JP2571016B2 - ガス放電表示パネルの製造方法 - Google Patents
ガス放電表示パネルの製造方法Info
- Publication number
- JP2571016B2 JP2571016B2 JP8928394A JP8928394A JP2571016B2 JP 2571016 B2 JP2571016 B2 JP 2571016B2 JP 8928394 A JP8928394 A JP 8928394A JP 8928394 A JP8928394 A JP 8928394A JP 2571016 B2 JP2571016 B2 JP 2571016B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- auxiliary electrode
- electrode
- transparent
- electrode material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガス放電表示パネルの製
造方法に関し、特に補助電極を積層した透明電極を有す
る交流駆動型のガス放電表示パネルに関する。
造方法に関し、特に補助電極を積層した透明電極を有す
る交流駆動型のガス放電表示パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の交流駆動型（以下、ＡＣ型
と記す）ガス放電表示パネルの一例の構成を示す断面図
である。従来のＡＣ型ガス放電表示パネルは、図５に示
すように、第１の基板１ａと第２の基板１ｂのそれぞれ
の表面に直角に対向するように配置された電極２ａと電
極２ｂと、この電極２ａと電極２ｂを被覆する誘電体層
６ａと誘電体層６ｂと、この誘電体層６ａと誘電体層６
ｂ上に形成された保護層７ａと保護層７ｂとを有し、第
１の基板１ａと第２の基板１ｂとを電極２ａと電極２ｂ
が交差する画素に対応する放電セルを分離しかつ放電空
間を狭んで電極２ａと電極２ｂからなる電極対が形成さ
れるように隔壁８を狭んで貼り合わせ、フリットガラス
９により加熱封着された構造となっている。さらに、放
電により発光させるために第２の基板１ｂの表示領域以
外の場所に放電空間とつながるように形成されたガラス
管１０を通して排気しながら真空加熱を行い、放電ガス
を封入する。
と記す）ガス放電表示パネルの一例の構成を示す断面図
である。従来のＡＣ型ガス放電表示パネルは、図５に示
すように、第１の基板１ａと第２の基板１ｂのそれぞれ
の表面に直角に対向するように配置された電極２ａと電
極２ｂと、この電極２ａと電極２ｂを被覆する誘電体層
６ａと誘電体層６ｂと、この誘電体層６ａと誘電体層６
ｂ上に形成された保護層７ａと保護層７ｂとを有し、第
１の基板１ａと第２の基板１ｂとを電極２ａと電極２ｂ
が交差する画素に対応する放電セルを分離しかつ放電空
間を狭んで電極２ａと電極２ｂからなる電極対が形成さ
れるように隔壁８を狭んで貼り合わせ、フリットガラス
９により加熱封着された構造となっている。さらに、放
電により発光させるために第２の基板１ｂの表示領域以
外の場所に放電空間とつながるように形成されたガラス
管１０を通して排気しながら真空加熱を行い、放電ガス
を封入する。
【０００３】第１の基板１ａ上の電極２ａは発光出力を
取り出すために透明電極を用いる必要があるが、透明電
極単体では抵抗値が高い。そのため電極２ａの抵抗によ
る消費電力の増大や電圧印加端子部からの距離の違いに
より素子に印加される実効電圧が変わり均一な表示が行
えないといった問題等が発生する。これを回避するため
に、透明電極に沿ってより抵抗値の低い補助電極を形成
している。
取り出すために透明電極を用いる必要があるが、透明電
極単体では抵抗値が高い。そのため電極２ａの抵抗によ
る消費電力の増大や電圧印加端子部からの距離の違いに
より素子に印加される実効電圧が変わり均一な表示が行
えないといった問題等が発生する。これを回避するため
に、透明電極に沿ってより抵抗値の低い補助電極を形成
している。
【０００４】次に、従来の透明電極と補助電極のパター
ン形成方法について図面を参照して説明する。
ン形成方法について図面を参照して説明する。
【０００５】図６（ａ）〜（ｃ）は従来のスクリーン印
刷を用いた補助電極パターン形成方法の一例を説明する
工程順に示した断面図である。まず、図６（ａ）に示す
ように、透明導電膜２０上にフォトレジストを塗布し、
露光，現像により透明電極を除去する部分３１を取り除
いたフォトレジスト３のパターンを形成する。次に、図
６（ｂ）に示すように、フォトレジスト３のパターンを
マスクとして透明導電膜２０のエッチングを行った後フ
ォトレジスト３のパターンを除去して透明電極２１のパ
ターンを形成する。続いて、透明電極２１上に銀電極形
成用ペースト２２をスクリーン印刷により所定のパター
ンに塗布形成し、焼成を行うことにより銀補助電極のパ
ターンを得る。
刷を用いた補助電極パターン形成方法の一例を説明する
工程順に示した断面図である。まず、図６（ａ）に示す
ように、透明導電膜２０上にフォトレジストを塗布し、
露光，現像により透明電極を除去する部分３１を取り除
いたフォトレジスト３のパターンを形成する。次に、図
６（ｂ）に示すように、フォトレジスト３のパターンを
マスクとして透明導電膜２０のエッチングを行った後フ
ォトレジスト３のパターンを除去して透明電極２１のパ
