KR20020057791A - 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법 - Google Patents

삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020057791A
KR20020057791A KR1020010083353A KR20010083353A KR20020057791A KR 20020057791 A KR20020057791 A KR 20020057791A KR 1020010083353 A KR1020010083353 A KR 1020010083353A KR 20010083353 A KR20010083353 A KR 20010083353A KR 20020057791 A KR20020057791 A KR 20020057791A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
carbon nanotube
transparent electrode
forming
field emission
Prior art date
Application number
KR1020010083353A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100442840B1 (ko
Inventor
정득석
이항우
박상현
Original Assignee
김순택
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김순택, 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 김순택
Priority to DE60201689T priority Critical patent/DE60201689T2/de
Priority to US10/035,438 priority patent/US6699642B2/en
Priority to EP02250035A priority patent/EP1221710B1/en
Priority to JP2002000681A priority patent/JP3863781B2/ja
Publication of KR20020057791A publication Critical patent/KR20020057791A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100442840B1 publication Critical patent/KR100442840B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes

Abstract

본 발명은 저전압 전계방출 물질인 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출 어레이의 제조방법에 관한 것으로, 후면 노광법에 의한 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법을 제공하여 별도의 마스크층을 사용하지 않고 공정상에 제조되는 박막층 자체를 마스크층으로 사용함으로써 적은 수의 마스크층을 사용하여 삼극관구조의 탄소나노튜브 전계방출 어레이를 용이하게 제조할 수 있다.

Description

삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법{Manufacturing method of triode carbon nanotube field emission array}
본 발명은 저전압 전계 방출 물질인 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출 어레이의 제조방법에 관한 것이다.
종래의 전계 방출 표시소자는 주로 Mo 등의 금속이나 Si등의 반도체 물질을 소재로한 스핀트형(Spindt type) 전계 방출 어레이(field emitter array:FEA)가 있었다. 이는 일정한 간격으로 배열시킨 팁에 게이트로 부터 강한 전기장을 인가함으로써 팁으로 부터 전자를 방출시키는 방식의 마이크로 팁 FED이다. 마이크로 팁 FED의 경우에는 고가의 반도체 장비를 필요로 하며, 대면적의 전계 방출 표시소자의 제작에 어려운 문제점이 있다.
또한, 금속이나 반도체로 형성된 팁의 경우에는 일함수가 크기 때문에 전자 방출을 위한 게이트 전압이 상대적으로 상당히 높고, 전자 방출시 진공중에 잔류 가스 입자들이 전자들과 충돌하여 이온화되고 이들 가스 이온들이 마이크로 팁과충돌하면서 충격을 주게 되어 전자 방출원을 파괴시키며, 이러한 전자에 의해 충돌된 형광체 입자가 떨어지게 되면 마이크로 팁을 오염시키게 되므로 전자 방출원의 성능을 저하시키고, 결과적으로 FEA의 성능과 수명을 저하시킨다.
최근, 새로운 전계 방출 물질인 탄소나노튜브가 출현하면서, 종래에 전자 방출용 팁으로 사용하던 금속팁등을 탄소나노튜브로 대채하고자 하는 연구들이 시도되고 있다. 탄소나노튜브는 큰 종횡비(aspect ratio)를 가지고, 전도성이 매우 우수한 전기적 특성 및 안정된 기계적 특성을 가진 물질이다. 이와 같은 특성에 의해 현재 여러 연구 단체에서 탄소나노튜브를 전계방출 물질로 채용하여 보다 나은 전계방출 소자를 제조하고자 연구가 진행되고 있다. 이러한 탄소나노튜브의 경우 전자방출전계가 약 2V/㎛로서 매우 낮으며 또한 화학적 안정성이 뛰어나 전계 방출 표시소자의 제작에 적합하다.
탄소나노튜브를 채용한 이극관 구조의 전계 방출 소자의 경우 종래의 전형적인 구조로 용이한 제작이 가능하지만, 방출 전류를 제어하는데 문제가 있으며 동영상 또는 다계조(gray-scale)의 영상의 실현하는데 어려운 문제점이 있다. 따라서, 이극관 구조 대신 삼극관 구조가 요구된다. 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 표시소자에 대한 특허의 경우 Xu et al.(미 특허번호 제 5,973,444호)등에서 처럼 CVD 방법에 의해 탄소나노튜브를 성장시키는 것을 기본으로 하여 삼극관 구조가 마이크로 팁과 같이 전공정이 박막공정을 통해서 형성되는 것이 개시되어 있다. 또한, Uemura et al(미 특허번호 제 6,239,547호)에서는 탄소나노튜브 번들(bundle)을 전계방출 소자로 사용하여 이를 전도성 접착물을 이용하여 전극에 접착하는 것이 개시되어 있다.
그러나, 이러한 공정을 사용하여 구조를 제작할 경우 고가의 반도체 장비가 필요하며, 또한 대면적의 표시소자를 제작하는데 어려움이 있다.
기존의 일반적인 후막 공정을 사용하면 후막공정이 가지고 있는 해상도의 한계에 의해 보편적인 삼극관 구조를 형성시키기 어려운 문제점이 있다. 또한, 대면적의 표시소자 제작시 후막의 특성상 고온의 소성 공정을 거쳐야 하기 때문에 다층막 형성시 층간 정렬이 어려운 문제점이 있다.
본 발명에서는 상기 문제점을 해결하기 위하여, 감광성 후막 물질을 사용하여 스크린 프린팅으로 전면을 도포하고 식각공정을 통하여 삼극관 구조를 제작하되 적은 수의 마스크층을 사용하고 다층막의 층간 얼라인 문제를 동시에 해결할 수 있는 탄소나노튜브 전계 방출 어레이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1a 내지 도 1j는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이 제작 방법을 나타낸 단면도이다.
