KR20070018510A - 전계방출형 백라이트 유닛 - Google Patents

전계방출형 백라이트 유닛 Download PDF

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KR20070018510A
KR20070018510A KR1020050073275A KR20050073275A KR20070018510A KR 20070018510 A KR20070018510 A KR 20070018510A KR 1020050073275 A KR1020050073275 A KR 1020050073275A KR 20050073275 A KR20050073275 A KR 20050073275A KR 20070018510 A KR20070018510 A KR 20070018510A
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송병권
신문진
안드레이 줄카니브
진용완
정득석
최준희
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

전계방출형 백라이트 유닛이 개시된다. 개시된 백라이트 유닛은 하부 기판;
하부 기판의 상면에 형성되는 복수의 캐소드전극; 하부기판과 결합하여 그 내부에 복수의 전계방출공간을 형성하는 것으로, 전계방출공간에 대응하는 형상의 복수의 굴곡부를 포함하는 상부기판; 굴곡부들의 하면에 형성되는 복수의 애노드전극; 및 애노드전극의 하면에 도포되는 형광체층;을 구비한다.

Description

전계방출형 백라이트 유닛{Field emission type backlight unit}
도 1은 종래 전계방출형 백라이트 유닛을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛을 도시한 분리사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 하부기판 상에 배치된 캐소드전극 및 게이트전극을 도시한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛을 개략적으로 도시한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110,210,310,410... 하부기판 112,212,330,430... 캐소드전극
112a,212a... 캐소드 공통라인 115,215... 에미터
120,220,320,420... 상부기판 122,222,322,422...애노드전극
124,224,324,424... 형광체층 216... 게이트전극
216a... 게이트 공통라인 440... 반사전극
본 발명은 전계방출형 백라이트 유닛에 관한 것으로, 상세하게는 발광면적을 증대시킴으로써 발광효율(luminous efficiency)을 향상시킬 수 있는 전계방출형 백라이트 유닛에 관한 것이다.
통상적으로 평판 표시장치(flat panel display)는 크게 발광형 표시장치와 수광형 표시장치로 분류될 수 있다. 발광형 표시장치로는 음극선관(CRT; Cathode Ray Tube), 플라즈마 표시장치(PDP; Plasma Display Panel) 및 전계방출 표시장치(FED; Field Emission Display) 등이 있으며, 수광형 표시장치로는 으로는 액정 표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)가 있다. 액정 표시장치는 무게가 가볍고 소비전력이 적은 장점을 가지고 있으나, 그 자체가 발광하여 화상을 형성하지 못하고, 외부로부터 빛이 입사되어 화상을 형성하는 수광형 표시장치이므로, 어두운 곳에서는 화상을 관찰할 수 없는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 액정 표시장치의 배면에는 백라이트 유닛(backlight unit)이 설치된다.
종래 백라이트 유닛으로는 선광원으로서 냉음극 형광램프(CCFL; Cold Cathode Fluorescent Lamp)와, 점광원으로서 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode)가 주로 사용되어 왔다. 그러나, 이러한 백라이트 유닛은 일반적으로 그 구성이 복잡하여 제조 비용이 높고, 광원이 측면에 있어서 광의 반사와 투과에 따른 전력 소모가 큰 단점이 있다. 특히, 액정 표시장치가 대형화 할수록 휘도의 균일성을 확보하기 힘든 문제점이 있다.
이에 따라, 최근에는 상기한 문제점을 해소하기 위하여 평면발광 구조를 가진 전계방출형(field emission type) 백라이트 유닛이 개발되고 있다. 이러한 전계방출형 백라이트 유닛은 기존의 냉음극 형광램프 등을 이용한 백라이트 유닛에 비해 전력 소모가 적고, 또한 넓은 범위의 발광 영역에서도 비교적 균일한 휘도를 나타내는 장점이 있다. 한편, 상기와 같은 전계방출형 백라이트 유닛은 조명으로도 사용될 수 있다.
도 1에는 종래 전계방출형 백라이트 유닛을 개략적으로 도시한 단면이 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 상부기판(20)과 하부기판(10)이 이격되어 서로 대향되게 배치되어 있다. 그리고, 상기 상부기판(20)과 하부기판(10) 사이에는 상부기판(20)과 하부기판(10) 사이의 간격을 일정하게 유지하기 위한 복수의 스페이서(spacer,30)가 마련되어 있다. 그리고, 상부기판(20)과 하부기판(10) 사이의 가장자리에는 상부기판(20)과 하부기판(10) 사이의 공간을 밀봉시키기 위한 벽체(40)가 마련되어 있다. 상기 상부기판(20)의 하면에는 애노드전극들(22)이 형성되어 있고, 상기 애노드전극들(22)의 하면에는 형광체층(24)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 하부기판(10)의 상면에는 캐소드전극들(12)이 형성되어 있으며, 상기 캐소드전극(12)의 표면에는 탄소나노튜브(CNT, Carbon Nanotubes)와 같은 전자방출물질로 이 루어진 에미터(emitter,15)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 하부기판(10)의 하부에는 상부기판(20)과 하부기판(10) 사이의 공간을 고진공으로 유지시키기 위한 배기튜브(50)가 장착되어 있다.
상기와 같은 구조에서, 캐소드전극(12)과 애노드전극(22) 사이에 소정의 전압이 인가됨에 따라 캐소드전극(12) 상에 형성된 에미터(15)로부터 전자들이 방출되고, 이렇게 방출된 전자들은 애노드전극(22) 쪽으로 가속되어 형광체층(24)을 여기시킴으로써 가시광을 발산시키게 된다.
그러나, 상기와 같은 종래 전계방출형 백라이트 유닛에서는 상부기판(20)이 평탄하게 제작되므로, 상기 상부기판(20) 상에 형성되는 형광체층(24)의 양을 증가함으로써 발광면적을 증대시키는 한계가 있다. 그리고, 상기 배기튜브(50)가 하부기판(10)의 하부에 장착되어 있기 때문에 백라이트 유닛의 두께가 두꺼워지는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 발광면적을 증대시킴으로써 발광효율을 향상시킬 수 있는 전계방출형 백라이트 유닛을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 일 구현예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛은,
하부 기판;
상기 하부 기판의 상면에 형성되는 복수의 캐소드전극;
상기 하부기판과 결합하여 그 내부에 복수의 전계방출공간을 형성하는 것으로, 상기 전계방출공간에 대응하는 형상의 복수의 굴곡부를 포함하는 상부기판;
상기 굴곡부들의 하면에 형성되는 복수의 애노드전극; 및
상기 애노드전극의 하면에 도포되는 형광체층;을 구비한다.
여기서, 상기 굴곡부는 반원통 형상 또는 반타원통 형상을 가질 수 있다.
상기 캐소드전극 상에는 전자방출물질로 이루어진 에미터가 형성되어 있는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 에미터는 탄소나노튜브(CNT; Carbon Nanotubes)로 이루어질 수 있다.
상기 캐소드전극은 상기 굴곡부의 길이방향을 따라 형성되는 것이 바람직하다.
상기 애노드전극은 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 애노드전극은 가시광을 반사시키는 금속 물질로 이루어지고, 상기 캐소드전극은 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
상기 하부기판과 상부기판의 측면에는 상기 전계방출공간들의 내부를 진공으로 유지하기 위한 배기 튜브가 마련될 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛은,
하부 기판;
상기 하부 기판의 상면에 서로 교대로 형성되는 복수의 캐소드전극 및 게이트전극;
상기 하부기판과 결합하여 그 내부에 복수의 전계방출공간을 형성하는 것으로, 상기 전계방출공간에 대응하는 형상의 복수의 굴곡부를 포함하는 상부기판;
상기 굴곡부들의 하면에 형성되는 복수의 애노드전극; 및
상기 애노드전극의 하면에 도포되는 형광체층;을 구비한다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛은,
하부 기판;
상기 하부기판과 결합하여 그 내부에 복수의 전계방출공간을 형성하는 것으로, 상기 전계방출공간에 대응하는 형상의 복수의 굴곡부를 포함하는 상부기판;
상기 전계방출공간들 내부에 마련되는 복수의 캐소드전극;
상기 굴곡부들의 하면에 형성되는 복수의 애노드전극;
상기 애노드전극의 하면에 도포되는 형광체층;을 구비한다.
여기서, 상기 전계방출형 백라이트 유닛은 상기 하부기판의 상면에 형성되어 상기 캐소드전극으로부터 방출된 전자들을 상기 애노드전극 쪽으로 향하게 하는 반사전극을 더 구비할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛을 도시한 분리사시도이다. 그리고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 평탄한 형상의 하부기판(110) 상면에 복수의 굴 곡부(120a)를 가지는 상부기판(120)이 결합되어 있다. 여기서, 상기 굴곡부(120a)는 예를 들면 반원통 형상 또는 반타원통 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 상부기판(120)과 하부기판(110) 사이에는 상기 굴곡부들(120a)로 인하여 복수의 전계방출공간(150)을 형성한다. 상기 전계방출공간(150)은 굴곡부(120a)에 대응하는 형상으로 형성된다. 상기 상부기판(120)과 하부기판(110)으로는 일반적으로 글라스 기판이 사용될 수 있다.
상기 하부기판(110)의 상면에는 복수의 캐소드전극(112)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 캐소드전극들(112)은 캐소드 공통라인(112a)에 연결된다. 상기 캐소드전극들(112)은 소정 패턴, 예를 들면 스트라이프 패턴으로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 캐소드전극(112)은 상부기판(120)의 굴곡부(120a)의 길이방향을 따라 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 캐소드전극(112)은 전계방출공간들(150)에 대응되도록 형성되는 것이 바람직하다.
상기 전계방출공간들(150)을 형성하는 상부기판(120)의 굴곡부들(120a) 하면에는 복수의 애노드전극(122)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 애노드전극(122)은 굴곡부(120a)의 길이 방향으로 따라 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 애노드전극(122)의 하면에는 형광체층(124)이 형성되어 있다. 상기 형광체층(124)은 상기 애노드전극(122)의 하면에 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 형광물질이 각각 소정 패턴으로 도포됨으로써 형성될 수도 있고, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 형광물질이 혼합된 상태로 상부기판(120)의 하면 전체에 도포됨으로써 형성될 수도 있다.
상기 형광체층(124)에서 발생되는 가시광이 상부기판(120) 쪽으로 나가는 경우에는 상기 애노드전극(122)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 한편, 형광체층(124)에서 발생되는 가시광이 하부기판(110) 쪽으로 나가는 경우에는 상기 캐소드전극(112)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 물질로 이루어지고, 상기 애노드전극(122)은 가시광을 반사시키는 금속물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 캐소드전극(112) 상에는 캐소드전극(112)과 애노드전극(122) 사이에 인가되는 전압에 의하여 전자들을 방출하는 에미터(115)가 형성된다. 여기서, 상기 에미터(115)는 예를 들면 탄소나노튜브(CNT; Carbon Nanotubes)와 같은 전자방출물질로 이루어질 수 있다. 이러한 탄소나노튜브(CNT)는 비교적 낮은 구동전압에서도 전자들을 원활하게 방출할 수 있다는 장점이 있다. 한편, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 상부기판(120)과 하부기판(110)의 측면에는 상기 전계방출공간들(150) 내부를 진공으로 유지하기 위한 배기튜브가 마련되어 있다.
상기와 같은 구조의 전계방출형 백라이트 유닛에서는, 상부기판(120)의 굴곡부들(120a)가 하부기판(110)에 직접 결합함으로써 그 사이에 전계방출공간들(150)을 형성하게 되므로 종래 전계방출형 백라이트 유닛에서와 같은 스페이서는 불필요하게 된다. 그리고, 종래보다 상부기판(120) 상에 형광체층(124)을 보다 넓은 면적으로 도포할 수 있으므로, 발광면적이 증대되고 이에 따라 발광효율이 향상될 수 있다. 또한, 상부기판(120)과 하부기판(110)의 측면에 배기튜브를 마련함으로써 백라이트 유닛을 얇게 제작할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛을 개략적으로 도시한 단면도이다. 그리고, 도 5는 하부기판 상에 배치된 캐소드전극 및 게이트전극을 도시한 사시도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 하부기판(210) 상면에 복수의 굴곡부(220a)를 가지는 상부기판(220)이 결합되어 그 사이에 복수의 전계방출공간(250)을 형성한다. 여기서, 상기 굴곡부(220a)는 예를 들면 반원통 형상 또는 반타원통 형상을 가질 수 있다. 상기 하부기판(210)의 상면에는 복수의 캐소드전극(212) 및 게이트전극(216)이 서로 교대로 형성되어 있다. 여기서, 상기 캐소드전극들(212)은 캐소드 공통라인(212a)에 연결되며, 상기 게이트전극들(216)은 게이트 공통라인(216a)에 연결된다. 상기 캐소드전극(212) 및 게이트전극(216)은 은 상부기판(220)의 굴곡부(220a)의 길이방향을 따라 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 캐소드전극(212) 및 게이트전극(216)은 전계방출공간들(250)에 대응되도록 형성되는 것이 바람직하다.
상기 전계방출공간들(250)을 형성하는 상부기판(220)의 굴곡부들(220a) 하면에는 복수의 애노드전극(222)이 형성되어 있으며, 상기 애노드전극(222)의 하면에는 형광체층(224)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 애노드전극(222)은 굴곡부(220a)의 길이 방향으로 따라 형성되는 것이 바람직하다.
상기 형광체층(224)에서 발생되는 가시광이 상부기판(220) 쪽으로 나가는 경우에는 상기 애노드전극(222)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 한편, 형광체층(224)에서 발생되는 가시광이 하부기판(210) 쪽으로 나가는 경우에는 상기 캐소드전극(212) 및 게이트전극(216)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 물질로 이루어지고, 상기 애노드전극(222)은 가시광을 반사시키는 금속물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 캐소드전극(212) 상에는 캐소드전극(212)과 게이트전극(222) 사이에 인가되는 전압에 의하여 전자들을 방출하는 에미터(215)가 형성된다. 여기서, 상기 에미터(215)는 예를 들면 탄소나노튜브(CNT)와 같은 전자방출물질로 이루어질 수 있다. 한편, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 상부기판(220)과 하부기판(210)의 측면에는 상기 전계방출공간들(250) 내부를 진공으로 유지하기 위한 배기튜브가 마련되어 있다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 하부기판(310) 상면에 복수의 굴곡부(320a)를 가지는 상부기판(320)이 결합되어 그 사이에 복수의 전계방출공간(350)을 형성한다. 여기서, 상기 굴곡부(320a)는 예를 들면 반원통 형상 또는 반타원통 형상을 가질 수 있다. 상기 전계방출공간들(350)을 형성하는 상부기판(320)의 굴곡부들(320a) 하면에는 복수의 애노드전극(322)이 형성되어 있으며, 상기 애노드전극(322)의 하면에는 형광체층(324)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 애노드전극(322)은 굴곡부(320a)의 길이 방향으로 따라 형성되는 것이 바람직하다.
상기 형광체층(324)에서 발생되는 가시광이 상부기판(320) 쪽으로 나가는 경우에는 상기 애노드전극(322)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 한편, 형광체층(324)에서 발생되는 가시광이 하부기판(310) 쪽으로 나가는 경우에는 상기 애노드전극(322)은 가시광을 반사시키는 금속물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 전계방출공간들(350)의 내부 공간에는 복수의 캐소드전극(330)이 마련되어 있다. 여기서, 상기 캐소드전극들은 굴곡부의 길이방향으로 따라 배치되는 것이 바람직하다. 상기 캐소드전극(330)은 표면에 탄소나노튜브(CNT)와 같은 전자방출물질이 도포된 와이어로 이루어질 수 있다. 상기 상부기판(320)의 측면에는 상기 전계방출공간들(350)을 밀봉시키기 위한 벽체(미도시)가 마련되어 있으며, 이러한 벽체에 상기 캐소드전극(330)의 양단이 고정되어 있다. 한편, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 상부기판(320)과 하부기판(310)의 측면에는 상기 전계방출공간들(350) 내부를 진공으로 유지하기 위한 배기튜브가 마련되어 있다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 유닛을 개략적으로 도시한 단면도이다. 이하에서는 전술한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 9를 참조하면, 하부기판(410) 상면에 복수의 굴곡부(420a)를 가지는 상부기판(420)이 결합되어 그 사이에 복수의 전계방출공간(450)을 형성한다. 여기서, 상기 굴곡부(420a)는 예를 들면 반원통 형상 또는 반타원통 형상을 가질 수 있다. 상기 굴곡부들(420a) 하면에는 복수의 애노드전극(422)이 형성되어 있으며, 상기 애노드전극(422)의 하면에는 형광체층(424)이 형성되어 있다.
상기 전계방출공간들(450)의 내부 공간에는 복수의 캐소드전극(430)이 마련 되어 있다. 여기서, 상기 캐소드전극들(430)은 굴곡부(420a)의 길이방향으로 따라 배치되는 것이 바람직하다. 상기 캐소드전극(430)은 표면에 탄소나노튜브(CNT)와 같은 전자방출물질이 도포된 와이어로 이루어질 수 있다. 상기 상부기판(420)의 측면에는 상기 전계방출공간들(450)을 밀봉시키기 위한 벽체(미도시)가 마련되어 있으며, 이러한 벽체에 상기 캐소드전극(430)의 양단이 고정되어 있다. 그리고, 상기 하부기판(410)의 상면에는 복수의 반사전극(440)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 반사전극들(440)은 굴곡부(420a)와 나란한 방향, 즉, 캐소드전극(430)과 나란한 방향으로 형성된다. 그리고, 상기 반사전극(440)은 캐소드전극(430)에 대응되게 형성되어 캐소드전극(430)으로부터 방출되어 하부기판(410) 쪽으로 향하는 전자들을 애노드전극(422) 쪽으로 반사시키는 전극이다. 한편, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 상부기판(420)과 하부기판(410)의 측면에는 상기 전계방출공간들(450) 내부를 진공으로 유지하기 위한 배기튜브가 마련되어 있다.
이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 전계방출형 백라이트 유닛에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 상부기판의 굴곡부가 하부기판에 직접 결합함으로써 그 사이에 전계방 출공간들을 형성하게 되므로, 종래 전계방출형 백라이트 유닛에서와 같은 스페이서는 불필요하게 된다.
둘째, 종래 전계방출형 백라이트 유닛에서보다 상부기판 상에 형광체층을 보다 넓은 면적으로 도포할 수 있으므로 발광면적이 증대되고, 이에 따라 발광효율이 향상될 수 있다.
셋째, 상부기판과 하부기판의 측면에 배기튜브를 마련함으로써 백라이트 유닛을 얇게 제작할 수 있다.

Claims (25)

  1. 하부 기판;
    상기 하부 기판의 상면에 형성되는 복수의 캐소드전극;
    상기 하부기판과 결합하여 그 내부에 복수의 전계방출공간을 형성하는 것으로, 상기 전계방출공간에 대응하는 형상의 복수의 굴곡부를 포함하는 상부기판;
    상기 굴곡부들의 하면에 형성되는 복수의 애노드전극; 및
    상기 애노드전극의 하면에 도포되는 형광체층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 굴곡부는 반원통 형상 또는 반타원통 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소드전극 상에는 전자방출물질로 이루어진 에미터가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 에미터는 탄소나노튜브(CNT; Carbon Nanotubes)로 이루어지는 것을 특 징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소드전극은 상기 굴곡부의 길이방향을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드전극은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드전극은 가시광을 반사시키는 금속 물질로 이루어지고, 상기 캐소드전극은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부기판과 상부기판의 측면에는 상기 전계방출공간들의 내부를 진공으로 유지하기 위한 배기 튜브가 마련되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  9. 하부 기판;
    상기 하부 기판의 상면에 서로 교대로 형성되는 복수의 캐소드전극 및 게이트전극;
    상기 하부기판과 결합하여 그 내부에 복수의 전계방출공간을 형성하는 것으로, 상기 전계방출공간에 대응하는 형상의 복수의 굴곡부를 포함하는 상부기판;
    상기 굴곡부들의 하면에 형성되는 복수의 애노드전극; 및
    상기 애노드전극의 하면에 도포되는 형광체층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 굴곡부는 반원통 형상 또는 반타원통 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 캐소드전극 상에는 전자방출물질로 이루어진 에미터가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 에미터는 탄소나노튜브로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 캐소드전극 및 게이트전극은 상기 굴곡부의 길이방향을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 애노드전극은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 애노드전극은 가시광을 반사시키는 금속 물질로 이루어지고, 상기 캐소드전극 및 게이트전극은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 하부기판과 상부기판의 측면에는 상기 전계방출공간들의 내부를 진공으로 유지하기 위한 배기 튜브가 마련되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  17. 하부 기판;
    상기 하부기판과 결합하여 그 내부에 복수의 전계방출공간을 형성하는 것으로, 상기 전계방출공간에 대응하는 형상의 복수의 굴곡부를 포함하는 상부기판;
    상기 전계방출공간들 내부에 마련되는 복수의 캐소드전극;
    상기 굴곡부들의 하면에 형성되는 복수의 애노드전극;
    상기 애노드전극의 하면에 도포되는 형광체층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 하부기판의 상면에 형성되어 상기 캐소드전극으로부터 방출된 전자들을 상기 애노드전극 쪽으로 향하게 하는 반사전극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  19. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 굴곡부는 반원통 형상 또는 반타원통 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  20. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 캐소드전극은 전자방출물질이 표면에 형성된 와이어로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 전자방출물질은 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  22. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 캐소드전극은 상기 굴곡부의 길이방향을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  23. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 애노드전극은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  24. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 애노드전극은 가시광을 반사시키는 금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
  25. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 하부기판과 상부기판의 측면에는 상기 전계방출공간들의 내부를 진공으로 유지하기 위한 배기 튜브가 마련되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛.
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