陰極の表面からはフォトレジスト
を除去するように、下地陰極間の一部を露光、現像する
ことによって、フォトレジストのパターニングを行い、
これにより表面陰極パターンを形成し、つぎに、表面陰
極となる六硼化物、炭化物、あるいは酸化物のうち少な
くとも１種類の材料を、プラズマ溶射またはスパッタリ
ング法によって上記表面陰極パターンにつけ、最後に、
溶剤による剥離、または加熱処理による燃焼のうちの適
切な処理により上記フォトレジストを除去し、このフォ
トレジストに付着した前記表面陰極用材料を一緒に脱落
させる、リフトオフ法で、被覆型陰極を形成するもので
ある。
【００１０】
【作用】この請求項１に記載の発明における被覆型陰極
は、フォトレジストを用いたリフトオフ法により形成さ
れているので、表面陰極が下地陰極を確実に覆うことが
でき、高精細化が可能となる。
は、フォトレジストを用いたリフトオフ法により形成さ
れているので、表面陰極が下地陰極を確実に覆うことが
でき、高精細化が可能となる。
【００１１】この請求項２に記載の発明の方法では、下
地陰極が形成されている背面基板の全面に、フォトレジ
ストをコーティングする工程と、フォトレジストのパタ
ーニングを行って、表面陰極パターンを形成する工程
と、この表面陰極パターン上に表面陰極用材料をつける
工程と、上記フォトレジストに付着した表面陰極用材料
をフォトレジストと一緒に除去する工程とにより、下地
陰極を被覆する表面陰極を形成するので、被覆型陰極間
のピッチを高精細化することができる。
地陰極が形成されている背面基板の全面に、フォトレジ
ストをコーティングする工程と、フォトレジストのパタ
ーニングを行って、表面陰極パターンを形成する工程
と、この表面陰極パターン上に表面陰極用材料をつける
工程と、上記フォトレジストに付着した表面陰極用材料
をフォトレジストと一緒に除去する工程とにより、下地
陰極を被覆する表面陰極を形成するので、被覆型陰極間
のピッチを高精細化することができる。
【００１２】この請求項３に記載の発明における方法で
は、背面基板上に、トリガー電極、誘電体を印刷し、こ
の上にＮｉペーストを印刷することにより、背面基板上
に多数の下地陰極を形成する工程と、下地陰極が形成さ
れた側の背面基板上に、ポジ型フォトレジスト、ネガ型
フォトレジスト、またはポジ型の上にネガ型を積層する
積層型フォトレジストのうちのいずれかのフォトレジス
トを全面にコーティングする工程と、フォトレジストの
パターニングを行って表面陰極パターンを形成する工程
と、この表面陰極パターン上に、表面陰極となる六硼化
物、炭化物、あるいは酸化物のうち少なくとも１種類の
材料を、プラズマ溶射またはスパッタリングによってつ
ける工程と、溶剤により剥離、または加熱処理による燃
焼のうちの適切な処理により上記フォトレジストを除去
し、このフォトレジストに付着した前記表面陰極用材料
を一緒に脱落させる工程とにより、被覆型陰極を形成す
るので、表面陰極の融点が高く、仕事関数が低く、かつ
イオン衝撃に強いと言った利点を有するとともに、被覆
型陰極間のピッチが高精細化される。
は、背面基板上に、トリガー電極、誘電体を印刷し、こ
の上にＮｉペーストを印刷することにより、背面基板上
に多数の下地陰極を形成する工程と、下地陰極が形成さ
れた側の背面基板上に、ポジ型フォトレジスト、ネガ型
フォトレジスト、またはポジ型の上にネガ型を積層する
積層型フォトレジストのうちのいずれかのフォトレジス
トを全面にコーティングする工程と、フォトレジストの
パターニングを行って表面陰極パターンを形成する工程
と、この表面陰極パターン上に、表面陰極となる六硼化
物、炭化物、あるいは酸化物のうち少なくとも１種類の
材料を、プラズマ溶射またはスパッタリングによってつ
ける工程と、溶剤により剥離、または加熱処理による燃
焼のうちの適切な処理により上記フォトレジストを除去
し、このフォトレジストに付着した前記表面陰極用材料
を一緒に脱落させる工程とにより、被覆型陰極を形成す
るので、表面陰極の融点が高く、仕事関数が低く、かつ