도 2a 내지 도 2k는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이 제작 방법을 나타낸 단면도이다.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 제 3 실시예에 의한 삼극관 탄소나노튜브 전계 방출 어레이의 제작 방법을 나타낸 단면도이다.
도 4는 비정질 현상 공정에 사용되는 자외선의 비정질 실리콘에 대한 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 제 1실시예에 의해 제작된 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 소자를 찍은 SEM 사진이다.
도 6a 및 도 6b는 각각 절연성 물질과 전도성 물질을 음성 및 양성 공정에 의해 제작한 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 소자의 Microscope 사진이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제 3실시예에 의해 제작된 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이를 찍은 SEM 사진이다.
< 도면의 중요부분에 대한 부호의 설명 >
11, 21, 31... 글래스 기판 12, 22, 32... ITO 전극층
13, 23... Cr 전극층 14... Al 박막층
15... 후막 절연층 16... 불투명 절연층
17, 25, 35... 게이트층 18, 26, 36... 탄소나노튜브
33... 비정질 실리콘층 24, 34... 박막 절연층
33', 34', 35'... 홀
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는,
(가) 투명전극이 증착된 글래스 기판 상부에 전도성 박막층을 형성시키고 상기 투명전극의 소정 부위를 노출시키는 단계;
(나) 상기 노출된 투명전극의 소정 부위에 불투명 박막층을 형성하는 단계;
(다) 상기 글래스 기판 상부에 절연물질을 전면 도포하고 상기 전도층 및 불투명 박막층 상부의 절연물질을 제거하여 절연층을 형성하는 단계;
(라) 상기 절연층 상부에 게이트층을 형성하는 단계; 및
(마) 상기 불투명 박막층을 제거한 뒤, 상기 노출된 투명전극 상부에 탄소나노튜브 팁을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 (가) 단계는 상기 글래스 기판의 투명전극층 패터닝하여 스트라이프 형태로 형성하는 단계; 상기 패터닝된 투명전극 상부에 전도층을 형성하는 단계; 및 상기 전도층의 소정부위에 상기 투명전극층을 노출시키는 홀을 형성하는 단계;로 이루어지거나, 상기 (가) 단계는 투명전극층이 형성된 글래스 기판 상부에 전도층을 형성하는 단계; 상기 전극층 및 투명전극층을 동시에 패터닝하여 스트라이프 형태로 형성하는 단계; 및 상기 전도층의 소정부위에 상기 투명전극층을 노출시키는 홀을 형성하는 단계;로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 (다) 단계는 상기 글래스 기판 상부에 절연물질을 전면에 걸쳐 도포한 뒤, 상기 글래스 기판에 대해 후면 노광을 실시함으로써 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 (다) 단계는 상기 글래스 기판 상부에 상기 절연물질을 프린팅 공정에 의해 전면에 걸쳐 도포하고 건조하는 단계; 상기 후면 노광 및 현상공정에 의해 상기 전도층 및 불투명 박막층 상부의 절연물질을 제거하는 단계; 및 상기 잔존한 절연물질을 소결하는 단계;를 2회 이상 반복함으로써 상기 절연층을 형성하는 것이 바람직하다.
상기 (라) 단계는 음극 게이트 패턴 스크린 마스크를 사용하여 상기 절연층의 중앙 상부 영역에 불투명 절연층을 형성하는 단계; 전도성 감광 페이스트를 상기 글래스기판 상부에 전면에 걸쳐 도포하는 단계; 및 상기 글래스 기판에 대해 후면 노광을 실시하여 게이트층을 형성시키는 단계;로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 (마) 단계는 음성 감광성 탄소나노튜브 페이스트를 상기 글래스 기판 상부에 전면에 걸쳐 도포하는 단계; 및 상기 글래스 기판에 대해 후면 노광을 실시하여 상기 투명전극층 상부에만 탄소나노튜브 팁을 형성하는 단계;로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 전도성 박막층은 Cr을 포함하며, 상기 불투명 박막층은 Al을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 절연층 및 상기 게이트층은 음성 감광성 페이스트를 사용하여 형성시키는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에서는
(가) 투명전극이 증착된 글래스 기판 상부에 전도성 박막층을 형성시키고 상기 투명전극의 소정 부위를 노출시키는 단계;
(나) 상기 글래스 기판 상부에 절연물질을 전면 도포하는 단계;
(다) 상기 절연층 상부에 게이트층을 형성하고 패터닝하여 상기 투명전극 상부의 절연물질을 노출시키는 단계;
(라) 상기 투명전극 상부의 절연물질을 제거하여 절연층을 형성시키고 상기 전도성 박막층 및 상기 투명전극의 소정 부위를 노출시키는 단계; 및
