JP2000011863A - Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法並びにそれを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法並びにそれを用いた画像表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 下層Ｃｒ膜のアンダーカットと上面でのＣｕ
層の露出量が少ないＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体とそれ
を電極に用いたプラズマディスプレイパネルの、アルカ
リ性溶液による現像と剥離が可能な有機レジスト用いた
製造方法を提供すること。 【解決手段】 上層Ｃｒ膜のエッチングを、酸性のエッ
チング液を用いて行うか、その上にＣｕ層からなるパタ
ーンを形成してからアルカリ性溶液による現像と剥離が
可能な有機レジストを用いて行い、該レジストパターン
を除去した後に、下層Ｃｒ膜のエッチングを、少なくと
も上層Ｃｒ膜とＣｕ層からなるパターンをエッチングマ
スクとして、アルカリ性のエッチング液を用いて行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｃｒ（クロム）
膜、Ｃｕ（銅）膜、Ｃｒ膜を順次積層したＣｒ／Ｃｕ／
Ｃｒ膜からなる配線構造体の製造方法に係り、特に、プ
ラズマディスプレイパネル等の大型基板に用いて好適な
Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法と、かかる方法
で製造したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜からなる電極を有するプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法とそれを用いた画
像表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜からなるＣｒ／Ｃｕ
／Ｃｒ配線構造体の従来の製造方法の１例を図９に示
す。同図は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の従来の製造
方法を、該配線構造体の要部断面図で示した工程フロー
図である。

【０００３】以下、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の従来
の製造方法を、図９を用いて説明する。なお、図９中で
括弧書きのアルファベットで示した工程と、以下の括弧
書きのアルファベットの工程とは対応している。

【０００４】工程（ａ）：周知のアルカリ洗浄液等で洗
浄したガラス基板１上に、蒸着法あるいはスパッタリン
グ法等により、第１のＣｒ層（下層Ｃｒ膜）２と、Ｃｕ
層３と、第２のＣｒ層（上層Ｃｒ膜）４とを、順次成膜
して、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜を形成する。

【０００５】工程（ｂ）：周知のフォトリソグラフィー
法を用いて、配線パターン形成用のレジストパターン５
を形成する。

【０００６】工程（ｃ）〜（ｅ）：所定のエッチング液
を用いて、第２のＣｒ層４、Ｃｕ層３、第１のＣｒ層２
を、順次パターニングし、所定の配線パターンを形成す
る。

【０００７】工程（ｆ）：Ｃｕ膜のエッチング液によっ
てエッチング処理を行い、上層の第２のＣｒ膜４からな
るパターンからはみ出しているＣｕ層３の部分を除去す
る。

【０００８】工程（ｇ）：所定のレジスト剥離液を用い
て、レジストパターン５を除去する。

【０００９】以上でＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体が完成
する。なお、上記工程（ｆ）は、上記Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
配線構造体をプラズマディスプレイパネルの電極に用い
る場合において低融点ガラスからなる誘電体層を形成す
る必要があり、この誘電体層と上記Ｃｕ層３が反応して
発生する気泡や、第１のＣｒ層２のアンダーカット部分
に閉じ込められた気泡の破裂などによって発生する誘電
体形成時のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線の断線を防止するため
に行われる。この方法については、特許第２６５３０４
９号の特許掲載公報（登録日、平成９年５月２３日）に
おいて論じられている。

【００１０】また、本発明に関連する従来技術として、
特開昭５４−２６５６号公報などに開示された技術が挙
げられる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
手法では、Ｃｕ膜に対してＣｒ膜の選択エッチングを行
う必要がある。そのため、Ｃｒ膜のエッチング液として
は、フェリシアン化カリウムや過マンガン酸カリウム
を主成分とするアルカリ性のエッチング液や、塩酸や
塩化アルミニウムを主成分とする酸性のエッチング液が
用いられる。

【００１２】に示したアルカリ性のエッチング液の場
合には、下層Ｃｒ膜のアンダーカット量が少なく、エッ
チングがエッチング時間にほぼ比例して進む等の長所を
もっているが、ダメージを受けてレジスト剥がれが発生
したりする。そのため、エッチングレジストとしてアル
カリ溶液で現像と剥離を行う、通常市販されている低価
格の液状レジストやドライフィルムを用いることができ
ない。よって、に示したアルカリ系エッチャントの場
合には、有機溶剤による現像や剥離を行うレジストを用
いる必要があり、現像装置や剥離装置を考えると、安全
性やコストの面から、プラズマディスプレイパネルのよ
うな大面積基板の加工に適しているとは必ずしも言えな
い。

【００１３】一方、に示した酸性のエッチング液の場
合には、エッチングレジストとして、アルカリ性溶液で
現像と剥離を行うことができる液状レジストやドライフ
ィルムを用いることができる。しかし、これらのエッチ
ング液の場合、Ｃｒ膜のサイドエッチング量が大きく、
特に、下層Ｃｒ膜の加工において、下層Ｃｒ膜のアンダ
ーカット量が大きくなり、また、上層Ｃｒ膜は後退して
Ｃｕ層の上面が露出してしまう。これは、先に述べたよ
うにＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体をプラズマディスプレ
イパネルに適用した場合、断線の原因となりうる。この
場合、特許第２６５３０４９号の特許掲載公報で述べら
れているように、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒパターン形成後にＣ
ｕ膜のエッチング液で処理を行い、Ｃｕ膜を後退させて
も良いが、上層Ｃｒ膜の後退量が大きいため、その制御
が難しい。

【００１４】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、通常市販されている低価格の、アルカ
リ性溶液によって現像と剥離を行える液状レジストやド
ライフィルムを用いることができ、プラズマディスプレ
イパネルに適用した場合に断線の原因となりうる、下層
Ｃｒ膜のアンダーカット量や上面でのＣｕ層の露出量が
少ないＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体とそれを用いたプラ
ズマディスプレイパネルを提供することを目的とするも
のである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的は、Ｃｒ／Ｃｕ
／Ｃｒ積層膜上に、アルカリ性溶液で現像、剥離が可能
なレジストを用いてエッチング用のレジストパターンを
形成し、上層Ｃｒ膜（第２のＣｒ層）のエッチングを酸
性のエッチャントを用いて行い、上記レジストパターン
を除去した後に、上層Ｃｒ膜（第２のＣｒ層）とＣｕ層
からなる配線パターンをエッチングマスクとし、下層Ｃ
ｒ膜（第１のＣｒ層）のエッチングをアルカリ性のエッ
チング液を用いて行うことによって達成される。

【００１６】さらに、上記目的は、第１のＣｒ層、第１
のＣｕ層、第２のＣｒ層からなるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層
膜上に第２のＣｕ層を形成し、該第２のＣｕ層をアルカ
リ性溶液で現像、剥離が可能なレジストを用いてパター
ニングし、上記第２のＣｕ層からなる配線パターン、あ
るいは、上記第２のＣｕ層からなる配線パターンと上記
レジストパターンをエッチングマスクとして、上層Ｃｒ
膜（第２のＣｒ層）のエッチングを行い、上記第２のＣ
ｕ層と第２のＣｒ層と第１のＣｕ層からなる配線パター
ン、あるいは、上記第２のＣｒ層と第１のＣｕ層からな
る配線パターンをエッチングマスクとして、下層Ｃｒ膜
（第１のＣｒ層）のエッチングをアルカリ性のエッチン
グ液を用いて行うことによって達成される。これについ
て、以下説明する。

【００１７】Ｃｒ層とＣｕ層のエッチング加工について
まとめると、次のようになる。 （１）ペーハー（ｐＨ）が１２以上のアルカリ性溶液に
よるＣｒ膜のエッチングでは、エッチングがエッチング
時間にほぼ比例して進行し、Ｃｒ層に積層されたＣｕ層
に対するアンダーカット量が本質的に少ない。 （２）ペーハー（ｐＨ）が２以下の酸性溶液によるＣｒ
膜のエッチングでは、アルカリ性溶液による現像と剥離
の可能な安価なレジスト（液状レジスト、ドライフィル
ム等）をエッチングレジストとして使用できる。 （３）上層Ｃｒ膜（第２のＣｒ層）からなるパターンが
Ｃｕ層のパターン形状を決めるようなエッチングマスク
として用いることにより、上層Ｃｒ膜から上面を露出さ
せないＣｕ層の加工ができる。 （４）Ｃｒ膜に対する選択エッチングの可能な酸性ある
いは弱アルカリ性のＣｕ膜のエッチング液を選択するこ
とができるため、アルカリ性溶液による現像と剥離が可
能なレジストを使用できる。

【００１８】本発明では、上層Ｃｒ膜（第２のＣｒ層）
の膜厚を下層Ｃｒ膜（第１のＣｒ層）より大きくするこ
とにより、あるいは、上層Ｃｒ膜（第２のＣｒ層）の上
にＣｕ層からなるパターンを設けることにより、下層Ｃ
ｒ膜のエッチングにアルカリ性のエッチング液を用いる
ことを可能にしている。この理由は、上記（１）で述べ
たように、Ｃｒ膜のエッチングがエッチング時間にほぼ
比例しているために、上層Ｃｒ膜の膜厚を大きくするこ
とにより、下層Ｃｒ膜のエッチングマスクとして用いる
ことができるからであり、また、Ｃｕ層を腐食しないア
ルカリ性のＣｒ膜のエッチング液を選択できるからであ
る。これにより、上層のＣｕ層に対するアンダーカット
の少ない下層Ｃｒ膜（第１のＣｒ層）のエッチングが可
能になる。

【００１９】また本発明では、上層Ｃｒ膜（第２のＣｒ
層）のエッチングに酸性溶液を用いるか、Ｃｕ層からな
るパターンを形成してから、上層Ｃｒ膜（第２のＣｒ
層）のエッチングを行っている。そのため、アルカリ性
の溶液による現像と剥離が可能なレジストの使用が可能
になる。この理由は、上記（２）と（４）による。

【００２０】さらに本発明では、Ｃｕ層のエッチング
を、上層Ｃｒ膜（第２のＣｒ層）からなるパターンをエ
ッチングマスクとしてエッチングを行っているため、上
層Ｃｒ膜（第２のＣｒ層）の下からＣｕ層（あるいは第
１のＣｕ層）からなるパターンの上面を露出させないよ
うにできる。この理由は上記（３）による。

【００２１】以上述べてきたように、本発明によれば、
通常市販されている低価格の、アルカリ性溶液によって
現像と剥離を行える液状レジストやドライフィルムを用
いることができ、プラズマディスプレイパネルに適用し
た場合に断線の原因となりうる、下層Ｃｒ膜のアンダー
カット量や上面でのＣｕ層の露出量が少ないＣｒ／Ｃｕ
／Ｃｒ配線構造体とそれを用いたプラズマディスプレイ
パネルを提供することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】〔第１実施形態〕本発明の第１実
施形態を図１により説明する。図１は、本発明の第１実
施形態によるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法
を、要部断面図で示した工程フロー図である。以下、図
１を用いて本実施形態の製造方法を説明する。ここで、
図１中で括弧書きのアルファベットで示した工程と、以
下の括弧書きのアルファベットの工程とは対応している
（なお、これは以下の各実施形態においても、同様であ
る）。

【００２３】工程（ａ）：まず、スパッタリング法や蒸
着法を用いて、ガラス基板１上に第１のＣｒ層２、Ｃｕ
層３、第２のＣｒ層４を順次成膜し、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
積層膜を形成する。ここで、第２のＣｒ層４の膜厚を第
１のＣｒ層２より厚くする。