イオン衝撃に強いと言った利点を有するとともに、被覆
型陰極間のピッチが高精細化される。
【００１３】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は、この請求項１に記載の発明の一実施例に
係る被覆型陰極の要部断面を示す。図１において、１は
背面基板、２は被覆型陰極、２ａは下地陰極、２ｂは、
フォトレジストを用いたリフトオフ法により形成された
表面陰極である。上記被覆型陰極２は、背面基板１上に
複数のライン状に印刷された下地陰極２ａの上に、表面
陰極２ｂで下地陰極２ａを覆うことにより形成されてい
る。また、下地陰極は、誘電体やトリガー電極を介して
背面基板上に設けられる場合もある。なお、従来の技術
の説明欄において述べたように、図示しないが、被覆型
陰極２と相対する陽極をマトリックス状に設けた前面基
板が、背面基板１とペアをなすことは勿論である。この
実施例によれば、表面陰極２ｂは、フォトレジストを用
いたリフトオフ法を経て形成されるので、被覆型陰極２
間のピッチは高度に精細化されることが可能である。
する。図１は、この請求項１に記載の発明の一実施例に
係る被覆型陰極の要部断面を示す。図１において、１は
背面基板、２は被覆型陰極、２ａは下地陰極、２ｂは、
フォトレジストを用いたリフトオフ法により形成された
表面陰極である。上記被覆型陰極２は、背面基板１上に
複数のライン状に印刷された下地陰極２ａの上に、表面
陰極２ｂで下地陰極２ａを覆うことにより形成されてい
る。また、下地陰極は、誘電体やトリガー電極を介して
背面基板上に設けられる場合もある。なお、従来の技術
の説明欄において述べたように、図示しないが、被覆型
陰極２と相対する陽極をマトリックス状に設けた前面基
板が、背面基板１とペアをなすことは勿論である。この
実施例によれば、表面陰極２ｂは、フォトレジストを用
いたリフトオフ法を経て形成されるので、被覆型陰極２
間のピッチは高度に精細化されることが可能である。
【００１４】実施例２．図２は、図１の被覆型陰極２を
形成するための、この請求項２に記載の製造方法の一実
施例における工程を示している。図２のように、この製
造方法は、背面基板１上に下地陰極用ペーストを印刷
し、乾燥、焼成を通してペーストを焼結させて多数の下
地陰極２ａを形成する。つぎに、この下地陰極２ａが形
成された側の背面基板２の全面にフォトレジストをコー
ティングする。このフォトレジストを乾燥させた後、下
地陰極２ａ間のみにフォトレジストを残し、下地陰極２
ａの表面からはフォトレジストを除去するように、下地
陰極２ａ間の一部を露光、現像することによって、フォ
トレジストのパターニングを行い、これにより表面陰極
パターンを形成する。なお、図７が、フォトレジスト３
をパターニングした状態を示している。次に、表面陰極
用材料を上記表面陰極パターン上につける（図８参
照）。最後に、上記フォトレジストを除去することによ
り、上記フォトレジストに付着した表面陰極用材料を一
緒に脱落させる、いわゆるリフトオフ法により、被覆型
陰極２を形成するものである。この実施例によれば、被
覆型陰極２間のピッチを高精細化することが容易であ
る。
形成するための、この請求項２に記載の製造方法の一実
施例における工程を示している。図２のように、この製
造方法は、背面基板１上に下地陰極用ペーストを印刷
し、乾燥、焼成を通してペーストを焼結させて多数の下
地陰極２ａを形成する。つぎに、この下地陰極２ａが形
成された側の背面基板２の全面にフォトレジストをコー
ティングする。このフォトレジストを乾燥させた後、下
地陰極２ａ間のみにフォトレジストを残し、下地陰極２
ａの表面からはフォトレジストを除去するように、下地
陰極２ａ間の一部を露光、現像することによって、フォ
トレジストのパターニングを行い、これにより表面陰極
パターンを形成する。なお、図７が、フォトレジスト３
をパターニングした状態を示している。次に、表面陰極
用材料を上記表面陰極パターン上につける（図８参
照）。最後に、上記フォトレジストを除去することによ
り、上記フォトレジストに付着した表面陰極用材料を一
緒に脱落させる、いわゆるリフトオフ法により、被覆型
陰極２を形成するものである。この実施例によれば、被
覆型陰極２間のピッチを高精細化することが容易であ
る。
【００１５】実施例３．次に、図３の工程説明図に基づ
いて、この請求項３に記載の製造方法の一実施例を説明
する。この方法は、前記背面基板１上にトリガー電極、
誘電体を印刷で形成し、その印刷の上に下地陰極用Ｎｉ
ペーストを印刷し、乾燥、焼成過程を通してＮｉペース
トを焼結させて前記多数の下地陰極２ａを形成する。つ
ぎに、下地陰極２ａが形成された側の背面基板１上に、
ホエラーで５〜３０μｍの膜厚にポジ型フォトレジスト
を全面にコーティングする。このポジ型フォトレジスト
を乾燥させた後、下地陰極２ａ間のみにポジ型フォトレ
ジストを残し、下地陰極２ａの表面からはポジ型フォト
レジストを除去するように、下地陰極２ａ間の一部を露
光、現像することによって、ポジ型フォトレジストのパ
ターニングを行い、これにより表面陰極パターンを形成
する（図７参照）。つぎに、表面陰極２ｂとなる六硼化
物（ＭＢ6 ）、炭化物（ＭＣ）、あるいは酸化物（Ｍ
Ｏ）のうち少なくとも１種類の材料を、プラズマ溶射ま
たはスパッタリングによって上記表面陰極パターン上に
つける（図８参照）。最後に、ケトン系溶剤あるいはエ
ーテル系溶剤でポジ型フォトレジストを剥離し、または
ポジ型フォトレジストを４５０〜５００℃で熱処理する
ことにより、上記ポジ型フォトレジストを除去し、この
ポジ型フォトレジストに付着した前記表面陰極用材料も
一緒に脱落させて、被覆型陰極２を形成するものであ
る。すなわち、ポジ型フォトレジストに付着した六硼化
物などの材料が、ポジ型フォトレジストの剥離の際に背
面基板１上から脱落されることは、いわゆるリフトオフ
法と称される方法であり、このリフトオフ法により前記
被覆型陰極２が形成されるものである。
いて、この請求項３に記載の製造方法の一実施例を説明
する。この方法は、前記背面基板１上にトリガー電極、
誘電体を印刷で形成し、その印刷の上に下地陰極用Ｎｉ
ペーストを印刷し、乾燥、焼成過程を通してＮｉペース
トを焼結させて前記多数の下地陰極２ａを形成する。つ
ぎに、下地陰極２ａが形成された側の背面基板１上に、
ホエラーで５〜３０μｍの膜厚にポジ型フォトレジスト
を全面にコーティングする。このポジ型フォトレジスト
を乾燥させた後、下地陰極２ａ間のみにポジ型フォトレ
ジストを残し、下地陰極２ａの表面からはポジ型フォト
レジストを除去するように、下地陰極２ａ間の一部を露
光、現像することによって、ポジ型フォトレジストのパ
ターニングを行い、これにより表面陰極パターンを形成
する（図７参照）。つぎに、表面陰極２ｂとなる六硼化
物（ＭＢ6 ）、炭化物（ＭＣ）、あるいは酸化物（Ｍ
Ｏ）のうち少なくとも１種類の材料を、プラズマ溶射ま
たはスパッタリングによって上記表面陰極パターン上に
つける（図８参照）。最後に、ケトン系溶剤あるいはエ
ーテル系溶剤でポジ型フォトレジストを剥離し、または
ポジ型フォトレジストを４５０〜５００℃で熱処理する
ことにより、上記ポジ型フォトレジストを除去し、この
ポジ型フォトレジストに付着した前記表面陰極用材料も
一緒に脱落させて、被覆型陰極２を形成するものであ
る。すなわち、ポジ型フォトレジストに付着した六硼化
物などの材料が、ポジ型フォトレジストの剥離の際に背
面基板１上から脱落されることは、いわゆるリフトオフ
法と称される方法であり、このリフトオフ法により前記
被覆型陰極２が形成されるものである。
【００１６】この実施例３のさらに詳細な具体例を説明
すると、例えば、下地陰極２ａが形成された背面基板１
上にホエラーで、５〜３０μｍの膜厚にＡＺ−１３７０
ＳＦ（ヘキストジャパン製）を全面にコーティングす
る。このポジ型フォトレジストを乾燥させた後、下地陰
極２ａ間の一部を露光、現像することによって、フォト
レジストのパターニングを行う。ポジ型フォトレジスト
は、下地陰極２ａ間に残る。その後、表面陰極２ｂとな
る六硼化物ランタン（ＬａＢ6 ）をプラズマ溶射によっ
て、上記表面陰極パターン上につける。最後に、メチル
エチルケトンでポジ型フォトレジストを剥離して、被覆
型陰極２を形成する。この結果得られた被覆型陰極の要
部拡大平面図を図４に示す。なお、図４の断面は図１に
示されたものに該当する。この実施例によれば、表面陰
極２ｂは、融点が高く、仕事関数が低く、かつイオン衝
撃に強くなり、しかも被覆型陰極２間のピッチを高度に
精細化することが容易となる。
すると、例えば、下地陰極２ａが形成された背面基板１
上にホエラーで、５〜３０μｍの膜厚にＡＺ−１３７０
ＳＦ（ヘキストジャパン製）を全面にコーティングす
る。このポジ型フォトレジストを乾燥させた後、下地陰
極２ａ間の一部を露光、現像することによって、フォト
レジストのパターニングを行う。ポジ型フォトレジスト
は、下地陰極２ａ間に残る。その後、表面陰極２ｂとな
る六硼化物ランタン（ＬａＢ6 ）をプラズマ溶射によっ
て、上記表面陰極パターン上につける。最後に、メチル
エチルケトンでポジ型フォトレジストを剥離して、被覆
型陰極２を形成する。この結果得られた被覆型陰極の要
部拡大平面図を図４に示す。なお、図４の断面は図１に
示されたものに該当する。この実施例によれば、表面陰
極２ｂは、融点が高く、仕事関数が低く、かつイオン衝
撃に強くなり、しかも被覆型陰極２間のピッチを高度に
精細化することが容易となる。
【００１７】実施例４．つぎに、同じく図３の工程説明
図に基づいて、この請求項３の記載の製造方法の他の実
施例を説明する。この方法は、上記実施例３におけるポ
ジ型フォトレジストの代わりに、ネガ型フォトレジスト
を使用することを特徴としている。この方法の要点を説
明すると、この方法は、下地陰極２ａが形成された背面
基板１上にホエラーで、５〜３０μｍの膜厚にネガ型フ
ォトレジストを全面にコーティングする。このネガ型フ
ォトレジストを乾燥させた後、下地陰極２ａ間の一部を
露光、現像することによって、ネガ型フォトレジストの
パターニングを行う（図７）。その後、表面陰極２ｂと
なる六硼化物（ＭＢ6 ）、炭化物（ＭＣ）あるいは酸化
物（ＭＯ）のうち少なくとも１種類の材料をプラズマ溶
射によって、上記表面陰極パターン上につける（図
８）。最後に、４５０〜５００℃でネガ型フォトレジス
トを熱処理することにより、被覆型陰極２を形成する。
この場合も、ポジ型フォトレジストと同様に、レジスト
に付着していた六硼化物などの材料は、熱処理によっ
て、ネガ型フォトレジストが燃焼してしまうので、背面
基板１上から脱落する。したがって、下地陰極２ａの表
面には表面陰極２ｂが被覆され、下地陰極２ａ間に六硼
化物などの材料は残らない。
図に基づいて、この請求項３の記載の製造方法の他の実
施例を説明する。この方法は、上記実施例３におけるポ
ジ型フォトレジストの代わりに、ネガ型フォトレジスト
を使用することを特徴としている。この方法の要点を説
明すると、この方法は、下地陰極２ａが形成された背面
基板１上にホエラーで、５〜３０μｍの膜厚にネガ型フ
ォトレジストを全面にコーティングする。このネガ型フ
ォトレジストを乾燥させた後、下地陰極２ａ間の一部を
露光、現像することによって、ネガ型フォトレジストの
パターニングを行う（図７）。その後、表面陰極２ｂと
なる六硼化物（ＭＢ6 ）、炭化物（ＭＣ）あるいは酸化
物（ＭＯ）のうち少なくとも１種類の材料をプラズマ溶
射によって、上記表面陰極パターン上につける（図
８）。最後に、４５０〜５００℃でネガ型フォトレジス
トを熱処理することにより、被覆型陰極２を形成する。
この場合も、ポジ型フォトレジストと同様に、レジスト
に付着していた六硼化物などの材料は、熱処理によっ
て、ネガ型フォトレジストが燃焼してしまうので、背面
基板１上から脱落する。したがって、下地陰極２ａの表
面には表面陰極２ｂが被覆され、下地陰極２ａ間に六硼
化物などの材料は残らない。
【００１８】この実施例４のさらに詳細な具体例を説明
すると、例えば、下地陰極２ａが形成された背面基板１
上にホエラーで、５〜３０μｍの膜厚にＯＳＢＲ−８２
Ｂ（東京応化製）を全面にコーティングする。このフォ
トレジストを乾燥させた後、下地陰極２ａ間の一部を露
光、現像することによって、フォトレジストのパターニ
ングを行う。その後、表面陰極２ｂとなる六硼化物ラン
タン（ＬａＢ6 ）をプラズマ溶射によって、上記表面陰
極パターン上につける。最後に、５００℃で１時間熱処
理してフォトレジストをとばして、被覆型陰極２を形成
する。この結果得られた被覆型陰極の要部拡大平面図を
図５に示す。なお、図５の断面を図１に示されたものに
該当する。この実施例４の場合も、実施例３と同様の利
点が得られる。
すると、例えば、下地陰極２ａが形成された背面基板１
上にホエラーで、５〜３０μｍの膜厚にＯＳＢＲ−８２
Ｂ（東京応化製）を全面にコーティングする。このフォ
トレジストを乾燥させた後、下地陰極２ａ間の一部を露
光、現像することによって、フォトレジストのパターニ
ングを行う。その後、表面陰極２ｂとなる六硼化物ラン
タン（ＬａＢ6 ）をプラズマ溶射によって、上記表面陰
極パターン上につける。最後に、５００℃で１時間熱処
理してフォトレジストをとばして、被覆型陰極２を形成
する。この結果得られた被覆型陰極の要部拡大平面図を
図５に示す。なお、図５の断面を図１に示されたものに
該当する。この実施例４の場合も、実施例３と同様の利
点が得られる。
【００１９】実施例５．また、図６の工程説明図に基づ
いて、この請求項３に記載の製造方法のさらに他の実施
例を説明する。この方法は、上記実施例３，４における
ポジ型およびネガ型フォトレジストの代わりに、ポジ型
フォトレジストのパターニングの上にネガ型フォトレジ
ストを乗せてパターニングを行うことで得られる積層型
フォトレジストを使用することを特徴としている。ネガ
型フォトレジストは、紫外線によって硬化してしまうた
め、スパッタリングによる表面陰極の形成が困難であっ
たが、この方法により、スパッタリングによる表面陰極
の形成も可能になる。
いて、この請求項３に記載の製造方法のさらに他の実施
例を説明する。この方法は、上記実施例３，４における
ポジ型およびネガ型フォトレジストの代わりに、ポジ型
フォトレジストのパターニングの上にネガ型フォトレジ
ストを乗せてパターニングを行うことで得られる積層型
フォトレジストを使用することを特徴としている。ネガ
型フォトレジストは、紫外線によって硬化してしまうた
め、スパッタリングによる表面陰極の形成が困難であっ
たが、この方法により、スパッタリングによる表面陰極
の形成も可能になる。
【００２０】この方法の要点を説明すると、この方法
は、下地陰極２ａが形成された背面基板１上にホエラー
で、５〜３０μｍの膜厚にポジ型フォトレジストを全面
にコーティングし、露光現像でパターニングを行い、そ
の上にホエラーで２〜３０μｍの膜厚にネガ型フォトレ
ジストを全面にコーティングする。このネガ型フォトレ
ジストを乾燥させた後、下地陰極２ａ間の一部を露光、
現像することによって、ネガ型フォトレジストのパター
ニングを行う（図７）。その後、表面陰極２ｂとなる炭
化物（ＭＣ）、六硼化物（ＭＢ6 ）あるいは酸化物（Ｍ
Ｏ）のうち少なくとも１種類の材料をプラズマ溶射、ま
たはスパッタリングによって、上記表面陰極パターン上
につける（図８）。最後に、ケトン系溶剤あるいはエー
テル系溶剤でポジ型フォトレジストを溶かし、ネガ型フ
ォトレジストを剥離する、または４５０〜５００℃でポ
ジ型フォトレジストおよびネガ型フォトレジストを熱処
理することにより、フォトレジストを除去して、被覆型
陰極２を形成する。
は、下地陰極２ａが形成された背面基板１上にホエラー
で、５〜３０μｍの膜厚にポジ型フォトレジストを全面
にコーティングし、露光現像でパターニングを行い、そ
の上にホエラーで２〜３０μｍの膜厚にネガ型フォトレ
ジストを全面にコーティングする。このネガ型フォトレ
ジストを乾燥させた後、下地陰極２ａ間の一部を露光、
現像することによって、ネガ型フォトレジストのパター
ニングを行う（図７）。その後、表面陰極２ｂとなる炭
化物（ＭＣ）、六硼化物（ＭＢ6 ）あるいは酸化物（Ｍ
Ｏ）のうち少なくとも１種類の材料をプラズマ溶射、ま
たはスパッタリングによって、上記表面陰極パターン上
につける（図８）。最後に、ケトン系溶剤あるいはエー
テル系溶剤でポジ型フォトレジストを溶かし、ネガ型フ
ォトレジストを剥離する、または４５０〜５００℃でポ
ジ型フォトレジストおよびネガ型フォトレジストを熱処
理することにより、フォトレジストを除去して、被覆型
陰極２を形成する。
【００２１】この実施例５のさらに詳細な具体例を説明
すると、例えば、下地陰極２ａが形成された背面基板１
上にホエラーで、５〜３０μｍの膜厚にＡＺ−１３７０
ＳＦ（ヘキストジャパン製）を全面にコーティング、露
光現像でパターニングを行い、その上にホエラーで２〜
３０μｍの膜厚に、ＰＶＡ−Ｃｒ（ポリビニールアルコ
ールにＣｒを溶かした水溶性レジスト）を全面にコーテ
ィングする。このフォトレジストを乾燥させた後、下地
陰極２ａ間の一部を露光、現像することによって、表面
陰極のパターニングを行う。その後、六硼化物ランタン
（ＬａＢ6 ）をプラズマ溶射によって、上記表面陰極パ
ターン上につける。最後に、メチルエチルケトンでＡＺ
−１３７０ＳＦを溶かしてＰＶＡ−Ｃｒを剥離して、被
覆型陰極２を形成するものである。また、上記と同じ方
法において、ＰＶＡ−Ｃｒの代わりに、ドライフィルム
や、ＰＶＡ−ジアゾ系レジストを使用することによって
も、上記と同じ被覆型陰極２を得ることができる。表面
陰極用材料として、ＬａＢ6 とＴｉＣを用いた被覆型陰
極２を有する気体放電表示素子の放電維持電圧−放電電
流特性（Ｖ−Ｉ特性）を図９に示す。
すると、例えば、下地陰極２ａが形成された背面基板１
上にホエラーで、５〜３０μｍの膜厚にＡＺ−１３７０
ＳＦ（ヘキストジャパン製）を全面にコーティング、露
光現像でパターニングを行い、その上にホエラーで２〜
３０μｍの膜厚に、ＰＶＡ−Ｃｒ（ポリビニールアルコ
ールにＣｒを溶かした水溶性レジスト）を全面にコーテ
ィングする。このフォトレジストを乾燥させた後、下地
陰極２ａ間の一部を露光、現像することによって、表面
陰極のパターニングを行う。その後、六硼化物ランタン
（ＬａＢ6 ）をプラズマ溶射によって、上記表面陰極パ
ターン上につける。最後に、メチルエチルケトンでＡＺ
−１３７０ＳＦを溶かしてＰＶＡ−Ｃｒを剥離して、被
覆型陰極２を形成するものである。また、上記と同じ方
法において、ＰＶＡ−Ｃｒの代わりに、ドライフィルム
や、ＰＶＡ−ジアゾ系レジストを使用することによって
も、上記と同じ被覆型陰極２を得ることができる。表面
陰極用材料として、ＬａＢ6 とＴｉＣを用いた被覆型陰
極２を有する気体放電表示素子の放電維持電圧−放電電
流特性（Ｖ−Ｉ特性）を図９に示す。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、この請求項１に記載の発
明によれば、表面陰極が、フォトレジストを用いたリフ
トオフ法により形成されるので、被覆型陰極の高精細化
が可能となる。
明によれば、表面陰極が、フォトレジストを用いたリフ
トオフ法により形成されるので、被覆型陰極の高精細化
が可能となる。
【００２３】また、この請求項２に記載の製法発明によ
れば、フォトレジストを用いて表面陰極を形成するの
で、被覆型陰極間のピッチを高度に精細化することが容
易となる。
れば、フォトレジストを用いて表面陰極を形成するの
で、被覆型陰極間のピッチを高度に精細化することが容
易となる。
【００２４】さらに、この請求項３に記載の製法発明に
よれば、表面陰極を六硼化物、炭化物あるいは酸化物の
うち少なくとも１種類の材料で作るので、表面陰極の融
点が高く、仕事関数が低く、かつイオン衝撃に強くなる
とともに、被覆型陰極間のピッチが高精細化される。
よれば、表面陰極を六硼化物、炭化物あるいは酸化物の
うち少なくとも１種類の材料で作るので、表面陰極の融
点が高く、仕事関数が低く、かつイオン衝撃に強くなる
とともに、被覆型陰極間のピッチが高精細化される。
【図１】この請求項１に記載の発明の一実施例による気
体放電表示素子の要部断面図である。
体放電表示素子の要部断面図である。
【図２】この請求項２に記載の製法発明の一実施例を示
す工程説明図である。
す工程説明図である。
【図３】この請求項３に記載の製法発明の第１および第
２実施例を示す工程説明図である。
２実施例を示す工程説明図である。
【図４】図３の発明の第１実施例により得られた被覆型
陰極の要部拡大平面図である。
陰極の要部拡大平面図である。
【図５】図３の発明の第２実施例により得られた被覆型
陰極の要部拡大平面図である。
陰極の要部拡大平面図である。
【図６】この請求項３に記載の製法発明の第３実施例を
示す工程説明図である。
示す工程説明図である。
【図７】この請求項２および３に記載の製法発明におい
て、フォトレジストのパターニングを行った状態を示す
断面図である。
て、フォトレジストのパターニングを行った状態を示す
断面図である。
【図８】この請求項２および３に記載の製法発明におい
て、表面陰極用材料を被覆した状態を示す断面図であ
る。
て、表面陰極用材料を被覆した状態を示す断面図であ
る。
【図９】この請求項３に記載の製法発明により得られた
被覆型陰極の放電維持電圧−放電電流特性（Ｖ−Ｉ）特
性を示すグラフ図である。
被覆型陰極の放電維持電圧−放電電流特性（Ｖ−Ｉ）特
性を示すグラフ図である。
【図１０】従来の被覆型陰極の断面図である。
【図１１】従来の被覆型陰極の製法を示す工程説明図で
ある。
ある。
１ 背面基板 ２ 被覆型陰極 ２ａ 下地陰極 ２ｂ 表面陰極 ３ フォトレジスト ４ 表面陰極用材料
Claims (3)
- 【請求項１】 被覆型陰極を有する背面基板と、前記被
覆型陰極に相対する陽極をマトリックス状に設けられた
前面基板と、これらの背面基板および前面基板間に放電
ガスとを有し、前記被覆型陰極のうちの表面陰極が、六
硼化物（ＭＢ6 ）、炭化物（ＭＣ）酸化物（ＭＯ）のう
ち少なくとも１種類の材料で作られている気体放電表示
素子において、前記被覆型陰極の表面陰極が、ポジ型フ
ォトレジスト、ネガ型フォトレジスト、またはポジ型フ
ォトレジストの上にネガ型フォトレジストを乗せた積層
型フォトレジストのうち、いずれかのフォトレジストを
用いたリフトオフ法により形成されていることを特徴と
する気体放電表示素子。 - 【請求項２】 背面基板上に下地陰極用ペーストを印刷
し、乾燥、焼成を通してこのペーストを焼結させて多数
の下地陰極を形成し、この下地陰極が形成された側の背
面基板の全面にフォトレジストをコーティングし、この
フォトレジストを乾燥させた後、下地陰極間のみにフォ
トレジストを残し、下地陰極の表面からはフォトレジス
トを除去するように、下地陰極間の一部を露光、現像す
ることによって、フォトレジストのパターニングを行
い、これにより表面陰極パターンを形成し、次に、表面
陰極用材料を上記表面陰極パターン上につけ、最後に、
上記フォトレジストを除去することにより、上記フォト
レジストに付着した表面陰極用材料を一緒に脱落させ
る、リフトオフ法により、被覆型陰極を形成する気体放
電表示素子の製造方法。 - 【請求項３】 背面基板上にトリガー電極、誘電体を印
刷で形成し、その印刷の上に下地陰極用Ｎｉペーストを
印刷し、乾燥、焼成過程を通してＮｉペーストを焼結さ
せて多数の下地陰極を形成し、つぎに下地陰極が形成さ
れた側の背面基板上に、ポジ型フォトレジスト、ネガ型
フォトレジスト、またはポジ型フォトレジストの上にネ
ガ型フォトレジストを乗せる積層型フォトレジストのう
ちの、いずれかのフォトレジストを全面にコーティング
し、このフォトレジストを乾燥させた後、下地陰極間の
みにフォトレジストを残し、下地陰極の表面からはフォ
トレジストを除去するように、下地陰極間の一部を露
光、現像することによって、フォトレジストのパターニ
ングを行い、これにより表面陰極パターンを形成し、つ
ぎに、表面陰極となる六硼化物、炭化物、あるいは酸化
物のうち少なくとも１種類の材料を、プラズマ溶射また
はスパッタリングによって上記表面陰極パターン上につ
け、最後に、溶剤による剥離、または加熱処理による燃
焼のうちの適切な処理により上記フォトレジストを除去
し、このフォトレジストに付着した前記表面陰極用材料
を一緒に脱落させる、リフトオフ法で、被覆型陰極を形
成する気体放電表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4075801A JPH05242812A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 気体放電表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4075801A JPH05242812A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 気体放電表示素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05242812A true JPH05242812A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13586669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4075801A Pending JPH05242812A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 気体放電表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05242812A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646482A (en) * | 1995-05-30 | 1997-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ADC gas discharge image display device having cathode material dimensional constraints |
| CN111133623A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-05-08 | 国际商业机器公司 | 具有剥落的和纹理化的阴极层的可充电电池堆 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4075801A patent/JPH05242812A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5730637A (en) * | 1994-06-03 | 1998-03-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image display apparatus and method for fabricating the same |
| US5646482A (en) * | 1995-05-30 | 1997-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ADC gas discharge image display device having cathode material dimensional constraints |
| CN111133623A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-05-08 | 国际商业机器公司 | 具有剥落的和纹理化的阴极层的可充电电池堆 |
| CN111133623B (zh) * | 2017-09-29 | 2023-05-09 | 国际商业机器公司 | 具有剥落的和纹理化的阴极层的可充电电池堆 |
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