(마) 상기 노출된 투명전극 상부에 탄소나노튜브 팁을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 (다) 단계는 상기 절연층 상부에 박막 장비를 이용하여 전도성 물질을 증착시키는 단계; 상기 ITO 전극층에 대응되는 부위의 전도성 물질을 홀 형태로 패터닝하여 절연물질을 노출시기고 게이트층을 형성하는 단계;로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 (라) 단계는 글래스 기판 상부에서 건조 에칭 공정에 의해 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 (마) 단계는 음성 감광성 탄소나노튜브 페이스트를 상기 글래스 기판 상부에 전면에 걸쳐 도포하는 단계; 및 상기 글래스 기판에 대해 후면 노광을 실시하여 상기 투명전극층 상부에만 탄소나노튜브 팁을 형성하는 단계;로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 게이트층의 전도성 물질에 대해 PR 공정을 실시하여 라인 형태의 게이트층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다
본 발명에 있어서, 상기 전도성 박막층은 Cr을 포함하며, 상기 절연물질은 폴리이미드를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 절연층 및 상기 게이트층은 양성 감광성 페이스트를 사용하여 형성시키는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법에 있어서, (가) 투명 전극이 형성된 투명 기판 상부에 비정질 실리콘층 및 절연층을 순차적으로 형성시키는 단계;; (나) 상기 절연층 상부에 전도성 게이트층을 형성시키고, 상기 비정질 실리콘 층이 노출되도록 상기 게이트층 및 상기 절연층에 홀을 형성시키는 단계; (다) 상기 노출된 비정질 실리콘층에 홀을 형성시켜 상기 투명 전극층을 노출시키고, 상기 게이트층 및 상기 홀에 탄소 나노튜브 페이스트를 전면 도포하는 단계; 및 (라) 상기 기판 후면에서 자외선을 주사하여 현상하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 (나) 단계는 포토-리소그래피 공정으로 상기 게이트층에 상기 절연층을 노출시키는 홀을 형성시키는 단계; 및 상기 기판 구조체를 oxide 에천트에 넣어 상기 비정질 실리콘이 노출되도록 상기 산화층에 홀을 형성시키는 단계;로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 (다) 단계는 상기 비정질 실리콘층에 대해 건식 에칭 또는 습식 에칭으로 상기 투명 전극이 노출되도록 홀을 형성키시는 단계; 상기 게이트층에 대해 포토-리소그래피 공정으로 라인 패터닝을 실시하는 단계; 및 상기 상기 게이트층 및 상기 홀에 탄소 나노튜브 페이스트를 스크린 프린팅으로 전면에 도포하는 단계;를 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 도면을 참고하면서 본 발명에 의한 삼극관 탄소 나노튜브 전계 전계방출 소자의 제조 방법에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1j는 본 발명에 의한 제 1실시예에 의한 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다. 여기서는 절연층 및 전도성 후막을 사용하는 게이트층을 음성 공정을 이용하여 제작하는 방법에 대해 설명한다.
본 발명에서는 투명 전극이 형성된 투명 기판을 사용한다. 예를 들어, 통상적으로 사용되는 ITO(I:Indium, T:Tin, O:Oxide)가 증착되어 있는 글래스 기판(11)에서 ITO가 형성되어 있는 부위에 패터닝을 실시함으로써, 스트라이프 형태의 ITO 전극(12)을 형성시킨다. 도 1a는 패터닝 공정을 거친 기판에 대해 스트라이프 구조의 ITO 전극(2)의 폭 방향으로 절단한 단면을 나타내고 있다.
다음으로, 글래스 기판(11) 및 ITO 전극(12) 상부에 스퍼터등의 박막 장비를 이용하여 전면으로 Cr 박막층(13)을 형성시킨다. 상기 형성된 Cr 박막층(13)에 대해 노광공정 및 현상공정(exposure and develop)을 실시하여 도 1b에 나타낸 바와 같은 Cr 박막층(13)을 패턴한다. 상기 Cr 박막층(13)의 형태는 제한이 없으나, 이후의 공정에서 탄소나노튜브를 성장 시키기 위해 중앙부위에 홀이 형성된 형태로 제작하는 것이 바람직하다. 상기 도 1b는 글래스 기판(11)을 수직으로 절단한 단면도로서 Cr 박막층(13)은 가운데 부분에 홀이 형성되어 있는 링형태로 나타내어지고 있다.
다음으로, 스퍼터(sputter)등의 박막장비 이용하여 Al 박막층(14)을 상기 글래스 기판(11), ITO 전극(12) 및 Cr 박막층(13) 상부의 전면에 걸쳐 형성시킨다. 이러한 Al 박막층에 대해 노광 공정 및 현상 공정을 실시하여, 도 1c에 나타낸 바와 같이 상기 ITO 음극전극(12) 및 Cr 박막층(13)의 일부에 걸치는 도트(dot) 형태로 패턴시킨다. 여기서 상기 Cr 박막층(13) 및 상기 Al 박막층(14)의 재료는 Cr 및 Al에 한정되지 않으며, 에칭공정시 에칭 선택성(selectivity)을 지닌 물질이면 사용될 수 있다.
다음으로, 음성 감광성 페이스트를 사용하여 제작한 절연성 물질을 스크린 프린팅 공정을 사용하여 Cr 박막층(13) 및 Al 박막층(14)이 형성된 글래스 기판(11) 상부의 전면에 결쳐 도포시킨다. 이러한 공정을 거친 뒤, 도 1d에 나타낸 바와 같이 글래스 기판(11) 뒷면에서 일반적인 노광 공정에 사용하는 자외선을 조사하여 노광(reverse exposure)시킨다. 상기 노광공정에 있어서, 미리 형성된 Cr 박막층(13) 및 Al 박막층(14)은 불투명하기 때문에 마스크층의 역할을 한다. 따라서, 상기 노광시 조사하는 광이 통과할 수 없고, 상기 Cr 박막층(13) 및 Al 박막층(14)이 형성되지 아니한 부위에서는 노광용 광이 통과할 수 있다.