ターンを形成する。続いて、透明電極２１上に銀電極形
成用ペースト２２をスクリーン印刷により所定のパター
ンに塗布形成し、焼成を行うことにより銀補助電極のパ
ターンを得る。
【０００６】図７（ａ）〜（ｄ）は従来のフォトリソグ
ラフィを用いた補助電極パターン形成方法の一例を説明
する工程順に示した断面図である。まず、図７（ａ）に
示すように、スクリーン印刷を用いた方法と同様に透明
電極２１のパターンを形成する。次に、図７（ｂ）に示
すように、フォトレジスト３を塗布し、露光，現像によ
って補助電極形成部３２を残してフォトレジスト３のパ
ターンを形成する。次に、図７（ｃ）に示すように、全
面に金薄膜５を形成する。最後に、図７（ｄ）に示すよ
うに、フォトレジスト３を剥離しリフトオフにより金補
助電極５１を得る。
ラフィを用いた補助電極パターン形成方法の一例を説明
する工程順に示した断面図である。まず、図７（ａ）に
示すように、スクリーン印刷を用いた方法と同様に透明
電極２１のパターンを形成する。次に、図７（ｂ）に示
すように、フォトレジスト３を塗布し、露光，現像によ
って補助電極形成部３２を残してフォトレジスト３のパ
ターンを形成する。次に、図７（ｃ）に示すように、全
面に金薄膜５を形成する。最後に、図７（ｄ）に示すよ
うに、フォトレジスト３を剥離しリフトオフにより金補
助電極５１を得る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来のスクリーン
印刷により補助電極を形成する方法では透明電極とスク
リーン版の位置合わせを精度よく行う必要があるが、基
板サイズが大きくなるとスクリーン版の伸び等のために
透明電極上に精度のよい補助電極のパターンを形成する
ことは非常に困難になる。さらに表示パネルの高精細化
に対応して電極の細線化が必要となるが、スクリーン印
刷やメタルマスクを用いた真空蒸着では細線化への対応
が困難であるという問題点がある。
印刷により補助電極を形成する方法では透明電極とスク
リーン版の位置合わせを精度よく行う必要があるが、基
板サイズが大きくなるとスクリーン版の伸び等のために
透明電極上に精度のよい補助電極のパターンを形成する
ことは非常に困難になる。さらに表示パネルの高精細化
に対応して電極の細線化が必要となるが、スクリーン印
刷やメタルマスクを用いた真空蒸着では細線化への対応
が困難であるという問題点がある。
【０００８】一方、フォトリソグラフィを用いて補助電
極を形成する方法では細線化は可能であるが、透明電極
をパターン化する工程と合わせてフォトリソグラフィの
工程が２回となり工数が増加するという問題点がある。
極を形成する方法では細線化は可能であるが、透明電極
をパターン化する工程と合わせてフォトリソグラフィの
工程が２回となり工数が増加するという問題点がある。
【０００９】本発明の目的は、透明電極と補助電極の位
置合わせ精度が高く、簡略な工程で高精細化に対応でき
るガス放電表示パネルの製造方法を提供することにあ
る。
置合わせ精度が高く、簡略な工程で高精細化に対応でき
るガス放電表示パネルの製造方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明のガス放電表
示パネルの製造方法は、少くとも、透明の絶縁性基板
と、この絶縁性基板上に形成された導電性の透明電極
と、この透明電極上に積層形成された低抵抗の補助電極
からなる複数の帯状電極と、この帯状電極を被覆する誘
電体層と、この誘電体層上に形成された保護層とを有す
る交流駆動型のガス放電表示パネルの製造方法におい
て、前記帯状電極の形成工程が、前記絶縁性基板上に透
明導電膜を形成する工程と、この透明導電膜上にフォト
レジストを塗布する工程と、このフォトレジストを露
光，現像することにより前記透明導電膜を除去する部分
と補助電極を形成する部分とを除去する工程と、この補
助電極を形成する部分を充分に覆いかつ前記透明電極を
除去する部分にかからないように補助電極材料を部分形
成する工程と、この補助電極材料と前記フォトレジスト
をマスクとして前記透明導電膜をエッチングしパターン
化して前記透明電極を形成する工程と、前記フォトレジ
ストを除去すると同時に前記補助電極材料をリフトオフ
によりパターン化を行い前記補助電極を形成する工程と
を含む。ここで、前記補助電極材料を部分形成する工程
が、スクリーン印刷によって形成する工程，ディスペン
サによって形成する工程またはメタルマスクを用いた真
空蒸着によって形成する工程、あるいは補助電極材料上
に同じパターンでエッチングに対して耐性のある被覆層
を前記補助電極材料上に形成する工程を含む。
示パネルの製造方法は、少くとも、透明の絶縁性基板
と、この絶縁性基板上に形成された導電性の透明電極
と、この透明電極上に積層形成された低抵抗の補助電極
からなる複数の帯状電極と、この帯状電極を被覆する誘
電体層と、この誘電体層上に形成された保護層とを有す
る交流駆動型のガス放電表示パネルの製造方法におい
て、前記帯状電極の形成工程が、前記絶縁性基板上に透
明導電膜を形成する工程と、この透明導電膜上にフォト
レジストを塗布する工程と、このフォトレジストを露
光，現像することにより前記透明導電膜を除去する部分
と補助電極を形成する部分とを除去する工程と、この補
助電極を形成する部分を充分に覆いかつ前記透明電極を
除去する部分にかからないように補助電極材料を部分形
成する工程と、この補助電極材料と前記フォトレジスト
をマスクとして前記透明導電膜をエッチングしパターン
化して前記透明電極を形成する工程と、前記フォトレジ
ストを除去すると同時に前記補助電極材料をリフトオフ
によりパターン化を行い前記補助電極を形成する工程と
を含む。ここで、前記補助電極材料を部分形成する工程
が、スクリーン印刷によって形成する工程，ディスペン
サによって形成する工程またはメタルマスクを用いた真
空蒸着によって形成する工程、あるいは補助電極材料上
に同じパターンでエッチングに対して耐性のある被覆層
を前記補助電極材料上に形成する工程を含む。
【００１１】第２の発明のガス放電表示パネルの製造方
法は、前記帯状電極の形成工程が、絶縁性基板上に透明
導電膜を形成する工程と、この透明導電膜上にポジ型フ
ォトレジストを塗布する工程と、このポジ型フォトレジ
ストを露光，現像することにより透明電極を形成する部
分が残るようにしてパターン化し前記透明導電膜をエッ
チングにて除去して前記透明電極を形成する工程と、残
った前記ポジ型フォトレジストを露光，現像することに
より前記補助電極を形成する部分を除去する工程と、こ
の補助電極を形成する部分を充分に覆いかつ前記透明電
極を除去した部分にかからないように補助電極材料を部
分形成する工程と、前記ポジ型フォトレジストを除去す
ると同時に前記補助電極材料をリフトオフによりパター
ン化を行い前記補助電極を形成する工程とを含む。ここ
で、前記補助電極材料を形成する工程が、スクリーン印
刷によって形成する工程，ディスペンサによって形成す
る工程またはメタルマスクを用いた真空蒸着によって形
成する工程を含む。
法は、前記帯状電極の形成工程が、絶縁性基板上に透明
導電膜を形成する工程と、この透明導電膜上にポジ型フ
ォトレジストを塗布する工程と、このポジ型フォトレジ
ストを露光，現像することにより透明電極を形成する部
分が残るようにしてパターン化し前記透明導電膜をエッ
チングにて除去して前記透明電極を形成する工程と、残
った前記ポジ型フォトレジストを露光，現像することに
より前記補助電極を形成する部分を除去する工程と、こ
の補助電極を形成する部分を充分に覆いかつ前記透明電
極を除去した部分にかからないように補助電極材料を部
分形成する工程と、前記ポジ型フォトレジストを除去す
ると同時に前記補助電極材料をリフトオフによりパター
ン化を行い前記補助電極を形成する工程とを含む。ここ
で、前記補助電極材料を形成する工程が、スクリーン印
刷によって形成する工程，ディスペンサによって形成す
る工程またはメタルマスクを用いた真空蒸着によって形
成する工程を含む。
【００１２】第３の発明のガス放電表示パネルの製造方
法は、前記帯状電極の形成工程が、絶縁性基板上に透明
導電膜を形成する工程と、この透明導電膜上にポジ型フ
ォトレジストを塗布する工程と、このポジ型フォトレジ
ストを露光，現像することにより補助電極を形成する部
分を除去する工程と、透明電極を形成する部分の前記ポ
ジ型フォトレジストを露光し露光部を形成する工程と、
全面に補助電極材料を形成する工程と、前記ポジ型フォ
トレジストの現像を行い前記露光部を除去すると同時に
前記補助電極材料をリフトオフにより除去する工程と、
残った前記補助電極材料をマスクとしてエッチングし前
記透明導電膜のパターン化を行い前記透明電極を形成す
る工程と、残った前記ポジ型フォトレジストを除去する
と同時に残った前記補助電極材料をリフトオフによりパ
ターン化を行い前記補助電極を形成する工程とを含む。
ここで、前記全面に補助電極材料を形成する工程が、前
記補助電極材料上にエッチングに対して耐性のある被覆
層を全面に形成する工程を含む。
法は、前記帯状電極の形成工程が、絶縁性基板上に透明
導電膜を形成する工程と、この透明導電膜上にポジ型フ
ォトレジストを塗布する工程と、このポジ型フォトレジ
ストを露光，現像することにより補助電極を形成する部
分を除去する工程と、透明電極を形成する部分の前記ポ
ジ型フォトレジストを露光し露光部を形成する工程と、
全面に補助電極材料を形成する工程と、前記ポジ型フォ
トレジストの現像を行い前記露光部を除去すると同時に
前記補助電極材料をリフトオフにより除去する工程と、
残った前記補助電極材料をマスクとしてエッチングし前
記透明導電膜のパターン化を行い前記透明電極を形成す
る工程と、残った前記ポジ型フォトレジストを除去する
と同時に残った前記補助電極材料をリフトオフによりパ
ターン化を行い前記補助電極を形成する工程とを含む。
ここで、前記全面に補助電極材料を形成する工程が、前
記補助電極材料上にエッチングに対して耐性のある被覆
層を全面に形成する工程を含む。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１４】図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
１の実施例は、まず、図１（ａ）に示すように、基板１
に形成された透明導電膜２０上にフォトレジスト３を塗
布し、露光，現像により透明電極除去部３１及び補助電
極形成部３２が開口部となるようにフォトレジスト３を
パターン化する。次に、図１（ｂ）に示すように、補助
電極形成部３２を充分覆いかつ透明電極除去部３１にか
からないようにスクリーン印刷により銀電極形成用ペー
スト２２を部分塗布する。さらに、銀電極形成用ペース
ト２２と同じパターンで耐酸レジスト４からなる被覆層
をスクリーン印刷により部分塗布する。次に、図１
（ｃ）に示すように、フォトレジスト３と耐酸レジスト
４をマスクとして、塩酸を用いたエッチングにより透明
導電膜２０のパターン化を行い透明電極２１を形成す
る。その後、図１（ｄ）に示すように、耐酸レジスト４
及びフォトレジスト３を除去し、リフトオフにより銀電
極形成用ペースト２２のパターン形成を行う。最後に、
図１（ｅ）に示すように、基板１を５５０℃に加熱焼成
して銀電極形成用ペースト２２を銀電極２３とし、銀電
極２３による補助電極が積層された透明電極２１からな
る帯状電極が得られる。
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
１の実施例は、まず、図１（ａ）に示すように、基板１
に形成された透明導電膜２０上にフォトレジスト３を塗
布し、露光，現像により透明電極除去部３１及び補助電
極形成部３２が開口部となるようにフォトレジスト３を
パターン化する。次に、図１（ｂ）に示すように、補助
電極形成部３２を充分覆いかつ透明電極除去部３１にか
からないようにスクリーン印刷により銀電極形成用ペー
スト２２を部分塗布する。さらに、銀電極形成用ペース
ト２２と同じパターンで耐酸レジスト４からなる被覆層
をスクリーン印刷により部分塗布する。次に、図１
（ｃ）に示すように、フォトレジスト３と耐酸レジスト
４をマスクとして、塩酸を用いたエッチングにより透明
導電膜２０のパターン化を行い透明電極２１を形成す
る。その後、図１（ｄ）に示すように、耐酸レジスト４
及びフォトレジスト３を除去し、リフトオフにより銀電
極形成用ペースト２２のパターン形成を行う。最後に、
図１（ｅ）に示すように、基板１を５５０℃に加熱焼成
して銀電極形成用ペースト２２を銀電極２３とし、銀電
極２３による補助電極が積層された透明電極２１からな
る帯状電極が得られる。
【００１５】なお、本実施例では、補助電極材料の部分
形成にスクリーン印刷による方法を用いたがディスペン
サを用いる方法によっても同様に部分形成することがで
きる。
形成にスクリーン印刷による方法を用いたがディスペン
サを用いる方法によっても同様に部分形成することがで
きる。
【００１６】以上の工程によって得られた電極形成済み
基板を従来と同じ工程で誘電体層，保護層，隔壁を形成
した後、もう１つの基板と対向させてフリットガラスに
て封着し、内部に放電ガスを封入して、第１の実施例に
よるＡＣ型ガス放電表示パネルが得られる。
基板を従来と同じ工程で誘電体層，保護層，隔壁を形成
した後、もう１つの基板と対向させてフリットガラスに
て封着し、内部に放電ガスを封入して、第１の実施例に
よるＡＣ型ガス放電表示パネルが得られる。
【００１７】図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
２の実施例は、まず、図２（ａ）に示すように、基板１
に形成された透明導電膜２０上にフォトレジストを塗布
し、露光，現像により透明電極除去部３１及び補助電極
形成部３２が開口部となるようにフォトレジスト３をパ
ターン化する。次に、図２（ｂ）に示すように、補助電
極形成部３２を充分覆いかつ透明電極除去部３１にかか
らないように金属薄板マスクを用いて真空蒸着により金
薄膜５を部分形成する。次に、図２（ｃ）に示すよう
に、フォトレジスト３と金薄膜５をマスクとして塩酸を
用いたエッチングにより透明導電膜２０のパターン化を
行い透明電極２１を形成する。最後に、図２（ｄ）に示
すように、フォトレジスト３を除去し、リフトオフによ
り金薄膜５のパターン形成を行い金補助電極５１とし、
金補助電極５１が積層された透明電極２１からなる帯状
電極を得る。
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
２の実施例は、まず、図２（ａ）に示すように、基板１
に形成された透明導電膜２０上にフォトレジストを塗布
し、露光，現像により透明電極除去部３１及び補助電極
形成部３２が開口部となるようにフォトレジスト３をパ
ターン化する。次に、図２（ｂ）に示すように、補助電
極形成部３２を充分覆いかつ透明電極除去部３１にかか
らないように金属薄板マスクを用いて真空蒸着により金
薄膜５を部分形成する。次に、図２（ｃ）に示すよう
に、フォトレジスト３と金薄膜５をマスクとして塩酸を
用いたエッチングにより透明導電膜２０のパターン化を
行い透明電極２１を形成する。最後に、図２（ｄ）に示
すように、フォトレジスト３を除去し、リフトオフによ
り金薄膜５のパターン形成を行い金補助電極５１とし、
金補助電極５１が積層された透明電極２１からなる帯状
電極を得る。
【００１８】図３（ａ）〜（ｅ）は本発明の第３の実施
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
３の実施例は、まず、図３（ａ）に示すように、基板１
に形成された透明導電膜２０上にポジ型フォトレジスト
を塗布し、露光，現像により補助電極形成部３２が開口
部となるようにポジ型フォトレジスト３３をパターン化
し、さらに透明電極除去部３１のポジ型フォトレジスト
３３を露光し露光部３４を形成する。次に、図３（ｂ）
に示すように、真空蒸着により１μｍの厚みの金薄膜５
を形成する。このとき、露光部３４が金薄膜５形成部の
外側までつながるようにポジ型フォトレジスト３３の塗
布部分，露光部３４及び金薄膜５形成部分の組み合わせ
を調整する。次に、図３（ｃ）に示すように、ポジ型フ
ォトレジスト３３の現像を行い透明電極除去部３１の金
薄膜５をリフトオフにより除去する。その後、図３
（ｄ）に示すように、金薄膜５をマスクとして透明導電
膜２０を塩酸によりエッチングし、透明導電膜２０のパ
ターン化を行い透明電極２１を形成する。最後に、図３
（ｅ）に示すように、ポジ型ホトレジスト３３を剥離
し、リフトオフにより金薄膜５のパターン化を行い金補
助電極を形成し、金補助電極５１が積層された透明電極
からなる帯状電極を得る。
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
３の実施例は、まず、図３（ａ）に示すように、基板１
に形成された透明導電膜２０上にポジ型フォトレジスト
を塗布し、露光，現像により補助電極形成部３２が開口
部となるようにポジ型フォトレジスト３３をパターン化
し、さらに透明電極除去部３１のポジ型フォトレジスト
３３を露光し露光部３４を形成する。次に、図３（ｂ）
に示すように、真空蒸着により１μｍの厚みの金薄膜５
を形成する。このとき、露光部３４が金薄膜５形成部の
外側までつながるようにポジ型フォトレジスト３３の塗
布部分，露光部３４及び金薄膜５形成部分の組み合わせ
を調整する。次に、図３（ｃ）に示すように、ポジ型フ
ォトレジスト３３の現像を行い透明電極除去部３１の金
薄膜５をリフトオフにより除去する。その後、図３
（ｄ）に示すように、金薄膜５をマスクとして透明導電
膜２０を塩酸によりエッチングし、透明導電膜２０のパ
ターン化を行い透明電極２１を形成する。最後に、図３
（ｅ）に示すように、ポジ型ホトレジスト３３を剥離
し、リフトオフにより金薄膜５のパターン化を行い金補
助電極を形成し、金補助電極５１が積層された透明電極
からなる帯状電極を得る。
【００１９】なお、本実施例では、補助電極材料に耐酸
性の高い金薄膜を用いたが、銀薄膜等の耐酸性の低い補
助電極材料を用いた場合は、第１の実施例と同様耐酸レ
ジスト等の被覆層を用いる必要がある。この場合は下記
の工程になる。図３（ｂ）に示す補助電極材料形成後
に、まず、この補助電極材料上に全面に被覆層を形成す
る。次に、図３（ｃ）に示すように、ポジ型ホトレジス
トの現像を行い、補助電極材料とその被覆層をリフトオ
フにより除去する。続いて、図３（ｄ）に示すように、
塩酸によるエッチングにて透明導電膜２０を除去し透明
電極２１を形成する。最後に、ポジ型ホトレジスト３３
を剥離し、リフトオフにより補助電極の形成を行い補助
電極が積層された透明電極からなる帯状電極を得る。
性の高い金薄膜を用いたが、銀薄膜等の耐酸性の低い補
助電極材料を用いた場合は、第１の実施例と同様耐酸レ
ジスト等の被覆層を用いる必要がある。この場合は下記
の工程になる。図３（ｂ）に示す補助電極材料形成後
に、まず、この補助電極材料上に全面に被覆層を形成す
る。次に、図３（ｃ）に示すように、ポジ型ホトレジス
トの現像を行い、補助電極材料とその被覆層をリフトオ
フにより除去する。続いて、図３（ｄ）に示すように、
塩酸によるエッチングにて透明導電膜２０を除去し透明
電極２１を形成する。最後に、ポジ型ホトレジスト３３
を剥離し、リフトオフにより補助電極の形成を行い補助
電極が積層された透明電極からなる帯状電極を得る。
【００２０】図４（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
４の実施例は、まず、図４（ａ）に示すように、基板１
に形成された透明導電膜上にポジ型フォトレジストを塗
布し、露光，現像により透明電極除去部３１が開口部と
なるようにパターン化し、さらに塩酸によるエッチング
で透明導電膜のパターン化を行い透明電極２１を形成す
る。次に、図４（ｂ）に示すように、補助電極形成部３
２のポジ型フォトレジスト３３を露光，現像して開口部
を形成する。次に、図４（ｃ）に示すように、ディスペ
ンサを用いて補助電極形成部３２を充分覆いかつ透明導
電膜除去部３１にかからないように銀電極形成用ペース
ト２２を部分塗布する。その後、図４（ｄ）に示すよう
に、銀電極形成用ペースト２２を乾燥後ポジ型ホトレジ
スト３３を剥離し、リフトオフにより銀電極形成用ペー
スト２２のパターン化を行う。最後に、銀電極形成用ペ
ースト２２を焼成することにより銀電極とし、第１の実
施例と同様銀電極が積層された透明電極からなる帯状電
極（図示せず）を得る。本実施例では図４（ｃ）に示す
ディスペンサを用いた銀電極形成用ペースト２２の部分
塗布の代りにスクリーン印刷または金属薄板マスクを用
いた真空蒸着によっても補助電極材料の部分形成は可能
であり、真空蒸着の場合は焼成工程は不要となる。さら
に、第１の実施例と同じ工程により、第４の実施例によ
るＡＣ型ガス放電表示パネルを得る。
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
４の実施例は、まず、図４（ａ）に示すように、基板１
に形成された透明導電膜上にポジ型フォトレジストを塗
布し、露光，現像により透明電極除去部３１が開口部と
なるようにパターン化し、さらに塩酸によるエッチング
で透明導電膜のパターン化を行い透明電極２１を形成す
る。次に、図４（ｂ）に示すように、補助電極形成部３
２のポジ型フォトレジスト３３を露光，現像して開口部
を形成する。次に、図４（ｃ）に示すように、ディスペ
ンサを用いて補助電極形成部３２を充分覆いかつ透明導
電膜除去部３１にかからないように銀電極形成用ペース
ト２２を部分塗布する。その後、図４（ｄ）に示すよう
に、銀電極形成用ペースト２２を乾燥後ポジ型ホトレジ
スト３３を剥離し、リフトオフにより銀電極形成用ペー
スト２２のパターン化を行う。最後に、銀電極形成用ペ
ースト２２を焼成することにより銀電極とし、第１の実
施例と同様銀電極が積層された透明電極からなる帯状電
極（図示せず）を得る。本実施例では図４（ｃ）に示す
ディスペンサを用いた銀電極形成用ペースト２２の部分
塗布の代りにスクリーン印刷または金属薄板マスクを用
いた真空蒸着によっても補助電極材料の部分形成は可能
であり、真空蒸着の場合は焼成工程は不要となる。さら
に、第１の実施例と同じ工程により、第４の実施例によ
るＡＣ型ガス放電表示パネルを得る。
【００２１】以上本発明の実施例について説明したが、
エッチングについては例えばサンドブラスト法やスパッ
タエッチング法等のドライエッチングの使用、また補助
電極あるいは補助電極材料の全面への形成については例
えばロールコータ法の使用など、実施例に示した以外の
エッチング，塗布の方法を用いることは本発明の効果に
なんら影響を与えるものではない。
エッチングについては例えばサンドブラスト法やスパッ
タエッチング法等のドライエッチングの使用、また補助
電極あるいは補助電極材料の全面への形成については例
えばロールコータ法の使用など、実施例に示した以外の
エッチング，塗布の方法を用いることは本発明の効果に
なんら影響を与えるものではない。
【００２２】さらに、本発明の主たる放電を形成する電
極対が対向する基板上にある対向放電型のガス放電表示
パネルばかりでなく、主たる放電を形成する電極対が同
一基板上にある面放電型のガス放電表示パネルの製造方
法にも適用できる。
極対が対向する基板上にある対向放電型のガス放電表示
パネルばかりでなく、主たる放電を形成する電極対が同
一基板上にある面放電型のガス放電表示パネルの製造方
法にも適用できる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、第１，第
２及び第４の実施例では補助電極材料の部分形成時にず
れが生じても、実質的なパターン化はフォトレジスト工
程によって行われているため最終的には高精度のパター
ンが得られる。このように必要とされるパターン形成は
全てフォトレジストプロセスで行われるため高精度で高
精細な電極パターンが得られるという効果がある。
２及び第４の実施例では補助電極材料の部分形成時にず
れが生じても、実質的なパターン化はフォトレジスト工
程によって行われているため最終的には高精度のパター
ンが得られる。このように必要とされるパターン形成は
全てフォトレジストプロセスで行われるため高精度で高
精細な電極パターンが得られるという効果がある。
【００２４】しかも、第１及び第２の実施例ではフォト
レジスト工程を１度、第３及び第４の実施例ではレジス
トの塗布，剥離の工程を１度行うだけで、透明電極と補
助電極の両方のパターン化が行えるので、従来２度行っ
ていたフォトレジスト工程に比べて簡略化できるという
効果がある。
レジスト工程を１度、第３及び第４の実施例ではレジス
トの塗布，剥離の工程を１度行うだけで、透明電極と補
助電極の両方のパターン化が行えるので、従来２度行っ
ていたフォトレジスト工程に比べて簡略化できるという
効果がある。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例を説明
する工程順に示した断面図である。
する工程順に示した断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施例を説明
する工程順に示した断面図である。
する工程順に示した断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第３の実施例を説明
する工程順に示した断面図である。
する工程順に示した断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施例を説明
する工程順に示した断面図である。
する工程順に示した断面図である。
【図５】従来のＡＣ駆動型ガス放電表示パネルの一例の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は従来のスクリーン印刷を用い
た補助電極パターン形成方法の一例を説明する工程順に
示した断面図である。
た補助電極パターン形成方法の一例を説明する工程順に
示した断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は従来のフォトリソグラフィを
用いた補助電極パターン形成方法の一例を説明する工程
順に示した断面図である。
用いた補助電極パターン形成方法の一例を説明する工程
順に示した断面図である。
１ 基板 １ａ 第１の基板 １ｂ 第２の基板 ２ａ，２ｂ 電極 ３ フォトレジスト ４ 耐酸レジスト ５ 金薄膜 ６ａ，６ｂ 誘電体層 ７ａ，７ｂ 保護層 ８ 隔壁 ９ フリッドガラス １０ ガラス管 ２０ 透明導電膜 ２１ 透明電極 ２２ 銀電極形成用ペースト ２３ 銀電極 ３１ 透明電極除去部 ３２ 補助電極形成部 ３３ ポジ型フォトレジスト ３４ 露光部 ５１ 金補助電極
Claims (8)
