KR100790872B1 - 전계방출형 백라이트 유닛 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

전계방출형 백라이트 유닛 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 전계방출형 백라이트 유닛은, 하부기판; 하부기판 상에 형성되는 다수의 캐소드전극; 하부기판 및 캐소드전극들 상에 라인 형태로 형성되는 다수의 절연층; 절연층들 상에 형성되는 다수의 게이트전극; 및 절연층들 사이의 캐소드전극 상에 형성되는 것으로, 전자방출물질로 이루어진 적어도 하나의 에미터;를 구비한다.

Description

전계방출형 백라이트 유닛 및 그 제조방법{Field emission type backlight unit and method of manufacturing the same}
도 1은 종래 전계방출형 백라이트 유닛의 분리사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 전계방출형 백라이트 유닛의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛의 분리사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 전계방출형 백라이트 유닛의 단면도이다.
도 5 및 도 6은 각각 종래 전계방출형 백라이트 유닛과 본 발명의 실시예에 다른 전계방출형 백라이트 유닛에서, 전자들의 초기 발산각을 보여주는 도면들이다.
도 7 내지 도 14는 본 발명의 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110... 하부기판 112.. 캐소드전극
114... 절연층 116... 게이트전극
120... 상부기판 122... 애노드전극
123... 형광체층 130... 에미터
본 발명은 전계방출형 백라이트 유닛 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 휘도(brightness) 및 발광효율(luminous efficiency)을 향상시킬 수 있는 전계방출형 백라이트 유닛 및 그 제조방법에 관한 것이다.
통상적으로 평판 표시장치(flat panel display)는 크게 발광형 표시장치와 수광형 표시장치로 분류될 수 있다. 발광형 표시장치로는 음극선관(CRT; Cathode Ray Tube), 플라즈마 표시장치(PDP; Plasma Display Panel) 및 전계방출 표시장치(FED; Field Emission Display) 등이 있으며, 수광형 표시장치로는 액정 표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)가 있다. 액정 표시장치는 무게가 가볍고 소비전력이 적은 장점을 가지고 있으나, 그 자체가 발광하여 화상을 형성하지 못하고, 외부로부터 빛이 입사되어 화상을 형성하는 수광형 표시장치이므로, 어두운 곳에서는 화상을 관찰할 수 없는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 액정 표시장치의 배면에는 백라이트 유닛(backlight unit)이 설치된다.
종래 백라이트 유닛으로는 선광원으로서 냉음극 형광램프(CCFL; Cold Cathode Fluorescent Lamp)와, 점광원으로서 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode)가 주로 사용되어 왔다. 그러나, 이러한 백라이트 유닛은 일반적으로 그 구성이 복잡하여 제조 비용이 높고, 광원이 측면에 있어서 광의 반사와 투과에 따른 전력 소모가 큰 단점이 있다. 특히, 액정 표시장치가 대형화 할수록 휘도의 균일성 을 확보하기 힘든 문제점이 있다.
이에 따라, 최근에는 상기한 문제점을 해소하기 위하여 평면발광 구조를 가진 전계방출형(field emission type) 백라이트 유닛이 개발되고 있다. 이러한 전계방출형 백라이트 유닛은 기존의 냉음극 형광램프 등을 이용한 백라이트 유닛에 비해 전력 소모가 적고, 또한 넓은 범위의 발광 영역에서도 비교적 균일한 휘도를 나타내는 장점이 있다. 한편, 상기와 같은 전계방출형 백라이트 유닛은 조명으로도 사용될 수 있다.
도 1 및 도 2는 종래 전계방출형 백라이트 유닛을 개략적으로 도시한 분리사시도 및 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 상부기판(20)과 하부기판(10)이 이격되어 서로 대향되게 배치되어 있다. 여기서, 상기 상부기판(20)과 하부기판(10)은 그 사이에 마련되는 스페이서(미도시)에 의해 서로 일정한 간격을 유지하고 있다. 상기 하부기판(10)의 상면에는 캐소드전극(12)이 형성되며, 그 위에는 절연층(14)과 전자추출을 위한 게이트전극(16)이 순차적으로 형성되어 있다. 그리고, 상기 절연층(14)에는 캐소드전극(12)을 노출시키는 에미터 홀(emitter hole,15)이 형성되어 있으며, 이 에미터 홀(15)을 통하여 노출된 캐소드전극(12) 상에는 전자방출물질, 예를 들면 탄소나노튜브(CNT, Carbon Nanotubes) 등으로 이루어진 에미터(emitter,30)가 형성되어 있다. 상기 상부기판(20)의 하면에는 애노드전극(22)이 형성되어 있고, 이 애노드전극(22) 상에는 형광체층(23)이 도포되어 있다. 상기와 같은 구조에서, 게이트전극(16)과 캐소드전극(12) 사이에 인가되는 전압에 의하여 에미터(30)로부터 전자들이 방출되고, 이렇게 방출된 전자들은 애노드전극(22) 쪽 으로 가속되어 형광체층(23)을 여기시킴으로써 가시광을 발산시키게 된다.