상기 노광공정을 실시한 후 현상공정을 거치게 되면, 도 1e에 나타낸 바와 같이, 글래스 기판(11) 상부에서 마스크 역할을 한 Cr 박막층(13) 및 Al 박막층(14)이 형성된 부위의 절연층(15')을 제외한 나머지 부위의 절연층(15)만이 잔존하게 된다. 여기서 상기 절연층(15', 15)은 음성 감광성 페이스트(negative photosensitive paste)를 사용하여 형성시켰다. 통상적으로 후막 절연층의 경우 마이크로 핀 홀(micro pin hole)등을 고려하여 우수한 절연 특성을 나타낼 수 있도록, P/D/E&D/F/P/D/E&D/F(P:프린팅, D:건조, E&D:노광 및 현상, F:소결)의 2회 반복 공정을 거치는 것이 바람직하다. 이 경우, 통상적인 노광공정에 사용되는 자외선(파장: 약 350nm)에 대해 상기 절연 물질은 그 투과율이 70% 이상이므로 노광 공정시 실시하는 경우 자외선이 통과할 수 있다.
이러한 과정을 거치고 나서 도 1f에 나타낸 바와 같이, 음극 게이트 패턴 스크린 마스크(negative gate patterned screen mask)(16)를 사용하여 상기 절연층(15) 상부에 프린팅한다. 상기 불투명 절연층(16)을 프린팅한 후, 건조(drying) 공정만을 실시하고, 전도성 감광 페이스트를 스크린 프린팅 공정으로 상기 글래스기판(11) 상부에 전면으로 도포한다. 그리고 나서, 상기 글래스기판(11) 뒷면에서 노광을 실시하여 도 1g에 나타낸 바와 같이 게이트 전극층(17)을 형성시킨다.
상기 게이트 전극층(17)을 형성시킨 뒤에 소성을 하고 나서, Al 에천트(etchant)를 이용하여 ITO 음극 전극(12) 상부의 도트 형태의 Al 박막층(14)을 제거하게 되면 도 1h에 나타낸 바와 같이, Cr 박막층 가운데 부분에 다시 홀이 형성된다.
마지막으로, 도 1i 및 도 1j에 나타낸 바와 같이, 감광성(photosensitive) 카본나노튜브 페이스트를 상기 글래스 기판(11) 상부 전면에 걸쳐 프린팅 공정으로 도포하고, 글래스 기판(11) 뒷면에서 노광 및 현상공정을 실시한다. 여기서 상기 탄소나노튜브 페이스트는 음성 감광성 물질인 것이 바람직하다. 후면 노광에 의해 노광빔이 통과하는 ITO 전극층(12) 상부에 도포된 탄소 나노튜브(18)만이 잔존하고, 상기 Cr 박막층(13) 및 게이트 전극층(17) 상부에 도포된 감광성 탄소나노튜브 페이스트는 제거된다. 그리하여 링 형태의 Cr 박막층(13)내부 홀 부위에 탄소나노튜브 팁층(18)이 형성된다.
상기 공정에서는 음극 전극 형성시 기판 상부에 포토마스크를 별도로 제작할 필요가 없이 Cr 박막층(13) 및 Al 박막층(14)이 그 역할을 하게되므로, 이후 공정에서 얼라이너(alligner)가 필요 없게 된다. 또한, 그 상부에 형성되는 다층막이 셀프-얼라인이 되므로 다층막 형성시 각 층마다 필요한 소성 공정에 의한 글래스의 변형에 의한 정렬 오차 및 각 층마다 얼라이너(alligner) 사용시 발생하는 얼라이너 자체의 오차도 방지할 수 있게 되어 카본나노튜브의 팁과 게이트 사이의 거리를 좁힐 수 있으므로 전계방출 전압을 크게 줄일 수 있다.
본 발명의 제 2실시예를 도 2a 내지 도 2k를 참고하여, 보다 상세히 설명하고자 한다. 도 2a 내지 도 2k는 절연 물질 및 전도성 물질을 양성 페이스트를 사용하여 본 발명에 의한 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 소자의 제조공정을 설명한 단면도이다.
먼저 도 2a에 나타낸 바와 같이, 투명전극으로 통상적으로 사용되는 ITO(22)가 증착된 글래스 기판(21) 상부에 스퍼터등의 박막 제조 장비를 이용하여 Cr 박막층(23)을 전면에 결쳐 형성시킨다.
이러한 Cr 박막층(23)에 대해 노광 및 현상 공정을 실시하여 Cr 음극 전극(23)층을 형성시킨다. 도 2b 및 도 2c에서 나타낸 것처럼, Cr 전극층(23) 및 ITO 전극층(22)을 동시에 스트라이프 상으로 형성시키고 나서 다시 Cr 전극층(23) 내부에 링 형태의 홀을 형성시켰다. 상기 Cr 전극층(23)을 형성시킨 후, 상기 글래스 기판(21)에 대해 ITO 에천트를 사용하여 에칭 공정을 실시하게 되면, 도 2b에 나타낸 바와 같이, Cr 전극층(23)이 형성되어 있지 않은 부위의 ITO 전극층(22)이 식각되고, 그 결과 Cr 전극층(23)과 ITO 전극층(22)이 같은 형태로 정렬되어 음극 전극을 형성시킨다. 그 뒤, 도 2c에 나타낸 바와 같이, Cr 음극전극(10)층에 대해노광 및 현상공정을 실시하여 링형태의 홀을 형성시킨다. 상기 홀은 이후 공정에서 탄소나노튜브를 형성시키는 영역이 된다.
다음으로, 도 2d에 나타낸 바와 같이, 상기 글래스 기판(21) 상부에 절연물질(24)을 후막 형태로 도포한다. 상기 절연물질로는 예를 들어, 절연성과 온도 특성이 뛰어나며, 후막형성이 용이한 폴리이미드(polymide)를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 절연층(24)을 스핀 코팅법을 이용하여 글래스 기판(21) 및 Cr 전극층(23) 상부에 전면에 걸쳐 증착시킨 다음 큐어링(curing)을 실시한다.