- 【請求項１】 少くとも、透明の絶縁性基板と、この絶
縁性基板上に形成された導電性の透明電極と、この透明
電極上に積層形成された低抵抗の補助電極からなる複数
の帯状電極と、この帯状電極を被覆する誘電体層と、こ
の誘電体層上に形成された保護層とを有する交流駆動型
のガス放電表示パネルの製造方法において、前記帯状電
極の形成工程が、前記絶縁性基板上に透明導電膜を形成
する工程と、この透明導電膜上にフォトレジストを塗布
する工程と、このフォトレジストを露光，現像すること
により前記透明導電膜を除去する部分と補助電極を形成
する部分とを除去する工程と、この補助電極を形成する
部分を充分に覆いかつ前記透明電極を除去する部分にか
からないように補助電極材料を部分形成する工程と、こ
の補助電極材料と前記フォトレジストをマスクとして前
記透明導電膜をエッチングしパターン化して前記透明電
極を形成する工程と、前記フォトレジストを除去すると
同時に前記補助電極材料をリフトオフによりパターン化
を行い前記補助電極を形成する工程とを含むことを特徴
とするガス放電表示パネルの製造方法。 - 【請求項２】 少くとも、透明の絶縁性基板と、この絶
縁性基板上に形成された導電性の透明電極と、この透明
電極上に積層形成された低抵抗の補助電極からなる複数
の帯状電極と、この帯状電極を被覆する誘電体層と、こ
の誘電体層上に形成された保護層とを有する交流駆動型
のガス放電表示パネルの製造方法において、前記帯状電
極の形成工程が、絶縁性基板上に透明導電膜を形成する
工程と、この透明導電膜上にポジ型フォトレジストを塗
布する工程と、このポジ型フォトレジストを露光，現像
することにより透明電極を形成する部分が残るようにし
てパターン化し前記透明導電膜をエッチングにて除去し
て前記透明電極を形成する工程と、残った前記ポジ型フ
ォトレジストを露光，現像することにより前記補助電極
を形成する部分を除去する工程と、この補助電極を形成
する部分を充分に覆いかつ前記透明電極を除去した部分
にかからないように補助電極材料を部分形成する工程
と、前記ポジ型フォトレジストを除去すると同時に前記
補助電極材料をリフトオフによりパターン化を行い前記
補助電極を形成する工程とを含むことを特徴とするガス
放電表示パネルの製造方法。 - 【請求項３】 前記補助電極材料を部分形成する工程
が、スクリーン印刷によって形成する工程を含むことを
特徴とする請求項１または２記載のガス放電表示パネル
の製造方法。 - 【請求項４】 前記補助電極材料を部分形成する工程
が、ディスペンサによって形成する工程を含むことを特
徴とする請求項１または２記載のガス放電表示パネルの
製造方法。 - 【請求項５】 前記補助電極材料を部分形成する工程
が、メタルマスクを用いた真空蒸着によって形成する工
程を含むことを特徴とする請求項１または２記載のガス
放電表示パネルの製造方法。 - 【請求項６】 前記補助電極材料を部分形成する工程
が、補助電極を形成する部分を充分に覆いかつ透明電極
を除去する部分にかからないようなパターンでエッチン
グに対して耐性のある被覆層を前記補助電極材料上に形
成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載のガス
放電表示パネルの製造方法。 - 【請求項７】 少くとも、透明の絶縁性基板と、この絶
縁性基板上に形成された導電性の透明電極と、この透明
電極上に積層形成された低抵抗の補助電極からなる複数
の帯状電極と、この帯状電極を被覆する誘電体層と、こ
の誘電体層上に形成された保護層とを有する交流駆動型
のガス放電表示パネルの製造方法において、前記帯状電
極の形成工程が、絶縁性基板上に透明導電膜を形成する
工程と、この透明導電膜上にポジ型フォトレジストを塗
布する工程と、このポジ型フォトレジストを露光，現像
することにより補助電極を形成する部分を除去する工程
と、透明電極を形成する部分の前記ポジ型フォトレジス
トを露光し露光部を形成する工程と、全面に補助電極材
料を形成する工程と、前記ポジ型フォトレジストの現像
を行い前記露光部を除去すると同時に前記補助電極材料
をリフトオフにより除去する工程と、残った前記補助電
極材料をマスクとしてエッチングし前記透明導電膜のパ
ターン化を行い前記透明電極を形成する工程と、残った
前記ポジ型フォトレジストを除去すると同時に残った前
記補助電極材料をリフトオフによりパターン化を行い前
記補助電極を形成する工程とを含むことを特徴とするガ
ス放電表示パネルの製造方法。 - 【請求項８】 前記全面に補助電極材料を形成する工程
が、前記補助電極材料上にエッチングに対して耐性のあ
る被覆層を全面に形成する工程を含むことを特徴とする
請求項７記載のガス放電表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8928394A JP2571016B2 (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | ガス放電表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8928394A JP2571016B2 (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | ガス放電表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07296719A JPH07296719A (ja) | 1995-11-10 |
| JP2571016B2 true JP2571016B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=13966389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8928394A Expired - Fee Related JP2571016B2 (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | ガス放電表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571016B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603262B2 (en) | 1999-12-09 | 2003-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode plate and manufacturing method for the same, and gas discharge panel having electrode plate and manufacturing method for the same |
| JP4678676B2 (ja) | 2004-12-10 | 2011-04-27 | 株式会社堀場製作所 | 物理現象または化学現象の測定方法または測定装置 |
-
1994
- 1994-04-27 JP JP8928394A patent/JP2571016B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07296719A (ja) | 1995-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7253560B2 (en) | Triode surface discharge type plasma display panel | |
| JP2571016B2 (ja) | ガス放電表示パネルの製造方法 | |
| US5889365A (en) | Plasma display panel | |
| JP2001006536A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP2000011863A (ja) | Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法並びにそれを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法並びにそれを用いた画像表示装置 | |
| JPH09274860A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JPH08222135A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP3062637B2 (ja) | 蛍光表示管の製造方法 | |
| JP3003119B2 (ja) | 表示素子用電極板およびその製造方法 | |
| JP3000970B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| KR950003649B1 (ko) | 필드 에미션 디스플레이용 스페이서와 그 제조방법 | |
| JPH10241576A (ja) | カラープラズマディスプレイパネル | |
| JPS62181161A (ja) | イオン発生装置の製造方法 | |
| JPH09138509A (ja) | 所定の平面パターンを有する層の形成方法 | |
| KR100329046B1 (ko) | 플라즈마디스플레이패널의전면기판제작방법 | |
| JP2002134004A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JPH08273535A (ja) | 気体放電表示パネルにおける電極の形成方法 | |
| JPWO2008015729A1 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP3019944U (ja) | 蛍光表示管 | |
| JP2999524B2 (ja) | 隔壁形成方法 | |
| JPH08315733A (ja) | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JPS6298799A (ja) | 多層配線形成方法 | |
| JP3306967B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JPS59221945A (ja) | 表示パネル | |
| JPH04301883A (ja) | 表示素子用電極板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960903 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |