JPH1021838A - Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法並びに製造工程での中間品 - Google Patents
Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法並びに製造工程での中間品Info
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- JPH1021838A JPH1021838A JP8170976A JP17097696A JPH1021838A JP H1021838 A JPH1021838 A JP H1021838A JP 8170976 A JP8170976 A JP 8170976A JP 17097696 A JP17097696 A JP 17097696A JP H1021838 A JPH1021838 A JP H1021838A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 前面板の複合電極をガス放電空間から絶縁す
るための誘電体層を薄くでき、パネル化した後の駆動電
圧を下げるようにする。 【解決手段】 維持電極である透明電極とその上に積層
されたバス電極である金属電極とで構成される複合電極
を前面板に有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルに
おいて、ガラス基板１１上にパターニングされた透明電
極１２を覆って誘電体層１３が形成され、その誘電体層
１３上にＭｇＯ膜からなる保護層１４が形成され、金属
電極２０がこの保護層１４から突き出ており、その金属
電極２０の突き出た部分が絶縁膜２１で覆われた形態に
する。複合電極を覆う誘電体層１３を薄くでき、したが
ってパネル化後の駆動電圧が下がり、パネルの発熱が低
減されるばかりでなく、消費電力も少なくて済むように
なる。
るための誘電体層を薄くでき、パネル化した後の駆動電
圧を下げるようにする。 【解決手段】 維持電極である透明電極とその上に積層
されたバス電極である金属電極とで構成される複合電極
を前面板に有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルに
おいて、ガラス基板１１上にパターニングされた透明電
極１２を覆って誘電体層１３が形成され、その誘電体層
１３上にＭｇＯ膜からなる保護層１４が形成され、金属
電極２０がこの保護層１４から突き出ており、その金属
電極２０の突き出た部分が絶縁膜２１で覆われた形態に
する。複合電極を覆う誘電体層１３を薄くでき、したが
ってパネル化後の駆動電圧が下がり、パネルの発熱が低
減されるばかりでなく、消費電力も少なくて済むように
なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気体放電を用いた
自発光形式の平板ディスプレイであるＡＣ型のプラズマ
ディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）に係り、詳
しくは維持電極とバス電極とからなる複合電極を有する
前面板に工夫を凝らしたＡＣ型ＰＤＰに関するものであ
る。
自発光形式の平板ディスプレイであるＡＣ型のプラズマ
ディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）に係り、詳
しくは維持電極とバス電極とからなる複合電極を有する
前面板に工夫を凝らしたＡＣ型ＰＤＰに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般にＰＤＰは、２枚の対向するガラス
基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、そ
の間にＮｅ、Ｈｅ、Ｘｅ、Ａｒ等の不活性ガスを主体と
するガスを封入した構造になっている。そして、これら
の電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放
電を発生させることにより、各セルを発光させて表示を
行うようにしている。情報表示をするためには、規則的
に並んだセルを選択的に放電発光させる。このＰＤＰに
は、電極が放電空間に露出している直流型（ＤＣ型）と
絶縁層で覆われている交流型（ＡＣ型）の２タイプがあ
り、表示機能や駆動方法の違いによって、双方ともリフ
レッシュ駆動方式とメモリー駆動方式とに分類される。
基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、そ
の間にＮｅ、Ｈｅ、Ｘｅ、Ａｒ等の不活性ガスを主体と
するガスを封入した構造になっている。そして、これら
の電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放
電を発生させることにより、各セルを発光させて表示を
行うようにしている。情報表示をするためには、規則的
に並んだセルを選択的に放電発光させる。このＰＤＰに
は、電極が放電空間に露出している直流型（ＤＣ型）と
絶縁層で覆われている交流型（ＡＣ型）の２タイプがあ
り、表示機能や駆動方法の違いによって、双方ともリフ
レッシュ駆動方式とメモリー駆動方式とに分類される。
【０００３】図１にＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示してあ
る。この図は前面板と背面板を離した状態で示したもの
で、図示のように２枚のガラス基板１，２が互いに平行
に且つ対向して配設されており、両者は背面板となるガ
ラス基板２上に互いに平行に設けられたセル障壁３によ
り一定の間隔に保持されるようになっている。前面板と
なるガラス基板１の背面側には維持電極４である透明電
極とバス電極５である金属電極とで構成される複合電極
が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層６が形
成されており、さらにその上に保護層７（ＭｇＯ膜）が
形成されている。一方、背面板となるガラス基板２の前
面側には前記複合電極と直交するようにセル障壁３の間
に位置してアドレス電極８が互いに平行に形成されてお
り、さらにセル障壁３の壁面とセル底面を覆うようにし
て蛍光体９が設けられている。このＡＣ型ＰＤＰは面放
電型であって、前面板上の複合電極間に交流電圧を印加
し、空間に漏れた電界で放電させる構造である。この場
合、交流をかけているために電界の向きは周波数に対応
して変化する。そしてこの放電により生じる紫外線によ
り蛍光体９を発光させ、前面板を透過する光を観察者が
視認するようになっている。
る。この図は前面板と背面板を離した状態で示したもの
で、図示のように２枚のガラス基板１，２が互いに平行
に且つ対向して配設されており、両者は背面板となるガ
ラス基板２上に互いに平行に設けられたセル障壁３によ
り一定の間隔に保持されるようになっている。前面板と
なるガラス基板１の背面側には維持電極４である透明電
極とバス電極５である金属電極とで構成される複合電極
が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層６が形
成されており、さらにその上に保護層７（ＭｇＯ膜）が
形成されている。一方、背面板となるガラス基板２の前
面側には前記複合電極と直交するようにセル障壁３の間
に位置してアドレス電極８が互いに平行に形成されてお
り、さらにセル障壁３の壁面とセル底面を覆うようにし
て蛍光体９が設けられている。このＡＣ型ＰＤＰは面放
電型であって、前面板上の複合電極間に交流電圧を印加
し、空間に漏れた電界で放電させる構造である。この場
合、交流をかけているために電界の向きは周波数に対応
して変化する。そしてこの放電により生じる紫外線によ
り蛍光体９を発光させ、前面板を透過する光を観察者が
視認するようになっている。
【０００４】上記ＡＣ型ＰＤＰの前面板における複合電
極は、維持電極４のみでは抵抗値が高く電極として使え
ないため、抵抗値を低くするために維持電極４上にバス
電極５を形成したものである。維持電極４の材料として
はＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等が考えられるが、成膜や
パターニングの容易さから通常はＩＴＯが用いられてい
る。一方、バス電極５は金属材料で形成されるが、これ
を金属薄膜単層で構成する場合には、バス電極５に求め
られる抵抗値から低抵抗率の材料、例えばＣｕやＡｌの
使用が考えられる。しかし、Ｃｕを使用した場合、バス
電極５の下地層であるＩＴＯとの密着性が悪い上に、後
工程である誘電体層６形成時の焼成処理の結果、材料の
熱酸化により抵抗値が上昇するという問題点がある。ま
たＡｌを使用した場合でも、後工程の焼成処理によって
材料の熱酸化や表面の粗面化（ヒロック）が起きるとい
う問題がある。したがって、バス電極５は金属薄膜単層
ではなく、Ｃｒ／Ｃｕ／ＣｒやＣｒ／Ａｌ／Ｃｒのよう
に異なる金属材料の組合せにより構成するのが一般的で
ある。この場合、下層のＣｒは下地層である維持電極４
との密着層として機能し、上層のＣｒはＣｕやＡｌの酸
化防止層として機能する。
極は、維持電極４のみでは抵抗値が高く電極として使え
ないため、抵抗値を低くするために維持電極４上にバス
電極５を形成したものである。維持電極４の材料として
はＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等が考えられるが、成膜や
パターニングの容易さから通常はＩＴＯが用いられてい
る。一方、バス電極５は金属材料で形成されるが、これ
を金属薄膜単層で構成する場合には、バス電極５に求め
られる抵抗値から低抵抗率の材料、例えばＣｕやＡｌの
使用が考えられる。しかし、Ｃｕを使用した場合、バス
電極５の下地層であるＩＴＯとの密着性が悪い上に、後
工程である誘電体層６形成時の焼成処理の結果、材料の
熱酸化により抵抗値が上昇するという問題点がある。ま
たＡｌを使用した場合でも、後工程の焼成処理によって
材料の熱酸化や表面の粗面化（ヒロック）が起きるとい
う問題がある。したがって、バス電極５は金属薄膜単層
ではなく、Ｃｒ／Ｃｕ／ＣｒやＣｒ／Ａｌ／Ｃｒのよう
に異なる金属材料の組合せにより構成するのが一般的で
ある。この場合、下層のＣｒは下地層である維持電極４
との密着層として機能し、上層のＣｒはＣｕやＡｌの酸
化防止層として機能する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の如き
ＡＣ型ＰＤＰの前面板では、維持電極４及びバス電極５
をガス放電空間から絶縁するため誘電体層６を設け、さ
らに該誘電体層６をイオン衝撃から保護するとともにガ
スに接する表面の二次電子放出特性を改善して動作電圧
を低くするために上記したようにＭｇＯ膜の保護層７を
設けている。すなわち、ガラス基板１上に維持電極４と
バス電極５を形成した後、これらを覆うようにして誘電
体層６を形成し、その上にＭｇＯ膜の保護層７を形成し
ている。しかしながら、このように複合電極を覆って誘
電体層６を形成すると、複合電極に厚みがあることから
誘電体層６がその分だけ厚くなる。そして、誘電体層６
が厚くなると、パネル化した時の駆動電極が高くなり、
誘電体層６が発熱してパネルが熱を持ったり、消費電力
が多くなったりする。また、厚みのある誘電体層６を形
成するのに誘電体ペーストを使用する必要があるため、
これが熱収縮を起こして維持電極４やバス電極５を破損
する恐れがある。
ＡＣ型ＰＤＰの前面板では、維持電極４及びバス電極５
をガス放電空間から絶縁するため誘電体層６を設け、さ
らに該誘電体層６をイオン衝撃から保護するとともにガ
スに接する表面の二次電子放出特性を改善して動作電圧
を低くするために上記したようにＭｇＯ膜の保護層７を
設けている。すなわち、ガラス基板１上に維持電極４と
バス電極５を形成した後、これらを覆うようにして誘電
体層６を形成し、その上にＭｇＯ膜の保護層７を形成し
ている。しかしながら、このように複合電極を覆って誘
電体層６を形成すると、複合電極に厚みがあることから
誘電体層６がその分だけ厚くなる。そして、誘電体層６
が厚くなると、パネル化した時の駆動電極が高くなり、
誘電体層６が発熱してパネルが熱を持ったり、消費電力
が多くなったりする。また、厚みのある誘電体層６を形
成するのに誘電体ペーストを使用する必要があるため、
これが熱収縮を起こして維持電極４やバス電極５を破損
する恐れがある。
【０００６】また、最外層にある保護層７としてのＭｇ
Ｏ膜は潮解性があるため、ＭｇＯ膜が露出したままで保
存すると、空気中の水蒸気により融解するので、ＭｇＯ
膜を形成すると直ぐに次のパネル化の工程にかからなけ
ればならないという問題点もある。
Ｏ膜は潮解性があるため、ＭｇＯ膜が露出したままで保
存すると、空気中の水蒸気により融解するので、ＭｇＯ
膜を形成すると直ぐに次のパネル化の工程にかからなけ
ればならないという問題点もある。
【０００７】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、前面板の
複合電極をガス放電空間から絶縁するための誘電体層を
薄くでき、したがってパネル化した後の駆動電圧を下げ
ることのできるＡＣ型ＰＤＰ及びその製造方法を提供す
ることにある。
されたものであり、その目的とするところは、前面板の
複合電極をガス放電空間から絶縁するための誘電体層を
薄くでき、したがってパネル化した後の駆動電圧を下げ
ることのできるＡＣ型ＰＤＰ及びその製造方法を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、維持電極である透明電極とその上に積層
されたバス電極である金属電極とで構成される複合電極
を前面板に有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルに
おいて、ガラス基板上にパターニングされた透明電極を
覆って誘電体層が形成され、その誘電体層の上にＭｇＯ
膜からなる保護層が形成され、金属電極がこの保護層か
ら突き出ており、その金属電極の突き出た部分が絶縁膜
で覆われている構造にしたことを特徴とする。
め、本発明は、維持電極である透明電極とその上に積層
されたバス電極である金属電極とで構成される複合電極
を前面板に有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルに
おいて、ガラス基板上にパターニングされた透明電極を
覆って誘電体層が形成され、その誘電体層の上にＭｇＯ
膜からなる保護層が形成され、金属電極がこの保護層か
ら突き出ており、その金属電極の突き出た部分が絶縁膜
で覆われている構造にしたことを特徴とする。
【０００９】そして、上記構成のＡＣ型ＰＤＰは、その
前面板を次の工程を含む手順により作製することができ
る。 （１）透明電極を形成した基板上に該透明電極を覆って
誘電体層を形成し、その上にＭｇＯ膜からなる保護層を
形成し、さらにその上にパッシベーション膜を形成する
工程。 （２）前記パッシベーション膜の上にバス電極の開口パ
ターンでパターニングしたレジスト膜を形成し、このレ
ジスト膜をマスクとしてドライエッチングにより前記パ
ッシベーション膜、前記保護層及び前記誘電体層だけを
貫通する穴を形成した後、そのレジスト膜を除去する工
程。 （３）前記穴の中に充填するようにして前記パッシベー
ション膜の上に金属電極となる金属膜を形成する工程。 （４）前記金属膜の上にバス電極のパターンでパターニ
ングしたレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスク
として前記金属膜をエッチングして金属電極を形成した
後、そのレジスト膜を除去する工程。 （５）前記金属電極の突き出た部分を覆って前記パッシ
ベーション膜の上に絶縁膜を形成する工程。 （６）前記絶縁膜の上にバス電極より僅かに大きなパタ
ーンでパターニングしたレジスト膜を形成する工程。 （７）前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜及び前
記パッシベーション膜をエッチングした後、レジスト膜
を除去する工程。
前面板を次の工程を含む手順により作製することができ
る。 （１）透明電極を形成した基板上に該透明電極を覆って
誘電体層を形成し、その上にＭｇＯ膜からなる保護層を
形成し、さらにその上にパッシベーション膜を形成する
工程。 （２）前記パッシベーション膜の上にバス電極の開口パ
ターンでパターニングしたレジスト膜を形成し、このレ
ジスト膜をマスクとしてドライエッチングにより前記パ
ッシベーション膜、前記保護層及び前記誘電体層だけを
貫通する穴を形成した後、そのレジスト膜を除去する工
程。 （３）前記穴の中に充填するようにして前記パッシベー
ション膜の上に金属電極となる金属膜を形成する工程。 （４）前記金属膜の上にバス電極のパターンでパターニ
ングしたレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスク
として前記金属膜をエッチングして金属電極を形成した
後、そのレジスト膜を除去する工程。 （５）前記金属電極の突き出た部分を覆って前記パッシ
ベーション膜の上に絶縁膜を形成する工程。 （６）前記絶縁膜の上にバス電極より僅かに大きなパタ
ーンでパターニングしたレジスト膜を形成する工程。 （７）前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜及び前
記パッシベーション膜をエッチングした後、レジスト膜
を除去する工程。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、ＡＣ型ＰＤＰにおける前面
板を作製する手順について述べることにより本発明の実
施形態を説明する。参照する図面は図２〜図４であり、
これらは連続する工程を示すものである。
板を作製する手順について述べることにより本発明の実
施形態を説明する。参照する図面は図２〜図４であり、
これらは連続する工程を示すものである。
【００１１】まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基
板１１の上にＩＴＯからなる透明電極１２をパターニン
グし、これを覆って誘電体層１３、ＭｇＯ膜からなる保
護層１４及びパッシベーション膜１５を形成する。
板１１の上にＩＴＯからなる透明電極１２をパターニン
グし、これを覆って誘電体層１３、ＭｇＯ膜からなる保
護層１４及びパッシベーション膜１５を形成する。
【００１２】透明電極１２は、ガラス基板１１上にスパ
ッタ法或いは真空蒸着法でＩＴＯ膜を形成した後、その
上に電極のパターンでパターニングしたレジスト膜を形
成し、これをマスクとしてエッチングすることで形成で
きる。また、透明電極１２の形成は、エッチング以外に
サンドブラストやリフトオフで行ってもよい。この透明
電極１２の幅は２００μｍ程度、膜厚は２０００Å程度
である。
ッタ法或いは真空蒸着法でＩＴＯ膜を形成した後、その
上に電極のパターンでパターニングしたレジスト膜を形
成し、これをマスクとしてエッチングすることで形成で
きる。また、透明電極１２の形成は、エッチング以外に
サンドブラストやリフトオフで行ってもよい。この透明
電極１２の幅は２００μｍ程度、膜厚は２０００Å程度
である。
【００１３】誘電体層１３、保護層１４及びパッシベー
ション膜１５はそれぞれ別の手段（蒸着法、イオンプレ
ーティング法、スパッタ法、ＣＶＤ法等）で形成しても
よいが、蒸着法やイオンプレーティング法により蒸着源
を変えて３層を連続して成膜するのが好ましい。
ション膜１５はそれぞれ別の手段（蒸着法、イオンプレ
ーティング法、スパッタ法、ＣＶＤ法等）で形成しても
よいが、蒸着法やイオンプレーティング法により蒸着源
を変えて３層を連続して成膜するのが好ましい。
【００１４】誘電体層１３は、蒸着法或いはイオンプレ
ーティング法で形成したショットガラス或いはＳｉＯ2
が望ましい。そして、透明電極１２を覆っていればよい
のでその膜厚は２０００〜５０００Åでよい。保護層１
４は、蒸着法或いはイオンプレーティング法で形成した
ＭｇＯが望ましく、その膜厚は５０００Å程度である。
最上層のパッシベーション膜１５は、蒸着法或いはイオ
ンプレーティング法で形成したショットガラス或いはＳ
ｉＯ2 が望ましく、その膜厚は２０００〜５０００Åで
ある。
ーティング法で形成したショットガラス或いはＳｉＯ2
が望ましい。そして、透明電極１２を覆っていればよい
のでその膜厚は２０００〜５０００Åでよい。保護層１
４は、蒸着法或いはイオンプレーティング法で形成した
ＭｇＯが望ましく、その膜厚は５０００Å程度である。
最上層のパッシベーション膜１５は、蒸着法或いはイオ
ンプレーティング法で形成したショットガラス或いはＳ
ｉＯ2 が望ましく、その膜厚は２０００〜５０００Åで
ある。
【００１５】次に、図２（ｂ）に示すように、パッシベ
ーション膜１５の上にバス電極の開口パターンでパター
ニングしたレジスト膜１６を形成する。具体的には、全
面にレジストを塗布するか或いはドライフィルムを貼付
し、バス電極の開口パターンで露光してから現像すれば
よい。そして、図２（ｃ）に示すように、このレジスト
膜１６をマスクとしてエッチングによりパッシベーショ
ン膜１５、保護層１４及び誘電体層１３だけを貫通する
穴１７を形成する。ここで、ウェットエッチングを行う
と保護層１４のＭｇＯ膜が潮解性を有しているために融
解してしまうので、ドライエッチングにより穴１７を形
成する。具体的には、ＣＦ4 やＳＦ6 等のエッチングガ
スを用い、ドライエッチング圧力を５〜５０Ｐａ、ＲＦ
パワーを２００〜１０００Ｗとしてドライエッチングを
行う。
ーション膜１５の上にバス電極の開口パターンでパター
ニングしたレジスト膜１６を形成する。具体的には、全
面にレジストを塗布するか或いはドライフィルムを貼付
し、バス電極の開口パターンで露光してから現像すれば
よい。そして、図２（ｃ）に示すように、このレジスト
膜１６をマスクとしてエッチングによりパッシベーショ
ン膜１５、保護層１４及び誘電体層１３だけを貫通する
穴１７を形成する。ここで、ウェットエッチングを行う
と保護層１４のＭｇＯ膜が潮解性を有しているために融
解してしまうので、ドライエッチングにより穴１７を形
成する。具体的には、ＣＦ4 やＳＦ6 等のエッチングガ
スを用い、ドライエッチング圧力を５〜５０Ｐａ、ＲＦ
パワーを２００〜１０００Ｗとしてドライエッチングを
行う。
【００１６】次いで、図２（ｄ）に示すようにレジスト
膜１６を除去する。この場合、穴１７の側面に保護層１
４のＭｇＯ膜が露出しているので、ウエットな手段でレ
ジスト膜１６の剥離を行うと、保護層１４のＭｇＯ膜が
融解する。したがって、ここでは、ドライエッチングの
エッチングガスをＯ2 に変えると、図２（ｄ）に示すよ
うにレジスト膜１６が除去されるのを利用する。具体的
には、ドライエッチング圧力を５〜５０Ｐａ、ＲＦパワ
ーを２００〜１０００Ｗとしてドライエッチングを行っ
た。
膜１６を除去する。この場合、穴１７の側面に保護層１
４のＭｇＯ膜が露出しているので、ウエットな手段でレ
ジスト膜１６の剥離を行うと、保護層１４のＭｇＯ膜が
融解する。したがって、ここでは、ドライエッチングの
エッチングガスをＯ2 に変えると、図２（ｄ）に示すよ
うにレジスト膜１６が除去されるのを利用する。具体的
には、ドライエッチング圧力を５〜５０Ｐａ、ＲＦパワ
ーを２００〜１０００Ｗとしてドライエッチングを行っ
た。
【００１７】このようにパッシベーション膜１５、保護
層１４及び誘電体層１３だけを貫通する穴１７を形成し
た後、図３（ａ）に示すように、この穴１７の中に充填
するようにしてパッシベーション膜１５の上に金属電極
となる金属膜１８を形成する。Ｎｉペーストやその他の
金属ペーストを用いてスクリーン印刷により塗布しても
よいが、真空蒸着により金属膜１８を形成するのが好ま
しい。金属膜１８を単層で形成してもよいが、Ｃｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒ、Ｃｕ／Ｃｒ等の層構成を採ってもよい。金属
膜１８は穴１７の中にも形成されるが、この穴１７の部
分では周囲を囲まれた形になるので、穴１７の底にある
透明電極１２であるＩＴＯとの密着性を考慮しなくても
よい。この観点で言えば、最下層のＣｒを省いたＣｕ／
Ｃｒの層構成でも十分である。
層１４及び誘電体層１３だけを貫通する穴１７を形成し
た後、図３（ａ）に示すように、この穴１７の中に充填
するようにしてパッシベーション膜１５の上に金属電極
となる金属膜１８を形成する。Ｎｉペーストやその他の
金属ペーストを用いてスクリーン印刷により塗布しても
よいが、真空蒸着により金属膜１８を形成するのが好ま
しい。金属膜１８を単層で形成してもよいが、Ｃｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒ、Ｃｕ／Ｃｒ等の層構成を採ってもよい。金属
膜１８は穴１７の中にも形成されるが、この穴１７の部
分では周囲を囲まれた形になるので、穴１７の底にある
透明電極１２であるＩＴＯとの密着性を考慮しなくても
よい。この観点で言えば、最下層のＣｒを省いたＣｕ／
Ｃｒの層構成でも十分である。
【００１８】続いて、図３（ｂ）に示すように、金属膜
１８の上にバス電極のパターンでパターニングしたレジ
スト膜１９を形成する。具体的には、全面にレジストを
塗布するか或いはドライフィルムを貼付し、バス電極の
パターンで露光してから現像すればよい。そして、図３
（ｃ）に示すように、このレジスト膜１９をマスクとし
て金属膜１８をエッチングして金属電極を形成する。
１８の上にバス電極のパターンでパターニングしたレジ
スト膜１９を形成する。具体的には、全面にレジストを
塗布するか或いはドライフィルムを貼付し、バス電極の
パターンで露光してから現像すればよい。そして、図３
（ｃ）に示すように、このレジスト膜１９をマスクとし
て金属膜１８をエッチングして金属電極を形成する。
【００１９】次いで、図３（ｄ）に示すようにレジスト
膜１９を除去する。この場合は、パッシベーション膜１
５があるので、ウエットな手段でレジスト膜１９を剥離
すればよい。これによりパッシベーション膜１５から突
き出た形状の金属電極２０が形成される。
膜１９を除去する。この場合は、パッシベーション膜１
５があるので、ウエットな手段でレジスト膜１９を剥離
すればよい。これによりパッシベーション膜１５から突
き出た形状の金属電極２０が形成される。
【００２０】上記のように金属電極２０を形成した後、
図４（ａ）に示すように、その金属電極２０の突き出た
部分を覆ってパッシベーション膜１５の上に絶縁膜２１
を形成する。具体的には、ＣＶＤ法、スパッタ法等によ
りＳｉＮX 、ＳｉＯX 等の絶縁膜２１を形成する。
図４（ａ）に示すように、その金属電極２０の突き出た
部分を覆ってパッシベーション膜１５の上に絶縁膜２１
を形成する。具体的には、ＣＶＤ法、スパッタ法等によ
りＳｉＮX 、ＳｉＯX 等の絶縁膜２１を形成する。
【００２１】続いて、図４（ｂ）に示すように、絶縁膜
２１の上にバス電極より僅かに大きなパターンでパター
ニングしたレジスト膜２２を形成する。具体的には、全
面にレジストを塗布し、バス電極より僅かに大きなパタ
ーンで露光してから現像すればよい。
２１の上にバス電極より僅かに大きなパターンでパター
ニングしたレジスト膜２２を形成する。具体的には、全
面にレジストを塗布し、バス電極より僅かに大きなパタ
ーンで露光してから現像すればよい。
【００２２】そして、図４（ｃ）に示すように、このレ
ジスト膜２２をマスクとして絶縁膜２１及びパッシベー
ション膜１５をエッチングする。具体的には、ＣＦ4 や
ＳＦ6 等のエッチングガスを用い、ドライエッチング圧
力を５〜５０Ｐａ、ＲＦパワーを２００〜１０００Ｗと
してドライエッチングを行った。
ジスト膜２２をマスクとして絶縁膜２１及びパッシベー
ション膜１５をエッチングする。具体的には、ＣＦ4 や
ＳＦ6 等のエッチングガスを用い、ドライエッチング圧
力を５〜５０Ｐａ、ＲＦパワーを２００〜１０００Ｗと
してドライエッチングを行った。
【００２３】次いで、図４（ｄ）に示すようにレジスト
膜２２を除去する。具体的には、エッチングガスをＯ2
に変え、ドライエッチング圧力を５〜５０Ｐａ、ＲＦパ
ワーを２００〜１０００Ｗとしてドライエッチングを行
った。
膜２２を除去する。具体的には、エッチングガスをＯ2
に変え、ドライエッチング圧力を５〜５０Ｐａ、ＲＦパ
ワーを２００〜１０００Ｗとしてドライエッチングを行
った。
【００２４】なお、絶縁膜２１を形成した段階の基板
（図４（ａ））、さらにはパターン状のレジスト膜２２
を形成した段階の基板（図４（ｂ））は、前面板完成の
一歩手前の中間品の状態であるが、保護層１４であるＭ
ｇＯ膜が露出しておらず、空気中に曝しても融解の心配
がないので、仕掛かり品としてストック可能である。
（図４（ａ））、さらにはパターン状のレジスト膜２２
を形成した段階の基板（図４（ｂ））は、前面板完成の
一歩手前の中間品の状態であるが、保護層１４であるＭ
ｇＯ膜が露出しておらず、空気中に曝しても融解の心配
がないので、仕掛かり品としてストック可能である。
【００２５】
【実施例】まず、ガラス基板の上にＩＴＯ膜からなる透
明電極を形成する。具体的には、スパッタ装置を使用
し、成膜圧力：５．０×１０-3Ｔｏｒｒ、Ａｒ流量：１
ｓｃｃｍ、Ｏ2 流量：１００ｓｃｃｍ、投入パワー：Ｄ
Ｃ１３００Ｗの条件で、１０分間の成膜時間にて膜厚２
０００ÅのＩＴＯ膜を形成し、これをパターニングして
透明電極を得た。
明電極を形成する。具体的には、スパッタ装置を使用
し、成膜圧力：５．０×１０-3Ｔｏｒｒ、Ａｒ流量：１
ｓｃｃｍ、Ｏ2 流量：１００ｓｃｃｍ、投入パワー：Ｄ
Ｃ１３００Ｗの条件で、１０分間の成膜時間にて膜厚２
０００ÅのＩＴＯ膜を形成し、これをパターニングして
透明電極を得た。
【００２６】次いで、透明電極を覆うようにして誘電体
層、ＭｇＯ膜、パッシベーション膜をそれぞれイオンプ
レーティング法で形成する。具体的には、ホロカソード
型イオンプレーティング装置を使用する。誘電体層は、
蒸着材料としてショットガラスを用い、Ａｒガスを導入
ガスとして、成膜時の圧力が５．０×１０-4Ｔｏｒｒ、
基板温度が３００℃になるように調整する。そして、放
電電流を１１０アンペアに調整しながら、成膜レートを
１４Å／秒にする。誘電体層の膜厚は膜厚は５０００Å
とした。ＭｇＯ膜は、蒸着材料として高純度化学研究所
製の溶融型酸化マグネシウムを用い、Ａｒを導入ガスと
して成膜時の圧力が６．０×１０-4Ｔｏｒｒ、基板温度
が３００℃になるように調整する。そして、放電電流を
６５〜１０８アンペアに調整しながら、成膜レートを５
〜２６Å／秒にする。ＭｇＯ膜の膜厚は５０００Åとし
た。パッシベーション膜は、蒸着材料としてショットガ
ラスを用い、Ａｒを導入ガスとして成膜時の圧力が６．
０×１０-4Ｔｏｒｒ、基板温度が３００℃になるように
調整する。そして、放電電流を６５〜１０８アンペアに
調整しながら、成膜レートを５〜２６Å／秒にする。パ
ッシベーション膜の膜厚は５０００Åとした。
層、ＭｇＯ膜、パッシベーション膜をそれぞれイオンプ
レーティング法で形成する。具体的には、ホロカソード
型イオンプレーティング装置を使用する。誘電体層は、
蒸着材料としてショットガラスを用い、Ａｒガスを導入
ガスとして、成膜時の圧力が５．０×１０-4Ｔｏｒｒ、
基板温度が３００℃になるように調整する。そして、放
電電流を１１０アンペアに調整しながら、成膜レートを
１４Å／秒にする。誘電体層の膜厚は膜厚は５０００Å
とした。ＭｇＯ膜は、蒸着材料として高純度化学研究所
製の溶融型酸化マグネシウムを用い、Ａｒを導入ガスと
して成膜時の圧力が６．０×１０-4Ｔｏｒｒ、基板温度
が３００℃になるように調整する。そして、放電電流を
６５〜１０８アンペアに調整しながら、成膜レートを５
〜２６Å／秒にする。ＭｇＯ膜の膜厚は５０００Åとし
た。パッシベーション膜は、蒸着材料としてショットガ
ラスを用い、Ａｒを導入ガスとして成膜時の圧力が６．
０×１０-4Ｔｏｒｒ、基板温度が３００℃になるように
調整する。そして、放電電流を６５〜１０８アンペアに
調整しながら、成膜レートを５〜２６Å／秒にする。パ
ッシベーション膜の膜厚は５０００Åとした。
【００２７】次に、パッシベーション膜の上にレジスト
膜を形成する。ここではレジストとして東京応化製「Ｏ
ＦＰＲ−８０」を使用し、フォトリソグラフィ法により
バス電極の開口パターンでパターニングした。続いて、
このレジスト膜をマスクとしてエッチングによりパッシ
ベーション膜、ＭｇＯ膜及び誘電体層だけを貫通する穴
を形成し、その後でレジスト膜を除去する。ここでは、
ＣＦ4 のエッチングガスを用い、ドライエッチング圧力
を２０Ｐａ、ＲＦパワーを５００Ｗとしてドライエッチ
ングを行った後、エッチングガスをＯ2 に変え、その他
は同条件でドライエッチングを行うことによりレジスト
膜を除去した。
膜を形成する。ここではレジストとして東京応化製「Ｏ
ＦＰＲ−８０」を使用し、フォトリソグラフィ法により
バス電極の開口パターンでパターニングした。続いて、
このレジスト膜をマスクとしてエッチングによりパッシ
ベーション膜、ＭｇＯ膜及び誘電体層だけを貫通する穴
を形成し、その後でレジスト膜を除去する。ここでは、
ＣＦ4 のエッチングガスを用い、ドライエッチング圧力
を２０Ｐａ、ＲＦパワーを５００Ｗとしてドライエッチ
ングを行った後、エッチングガスをＯ2 に変え、その他
は同条件でドライエッチングを行うことによりレジスト
膜を除去した。
【００２８】そして、パッシベーション膜、ＭｇＯ膜及
び誘電体層を貫通する穴の中を充填するようにしてパッ
シベーション膜上に金属膜を形成する。ここでは、Ｃｕ
を用い、スパッタ法により金属膜を形成した。基板温度
は室温、Ａｒ流量は３０ｓｃｃｍ、圧力は０．３Ｐａ、
投入電力はＤＣ１ｋＷである。
び誘電体層を貫通する穴の中を充填するようにしてパッ
シベーション膜上に金属膜を形成する。ここでは、Ｃｕ
を用い、スパッタ法により金属膜を形成した。基板温度
は室温、Ａｒ流量は３０ｓｃｃｍ、圧力は０．３Ｐａ、
投入電力はＤＣ１ｋＷである。
【００２９】次に、金属膜の上にパターニングしたレジ
スト膜を形成する。ここではレジストとして東京応化製
「ＯＦＰＲ−８０」を使用し、フォトリソグラフィ法に
よりバス電極の開口パターンでパターニングした。続い
て、このレジスト膜をマスクとして塩化第２鉄水溶液に
てエッチングを行った後、有機溶剤による超音波洗浄に
よりレジスト膜を剥離してパッシベーション膜から突き
出た形状の金属電極を形成した。
スト膜を形成する。ここではレジストとして東京応化製
「ＯＦＰＲ−８０」を使用し、フォトリソグラフィ法に
よりバス電極の開口パターンでパターニングした。続い
て、このレジスト膜をマスクとして塩化第２鉄水溶液に
てエッチングを行った後、有機溶剤による超音波洗浄に
よりレジスト膜を剥離してパッシベーション膜から突き
出た形状の金属電極を形成した。
【００３０】金属電極を形成した後、その金属電極を覆
うようにしてパッシベーション膜の上にイオンプレーテ
ィング法により絶縁層を形成する。具体的には、蒸着材
料としてショットガラスを用い、Ａｒガスを導入ガスと
して、成膜時の圧力が５．０×１０-4Ｔｏｒｒ、基板温
度が３００℃になるように調整する。そして、放電電流
を１１０アンペアに調整しながら、成膜レートを１４Å
／秒にする。絶縁膜の膜厚は５０００Åとした。次い
で、絶縁膜の上にパターニングしたレジスト膜を形成す
る。ここではレジストとして東京応化製「ＯＦＰＲ−８
０」を使用し、フォトリソグラフィ法によりバス電極よ
り僅かに大きなパターンでパターニングした。続いて、
このレジスト膜をマスクとしてエッチングにより絶縁層
及びパッシベーション膜をエッチングし、その後でレジ
スト膜を除去する。ここでは、ＣＦ4 のエッチングガス
を用い、ドライエッチング圧力を２０Ｐａ、ＲＦパワー
を５００Ｗとしてドライエッチングを行った後、エッチ
ングガスをＯ2 に変え、その他は同条件でドライエッチ
ングを行うことによりレジスト膜を除去した。
うようにしてパッシベーション膜の上にイオンプレーテ
ィング法により絶縁層を形成する。具体的には、蒸着材
料としてショットガラスを用い、Ａｒガスを導入ガスと
して、成膜時の圧力が５．０×１０-4Ｔｏｒｒ、基板温
度が３００℃になるように調整する。そして、放電電流
を１１０アンペアに調整しながら、成膜レートを１４Å
／秒にする。絶縁膜の膜厚は５０００Åとした。次い
で、絶縁膜の上にパターニングしたレジスト膜を形成す
る。ここではレジストとして東京応化製「ＯＦＰＲ−８
０」を使用し、フォトリソグラフィ法によりバス電極よ
り僅かに大きなパターンでパターニングした。続いて、
このレジスト膜をマスクとしてエッチングにより絶縁層
及びパッシベーション膜をエッチングし、その後でレジ
スト膜を除去する。ここでは、ＣＦ4 のエッチングガス
を用い、ドライエッチング圧力を２０Ｐａ、ＲＦパワー
を５００Ｗとしてドライエッチングを行った後、エッチ
ングガスをＯ2 に変え、その他は同条件でドライエッチ
ングを行うことによりレジスト膜を除去した。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＡＣ型Ｐ
ＤＰは、前面板において電極を覆う誘電体層を薄く形成
できるので、パネル化後の駆動電圧を下げることがで
き、パネルの発熱が低減されるばかりでなく、消費電力
を少なくすることができる。
ＤＰは、前面板において電極を覆う誘電体層を薄く形成
できるので、パネル化後の駆動電圧を下げることがで
き、パネルの発熱が低減されるばかりでなく、消費電力
を少なくすることができる。
【００３２】また、誘電体ペーストを使用しなくて済む
ので、従来のように誘電体ペーストで形成した誘電体層
が熱収縮を起こして維持電極やバス電極が破損するとい
うようなことがない。
ので、従来のように誘電体ペーストで形成した誘電体層
が熱収縮を起こして維持電極やバス電極が破損するとい
うようなことがない。
【図１】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの一構成例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明のＡＣ型プラズマディスプレイパネルに
おける前面板を作製する手順の前部分を示した工程図で
ある。
おける前面板を作製する手順の前部分を示した工程図で
ある。
【図３】図２に続く中間部分の工程図である。
【図４】図３に続く後部分の工程図である。
１ 前面板 ２ 背面板 ３ セル障壁 ４ 維持電極 ５ バス電極 ６ 誘電体層 ７ 保護層 ８ アドレス電極 ９ 蛍光体 １１ ガラス基板 １２ 透明電極 １３ 誘電体層 １４ 保護層 １５ パッシベーション膜 １６ レジスト膜 １７ 穴 １８ 金属膜 １９ レジスト膜 ２０ 金属電極 ２１ 絶縁膜 ２２ レジスト膜
Claims (4)
- 【請求項１】 維持電極である透明電極とその上に積層
されたバス電極である金属電極とで構成される複合電極
を前面板に有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルに
おいて、ガラス基板上にパターニングされた透明電極を
覆って誘電体層が形成され、その誘電体層の上にＭｇＯ
膜からなる保護層が形成され、金属電極がこの保護層か
ら突き出ており、その金属電極の突き出た部分が絶縁膜
で覆われていることを特徴とするＡＣ型プラズマディス
プレイパネル。 - 【請求項２】 維持電極である透明電極とその上に積層
されたバス電極である金属電極とで構成される複合電極
を有する前面板を、次の工程を含む手順により作製する
ことを特徴とするＡＣ型プラズマディスプレイパネルの
製造方法。 （１）透明電極を形成した基板上に該透明電極を覆って
誘電体層を形成し、その上にＭｇＯ膜からなる保護層を
形成し、さらにその上にパッシベーション膜を形成する
工程。 （２）前記パッシベーション膜の上にバス電極の開口パ
ターンでパターニングしたレジスト膜を形成し、このレ
ジスト膜をマスクとしてドライエッチングにより前記パ
ッシベーション膜、前記保護層及び前記誘電体層だけを
貫通する穴を形成した後、そのレジスト膜を除去する工
程。 （３）前記穴の中に充填するようにして前記パッシベー
ション膜の上に金属電極となる金属膜を形成する工程。 （４）前記金属膜の上にバス電極のパターンでパターニ
ングしたレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスク
として前記金属膜をエッチングして金属電極を形成した
後、そのレジスト膜を除去する工程。 （５）前記金属電極の突き出た部分を覆って前記パッシ
ベーション膜の上に絶縁膜を形成する工程。 （６）前記絶縁膜の上にバス電極より僅かに大きなパタ
ーンでパターニングしたレジスト膜を形成する工程。 （７）前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜及び前
記パッシベーション膜をエッチングした後、レジスト膜
を除去する工程。 - 【請求項３】 維持電極である透明電極とその上に積層
されたバス電極である金属電極とで構成される複合電極
を有する前面板を作製するための中間品であって、請求
項２における（５）の工程を終えた状態であることを特
徴とする中間品。 - 【請求項４】 維持電極である透明電極とその上に積層
されたバス電極である金属電極とで構成される複合電極
を有する前面板を作製するための中間品であって、請求
項２における（６）の工程を終えた状態であることを特
徴とする中間品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8170976A JPH1021838A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法並びに製造工程での中間品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8170976A JPH1021838A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法並びに製造工程での中間品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1021838A true JPH1021838A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15914847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8170976A Pending JPH1021838A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法並びに製造工程での中間品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1021838A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000056503A (ko) * | 1999-02-23 | 2000-09-15 | 구자홍 | 플라즈마 표시패널의 제조방법 |
| WO2002054438A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Sony Corporation | Dispositif d'affichage a plasma |
| JP2003229049A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| WO2007029295A1 (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | プラズマディスプレイパネル |
-
1996
- 1996-07-01 JP JP8170976A patent/JPH1021838A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000056503A (ko) * | 1999-02-23 | 2000-09-15 | 구자홍 | 플라즈마 표시패널의 제조방법 |
| WO2002054438A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Sony Corporation | Dispositif d'affichage a plasma |
| JP2003229049A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| WO2007029295A1 (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | プラズマディスプレイパネル |
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