JPH0922655A - プラズマディスプレイパネルの電極 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板上に電極を形成した後の焼成時等におけ
る酸化を防止する。 【構成】 プラズマディスプレイパネルの前面板又は背
面板を構成するガラス基板上に設けられる電極を、金属
電極２２とその上に積層した透明電極２４とで構成す
る。金属電極２２が透明電極２４に覆われて保護される
ので、金属電極２２の材料に酸化しやすいものを使用し
ても、焼成時等における当該金属電極２２の酸化を防止
できる。よって、電極取出し部において酸化金属膜を取
り除くための研磨を必要としない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、気体放電を用いた
自発光形式の平板ディスプレイであるプラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰと記す）に係り、詳しくはＰ
ＤＰのガラス基板上に設けられる電極に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】一般にＰＤＰは、２枚の対向するガラス
基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極（陰極と陽
極）を設け、その間にＮｅ等を主体とするガスを封入し
た構造になっている。そして、これらの電極間に電圧を
印加し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させるこ
とにより、各セルを発光させて表示を行うようにしてい
る。情報表示するためには、規則的に並んだセルを選択
的に放電発光させる。このＰＤＰには、電極が放電空間
に露出している直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われてい
る交流型（ＡＣ型）の２タイプがあり、双方とも表示機
能や駆動方法の違いによって、さらにリフレッシュ駆動
方式とメモリ駆動方式に分類される。

【０００３】図１はＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示したも
のである。同図に示されるように、ガラス基板からなる
前面板１と背面板２とが互いに平行に且つ対向して配設
されており、背面板２の前面側にはこれに立設するバリ
ヤーリブ３が固着され、このバリヤーリブ３により前面
板１と背面板２とが一定間隔で保持されている。そし
て、前面板１の背面側には透明電極である維持電極４と
金属電極であるバス電極５とからなる複合電極が互いに
平行に形成され、これを覆って誘電体層６が形成されて
おり、さらにその上にＭｇＯ層７が形成されている。ま
た、背面板２の前面側には前記複合電極と直交するよう
にバリヤーリブ３の間に位置してアドレス電極８が互い
に平行に形成され、必要に応じてその上に誘電体層９が
形成されており、さらにバリヤーリブ３の壁面とセルの
底面を覆うようにして蛍光層１０が設けられている。こ
のＡＣ型ＰＤＰでは、前面板１上の複合電極間に交流電
源から所定の電圧を印加して電場を形成することによ
り、前面板１と背面板２とバリヤーリブ３とで区画され
る表示要素としての各セル１１内で放電が行われる。そ
して、この放電により生じる紫外線により蛍光層１０が
発光させられ、前面板１を透過してくるこの光を観察者
が視認するようになっている。

【０００４】上記のＡＣ型ＰＤＰにおける前面板１の複
合電極のうち、維持電極４の材料としてはＩＴＯ、Ｓｎ
Ｏ₂ 、ＺｎＯ等が考えられるが、成膜やパターニングの
容易性を考慮して通常はＩＴＯが使用されている。一
方、バス電極５の材料としては抵抗値が小さいのは勿論
のこと、ＩＴＯとの密着性がよく、焼成時の熱により酸
化されにくいものが選ばれる。例えばＡｌはこの要求を
満たすが、パターニング時に使用するエッチング液がＩ
ＴＯを侵すので使用することができない。そこで、バス
電極５としては通常Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造が用い
られている。すなわち、ＣｕはＩＴＯとの密着性が悪
く、焼成時の熱で酸化を起こすため、その両面をＣｒで
挟み込んだ三層構造にしている。そして、このような維
持電極４とバス電極５の組合せからなる複合電極は、従
来図２及び図３に示す工程で形成されている。以下、こ
の形成工程について説明する。

【０００５】まず、図２（ａ）に示すように、前面板
１であるガラス基板の上にＩＴＯ膜１２を形成する。膜
厚は５００〜４０００Åであり、成膜法はとしてはスパ
ッタ法、真空蒸着法、スクリーン印刷法、ゾルゲル法な
どがある。 次いで、ＩＴＯ膜１２の上にレジストを塗布して乾燥
させてから、露光及び現像工程を経て図２（ｂ）に示す
如くレジストＲをパターニングする。露光はマスクパタ
ーンを介して上方からレジストに紫外線を照射すること
で行うが、この時、ガラス基板の周辺にアライメントマ
ークを同時に記録する。 そして、このパターニングされたレジストＲを介して
図２（ｃ）に示すようにＩＴＯ膜１２をエッチングす
る。エッチング液としては、例えば「ＨＣｌ：ＨＮ
Ｏ₃ ：Ｈ₂ Ｏ＝５０：４：５０」の溶液を使用する。 ＩＴＯ膜１２をエッチングによりパターニングした
後、所定の剥離液を用いてレジストを剥離し、水洗して
乾燥させることにより図２（ｄ）に示すように維持電極
４を形成する。 続いて、図３（ａ）に示すように、維持電極４を覆う
ようにしてＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの金属膜１３を形成する。
膜厚は例えば下層のＣｒ膜１３ａを５００Å、中間のＣ
ｕ膜１３ｂを１μｍ、上層のＣｒ膜１３ｃを１５００Å
とする。成膜法としてはスパッタ法、真空蒸着法、メッ
キ法などがある。 次いで、３層の金属膜１３の上にレジストを塗布して
乾燥させてから、上方からの露光及び現像工程を経て図
３（ｂ）に示す如くレジストＲをパターニングする。こ
の場合、前記アライメントマークを使用してマスクとガ
ラス基板との位置合わせを行って露光する。 このパターニングされたレジストＲを介して図３
（ｃ）に示すように３層の金属膜１３をエッチングす
る。この場合、Ｃｒ膜１３ｃ，１３ａのエッチング液と
しては塩化アルミニウム系の水溶液（例えば「ＡｌＣｌ
₃ ・６Ｈ₂ Ｏ：ＺｎＣｌ₂ ：Ｈ₃ ＰＯ₄ ：Ｈ₂ Ｏ＝４５
４ｇ：１３５ｇ：３０ｍｌ：４００ｍｌ」）等を使用
し、Ｃｕ膜１３ｂのエッチング液としては、過硫酸アン
モニウム（（ＮＨ₄ ）₂ Ｓ₂ Ｏ₈ ）の水溶液（８０ｇ／
ｌ）等を使用する。 ３層の金属膜１３をエッチングによりパターニングし
た後、所定の剥離液を用いてレジストを剥離し、水洗し
て乾燥させることにより図３（ｄ）に示すように３層構
造（５ａ、５ｂ、５ｃ）のバス電極５を形成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のＡ
Ｃ型ＰＤＰは、ＩＴＯからなる維持電極４とＣｒ／Ｃｕ
／Ｃｒからなるバス電極５とで前面板に複合電極を構成
するのが一般的であり、図２及び図３に示す工程でその
複合電極を形成している。しかしながら、Ｃｒのエッチ
ング液、例えば塩化アルミニウム系の水溶液はＩＴＯを
侵すため、下層のＣｒ膜１３ａをエッチングする際にＩ
ＴＯの浸食が進み、維持電極４の膜厚分布が不均一にな
るという問題が起きていた。この問題点は、上層のＣｒ
膜１３ｃと下層のＣｒ膜１３ａとで異なるエッチング液
を使用することで解決できるが、製造工程が複雑になる
とともに装置規模も大きくなってしまう。Ｃｒのエッチ
ング液として過マンガン酸系（例えば「ＫＭｎＯ₄ （ａ
ｑ．）：ＮａＯＨ（ａｑ．）＝１５ｇ／３００ｃｃ：１
０ｇ／３００ｃｃ」）を使用すれば、ＩＴＯを浸食する
ことなくＣｒをエッチングすることが可能ではあるが、
このエッチング液はポジ型レジスト材を溶かしてしまう
ので、ＯＭＲ等のネガ型レジスト材を使用せざるを得な
くなり、製造工程が限定されてしまう。また、３層の金
属膜１３における下層のＣｒ膜１３ａにピンホールがあ
ると、中間のＣｕ膜１３ｂをエッチングする際にそのピ
ンホール部分を通してＩＴＯがエッチングされ、これが
欠陥になるという問題点もあった。

【０００７】また、バス電極５に使用されているＣｒ
は、熱により酸化して変色したり高抵抗化してしまう傾
向がある。この現象は、誘電体層等で被覆されない電極
取出し部において顕著に現れる。したがって、電極取出
し部では研磨等の方法により表面の酸化被膜を取り除く
必要がある。

【０００８】また、上記ＡＣ型ＰＤＰの複合電極におけ
るバス電極５は、Ｃｕの酸化を防止するためにその両面
をＣｒで挟み込んだ三層構造にしているので、上述のよ
うにその製造工程が複雑であり、できればバス電極５を
Ａｌ等の金属の単層で形成したいという要望があるが、
前記したようにＡｌを使用する場合、Ａｌのパターニン
グ時に使用するエッチング液がＩＴＯを侵すので使用す
ることができない。

【０００９】以上のように、ＡＣ型ＰＤＰにおいては複
合電極におけるバス電極に使用する金属の選択に苦慮し
ているが、焼成時等における酸化防止の観点からする
と、全てのタイプのＰＤＰに設けられる電極についても
同様な問題点がある。

【００１０】そこで、本発明の目的とするところは、上
記のような問題点を解消することのできるＰＤＰの電極
を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るＰＤＰの電極は、ＰＤＰの前面板又は
背面板を構成するガラス基板上に設けられる電極であっ
て、金属電極とその上に積層した透明電極とからなるこ
とを要旨としている。

【００１２】上記の構成からなる電極は、ＤＣ型でもＡ
Ｃ型でも任意のＰＤＰにおける一般的な陰極及び／又は
陽極として利用することができるものであり、必要に応
じて透明電極が金属電極を覆った形態にしてもよい。そ
して、透明電極としてはＩＴＯやＳｎＯ₂ などを使用す
ることができ、金属電極はＰＤＰの種類や使用形態に応
じてＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの三層構造を採ってもよいし、勿
論Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ等の任意の金属の単層構造と
してもよい。

【００１３】本発明のＰＤＰの電極は、特に従来の技術
で述べたようなＡＣ型ＰＤＰの前面板に設けるバス電極
と維持電極とからなる複合電極に好適に利用される。こ
の場合、バス電極となる金属電極はＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの
積層構造としてもよいし、或いはＡｌ等の金属の単層構
造にすることもできる。

【００１４】また、本発明では、ガラス基板に電極パタ
ーンに対応した凹部を形成し、その凹部内に金属電極を
設けるようにすることも可能である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、ＰＤＰの前面板又は背面板
を構成するガラス基板上に電極を形成する工程を説明す
ることにより本発明の実施形態を述べる。

【００１６】（実施形態１）本実施形態で形成される電
極は、ＤＣ型ＰＤＰやＡＣ型ＰＤＰにおける一般的な陰
極及び／又は陽極として利用される。

【００１７】まず、図４（ａ）に示すように、ガラス基
板２０の上にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの金属膜２１を形成す
る。膜厚は例えば下層のＣｒ膜２１ａを５００Å、中間
のＣｕ膜２１ｂを１μｍ、上層のＣｒ膜２１ｃを１５０
０Åとする。成膜法としてはスパッタ法、真空蒸着法、
メッキ法などがある。

【００１８】次いで、３層の金属膜２１の上にレジスト
を塗布して乾燥させてから、上方からの露光及び現像工
程を経て図４（ｂ）に示す如くパターニングされたレジ
ストＲを形成する。そして、このパターニングされたレ
ジストＲを介して図４（ｃ）に示すように３層の金属膜
２１をエッチングする。この場合、上層のＣｒ膜２１ｃ
のエッチング液として塩化アルミニウム系の水溶液（例
えば「ＡｌＣｌ₃ ・６Ｈ₂ Ｏ：ＺｎＣｌ₂ ：Ｈ₃ Ｐ
Ｏ₄ ：Ｈ₂ Ｏ＝４５４ｇ：１３５ｇ：３０ｍｌ：４００
ｍｌ」）を使用し、中間のＣｕ膜２１ｂのエッチング液
として過硫酸アンモニウム（（ＮＨ₄ ）₂ Ｓ₂ Ｏ₈ ）の
水溶液（８０ｇ／ｌ）を使用する。そして、下層のＣｒ
膜２１ａのエッチング液は、上層のＣｒ膜２１ｃのエッ
チング液と同じでよい。このエッチング時においては、
金属膜１３の下にＩＴＯがないため、従来のようにＣｒ
のエッチング液によるＩＴＯの浸食が起こるというよう
なことはない。そのため、上層のＣｒ膜２１ｃと下層の
Ｃｒ膜２１ａで組成の異なるエッチング液を使用する必
要がない。

【００１９】上記のようにして３層の金属膜２１をエッ
チングによりパターニングした後、所定の剥離液を用い
てレジストＲを剥離し、水洗して乾燥させることにより
図４（ｄ）に示すようにガラス基板２０上に３層構造
（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）の金属電極２２を形成す
る。

【００２０】続いて、図５（ａ）に示すように、この金
属電極２２を覆うようにしてＩＴＯやＳｎＯ₂ からなる
透明導電膜２３を形成する。ここでは、この透明導電膜
２３がＩＴＯ膜である場合を例にして説明する。次い
で、このＩＴＯ膜２３の上にレジストＲを塗布して乾燥
させてから、金属電極２２をセルフマスクとしてガラス
基板２０の背面側から露光を行い、現像工程を経て図５
（ｂ）に示す如くレジストＲをパターニングする。ＩＴ
Ｏ膜２３の膜厚は５００〜４０００Åである。このＩＴ
Ｏ膜２３の成膜法はとしてはスパッタ法、真空蒸着法、
スクリーン印刷法、ゾルゲル法などがある。

【００２１】次に、このパターニングされたレジストＲ
を介して図５（ｃ）に示すようにＩＴＯ膜２３をエッチ
ングする。エッチング液としては、例えば「ＨＣｌ：Ｈ
ＮＯ₃ ：Ｈ₂ Ｏ＝５０：４：５０」の溶液を使用する。
このようにＩＴＯ膜２３をエッチングによりパターニン
グした後、所定の剥離液を用いてレジストを剥離し、水
洗して乾燥させることにより図５（ｄ）に示すように金
属電極２２の上に透明電極２４を形成する。

【００２２】本実施形態の電極は、透明電極２４が金属
電極２２に丁度重なるため、前面板に形成する場合で
も、透明電極２４は必ずしも高い透明性を必要としな
い。したがってＩＴＯ膜２３の形成に際しては、スパッ
タ法や真空蒸着法などの真空プロセスによる成膜方法を
採らなくてもよく、ＩＴＯペーストをコーティングする
などの方法やゾルゲル法を採ることができる。そして、
形成された電極は、透明電極２４により金属電極２２の
酸化が防止される。

【００２３】（実施形態２）本実施形態で形成される電
極は、ＡＣ型ＰＤＰの前面板に設ける複合電極として好
適に利用される。

【００２４】実施形態１と同様にして前面板１であるガ
ラス基板の上に３層構造（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）の
金属電極２２を形成した後、図６（ａ）に示すように、
金属電極２２を覆うようにして透明導電膜、例えばＩＴ
Ｏ膜２３を形成する。ＩＴＯ膜２３の膜厚は５００〜４
０００Åである。このＩＴＯ膜２３の成膜法はとしては
スパッタ法、真空蒸着法、スクリーン印刷法、ゾルゲル
法などがあるが、このうち真空蒸着法は、蒸着粒子の直
進性が強く、金属電極２２の表面にのみ付着する傾向が
あるので望ましくない。すなわち、金属電極２２の側面
に蒸着粒子が付かず、金属電極２２間の接触に問題が残
るからである。

【００２５】次いで、ＩＴＯ膜２３の上にレジストを塗
布して乾燥させてから、上方からの露光及び現像工程を
経て図６（ｂ）に示す如くパターニングされたレジスト
Ｒを形成する。そして、このパターニングされたレジス
トＲを介して図６（ｃ）に示すようにＩＴＯ膜２３をエ
ッチングする。エッチング液としては、例えば「ＨＣ
ｌ：ＨＮＯ₃ ：Ｈ₂ Ｏ＝５０：４：５０」の溶液を使用
する。

【００２６】ＩＴＯ膜２３をエッチングによりパターニ
ングした後、所定の剥離液を用いてレジストＲを剥離
し、水洗して乾燥させることにより図６（ｄ）に示すよ
うに金属電極２２を覆うようにして透明電極２４を形成
する。

【００２７】本実施形態においては、ＩＴＯ膜２３のパ
ターニング時に、レジストＲが金属電極２２を覆ってい
るので、金属電極２２を侵すことなくＩＴＯ膜２３のエ
ッチングが可能となる。また、形成された電極は、金属
電極２２の上に透明電極２４があるので、後の焼成工程
においてＣｒ、Ｃｕの酸化が防止される。

【００２８】（実施形態３）本実施形態で形成される電
極も、ＡＣ型ＰＤＰの前面板に設ける複合電極として好
適に利用される。

【００２９】まず、図７（ａ）に示すように、ガラス基
板３０の上にＡｌ，Ａｇ，Ｎｉ等からなる金属膜３１を
厚さ１〜４μｍで形成する。成膜法としてはスパッタ
法、真空蒸着法、メッキ法などがある。ここでは金属膜
３１がＡｌ膜である場合を例にして説明する。

【００３０】次いで、Ａｌ膜３１の上にレジストを塗布
して乾燥させてから、上方からの露光及び現像工程を経
て図７（ｂ）に示す如くパターニングされたレジストＲ
を形成する。そして、このパターニングされたレジスト
Ｒを介して図７（ｃ）に示すようにＡｌ膜３１をエッチ
ングする。エッチング液としては菱江化学製「ＭＲ−Ａ
ＬＥ」を使用する。この場合、通常行われるようにパタ
ーン断面が矩形状になる程度でエッチングをやめてもよ
いが、さらにエッチングを進行させてパターン断面が台
形状となるまでサイドエッチングを行う方がよい。

【００３１】Ａｌ膜３１をエッチングによりパターニン
グした後、所定の剥離液を用いてレジストを剥離し、水
洗して乾燥させることにより図７（ｄ）に示すようにＡ
ｌの単層構造からなる金属電極３２を形成する。

【００３２】続いて、図８（ａ）に示すように、金属電
極３２を覆うようにしてＩＴＯ膜３３を形成する。膜厚
は５００〜４０００Åである。成膜法はとしてはスパッ
タ法、真空蒸着法、スクリーン印刷法、ゾルゲル法など
がある。この場合、上記のように金属電極２２のパター
ン断面を台形状としておけば、真空蒸着法による成膜で
も問題はない。

【００３３】次いで、ＩＴＯ膜３３の上にレジストを塗
布して乾燥させてから、上方からの露光及び現像工程を
経て図８（ｂ）に示す如くパターニングされたレジスト
Ｒを形成する。そして、このパターニングされたレジス
トＲを介して図８（ｃ）に示すようにＩＴＯ膜３３をエ
ッチングする。エッチング液としては、例えば「ＨＣ
ｌ：ＨＮＯ₃ ：Ｈ₂ Ｏ＝５０：４：５０」の溶液を使用
する。

【００３４】ＩＴＯ膜３３をエッチングによりパターニ
ングした後、所定の剥離液を用いてレジストを剥離し、
水洗して乾燥させることにより図８（ｄ）に示すように
金属電極２２を覆うようにして透明電極３４を形成す
る。

【００３５】本実施形態においては、Ａｌの単層構造で
金属電極３２が形成できるため、金属電極をＣｒ／Ｃｕ
／Ｃｒの３層構造にする場合に比べて成膜やエッチング
の工程が簡略化される。また、ＩＴＯ膜３３のパターニ
ング時には、レジストＲが金属電極３２を完全に覆って
いるため、金属電極３２のＡｌを侵すことなくＩＴＯ膜
３３のエッチングを行うことができる。また、実施形態
１，２のような３層構造の金属膜２１では、パターン断
面を台形状とするようにサイドエッチングを行うことが
困難であるが、単層のＡｌ膜３１は比較的容易に台形状
にエッチングすることができ、このように金属電極２２
のパターン断面を台形状にすれば、ＩＴＯ膜３３の成膜
に真空蒸着法を採用しても金属電極３２とＩＴＯ膜３３
との接触が確実になる。

【００３６】（実施形態４）本実施形態で形成される電
極は、ＡＣ型ＰＤＰの前面板に設ける複合電極やＤＣ型
ＰＤＰの前面板に設ける陽極として好適に用される。

【００３７】まず、図９（ａ）に示すように、サンドブ
ラストやエッチングによりガラス基板４０上に電極パタ
ーンに対応した凹部４１を形成する。次いで、図９
（ｂ）に示すように、その凹部４１内に金属電極４２を
設ける。この場合、Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ等のペース
トを使用し、スクリーン印刷により充填するかゴムスキ
ージ等を用いて充填する。或いは、メッキ法で凹部４１
内に金属電極４２を形成するようにしてもよい。

【００３８】続いて、図９（ｃ）に示すように、この金
属電極４２を覆うようにして透明導電膜、例えばＩＴＯ
膜４３を形成する。ＩＴＯ膜４３の膜厚は５００〜４０
００Åである。このＩＴＯ膜４３の成膜法はとしてはス
パッタ法、真空蒸着法、スクリーン印刷法、ゾルゲル法
などがある。さらにＩＴＯ膜４３の上にレジストを塗布
して乾燥させてから、上方からの露光及び現像工程を経
て図９（ｄ）に示す如くパターニングされたレジストＲ
を形成する。そして、このパターニングされたレジスト
Ｒを介して図９（ｄ）に示すようにＩＴＯ膜４３をエッ
チングする。エッチング液としては、例えば「ＨＣｌ：
ＨＮＯ₃ ：Ｈ₂ Ｏ＝５０：４：５０」の溶液を使用す
る。

【００３９】ＩＴＯ膜４３をエッチングによりパターニ
ングした後、所定の剥離液を用いてレジストＲを剥離
し、水洗して乾燥させることにより図９（ｆ）に示すよ
うに金属電極４２を覆うようにして透明電極４４を形成
する。

【００４０】本実施形態においては、ガラス基板に形成
した凹部内に金属電極が埋設された状態となるので、金
属ペーストを使用しても盛り上がらない金属電極を形成
することができる。したがって、薄い電極を形成したい
場合に有効である。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、ＰＤ
Ｐの前面板又は背面板を構成するガラス基板上に設けら
れる電極を、金属電極とその上に積層した透明電極とで
構成したので、金属電極が透明電極に覆われて保護され
ることから、金属電極に酸化しやすいもの使用したとし
ても、基板上に電極を形成した後の焼成時等における金
属電極の酸化が防止される。したがって、電極取出し部
において酸化金属膜を取り除くための研磨を必要としな
い。また、電極の形成時には、先に不透明な金属膜をパ
ターニングするため、別途アライメントマークを設けな
くても、透明導電膜をパターニングする際のワークとマ
スクのアライメントを容易に行うことができるという利
点もある。

【００４２】特に、ＡＣ型ＰＤＰの前面板に形成する複
合電極において、バス電極の金属をＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの
積層構造にした場合、その製造工程においてＣｒ／Ｃｕ
／Ｃｒの金属膜をエッチングにより順にパターニングす
る際に、従来のようにＩＴＯの維持電極が下にないた
め、上層のＣｒ膜と下層のＣｒ膜のエッチングに同一の
エッチング液を使用できることから、製造装置を簡略化
することができ、仮に金属膜の各層にピンホールが存在
しても大きな影響が出ない。また、バス電極の金属を金
属の単層構造とした場合、バス電極の形成が簡単に行
え、したがって製造工程を簡略化できる。

【００４３】ＡＣ型ＰＤＰの前面板に設ける複合電極の
場合、金属電極（バス電極）は一般に低抵抗であること
は勿論、薄く形成することが求められる。すなわち、金
属電極の厚みが大きくなると前面板と背面板のバリヤー
リブとの間の距離が大きくなって誤放電の原因となるか
らである。したがって、通常はスパッタ法、真空蒸着
法、メッキ法などにより幅の広い薄膜で形成している。
しかしながら、基板に凹部を形成しその凹部内に金属電
極を設けることにより、当該金属電極の厚みが稼げるこ
とになるので、金属ペーストを使用して簡単に形成する
ことが可能となり、しかも比較的高抵抗の金属材料を使
用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルの一
構成例を示す断面図である。

【図２】従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルにお
ける前面板の複合電極を形成する工程を示す前半の工程
図である。

【図３】同じく後半の工程図である。

【図４】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの電
極の一構成例をその形成手順で説明するための前半の工
程図である。

【図５】同じく後半の工程図である。

【図６】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの電
極の別の構成例をその形成手順で説明するための後半の
工程図である。

【図７】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの電
極のさらに別の構成例をその形成手順で説明するための
前半の工程図である。

【図８】同じく後半の工程図である。

【図９】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの電
極のさらに別の構成例をその形成手順で説明するための
工程図である。

【符号の説明】

２０ ガラス基板 ２１ 金属膜（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ） ２２ 金属電極 ２３ ＩＴＯ膜（透明導電膜） ２４ 透明電極 ３０ ガラス基板 ３１ Ａｌ膜 ３２ 金属電極 ３３ ＩＴＯ膜（透明導電膜） ３４ 透明電極 ４０ ガラス基板 ４１ 凹部 ４２ 金属電極 ４３ ＩＴＯ膜（透明導電膜） ４４ 透明電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羽鳥 桜子 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 福田 政典 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラズマディスプレイパネルの前面板又
   は背面板を構成するガラス基板上に設けられる電極であ
   って、金属電極とその上に積層した透明電極とからなる
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの電極。
2. 【請求項２】 前記透明電極が前記金属電極を覆ってい
   る請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの電
   極。
3. 【請求項３】 前記透明電極がＩＴＯである請求項１又
   は２に記載のプラズマディスプレイパネルの電極。
4. 【請求項４】 前記金属電極をＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの三層
   構造とした請求項１，２又は３に記載のプラズマディス
   プレイパネルの電極。
5. 【請求項５】 前記金属電極を金属の単層構造とした請
   求項１，２又は３に記載のプラズマディスプレイパネル
   の電極。
6. 【請求項６】 前記ガラス基板に電極パターンに対応し
   た凹部を形成し、その凹部内に前記金属電極を設けた請
   求項５に記載のプラズマディスプレイパネルの電極。