그러나, 상기와 같은 구조의 전계방출형 백라이트 유닛에서는, 에미터(30)로부터 방출되는 전자들의 초기 발산각이 작아서 휘도 및 발광효율이 낮다는 문제점이 있다. 그리고, 상기와 같은 전계방출형 백라이트 유닛을 제조하는 공정은 하부기판(10) 상에 캐소드전극(12) 및 절연층(14)을 형성, 상기 절연층(14)의 상면에 게이트전극층을 증착한 다음 이를 패터닝하여 게이트전극(16)을 형성, 상기 절연층(14)에 에미터 홀(15)을 형성, 그리고, 상기 에미터 홀(15) 내부에 에미터(30)를 형성하는 단계들을 포함하게 되므로, 제조공정이 복잡하다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 휘도 및 발광효율을 향상시킬 수 있고, 간단한 공정을 제조할 수 있는 전계방출형 백라이트 유닛 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛은,
하부기판;
상기 하부기판 상에 형성되는 다수의 캐소드전극;
상기 하부기판 및 캐소드전극들 상에 라인 형태로 형성되는 다수의 절연층;
상기 절연층들 상에 형성되는 다수의 게이트전극; 및
상기 절연층들 사이의 캐소드전극 상에 형성되는 것으로, 전자방출물질로 이루어진 적어도 하나의 에미터;를 구비한다.
상기 캐소드전극들은 서로 나란하게 형성되며, 상기 절연층들은 상기 캐소드전극들과 교차하도록 형성될 수 있다.
상기 절연층들의 높이는 3 ~ 10㎛ 이며, 상기 절연층들 사이의 간격은 10 ~ 30㎛ 이 될 수 있다. 그리고, 상기 에미터의 높이는 1 ~ 3㎛ 가 될 수 있다.
상기 전자방출물질은 탄소나노튜브(CNT), ZnO, 비정질 탄소, 나노 다이아몬드, 나노 금속선, 나노산화 금속선으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전계방출형 백라이트 유닛은 상기 하부기판과 소정 간격 이격되게 마련되는 상부기판; 상기 상부기판의 하면에 형성되는 애노드전극; 및 상기 애노드전극 상에 형성되는 형광체층;을 더 구비할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법은,
기판 상에 다수의 캐소드전극을 형성하는 단계;
상기 기판 및 캐소드전극들 상에 다수의 절연층을 라인 형태로 형성하는 단계;
상기 절연층들 상에 다수의 게이트전극을 형성하는 단계; 및
상기 절연층들 사이의 캐소드전극 상에 전자방출물질로 이루어진 적어도 하나의 에미터를 형성하는 단계;를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛의 분리사시도이며, 도 4는 도 3에 도시된 전계방출형 백라이트 유닛의 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 하부기판(110)과 상부기판(120)이 서로 이격되어 대향되게 배치되어 있다. 여기서, 상기 하부기판(110)과 상부기판(120)은 그 사이에 마련되는 스페이서(미도시)에 의해 서로 일정한 간격을 유지하고 있다. 상기 하부기판(110) 및 상부기판(120)으로는 일반적으로 유리기판이 사용된다. 상기 하부기판(110)의 상면에는 다수의 캐소드전극(112)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 캐소드전극들(112)은 서로 나란하게 형성될 수 있다. 상기 캐소드전극들(112)은 금속물질 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
상기 하부기판(110) 및 캐소드전극들(112)의 상면에는 다수의 절연층(114)이 라인 형태(line shape)로 형성되어 있다. 여기서, 상기 절연층들(114)은 캐소드전극들(112)과 교차하도록 형성되는 것이 바람직하다. 상기 절연층들(114)은 대략 3 ~ 10㎛의 높이를 가지도록 형성될 수 있다. 그리고, 상기 절연층들(114) 사이의 간격은 대략 10 ~ 30㎛이 될 수 있다. 상기 절연층들(114)은 감광성 또는 비감광성 절연물질로 이루어질 수 있다. 상기 절연층들(114)을 감광성 절연물질을 이용하여 형성하는 경우에는 제작 비용이 절감되며, 대면적 백라이트 유닛의 제작이 용이하다는 장점이 있다.
상기 절연층들(114)의 상면에는 각각 전자추출을 위한 게이트전극(116)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 게이트전극(116)은 절연층(114)의 상면을 따라 형성된 다. 상기 게이트전극(116)은 금속 물질 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
상기 절연층들(114) 사이의 캐소드전극(112) 상에는 적어도 하나의 에미터(130)가 형성되어 있다. 상기 에미터(130)는 캐소드전극(112)과 게이트전극(116) 사이에 인가되는 전압에 의하여 전자들을 방출하게 된다. 한편, 도 3에는 절연층들(114) 사이의 캐소드전극(112) 상에 2개의 에미터(130)가 형성된 경우가 도시되어 있지만, 이에 한정되지 않고 하나 또는 3개 이상의 에미터가 형성될 수도 있다. 상기 에미터(130)는 전자방출특성이 우수한 전자방출물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 전자방출물질은 탄소나노튜브(CNTs;Carbon Nanotubes), ZnO, 비정질 탄소, 나노 다이아몬드, 나노 금속선, 나노산화 금속선으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 상기 상부기판(120)의 하면에는 애노드전극(122)이 형성되어 있으며, 이 애노드전극(122) 상에는 형광체층(123)이 도포되어 있다. 여기서, 상기 애노드전극(122)은 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
상기와 같은 구조의 전계방출형 백라이트 유닛에서, 캐소드전극(112), 게이트전극(116) 및 애노드전극(122)에 각각 소정 전압이 인가되면, 캐소드전극(112)과 게이트전극(116) 사이에 인가되는 전압에 의하여 에미터(130)로부터 전자들이 방출된다. 이때, 본 실시예에서와 같이 소정 높이의 절연층들(114)을 라인 형태로 형성하게 되면, 전자들의 초기 발산각이 커지게 되고, 이에 따라 전자들의 퍼짐(spreading)이 증대될 수 있다. 이와 같이 전자들의 퍼짐이 증대되면 휘도 및 발 광효율이 향상되게 된다. 이어서, 큰 초기 발산각을 가지고 방출되는 전자들은 애노드전극(122) 쪽으로 향하여 형광체층(123)과 충돌함으로써 빛을 발생시키게 된다.
도 5은 도 1에 도시된 종래 전계방출형 백라이트 유닛에서 에미터로부터 방출된 전자들의 궤적을 도시한 것이며, 도 6은 도 3에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛에서 에미터로부터 방출된 전자들의 궤적을 도시한 것이다. 도 5 및 도 6에서, 캐소드전극, 게이트전극 및 애노드전극에는 각각 0V, 50V, 100V의 전압이 인가되었다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 종래 전계방출형 백라이트 유닛에 비하여 절연층들을 라인 형태로 형성한 본 발명의 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛에서 전자들의 초기 발산각(initial divergence angle)이 더 증대되었음을 알 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법을 설명하기로 한다. 도 7 내지 도 14는 도 3에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다. 이하의 도면에서 기판(110)은 도 3의 하부기판을 나타낸다.
먼저, 도 7을 참조하면, 기판(110) 상에 다수의 캐소드전극(112)을 형성한다. 상기 기판(110)으로는 일반적으로 유리기판이 사용될 수 있다. 상기 캐소드전극들(112)은 기판(110) 상에 캐소드전극층(미도시)을 증착한 다음, 이를 소정 형태로 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 여기서, 상기 캐소드전극층은 금속 물질 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 그 리고, 상기 캐소드전극들(112)은 서로 나란한 스트라이프 형태로 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 기판(110) 상에 상기 캐소드전극들(112)을 덮도록 절연물질을 포함하는 페이스트(paste,114')를 소정 두께로 도포한다. 여기서, 상기 페이스트(114')는 감광성 또는 비감광성 절연물질을 포함할 수 있다.
다음으로, 도 9를 참조하면, 상기 페이스트(114')를 패터닝하여 라인 형태의 다수의 절연층(114)을 형성한다. 이때, 상기 절연층들(114)은 상기 캐소드전극들(112)과 교차하도록 형성되는 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 페이스트(114')가 감광성 절연물질로 이루어지는 경우에는 포토리소그라피(photolithography) 공정에 의하여 상기 페이스트(114')를 패터닝한 다음, 이를 소성(baking)함으로써 라인 형태의 절연층들(114)을 형성할 수 있다. 이와 같이 상기 절연층들(114)을 감광성 절연물질을 이용하여 형성하는 경우에는 제작 비용이 절감되며, 대면적 백라이트 유닛의 제작이 용이하다는 장점이 있다. 한편, 상기 페이스트(114')가 비감광성 절연물질로 이루어지는 경우에는 상기 페이스트(114')를 도포하여 소성한 다음, 상기 페이스트(114')의 상면에 포토레지스트(미도시)를 도포한다. 이어서, 상기 포토레지스트를 패터닝한 다음, 상기 페이스트(114')를 식각하게 되면 라인 형태의 절연층들(114)를 형성할 수 있다. 상기와 같이 형성되는 절연층들(114)의 높이는 대략 3 ~ 10㎛가 될 수 있다. 그리고, 상기 절연층들(114) 사이의 간격은 대략 10 ~ 30㎛이 될 수 있다.
도 10을 참조하면, 도 9에 도시된 결과물 전면에 소정의 도전성 금속물질을 증착하여 게이트전극층(116')을 형성한다. 여기서, 상기 게이트전극층(116')은 예 를 들면 크롬(Cr) 등으로 이루어질 수 있다. 이어서, 도 11을 참조하면, 상기 게이트전극층(116')을 패터닝함으로써 상기 절연층들(114)의 상면에 다수의 게이트전극(116)을 형성한다. 여기서, 상기 게이트전극들(116)은 상기 절연층들(114)의 상면을 따라 형성된다.
다음으로, 상기 절연층들(114) 사이의 캐소드전극(112) 상에 전자방출물질로 이루어진 에미터들(도 3의 130)을 형성한다. 구체적으로, 도 12를 참조하면, 도 11의 결과물 전면에 포토레지스트를 도포한 다음, 이를 소정 형태로 패터닝한다. 여기서, 패터닝된 포토레지스트(118)를 통하여 라인 형태의 절연층들(114) 사이의 캐소드전극들(112)(구체적으로는 상기 캐소드전극들(112) 중 후술하는 에미터들(130)이 형성될 부분)이 노출된다. 다음으로, 도 13을 참조하면, 도 12의 결과물 전면에 전자방출물질을 포함하는 페이스트(130')를 도포함으로써 라인 형태의 절연층들(114) 사이를 상기 페이스트(130')로 채운다. 여기서, 상기 전자방출물질은 전자방출특성이 우수한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 전자방출물질은 탄소나노튜브(CNTs), ZnO, 비정질 탄소, 나노 다이아몬드, 나노 금속선, 나노산화 금속선으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이어서, 후면 노광(back-side exposure)법에 의하여 기판(110)의 배면 쪽에서 자외선(UV)를 조사하여 상기 페이스트(130')를 선택적으로 노광시킨다. 다음으로, 포토레지스트(118)와 노광되지 않는 페이스트(130')를 현상제로 제거하게 되면, 절연층들 (114)사이의 캐소드전극(112) 상에는 노광된 페이스트(130')만이 남게 된다. 그리고, 상기 노광된 페이스트(130')를 소성하게 되면 도 14에 도시된 바와 같이 절 연층들(114) 사이의 캐소드전극(112) 상에 에미터들(130)이 형성된다. 여기서, 상기 에미터들(130)의 높이는 대략 1 ~ 3㎛ 정도가 될 수 있다. 한편, 도 14에는 절연층들(114) 사이의 캐소드전극(112) 상에 2개의 에미터(130)가 형성된 경우가 도시되어 있지만, 이에 한정되지 않고 하나 또는 3개 이상의 에미터가 형성될 수도 있다.
마지막으로, 캐소드전극(112), 절연층(114) 및 게이트전극(116)이 형성된 기판(110)에 애노드전극(도 3의 122) 및 형광체층(123)이 형성된 상부기판(120)을 결합하게 되면 본 발명의 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛이 완성된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 설명되었지만, 본 발명의 범위는 이에 한정되지 않고, 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면, 캐소드전극들이 형성된 기판 상에 절연층들을 라인 형태로 형성함으로써 에미터로부터 방출되는 전자들의 초기 발산각을 증대시킬 수 있다. 이에 따라, 전자들의 퍼짐이 향상되어 휘도 및 발광효율이 향상될 수 있다. 또한, 종래보다 간단한 공정으로 전계방출형 백라이트 유닛을 제조할 수 있다.

Claims (23)

  1. 하부기판;
    상기 하부기판 상에 형성되는 다수의 캐소드전극;
    상기 하부기판 및 캐소드전극들 상에 라인 형태로 형성되는 다수의 절연층;
    상기 절연층들 상에 형성되는 다수의 게이트전극; 및
    상기 절연층들 사이의 캐소드전극 상에 형성되는 것으로, 전자방출물질로 이루어진 적어도 하나의 에미터;를 구비하며,
    상기 절연층들의 높이는 3 ~ 10㎛ 인 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소드전극들은 서로 나란하게 형성되며, 상기 절연층들은 상기 캐소드전극들과 교차하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층들 사이의 간격은 10 ~ 30㎛ 인 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층들은 감광성 또는 비감광성 절연물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트전극들은 상기 절연층들의 상면을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 에미터의 높이는 1 ~ 3㎛ 인 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자방출물질은 탄소나노튜브(CNT), ZnO, 비정질 탄소, 나노 다이아몬드, 나노 금속선, 나노산화 금속선으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부기판과 소정 간격 이격되게 마련되는 상부기판;
    상기 상부기판의 하면에 형성되는 애노드전극; 및
    상기 애노드전극 상에 형성되는 형광체층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  10. 기판 상에 다수의 캐소드전극을 형성하는 단계;
    상기 기판 및 캐소드전극들 상에 다수의 절연층을 라인 형태로 형성하는 단계;
    상기 절연층들 상에 다수의 게이트전극을 형성하는 단계; 및
    상기 절연층들 사이의 캐소드전극 상에 전자방출물질로 이루어진 적어도 하나의 에미터를 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 절연층들은 3 ~ 10㎛ 의 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 캐소드전극들은 상기 기판 상에 캐소드전극층을 증착한 다음, 이를 패터닝함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 캐소드전극들은 서로 나란하게 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 절연층들은 상기 캐소드전극들과 교차하도록 형성되는 것을 특징으로 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
  14. 삭제
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 절연층들 사이의 간격은 10 ~ 30㎛ 인 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 절연층들은 상기 캐소드전극들을 덮도록 상기 기판 상에 절연물질을 포함하는 페이스트(paste)를 소정 두께로 도포한 다음, 이를 라인 형태로 패터닝함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    패터닝된 상기 페이스트를 소성(baking)하는 공정을 더 포함하는 것을 특징 으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 절연층들은 감광성 또는 비감광성 절연물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
  19. 제 10 항에 있어서,
    상기 게이트전극들은 상기 절연층들의 상면을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 게이트전극들은 상기 기판, 캐소드전극들 및 절연층들을 덮도록 게이트전극층을 증착한 다음, 이를 패터닝함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
  21. 제 10 항에 있어서,
    상기 에미터의 높이는 1 ~ 3㎛ 인 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
  22. 제 10 항에 있어서,
    상기 전자방출물질은 탄소나노튜브(CNT), ZnO, 비정질 탄소, 나노 다이아몬드, 나노 금속선, 나노산화 금속선으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
  23. 제 10 항에 있어서,
    상기 에미터를 형성하는 단계는,
    상기 기판, 캐소드전극들, 절연층들 및 게이트전극들을 덮도록 포토레지스트를 형성하고, 이를 패터닝하여 절연층들 사이의 캐소드전극들을 노출시키는 단계;
    상기 전자방출물질을 포함하는 페이스트(paste)를 상기 절연층들 사이에 채우는 단계;
    상기 기판의 배면 쪽으로부터 상기 페이스트를 노광시키는 단계;
    상기 포토레지스트 및 노광되지 않은 페이스트를 제거하는 단계; 및
    상기 절연층들 사이의 캐소드전극 상에 남아 있는 페이스트를 소성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛의 제조방법.
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