【００２４】工程（ｂ）：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜上
に、アルカリ性の溶液で現像が可能なレジスト（液状レ
ジストあるいはドライフィルムのいずれでも良い）を用
いた周知のフォトリソグラフィー法により、所定の配線
パターン形成用のレジストパターン５を形成する。ここ
で、レジストの現像には、たとえば、炭酸ナトリウムを
含んだ弱アルカリ性溶液を用いる。

【００２５】工程（ｃ）：たとえば、塩化アルミニウム
と燐酸を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、第
２のＣｒ層４の選択エッチングを行う。

【００２６】工程（ｄ）：たとえば、硫酸第２鉄と硫酸
を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、Ｃｕ層３
の選択エッチングを行う。

【００２７】工程（ｅ）：第２のＣｒ層４とＣｕ層３の
エッチングに用いたレジストパターン５を、水酸化ナト
リウムや水酸化カルシウムを含むアルカリ性溶液を用い
て剥離する。

【００２８】工程（ｆ）：たとえば、フェリシアン化カ
リウムあるいは過マンガン酸カリウムを含むアルカリ性
のエッチング液を用いて、第１のＣｒ層２のエッチング
を行う。

【００２９】以上でＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体が完成
する。上記工程（ｆ）では、第２のＣｒ層４もエッチン
グされるが、第２のＣｒ層４の膜厚を、第１のＣｒ層２
のエッチングが完了しても、Ｃｕ層３の保護膜として十
分残る程度に大きくしておけば良い。すなわち、第２の
Ｃｒ層４の膜厚を第１のＣｒ層２の膜厚より５０ｎｍ以
上大きくしておくことが望ましい。

【００３０】本実施形態では、上記工程（ｃ）で説明し
たように、酸性のエッチング液を用いて上層Ｃｒ膜（第
２のＣｒ層４）の選択エッチングを行っているため、上
記工程（ｂ）、（ｅ）のように、アルカリ性溶液を用い
て現像と剥離が行えるレジスト（液状レジストでもドラ
イフィルムでも差し支えない）を使用できる。上記酸性
のエッチング液は、Ｃｒ層の不導体化を防止するため、
ペーハー（ｐＨ）を２以下にしておくのが望ましい。ま
た、上記工程（ｆ）で、下層Ｃｒ膜（第１のＣｒ層２）
のエッチングにアルカリ性のエッチング液を用いている
ため、第１のＣｒ層２の上層のＣｕ層３に対するアンダ
ーカット量を小さく抑えることができる。このエッチン
グを安定に行うには、エッチング液のペーハー（ｐＨ）
を１２以上にすることが望ましく、この条件下では、ほ
とんどアンダーカットをなくすことができる。さらに、
上記工程（ｄ）で説明したように、Ｃｕ層３の選択エッ
チングを、第２のＣｒ層４からなるパターンをエッチン
グマスクとして行っているため、Ｃｕ層３は第２のＣｒ
層４パターンの内側に後退し、上面を露出することもな
い。なお、上層Ｃｒ膜のひさしは工程（ｆ）でとれる
が、効率的にとるためには、第２のＣｒ層４の膜厚を第
１のＣｒ層２の２倍以下にするのが望ましい。なんとな
れば、第２のＣｒ層４からなるパターンのひさしの部分
は、上からと下からエッチングされるからである。

【００３１】以上述べてきたように、本実施形態によれ
ば、通常市販されている低価格の、アルカリ性溶液によ
って現像と剥離を行える液状レジストやドライフィルム
を用いることができ、プラズマディスプレイパネルに適
用した場合に断線の原因となりうる、下層Ｃｒ膜のアン
ダーカット量や上面でのＣｕ層の露出量が少ないＣｒ／
Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体を得ることができる。

【００３２】〔第２実施形態〕本発明の第２実施形態を
図２により説明する。図２は、本発明の第２実施形態に
よるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法を、要部断
面図で示した工程フロー図である。以下、図２を用いて
本実施形態の製造方法を説明する。

【００３３】工程（ａ）：まず、スパッタリング法や蒸
着法を用いて、ガラス基板１上に第１のＣｒ層２、Ｃｕ
層３、第２のＣｒ層４を順次成膜し、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
積層膜を形成する。ここで、第２のＣｒ層４の膜厚を第
１のＣｒ層２より厚くする。

【００３４】工程（ｂ）：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜上
に、アルカリ性の溶液で現像が可能なレジスト（液状レ
ジストあるいはドライフィルムのいずれでも良い）を用
いた周知のフォトリソグラフィー法により、所定の配線
パターン形成用のレジストパターン５を形成する。ここ
で、レジストの現像には、たとえば、炭酸ナトリウムを
含んだ弱アルカリ性溶液を用いる。

【００３５】工程（ｃ）：たとえば、塩化アルミニウム
と燐酸を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、第
２のＣｒ層４の選択エッチングを行う。

【００３６】工程（ｄ）：第２のＣｒ層４のエッチング
に用いたレジストパターン５を、水酸化ナトリウムや水
酸化カルシウムを含むアルカリ性溶液を用いて剥離す
る。

【００３７】工程（ｅ）：たとえば、硫酸第２鉄と硫酸
を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、Ｃｕ層３
の選択エッチングを行う。

【００３８】工程（ｆ）：たとえば、フェリシアン化カ
リウムあるいは過マンガン酸カリウムを含むアルカリ性
のエッチング液を用いて、第１のＣｒ層２のエッチング
を行う。

【００３９】以上でＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体が完成
する。本実施形態と第１実施形態との違いは、上記工程
（ｄ）で第２のＣｒ層４のエッチングに用いたレジスト
パターン５を剥離した後に、第２のＣｒ層４からなるパ
ターンをエッチングマスクとして、Ｃｕ層３の選択エッ
チングを行った点である。このため、第２のＣｒ層４の
ピンホール等を通してＣｕ層３に薬液が浸み込む心配が
ある。この場合には、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体が完
成した後に、エタノールやイソプロピルアルコールを用
いて超音波洗浄を行えばよい。

【００４０】なお、本実施形態では、Ｃｕ層３のエッチ
ングに酸性のエッチング液を用いているが、アルカリ性
のエッチング液を用いることもできる。何故なら、アル
カリ性溶液によりダメージを受けるレジストをＣｕ層３
のエッチングに用いていないからである。

【００４１】本実施形態の場合にも、第１実施形態と同
じ効果が得られることは明白である。すなわち、本実施
形態によれば、通常市販されている低価格の、アルカリ
性溶液によって現像と剥離を行える液状レジストやドラ
イフィルムを用いることができ、プラズマディスプレイ
パネルに適用した場合に断線の原因となりうる、下層Ｃ
ｒ膜のアンダーカット量や上面でのＣｕ層の露出量が少
ないＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体を得ることができる。
また、Ｃｕ層３のエッチングマスクとなる第２のＣｒ層
４の膜厚が小さいので、より高精細なＣｕ層３のエッチ
ングが可能になる。

【００４２】〔第３実施形態〕本発明の第３実施形態を
図３により説明する。図３は、本発明の第３実施形態に
よるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法を、要部断
面図で示した工程フロー図である。以下、図３を用いて
本実施形態の製造方法を説明する。

【００４３】工程（ａ）：まず、スパッタリング法や蒸
着法を用いて、ガラス基板１上に第１のＣｒ層２、Ｃｕ
層３、第２のＣｒ層４を順次成膜し、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
積層膜を形成する。ここで、第２のＣｒ層４の膜厚を第
１のＣｒ層２より厚くする。

【００４４】工程（ｂ）：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜上
に、アルカリ性の溶液で現像が可能なレジスト（液状レ
ジストあるいはドライフィルムのいずれでも良い）を用
いた周知のフォトリソグラフィー法により、所定の配線
パターン形成用のレジストパターン５を形成する。ここ
で、レジストの現像には、たとえば、炭酸ナトリウムを
含んだ弱アルカリ性溶液を用いる。

【００４５】工程（ｃ）：たとえば、塩化アルミニウム
と燐酸を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、第
２のＣｒ層４の選択エッチングを行う。

【００４６】工程（ｄ）：第２のＣｒ層４のエッチング
に用いたレジストパターン５を、水酸化ナトリウムや水
酸化カルシウムを含むアルカリ性溶液を用いて剥離す
る。

【００４７】工程（ｅ）：アルカリ性の溶液で現像が可
能なレジスト（液状レジストあるいはドライフィルムの
いずれでも良い）を用いた周知のフォトリソグラフィー
法により、所定の配線パターン形成用のレジストパター
ン６を形成する。ここで、レジストの現像には、たとえ
ば、炭酸ナトリウムを含んだ弱アルカリ性溶液を用い
る。

【００４８】工程（ｆ）：たとえば、硫酸第２鉄と硫酸
を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、Ｃｕ層３
の選択エッチングを行う。

【００４９】工程（ｇ）：Ｃｕ層３のエッチングに用い
たレジストパターン６を、水酸化ナトリウムや水酸化カ
ルシウムを含むアルカリ性溶液を用いて剥離する。

【００５０】工程（ｈ）：たとえば、フェリシアン化カ
リウムあるいは過マンガン酸カリウムを含むアルカリ性
のエッチング液を用いて、第１のＣｒ層２のエッチング
を行う。

【００５１】以上でＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体が完成
する。本実施形態と第２実施形態との違いは、上記工程
（ｄ）と（ｅ）でレジストパターン６を再形成してから
Ｃｕ層３の選択エッチングを行った点である。このた
め、本実施形態の場合、Ｃｕ層３からなる配線パターン
の断線の発生確率を小さくできる。その理由は、レジス
トパターン５とレジストパターン６の欠陥発生場所が重
なることが非常に少ないからである。また、レジストパ
ターン６を第２のＣｒ層４より広くしすぎると、Ｃｕ層
３の上面が第２のＣｒ層４からなるパターンからはみだ
して露出する可能性がある。そのため、レジストパター
ン６を第２のＣｒ層４からなるパターンより狭くするの
が望ましい。

【００５２】以上述べてきたことから、本実施形態の場
合にも、第２実施形態と同じ効果が得られることは明白
である。すなわち、本実施形態によれば、通常市販され
ている低価格の、アルカリ性溶液によって現像と剥離を
行える液状レジストやドライフィルムを用いることがで
き、プラズマディスプレイパネルに適用した場合に断線
の原因となりうる、下層Ｃｒ膜のアンダーカット量や上
面でのＣｕ層の露出量が少ないＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構
造体を得ることができる。また、上述したように、Ｃｒ
／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造歩留りを高くできる効果
もある。

【００５３】〔第４実施形態〕本発明の第４実施形態を
図４により説明する。図４は、本発明の第４実施形態に
よるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法を、要部断
面図で示した工程フロー図である。以下、図４用いて本
実施形態の製造方法を説明する。

【００５４】工程（ａ）：まず、スパッタリング法や蒸
着法を用いて、ガラス基板１上に第１のＣｒ層２、第１
のＣｕ層３’、第２のＣｒ層４、第２のＣｕ層７を順次
成膜し、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ／Ｃｕ積層膜を形成する。こ
こで、第２のＣｒ層４の膜厚を第１のＣｒ層２より厚く
する。

【００５５】工程（ｂ）：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ／Ｃｕ積層
膜上に、アルカリ性の溶液で現像が可能なレジスト（液
状レジストあるいはドライフィルムのいずれでも良い）
を用いて、所定の配線パターン形成用のレジストパター
ン５を形成する。ここで、レジストの現像には、たとえ
ば、炭酸ナトリウムを含んだ弱アルカリ性溶液を用い
る。

【００５６】工程（ｃ）：たとえば、硫酸第２鉄と硫酸
を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、第２のＣ
ｕ層７の選択エッチングを行う。

【００５７】工程（ｄ）：第２のＣｕ層７のエッチング
に用いたレジストパターン５を、水酸化ナトリウムや水
酸化カルシウムを含むアルカリ性溶液を用いて剥離す
る。

【００５８】工程（ｅ）：たとえば、塩化アルミニウム
と燐酸を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、第
２のＣｒ層４の選択エッチングを行う。

【００５９】工程（ｆ）：たとえば、硫酸第２鉄と硫酸
を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、第１のＣ
ｕ層３’と第２のＣｕ層７の選択エッチングを行う。

【００６０】工程（ｇ）：たとえば、フェリシアン化カ
リウムあるいは過マンガン酸カリウムを含むアルカリ性
のエッチング液を用いて、第１のＣｒ層２のエッチング
を行う。

【００６１】以上でＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体が完成
する。本実施形態と第１実施形態との違いは、第１のＣ
ｒ層２と第１のＣｕ層３’と第２のＣｒ層４からなるＣ
ｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜上に第２のＣｕ層７を成膜し、該
第２のＣｕ層７からなる所定のパターンをエッチングマ
スクとして、第２のＣｒ層４と第１のＣｕ層３’のエッ
チングを行っている点にある。本実施形態では、第２の
Ｃｒ層４のエッチング液として酸性のエッチング液を用
いているが、第２のＣｕ層７をエッチングマスクとして
いるため、アルカリ性のエッチング液を用いても差し支
えない。また、上記工程（ｆ）において、Ｃｕ層のエッ
チングに酸性のエッチング液を用いているが、この場合
にも、アルカリ性薬液に弱いレジストを用いていないの
で、アルカリ性のエッチング液を使用できる。また、本
実施形態の場合、第１のＣｕ層３’のエッチングを行う
工程（ｆ）において、第２のＣｒ層４のピンホール等を
通して第１のＣｕ層３’にエッチング薬液が浸み込む心
配がある。この場合には、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体
が完成した後に、エタノールやイソプロピルアルコール
を用いて超音波洗浄を行えばよい。

【００６２】以上述べてきたことから、本実施形態の場
合にも、第１実施形態と同じ効果が得られることは明白
である。すなわち、本実施形態によれば、通常市販され
ている定価格の、アルカリ性溶液によって現像と剥離を
行える液状レジストやドライフィルムを用いることがで
き、プラズマディスプレイパネルに適用した場合に断線
の原因となりうる、下層Ｃｒ膜のアンダーカット量や上
面でのＣｕ層の露出量が少ないＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構
造体を得ることができる。また、上述したように、第２
のＣｒ層４と第１のＣｕ層３’の選択エッチングに使用
できるエッチング液の選択幅が広がり、製造歩留まりを
高くできる効果もある。

【００６３】〔第５実施形態〕本発明の第５実施形態を
図５により説明する。図５は、本発明の第５実施形態に
よるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法を、要部断
面図で示した工程フロー図である。以下、図５を用いて
本実施形態の製造方法を説明する。

【００６４】工程（ａ）：まず、スパッタリング法や蒸
着法を用いて、ガラス基板１上に第１のＣｒ層２、第１
のＣｕ層３’、第２のＣｒ層４、第２のＣｕ層７を順次
成膜し、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ／Ｃｕ積層膜を形成する。こ
こで、第２のＣｒ層４の膜厚を第１のＣｒ層２より厚く
する。

【００６５】工程（ｂ）：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ／Ｃｕ積層
膜上に、アルカリ性の溶液で現像が可能なレジスト（液
状レジストあるいはドライフィルムのいずれでも良い）
を用いた周知のフォトリソグラフィー法により、所定の
配線パターン形成用のレジストパターン５を形成する。
ここで、レジストの現像には、たとえば、炭酸ナトリウ
ムを含んだ弱アルカリ性溶液を用いる。

【００６６】工程（ｃ）：たとえば、硫酸第２鉄と硫酸
を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、第２のＣ
ｕ層７の選択エッチングを行う。

【００６７】工程（ｄ）：第２のＣｕ層７のエッチング
に用いたレジストパターン５を、水酸化ナトリウムや水
酸化カルシウムを含むアルカリ性溶液を用いて剥離す
る。

【００６８】工程（ｅ）：アルカリ性の溶液で現像が可
能なレジスト（液状レジストあるいはドライフィルムの
いずれでも良い）を用いて、周知のフォトリソグラフィ
ー法により、所定の配線パターン形成用のレジストパタ
ーン６を形成する。ここで、レジストの現像には、たと
えば、炭酸ナトリウムを含んだ弱アルカリ性溶液を用い
る。

【００６９】工程（ｆ）：たとえば、塩化アルミニウム
と燐酸を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、第
２のＣｒ層４の選択エッチングを行う。

【００７０】工程（ｇ）：第２のＣｒ層４のエッチング
に用いたレジストパターン６を、水酸化ナトリウムや水
酸化カルシウムを含むアルカリ性溶液を用いて剥離す
る。

【００７１】工程（ｈ）：たとえば、硫酸第２鉄と硫酸
を主成分とするエッチング液を用いて、第１のＣｕ層
３’と第２のＣｕ層７の選択エッチングを行う。

【００７２】工程（ｉ）：たとえば、フェリシアン化カ
リウムあるいは過マンガン酸カリウムを含むアルカリ性
のエッチング液を用いて、第１のＣｒ層２のエッチング
を行う。

【００７３】以上でＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体が完成
する。本実施形態と第４実施形態との違いは、上記工程
（ｄ）と（ｅ）でレジストパターン６を再形成してから
第２のＣｒ層４の選択エッチングを行った点である。こ
のため、本実施形態の場合、第２のＣｒ層４からなる配
線パターンの断線の発生確率を小さくでき、結果的には
Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の断線確率を著しく低下さ
せることになる。その理由は、レジストパターン５とレ
ジストパターン６の欠陥発生場所が重なることが非常に
少ないからである。

【００７４】以上述べてきたことから、本実施形態の場
合にも、第４の実施の形態と同じ効果が得られることは
明白である。すなわち、本実施形態によれば、通常市販
されている低価格の、アルカリ性溶液によって現像と剥
離を行える液状レジストやドライフィルムを用いること
ができ、プラズマディスプレイパネルに適用した場合に
断線の原因となりうる、下層Ｃｒ膜のアンダーカット量
や上面でのＣｕ層の露出量が少ないＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配
線構造体を得ることができる。また、上述したように、
Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造歩留りを高くできる
効果もある。

【００７５】〔第６実施形態〕本発明の第６実施形態を
図６により説明する。図６は、本発明の第６実施形態に
よるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法を、要部断
面図で示した工程フロー図である。以下、図６を用いて
本実施形態の製造方法を説明する。

【００７６】工程（ａ）：まず、スパッタリング法や蒸
着法を用いて、ガラス基板１上に第１のＣｒ層２、第１
のＣｕ層３’、第２のＣｒ層４、第２のＣｕ層７を順次
成膜し、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ／Ｃｕ積層膜を形成する。こ
こで、第２のＣｒ層４の膜厚を第１のＣｒ層２より厚く
する。

【００７７】工程（ｂ）：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ／Ｃｕ積層
膜上に、アルカリ性の溶液で現像が可能なレジスト（液
状レジストあるいはドライフィルムのいずれでも良い）
を用いた周知のフォトリソグラフィー法により、所定の
配線パターン形成用のレジストパターン５を形成する。
ここで、レジストの現像には、たとえば、炭酸ナトリウ
ムを含んだ弱アルカリ性溶液を用いる。

【００７８】工程（ｃ）：たとえば、硫酸第２鉄と硫酸
を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、第２のＣ
ｕ層７の選択エッチングを行う。

【００７９】工程（ｄ）：第２のＣｕ層７のエッチング
に用いたレジストパターン５を、水酸化ナトリウムや水
酸化カルシウムを含むアルカリ性溶液を用いて剥離す
る。

【００８０】工程（ｅ）：アルカリ性の溶液で現像が可
能なレジスト（液状レジストあるいはドライフィルムの
いずれでも良い）を用いて、周知のフォトリソグラフィ
ー法により、所定の配線パターン形成用のレジストパタ
ーン６を形成する。ここで、レジストの現像には、たと
えば、炭酸ナトリウムを含んだ弱アルカリ性溶液を用い
る。

【００８１】工程（ｆ）：たとえば、塩化アルミニウム
と燐酸を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、第
２のＣｒ層４の選択エッチングを行う。

【００８２】工程（ｇ）：たとえば、硫酸第２鉄と硫酸
を主成分とするエッチング液を用いて、第１のＣｕ層
３’の選択エッチングを行う。

【００８３】工程（ｈ）：第２のＣｒ層４と第１のＣｕ
層３’のエッチングに用いたレジストパターン６を、水
酸化ナトリウムや水酸化カルシウムを含むアルカリ性溶
液を用いて剥離する。

【００８４】工程（ｉ）：たとえば、フェリシアン化カ
リウムあるいは過マンガン酸カリウムを含むアルカリ性
のエッチング液を用いて、第１のＣｒ層２のエッチング
を行う。

【００８５】工程（ｊ）：たとえば、硫酸第２鉄と硫酸
を主成分とするエッチング液を用いて、第１のＣｕ層
３’の上面が露出している部分と第２のＣｕ層７の選択
エッチングを行う。

【００８６】以上でＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体が完成
する。本実施形態と第５実施形態との違いは、上記工程
（ｆ）〜（ｈ）において、第１のＣｕ層３’のエッチン
グを行ってからレジストパターン６を剥離し、最後の工
程（ｊ）で、エッチングレジストとして用いた第２のＣ
ｕ層７を除去した点である。本実施形態の場合、工程
（ｊ）の第２のＣｕ層７の除去に酸性のエッチング液を
用いているが、アルカリ性溶液に耐性の無い有機レジス
トが無いので、アルカリ性のエッチング液を用いても差
し支えない。

【００８７】以上述べてきたことから、本実施形態の場
合にも、第５実施形態と同じ効果が得られることは明白
である。すなわち、本実施形態によれば、通常市販され
ている低価格の、アルカリ性溶液によって現像と剥離を
行える液状レジストやドライフィルムを用いることがで
き、プラズマディスプレイパネルに適用した場合に断線
の原因となりうる、下層Ｃｒ膜のアンダーカット量や上
面でのＣｕ層の露出量が少ないＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構
造体を得ることができる。また、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線
構造体の製造歩留りを高くできる効果もある。

【００８８】〔プラズマディスプレイパネルへの適用
例〕本発明によるプラズマディスプレイパネルへの適用
例を、図７と図８により説明する。本例は、本発明によ
るＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法を、電極の形
成に適用して作製したプラズマディスプレイパネルの１
例である。図７は、本発明を適用して作製したプラズマ
ディスプレイパネルの斜視図であり、同図では、見やす
くするため、前面板１１を背面板１２と放電空間領域１
３から離して図示した。

【００８９】前面板１１は、前面ガラス基板１４上に、
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明な表示電極１
６と、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体からなるバス電極１
７と、低融点ガラスからなる誘電体層１８と、酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層１９とが形成された
構造となっている。背面板１２は、背面ガラス基板１５
上に、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体からなるアドレス電
極２０と、バリアリブ２１と、蛍光体層２２とが形成さ
れた構造となっている。

【００９０】図８は、図７に示したプラズマディスプレ
イパネルの要部断面図である。図８において、（ａ）は
アドレス電極２０に平行な断面を、（ｂ）はアドレス電
極２０に垂直な（ａ）に示したＡ−Ｂ断面を、（ｃ）は
アドレス電極２０に垂直な（ａ）に示したＣ−Ｄ断面を
それぞれ示している。本例においては、上記バス電極１
７とアドレス電極２０に、第１〜第６実施形態で示した
方法の何れかで形成したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体を
用いている。以下、本例のプラズマディスプレイパネル
の製造工程について簡単に説明する。

【００９１】まず、前面板１１の製造工程について説明
する。ソーダガラス等からなる前面ガラス基板１４を洗
浄し、その一方の主表面上に、ＳｉＯ₂ 膜とＩＴＯ膜を
スパッタリング法を用いて順次形成する。次いで、周知
のフォトエッチング法を用いて上記ＩＴＯ膜のパターン
化を行い、表示電極１６を形成する。次に、第１〜第６
実施形態のいずれかの方法で、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構
造体からなるバス電極１７を形成する。バス電極１７を
形成した基板上に低融点ガラスを、たとえばスクリーン
印刷法等により所定の厚さに塗着し、５００〜６００℃
の温度で加熱焼成し、誘電体層１８を形成する。該誘電
体層１８の上に、蒸着法等によりＭｇＯ膜からなる保護
層１９を形成することによって、前面板１１が完成す
る。

【００９２】次に、背面板１２の製造工程について説明
する。ソーダガラス等からなる背面ガラス基板１４を洗
浄し、その一方の主表面上に、ＳｉＯ₂ 膜をスパッタリ
ング法等により形成する。ＳｉＯ₂ 膜が形成された面
に、第１〜第６実施形態のいずれかの方法で、Ｃｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒ配線構造体からなるアドレス電極２０を形成す
る。次いで、厚膜印刷法（乾燥含む）と周知のフォトグ
ラフィー法、サンドブラスト法を用いて、ストライブ状
のバリアリブ２１を形成する。次に、厚膜印刷法によっ
て蛍光体を塗着し、乾燥・焼成を行って蛍光体層２２を
形成することによって、背面板１２が完成する。

【００９３】完成した前面板１１と背面板１２を位置合
わせを行いながら張り合わせ、シール層（低融点ガラ
ス、フリット）によって溶融固着させる。次に、排気装
置にパネルを取り付け、パネルをベーキングしながら排
気管で真空排気する。この後、たとえば、ネオン（Ｎ
ｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスを封入し、排気管の
チップオフとエージングを行うことにより、図７と図８
に示したプラズマディスプレイパネルが完成する。

【００９４】本例では、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体か
らなるバス電極１７とアドレス電極２０の製造方法に本
発明を適用しているため、下層Ｃｒ膜のアンダーカット
量や上面でのＣｕ層の露出量が少なく、誘電体層１８や
バリアリブ２１形成時の電極の断線は発生せず、また、
Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の形成に、通常市販されて
いる低価格の、アルカリ性溶液によって現像と剥離を行
える液状レジストやドライフィルムを用いることができ
る。

【００９５】なお、本例では、バス電極１７とアドレス
電極２０の両方に本発明によるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構
造体を用いているが、片方のみに用いても差し支えな
い。

【００９６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、Ｃｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒ配線構造体の下層Ｃｒ膜のアンダーカットや、
上層Ｃｒ膜からはみ出てのＣｕ層上面の露出が抑制でき
る。従って、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体をプラズマデ
ィスプレイパネルの電極等に適用した場合、該電極上へ
の低融点ガラス層形成時の電極の溶出切断を防止でき
る。また、アルカリ性溶液により現像と剥離が可能なレ
ジスト（液状レジスト、ドライフィルム）をエッチング
レジストとして用いることが可能になるため、有機溶剤
による現像や剥離が必要なレジストに比べて低価格のレ
ジストが適用できるとともに、その製造設備コストも低
く抑えることができる。従って、本発明をプラズマディ
スプレイパネルの製造法に適用した場合、電極構成基板
の製造歩留りを上げるとともに、製造コスト上昇を抑制
できる等、実用上究めて有利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態によるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
配線構造体の製造方法を、要部断面図で示した工程フロ
ー図である。

【図２】本発明の第２実施形態によるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
配線構造体の製造方法を、要部断面図で示した工程フロ
ー図である。

【図３】本発明の第３実施形態によるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
配線構造体の製造方法を、要部断面図で示した工程フロ
ー図である。

【図４】本発明の第４実施形態によるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
配線構造体の製造方法を、要部断面図で示した工程フロ
ー図である。

【図５】本発明の第５実施形態によるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
配線構造体の製造方法を、要部断面図で示した工程フロ
ー図である。

【図６】本発明の第６実施形態によるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
配線構造体の製造方法を、要部断面図で示した工程フロ
ー図である。

【図７】本発明によるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製
造方法を適用したプラズマディスプレイパネルを示す斜
視図である。

【図８】図７の要部断面図である。

【図９】従来技術によるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の
製造方法を、要部断面図で示した工程フロー図である。

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ 第１のＣｒ層 ３ Ｃｕ層 ３’ 第１のＣｕ層 ４ 第２のＣｒ層 ５、６ レジスト ７ 第２のＣｕ層 １１ 前面板 １２ 背面板 １３ 放電空間 １４ 前面ガラス基板 １５ 背面ガラス基板 １６ 表示電極（透明電極） １７ バス電極 １８ 誘電体層 １９ 保護層（ＭｇＯ） ２０ アドレス電極 ２１ バリアリブ ２２ 蛍光体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｆ ５Ｆ０４３ (72)発明者 薮下 明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 鈴木 和雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 牛房 信之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 柳原 直人 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 鈴木 重明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 餅田 和博 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所情報メディア事業本部内 Ｆターム(参考） 5C027 AA01 5C040 DD03 5C058 AA11 AB01 BA35 5C094 AA42 AA43 AA44 BA31 BA32 CA19 CA24 EA04 EA10 FA02 FB02 FB11 GB10 JA08 JA20 5F033 AA04 AA12 AA36 BA15 BA17 BA38 5F043 AA26 AA27 BB18 CC16 DD10 DD12 DD30 GG02 GG04

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に第１のＣｒ層、Ｃｕ層、第２の
   Ｃｒ層を順次形成し、所定のレジストとエッチング液を
   用いて所定のパターン形状にするＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線
   構造体の製造方法において、 上記第２のＣｒ層を上記第１のＣｒ層より厚くし、上記
   第１のＣｒ層の加工を、上記Ｃｕ層と上記第２のＣｒ層
   からなるパターンをエッチングマスクとして行うことを
   特徴とするＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線
   構造体の製造方法において、 上記Ｃｕ層の加工を、上記第２のＣｒ層からなるパター
   ンをエッチングマスクとして行うことを特徴とするＣｒ
   ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線
   構造体の製造方法において、 上記第２のＣｒ層からなるＣｒパターンと該Ｃｒパター
   ン上に形成した有機膜からなるレジストパターンをエッ
   チングマスクとして、上記Ｃｕ層の加工を行うことを特
   徴とするＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線
   構造体の製造方法において、 有機膜からなる上記レジストパターンの幅を、第２のＣ
   ｒ層からなる上記Ｃｒパターンの幅より小さくして、上
   記Ｃｕ層の加工を行うことを特徴とするＣｒ／Ｃｕ／Ｃ
   ｒ配線構造体の製造方法。
5. 【請求項５】 基板上に第１のＣｒ層、第１のＣｕ層、
   第２のＣｒ層を順次形成し、所定のレジストとエッチン
   グ液を用いて所定のパターン形状にするＣｒ／Ｃｕ／Ｃ
   ｒ配線構造体の製造方法において、 上記第２のＣｒ層の上に第２のＣｕ層を形成し、上記第
   ２のＣｒ膜の加工を、上記第２のＣｕ層からなるＣｕパ
   ターンをエッチングマスクとして行い、上記第１のＣｕ
   層の加工を、上記第２のＣｒ層と上記第２のＣｕ層から
   なるパターンをエッチングマスクとして行い、上記第１
   のＣｒ層の加工を、上記第１のＣｕ層と上記第２のＣｒ
   層からなるパターンをエッチングマスクとして行うこと
   を特徴とするＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法。
6. 【請求項６】 基板上に第１のＣｒ層、第１のＣｕ層、
   第２のＣｒ層を順次形成し、所定のレジストとエッチン
   グ液を用いて所定のパターン形状にするＣｒ／Ｃｕ／Ｃ
   ｒ配線構造体の製造方法において、 上記第２のＣｒ層の上に第２のＣｕ層を形成し、上記第
   ２のＣｒ膜の加工を、上記第２のＣｕ層からなるＣｕパ
   ターンと有機膜からなるレジストパターンをエッチング
   マスクとして行い、上記第１のＣｕ層の加工を、上記第
   ２のＣｒ層と上記第２のＣｕ層からなるパターンをエッ
   チングマスクとして行い、上記第１のＣｒ層の加工を、
   上記第１のＣｕ層と上記第２のＣｒ層からなるパターン
   をエッチングマスクとして行うことを特徴とするＣｒ／
   Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の
   Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法において、 最上層となる上記第２のＣｒ層の膜厚を、上記第１のＣ
   ｒ層の膜厚より５０ｎｍ以上厚く成膜することを特徴と
   するＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法。
8. 【請求項８】 基板上に第１のＣｒ層、第１のＣｕ層、
   第２のＣｒ層を順次形成し、所定のレジストとエッチン
   グ液を用いて所定のパターン形状にするＣｒ／Ｃｕ／Ｃ
   ｒ配線構造体の製造方法において、 上記第２のＣｒ層の上に第２のＣｕ層を形成し、上記第
   ２のＣｒ膜の加工を、上記第２のＣｕ層からなるＣｕパ
   ターンと有機膜からなるレジストパターンをエッチング
   マスクとして行い、上記第１のＣｕ層の加工を、上記第
   ２のＣｒ層と上記第２のＣｕ層からなるパターンと、有
   機膜からなるレジストパターンをエッチングマスクとし
   て行い、上記第１のＣｒ層の加工を、上記第１のＣｕ層
   と上記第２のＣｒ層と上記第２のＣｕ層からなるパター
   ンをエッチングマスクとして行い、上記第１のＣｒ層の
   加工が終了してから、上記第２のＣｕ層を除去すること
   を特徴とするＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１つに記載の
   Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法において、 上記第１のＣｒ層の加工に、ペーハー（ｐＨ）が１２以
   上のアルカリ性溶液を用いることを特徴とするＣｒ／Ｃ
   ｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配
    線構造体の製造方法において、 上記第２のＣｒ層の加工に、ペーハー（ｐＨ）が２以下
    の酸性溶液を用いることを特徴とするＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
    配線構造体の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項９に記載のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配
    線構造体の製造方法において、 上記アルカリ性溶液が、過マンガン酸カリウムもしくは
    フェリシアン化カルシウムを含んでいることを特徴とす
    るＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１０に記載のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
    配線構造体の製造方法において、 上記酸性溶液が、少なくとも塩酸あるいは燐酸のいずれ
    か一方の薬液を含んでいることを特徴とするＣｒ／Ｃｕ
    ／Ｃｒ配線構造体の製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項１乃至１２のいずれか１つに記
    載のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法において、 上記第１のＣｒ層をエッチング加工した後に、アルコー
    ル系溶液による超音波洗浄を行うことを特徴とするＣｒ
    ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体の製造方法。
14. 【請求項１４】 基板上に第１のＣｒ層、Ｃｕ層、第２
    のＣｒ層を順次形成したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜からな
    る電極パターンを形成した後、該電極パターン上に誘電
    体層および／または絶縁体層を形成するプラズマディス
    プレイパネルの製造方法において、 Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜からなる上記電極パターンを、
    請求項１乃至１３のいずれか１つに記載したＣｒ／Ｃｕ
    ／Ｃｒ配線構造体の製造方法を用いて形成することを特
    徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の製造方法で作製し
    たプラズマディスプレイパネルを用いることを特徴とす
    る画像表示装置。