다음으로, 도 2e에 나타낸 바와 같이, 상기 절연층(24) 상부에 박막 장비를 이용하여 전도성 물질(25)을 증착시킨 뒤, 도 2f와 같이 상기 증착시킨 전도층(25)을 패터닝하여 게이트층(25)을 형성시킨다. 여기서 패터닝에 의해 제거되는 부위는 그 단면이 ITO 전극층(22)이 형성된 부위이며, 홀 형태로 형성시키는 것이 바람직하다. 따라서, 잔존한 부분은 게이트로층(25)으로서 역할을 하게된다. 그리고 나서, 도 2g에 나타낸 바와 같이, 건조 에칭(drying etching)공정을 이용하여 케이트층을 패터닝하고 노출된 홀 부위의 절연물질(24')을 제거한다. 상기 제 1실시예에서는 기판 후면에서의 노광에 의해 절연물질(15')을 제거하였으나, 여기서는 기판 전면에서의 건조 에칭 공정에 의해 절연물질(24')를 제거한다.
절연 물질(24')을 제거하고 나면, 도 2h에 나타낸 바와 같이 Cr 전극층(23)의 홀 부위에 ITO 전극층(22)이 노출된다. 이러한 상태에서 도 2i와 같이 감광성 (photosensitive) 탄소나노튜브 페이스트를 상기 글래스 기판(21) 상부에 스크린 프린팅 공정으로 도포하고, 상기 글래스 기판(21) 뒷면에서 노광 및 현상공정을 실시한다. 여기서 상기 탄소나노튜브 페이스트는 상기 제 1실시예와 마찬가지로 음성 감광성 페이스트인 것이 바람직하다. 그리하여 도 2j에 나타낸 바와 상기 Cr 박막층의 홀 부위에 탄소나노튜브 팁층(26)이 형성된다. 마지막으로, 도 2k에 나타낸 바와 같이 상기 게이트층(25)에 대해 통상적인 PR 공정을 실시하여 라인 형태의 게이트층(25)을 형성시킨다.
이러한 양성 감광성 절연물질 및 전도성 물질을 사용한 공정을 상기 음성 감광성 절연물질 및 전도성 물질을 사용한 경우와 비교하면, 상기 게이트층과 절연층의 홀 부위를 따로 얼라인을 시켜야 하지만, 탄소나노튜브의 팁은 자동 정렬되고, 기타 공정에 있어서는 보다 간단한 장점이 있다.
본 발명에 의한 제 3실시예를 도 3a 내지 도 3j를 참고하여 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3a 내지 도 3j는 전계 방출 표시소자에서 저항층으로 사용되는 비정질 실리콘층의 광학적 특성을 이용하여 삼극관 탄소 나노튜브 전계 방출 소자를 제조하는 과정을 나타낸 단면도이다.
먼저 도 3a에 나타낸 바와 같이, 투명 기판(31) 상부에 투명 전극(32)으로 사용되는 물질을 증착시킨다. 상기 투명 기판(31)으로는 글래스 기판을 사용할 수 있으며, 상기 투명 전극(32)으로는 통상적으로 사용되는 ITO를 증착시킬 수 있다. 상기 투명 전극(32)은 포토-리소그래피(photo-lithography) 공정을 이용하여 스트라이프 형태로 형성시킨 것이다.
다음으로, 도 3b와 같이 비정질 실리콘(amorphous-Si)(33)을 상기 기판(31)및 상기 투명 전극(32) 상부에 PECVD 장비 등을 이용하여 도포한다. 그리고 나서 도 3c와 같이, in-situ로 상기 비정질 실리콘층(33) 상부에 절연층으로 사용되는 산화층(34)을 형성시킨다. 상기 산화층(34)을 형성시킨 후, 도 3d에 나타낸 바와 같이 그 상부에 전도성 게이트층(35), 예를 들어 Cr을 박막 장치를 이용하여 증착시킨다. 그리고, 상기 포토-리소그래피 공정으로 상기 게이트층(35)에 홀(35')을 형성시킨다.(도 3e) 상기 홀(35')은 상기 투명 전극(32)이 위치한 부위에 대응하여 형성시킨다. 이 상태에서 기판 상에 박막층들이 형성된 상태로 oxide 에천트에 넣어 도 3f와 같이 비정질 실리콘층(33)을 노출시키도록 상기 산화층(34)에 홀(34')을 형성한다. 이때 노출된 비정질 실리콘층(33)에 대해 dry-etching(건식 에칭) 또는 wet-etching(습식 에칭)을 이용하여 상기 투명 전극(32)을 노출시키는 홀(33')을 형성시킨다.(도 3g) 그리고, 상기 산화층(34) 상부의 게이트층(35)에 대해 포토-리소그래피 공정으로 라인 패터닝을 실시한다.(도 3h)
다음으로, 도 3i와 같이 상기 구조 상에 전면에 걸쳐 탄소 나노튜브 페이스트(36)를 스크린 프린팅 등으로 전면에 도포한다. 마지막으로, 상기 기판(31) 후면에서 자외선 빔을 주사하여 현상 공정을 통하여 도 3j와 같이 탄소 나노튜브 전계 방출 에미터를 형성시킨다. 여기서는, 상기 기판(31)에 후면에서 자외선을 주사하는 경우 다른 포토-리소그래피 공정과 같이 별도의 포토마스크를 사용하는 것이 아니라, 공정 도중에 형성되는 비정질 실리콘층(33)을 사용하는 것을 특징으로 한다. 상기 비정질 실리콘층(33)은 일반적으로 전계 방출 디스플레이에서 균일도의 향상을 위해 많이 사용되는 물질이다. 도 4를 참고하면, 비정질 실리콘은 현상 공정에사용되는 자외선에 대한 투과도가 매우 낮은 것을 알 수 있다.
도 5은 본 발명에 의해 제작된 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 소자를 찍은 SEM 사진으로서, 절연성 물질과 전도성 물질을 음성 감광성 페이스트를 사용하여 제작한 것이다. 사진에 나타난 바와 같이, 절연층(15) 및 게이트층(17)등의 다층막이 형성되더라도 따로 정렬시킬 필요없이 셀프-얼라인이 된 결과를 나타내고 있다.
도 6a 및 도 6b는 각각 절연성 물질과 전도성 물질을 음성 및 양성 감광성 페이스트를 사용하여 제작한 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 소자를 찍은 평면 SEM 사진이다. 도 6a는 음성 감광성 페이스트를 사용한 것으로 홀의 크기가 약 60㎛인 상태를 나타내었고, 아직 탄소나노튜브 팁 형성하지는 않았으므로, 홀 부위가 ITO 전극층(12)으로 인해 밝게 나타나고 있다. 도 6b는 양성 감광성 페이스트를 사용한 것으로 홀의 크기가 약 40㎛인 상태를 나타내고 있다. 여기서는 홀 내부에 탄소나토튜브 팁(26)을 형성시켰으므로 홀 부위가 짙은 색으로 나타나고 있다. 도면에 나타낸 바와 같이, Cr 전극층(23)이 스트라이프상으로 글래스 기판(21) 상에 형성되어 있다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 의해 제작된 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 소자를 찍은 SEM 사진으로서, 두 경우 모두 절연물질 및 전도성 물질을 양성 감광성 페이스트를 사용하여 제작한 것이다. 여기서, 7a는 소자의 표면을 대략 30도 각도로 찍은 사진으로서 게이트 전극 라인 패턴(25)에 형성된 홀 내부에 탄소나노튜브 팁(26)들이 형성된 것을 볼 수 있다. 여기서는 홀의 직경이 대략 40㎛정도이다. 도 7b는 그 단면을 찍은 사진으로서 홀 내부에 형성된 탄소나노튜브 팁(26)을 직접 나타내고 있으며, 폴리이미드로 형성시킨 절연층(24) 및 게이트층(25)이 잘 정렬되어 있는 것을 알 수 있다.
본 발명에 따르면, 음성 또는 양성 감광성 페이스트를 사용하여 스크린 프린팅 공정 및 식각공정을 진행하면서 별도의 얼라이너를 사용하지 않고도 다층막의 얼라인 문제를 해소할 수 있으며, 또한 공정상에 제조되는 박막층 자체를 마스크층으로 사용함으로써 적은 수의 마스크층을 사용하여 삼극관구조의 탄소나노튜브 전계방출 어레이를 용이하게 제조할 수 있다.

Claims (21)

  1. 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법에 있어서,
    (가) 투명 전극이 증착된 투명 기판 상부에 전도성 박막층을 형성시키고 상기 투명전극의 소정 부위를 노출시키는 단계;
    (나) 상기 노출된 투명 전극의 소정 부위에 불투명 박막층을 형성하는 단계;
    (다) 상기 투명 기판 상부에 절연물질을 전면 도포하고 상기 전도층 및 불투명 박막층 상부의 절연물질을 제거하여 절연층을 형성하는 단계;
    (라) 상기 절연층 상부에 게이트층을 형성하는 단계; 및
    (마) 상기 불투명 박막층을 제거한 뒤, 상기 노출된 투명 전극 상부에 탄소나노튜브 팁을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 (가) 단계는 상기 투명 기판의 투명 전극을 패터닝하여 스트라이프 형태로 형성하는 단계;
    상기 패터닝된 투명 전극 상부에 전도층을 형성하는 단계; 및
    상기 전도층의 소정부위에 상기 투명 전극을 노출시키는 홀을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 (가) 단계는 투명 전극이 형성된 투명 기판 상부에 전도층을 형성하는 단계;
    상기 전극층 및 투명 전극을 동시에 패터닝하여 스트라이프 형태로 형성하는 단계; 및
    상기 전도층의 소정 부위에 상기 투명 전극을 노출시키는 홀을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 (다) 단계는 상기 투명 기판 상부에 절연물질을 전면에 걸쳐 도포한뒤, 상기 투명 기판에 대해 후면 노광을 실시함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 (다) 단계는 상기 투명 기판 상부에 상기 절연물질을 프린팅 공정에 의해 전면에 걸쳐 도포하고 건조하는 단계;
    상기 후면 노광 및 현상공정에 의해 상기 전도층 및 불투명 박막층 상부의 절연물질을 제거하는 단계; 및
    상기 잔존한 절연물질을 소결하는 단계;를 2회 이상 반복함으로써 상기 절연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 (라) 단계는 음극 게이트 패턴 스크린 마스크를 사용하여 상기 절연층의 중앙 상부 영역에 불투명 절연층을 형성하는 단계;
    전도성 감광 페이스트를 상기 투명 기판 상부에 전면에 걸쳐 도포하는 단계; 및
    상기 투명 기판에 대해 후면 노광을 실시하여 게이트층을 형성시키는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 (마) 단계는 음성 감광성 탄소나노튜브 페이스트를 상기 투명 기판 상부에 전면에 걸쳐 도포하는 단계; 및
    상기 투명 기판에 대해 후면 노광을 실시하여 상기 투명 전극 상부에만 탄소나노튜브 팁을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  8. 제 1항 내지 제 7항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전도성 박막층은 Cr을 포함하며, 상기 불투명 박막층은 Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  9. 제 1항 내지 제 7항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연층 및 상기 게이트층은 음성 감광성 페이스트를 사용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  10. 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법에 있어서,
    (가) 투명 전극이 증착된 투명 기판 상부에 전도성 박막층을 형성시키고 상기 투명전극의 소정 부위를 노출시키는 단계;
    (나) 상기 투명 기판 상부에 절연 물질을 전면 도포하는 단계;
    (다) 상기 절연층 상부에 게이트층을 형성하고 패터닝하여 상기 투명전극 상부의 절연물질을 노출시키는 단계;
    (라) 상기 투명전극 상부의 절연물질을 제거하여 절연층을 형성시키고 상기 전도성 박막층 및 상기 투명전극의 소정 부위를 노출시키는 단계; 및
    (마) 상기 노출된 투명전극 상부에 탄소나노튜브 팁을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 (가) 단계는 상기 투명 기판의 투명 전극을 패터닝하여 스트라이프 형태로 형성하는 단계;
    상기 패터닝된 투명 전극 상부에 전도층을 형성하는 단계; 및
    상기 전도층의 소정부위에 상기 투명 전극을 노출시키는 홀을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 (가) 단계는 투명 전극이 형성된 투명 기판 상부에 전도층을 형성하는 단계;
    상기 전극층 및 투명 전극을 동시에 패터닝하여 스트라이프 형태로 형성하는 단계; 및
    상기 전도층의 소정부위에 상기 투명 전극을 노출시키는 홀을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조방법.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 (다) 단계는 상기 절연층 상부에 박막 장비를 이용하여 전도성 물질을 증착시키는 단계; 및
    상기 ITO 전극층에 대응되는 부위의 전도성 물질을 홀 형태로 패터닝하여 절연물질을 노출시기고 게이트층을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  14. 제 10항에 있어서,
    상기 (라) 단계는 상기 투명 기판 상부에서 건조 에칭 공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  15. 제 10항에 있어서,
    상기 (마) 단계는 음성 감광성 탄소나노튜브 페이스트를 상기 투명 기판 상부에 전면에 걸쳐 도포하는 단계; 및
    상기 투명 기판에 대해 후면 노광을 실시하여 상기 투명 전극 상부에만 탄소나노튜브 팁을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  16. 제 10항에 있어서,
    상기 게이트층의 전도성 물질에 대해 PR 공정을 실시하여 라인 형태의 게이트층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  17. 제 10항 내지 제 16항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전도성 박막층은 Cr을 포함하며, 상기 절연물질은 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  18. 제 10항 내지 제 16항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연층 및 상기 게이트층은 양성 감광성 페이스트를 사용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  19. 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법에 있어서,
    (가) 투명 전극이 형성된 투명 기판 상부에 비정질 실리콘층 및 절연층을 순차적으로 형성시키는 단계;;
    (나) 상기 절연층 상부에 전도성 게이트층을 형성시키고, 상기 비정질 실리콘 층이 노출되도록 상기 게이트층 및 상기 절연층에 홀을 형성시키는 단계;
    (다) 상기 노출된 비정질 실리콘층에 홀을 형성시켜 상기 투명 전극층을 노출시키고, 상기 게이트층 및 상기 홀에 탄소 나노튜브 페이스트를 전면 도포하는 단계; 및
    (라) 상기 기판 후면에서 자외선을 주사하여 현상하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 (나) 단계는 포토-리소그래피 공정으로 상기 게이트층에 상기 절연층을 노출시키는 홀을 형성시키는 단계; 및
    상기 기판 구조체를 oxide 에천트에 넣어 상기 비정질 실리콘이 노출되도록 상기 산화층에 홀을 형성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
  21. 제 19항에 있어서,
    상기 (다) 단계는 상기 비정질 실리콘층에 대해 건식 에칭 또는 습식 에칭으로 상기 투명 전극이 노출되도록 홀을 형성키시는 단계;
    상기 게이트층에 대해 포토-리소그래피 공정으로 라인 패터닝을 실시하는 단계; 및
    상기 상기 게이트층 및 상기 홀에 탄소 나노튜브 페이스트를 스크린 프린팅으로 전면에 도포하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법.
KR10-2001-0083353A 2001-01-05 2001-12-22 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법 KR100442840B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE60201689T DE60201689T2 (de) 2001-01-05 2002-01-04 Verfahren zur Herstellung einer Kohlenstoffnanoröhren-Feldemissionsanordnung mit Triodenstruktur
US10/035,438 US6699642B2 (en) 2001-01-05 2002-01-04 Method of manufacturing triode carbon nanotube field emitter array
EP02250035A EP1221710B1 (en) 2001-01-05 2002-01-04 Method of manufacturing triode carbon nanotube field emitter array
JP2002000681A JP3863781B2 (ja) 2001-01-05 2002-01-07 三極管カーボンナノチューブ電界放出アレイの製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010000680 2001-01-05
KR20010000680 2001-01-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020057791A true KR20020057791A (ko) 2002-07-12
KR100442840B1 KR100442840B1 (ko) 2004-08-02

Family

ID=27690920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0083353A KR100442840B1 (ko) 2001-01-05 2001-12-22 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100442840B1 (ko)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100780286B1 (ko) * 2006-03-03 2007-11-28 태산엘시디 주식회사 자기정렬된 게이트-에미터 구조를 갖는 카본나노튜브 전계방출 표시소자의 제조방법
KR100790872B1 (ko) * 2006-04-04 2008-01-03 삼성전자주식회사 전계방출형 백라이트 유닛 및 그 제조방법
KR100862655B1 (ko) * 2003-08-12 2008-10-10 삼성에스디아이 주식회사 탄소나노튜브 에미터를 구비하는 전계 방출 디스플레이 및그 제조 방법
KR100871892B1 (ko) * 2007-07-20 2008-12-03 이춘래 전계방출 표시장치와 그 제조방법
WO2009014406A2 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Cebt Co. Ltd. Electron emitter having nano-structure tip and electron column using the same
KR100918045B1 (ko) * 2003-05-29 2009-09-18 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시소자의 제조 방법
KR100934838B1 (ko) * 2008-11-07 2009-12-31 경희대학교 산학협력단 자기 정렬형 전자방출소자의 제조방법
KR100943971B1 (ko) * 2008-06-30 2010-02-26 한국과학기술원 탄소 미세 구조물을 갖는 전계방출 어레이 및 그 제조방법
KR20180061269A (ko) * 2015-10-02 2018-06-07 다프네 테크놀로지 에스에이 전자 조사 세정을 위한 장치 및 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0794084A (ja) * 1993-09-22 1995-04-07 Dainippon Printing Co Ltd 電子放出素子の製造方法
JP3391360B2 (ja) * 1994-05-25 2003-03-31 凸版印刷株式会社 電子放出素子及びその製造方法
JP3569135B2 (ja) * 1998-09-09 2004-09-22 株式会社東芝 電界放出陰極の製造方法
KR100300325B1 (ko) * 1999-03-30 2001-10-29 김순택 전계 방출 디스플레이용 탄소 에미터의 제조방법
JP4063451B2 (ja) * 1999-07-26 2008-03-19 双葉電子工業株式会社 カーボンナノチューブのパターン形成方法
JP2001117239A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 感光性ペーストを用いたパターン形成方法
JP2001195972A (ja) * 2000-01-13 2001-07-19 Sharp Corp 冷陰極及びその冷陰極の製造方法
KR100372020B1 (ko) * 2000-02-03 2003-02-14 학교법인 선문학원 카본 나노튜브 - 전계방사 디스플레이의 제조방법

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100918045B1 (ko) * 2003-05-29 2009-09-18 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시소자의 제조 방법
KR100862655B1 (ko) * 2003-08-12 2008-10-10 삼성에스디아이 주식회사 탄소나노튜브 에미터를 구비하는 전계 방출 디스플레이 및그 제조 방법
KR100780286B1 (ko) * 2006-03-03 2007-11-28 태산엘시디 주식회사 자기정렬된 게이트-에미터 구조를 갖는 카본나노튜브 전계방출 표시소자의 제조방법
KR100790872B1 (ko) * 2006-04-04 2008-01-03 삼성전자주식회사 전계방출형 백라이트 유닛 및 그 제조방법
KR100871892B1 (ko) * 2007-07-20 2008-12-03 이춘래 전계방출 표시장치와 그 제조방법
WO2009014406A2 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Cebt Co. Ltd. Electron emitter having nano-structure tip and electron column using the same
WO2009014406A3 (en) * 2007-07-26 2009-04-09 Cebt Co Ltd Electron emitter having nano-structure tip and electron column using the same
KR100943971B1 (ko) * 2008-06-30 2010-02-26 한국과학기술원 탄소 미세 구조물을 갖는 전계방출 어레이 및 그 제조방법
KR100934838B1 (ko) * 2008-11-07 2009-12-31 경희대학교 산학협력단 자기 정렬형 전자방출소자의 제조방법
KR20180061269A (ko) * 2015-10-02 2018-06-07 다프네 테크놀로지 에스에이 전자 조사 세정을 위한 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100442840B1 (ko) 2004-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1221710B1 (en) Method of manufacturing triode carbon nanotube field emitter array
US8350459B2 (en) Field electron emission source
US6387600B1 (en) Protective layer during lithography and etch
CN101013642A (zh) 制造场发射装置的方法
KR100442840B1 (ko) 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법
US6716081B2 (en) Spacer fabrication for flat panel displays
US5651713A (en) Method for manufacturing a low voltage driven field emitter array
US8269210B2 (en) Cathode assembly containing an ultraviolet light-blocking dielectric layer
US7056753B2 (en) Field emission display with double gate structure and method of manufacturing therefor
KR100558078B1 (ko) 자기정렬된 게이트-에미터 구조를 갖는 카본나노튜브전계방출소자의 제조방법
JP4037324B2 (ja) 電界放出ディスプレイの製造方法
KR20060029078A (ko) 전자방출소자의 제조방법
KR100724369B1 (ko) 자외선 차폐층을 구비한 전계방출소자 및 그 제조 방법
KR100780286B1 (ko) 자기정렬된 게이트-에미터 구조를 갖는 카본나노튜브 전계방출 표시소자의 제조방법
US20080042542A1 (en) Electron emission device, manufacturing method of the device
JP2001143602A (ja) 電界放出型冷陰極及びその製造方法
KR20020009067A (ko) 전계 방출 표시소자의 필드 에미터 및 그 제조방법
KR100323221B1 (ko) 전계 방출 표시 소자의 필드 에미터 및 그 제조방법
KR100700528B1 (ko) 자외선 차폐층을 구비한 전계방출소자
KR100569269B1 (ko) 전계방출 표시소자의 제조방법
KR20060029079A (ko) 전자방출소자의 제조방법
KR100761139B1 (ko) 전계 방출 표시 장치 및 그의 제조방법
KR20010046798A (ko) 전계 방출 표시 소자의 필드 에미터 및 그 제조방법
KR20060029075A (ko) 전자방출소자용 전자방출부의 형성 방법 및전자방출소자의 제조방법
KR20050112175A (ko) 전자 방출원의 활성화 단계가 생략된 전자방출소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090629

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee