JP2790884B2 - 導体パターンの形成方法 - Google Patents
導体パターンの形成方法Info
- Publication number
- JP2790884B2 JP2790884B2 JP4208390A JP4208390A JP2790884B2 JP 2790884 B2 JP2790884 B2 JP 2790884B2 JP 4208390 A JP4208390 A JP 4208390A JP 4208390 A JP4208390 A JP 4208390A JP 2790884 B2 JP2790884 B2 JP 2790884B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating layer
- pattern
- resist film
- etching
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 導体パターンの形成方法に関し、 サイドエッチングを抑制するようにして導体パターン
の細線化を可能にすることを目的とし、 基板上にパネルめっき層を形成する工程と、上記形成
されたパネル層上にめっきレジスト膜を形成する工程
と、上記形成されためっきレジスト膜を導体パターンに
対応して除去する工程と、除去された部分にパターンめ
っき層を形成する工程と、 上記形成されたパターンめっき層の上面にエッチング
レジスト層を形成する工程と、この後、上記めっきレジ
スト膜を除去する工程と、上記パネルめっき層のうち上
記パターンめっき層以外の部分を除去すべくエッチング
する工程とよりなり、上記基板上に、上記パターンめっ
き層と上記パネルめっき層のうち上記パターンめっき層
に対応する部分とよりなる導体パターンを形成する方法
において、上記めっきレジスト膜を、上記パネルめっき
層に接する部分がキレート剤無しのめっきレジスト膜で
あり、これより上層側がキレート剤入りのめっきレジス
ト膜である二層構造とし、この二層構造のめっきレジス
ト膜を上記導体パターンに対応して除去して、ここに上
記パターンめっき層を形成し、上記キレート剤入りめっ
きレジスト膜に接する上記パターンめっき層の側面に上
記キレート剤によるエッチングレジスト性を有する有機
被膜を形成し、上記めっきレジスト膜が除去され、上面
に有機被膜を有さずに、上記パネルめっき層が露出さ
れ、側面に上記有機被膜を有してパターンめっき層が露
出されたものに対してエッチングを行うよう構成する。
の細線化を可能にすることを目的とし、 基板上にパネルめっき層を形成する工程と、上記形成
されたパネル層上にめっきレジスト膜を形成する工程
と、上記形成されためっきレジスト膜を導体パターンに
対応して除去する工程と、除去された部分にパターンめ
っき層を形成する工程と、 上記形成されたパターンめっき層の上面にエッチング
レジスト層を形成する工程と、この後、上記めっきレジ
スト膜を除去する工程と、上記パネルめっき層のうち上
記パターンめっき層以外の部分を除去すべくエッチング
する工程とよりなり、上記基板上に、上記パターンめっ
き層と上記パネルめっき層のうち上記パターンめっき層
に対応する部分とよりなる導体パターンを形成する方法
において、上記めっきレジスト膜を、上記パネルめっき
層に接する部分がキレート剤無しのめっきレジスト膜で
あり、これより上層側がキレート剤入りのめっきレジス
ト膜である二層構造とし、この二層構造のめっきレジス
ト膜を上記導体パターンに対応して除去して、ここに上
記パターンめっき層を形成し、上記キレート剤入りめっ
きレジスト膜に接する上記パターンめっき層の側面に上
記キレート剤によるエッチングレジスト性を有する有機
被膜を形成し、上記めっきレジスト膜が除去され、上面
に有機被膜を有さずに、上記パネルめっき層が露出さ
れ、側面に上記有機被膜を有してパターンめっき層が露
出されたものに対してエッチングを行うよう構成する。
本発明は導体パターンの形成方法に関する。
近年、プリント配線板においては、部品実装の高密度
に対応すべく、導体パターンを細線化して高密度に配す
ることが要求されている。
に対応すべく、導体パターンを細線化して高密度に配す
ることが要求されている。
導体パターンの幅は、従来、最小でも100μｍ程度で
あったものが、その半分の50μｍ程度にまで細線化する
ことが必要となってきている。
あったものが、その半分の50μｍ程度にまで細線化する
ことが必要となってきている。
そこで、これに対応すべく、微細な導体パターンを信
頼性良く形成することのできる方法の開発が必要とされ
ている。
頼性良く形成することのできる方法の開発が必要とされ
ている。
第３図（Ａ）乃至（Ｈ）は従来の導体パターンの形成
方法の１例を示す。
方法の１例を示す。
まず、同図（Ａ），（Ｂ）に示すように表面に銅箔２
を有する基板１の表面に、パネル銅めっきをして、パネ
ル銅めっき層３を形成する。
を有する基板１の表面に、パネル銅めっきをして、パネ
ル銅めっき層３を形成する。
次に、同図（Ｃ）に示すように、パネル銅めっき層３
の表面にめっきレジスト膜４を形成し、導体パターンの
マスク５を載せる。
の表面にめっきレジスト膜４を形成し、導体パターンの
マスク５を載せる。
導体パターンマスク５のパターン６の幅（フィルム
幅）はW1である。
幅）はW1である。
次に露出し、現像して、同図（Ｄ）に示すように、め
っきレジスト膜４のＳパターン６に対応する部分を除去
する。７は除去された部分を示す。
っきレジスト膜４のＳパターン６に対応する部分を除去
する。７は除去された部分を示す。
次に、同図（Ｅ）に示すように、電界めっきによりパ
ターン銅めっきを行い、上記の除去された部分７に、パ
ターン銅めっき層８を形成する。
ターン銅めっきを行い、上記の除去された部分７に、パ
ターン銅めっき層８を形成する。
次に、同図（Ｆ）に示すように、電界めっきによりエ
ッチングレジストめっきを行い、上記のパターン銅めっ
き層８のの上面にエッチングレジストめっき層９を形成
する。
ッチングレジストめっきを行い、上記のパターン銅めっ
き層８のの上面にエッチングレジストめっき層９を形成
する。
次に、同図（Ｇ）に示すように、めっきレジスト膜４
を除去する。これにより、パネル銅めっき層３上に、パ
ターン銅めっき層８とエッチングレジストめっき層９と
の二層構造部分が残置された状態となる。
を除去する。これにより、パネル銅めっき層３上に、パ
ターン銅めっき層８とエッチングレジストめっき層９と
の二層構造部分が残置された状態となる。
次に、これをエッチングし、パネル銅めっき層３及び
銅箔２を除去し、同図（Ｈ）に示すように、基板１上に
導体パターン10が形成される。
銅箔２を除去し、同図（Ｈ）に示すように、基板１上に
導体パターン10が形成される。
金箔２の厚さt1は約10μm,パネル銅めっき層３の厚さ
t2は約10μm,めっきレジスト膜４の厚さt3は約80μｍで
あり、導体パターン10の厚さt4は約100μｍである。
t2は約10μm,めっきレジスト膜４の厚さt3は約80μｍで
あり、導体パターン10の厚さt4は約100μｍである。
第１図（Ｇ）の状態において、パターン銅めっき層８
は、その両側の側面8a,8bが露出した状態にあり、エッ
チング時には、エッチング液は、第４図中矢印20で示す
ように、パネル銅めっき層３の上面に使用すると共に、
矢印21で示すように、上記パターン銅めっき層８の側面
8aにも作用する。なお、エッチング液は矢印22で示すよ
うに、パターン銅めっき層８の上面8cにも作用するけれ
ども、エッチングレジストめっき層９によって上面8cか
らのエッチングは制限されている。
は、その両側の側面8a,8bが露出した状態にあり、エッ
チング時には、エッチング液は、第４図中矢印20で示す
ように、パネル銅めっき層３の上面に使用すると共に、
矢印21で示すように、上記パターン銅めっき層８の側面
8aにも作用する。なお、エッチング液は矢印22で示すよ
うに、パターン銅めっき層８の上面8cにも作用するけれ
ども、エッチングレジストめっき層９によって上面8cか
らのエッチングは制限されている。
このため、パターン銅めっき層８の側面8a,8bも本来
除去れるべきパネル銅めっき層３の上面と同程度に溶解
し、エッチングは、第４図中二点鎖線→→で示す
ように進行して終了する。
除去れるべきパネル銅めっき層３の上面と同程度に溶解
し、エッチングは、第４図中二点鎖線→→で示す
ように進行して終了する。
従って、サイドエッチング量Ａが銅箔２とパネル銅め
っき層３とを合せた厚さＢと同程度になって相当に大と
なる。
っき層３とを合せた厚さＢと同程度になって相当に大と
なる。
またサイドエッチング量Ａは一般的に制御ができず、
場所によってはＢよりも大となる場合もある。
場所によってはＢよりも大となる場合もある。
この結果、導体パターン10は、理想的には、第３図
（Ｈ）中二点鎖線で示すように、厚さ方向に亘って同一
幅（パターン６の幅W1）であり、断面四角形状のもので
あるべきところが、実際には中央部が相当にくびれて幅
挾（W2）となったものとなってしまう。25は理想的な導
体パターンを示す。
（Ｈ）中二点鎖線で示すように、厚さ方向に亘って同一
幅（パターン６の幅W1）であり、断面四角形状のもので
あるべきところが、実際には中央部が相当にくびれて幅
挾（W2）となったものとなってしまう。25は理想的な導
体パターンを示す。
従って、従来の導体パターンは上記のサイドエッチン
グ量Ａを加味する必要があり、幅は100μｍが限度であ
り、それより幅挟とすると、導体パターン10の導体抵抗
が高くなり、また導体パターン10基板１への密着強度が
場所によっては角低下して剥離し易くなるため、更に細
線化を図ることは実際上困難であった。
グ量Ａを加味する必要があり、幅は100μｍが限度であ
り、それより幅挟とすると、導体パターン10の導体抵抗
が高くなり、また導体パターン10基板１への密着強度が
場所によっては角低下して剥離し易くなるため、更に細
線化を図ることは実際上困難であった。
本発明はサイドエッチングを抑制するようにして導体
パターンの細線化を可能とする導体パターンの形成方法
を提供することを目的とする。
パターンの細線化を可能とする導体パターンの形成方法
を提供することを目的とする。
本発明は、基板上にパネルめっき層を形成する工程
と、 上記形成されたパネル層上にめっきレジスト膜を形成
する工程と、 上記形成されためっきレジスト膜を導体パターンに対
応して除去する工程と、 除去された部分にパターンめっき層を形成する工程
と、 上記形成されたパターンめっき層の上面にエッチング
レジスト層を形成する工程と、 この後、上記めっきレジスト膜を除去する工程と、 上記パネルめっき層のうち上記パターンめっき層以外
の部分を除去すべくエッチングする工程とよりなり、 上記基板上に、上記パターンめっき層と上記パネルめ
っき層のうち上記パターンめっき層に対応する部分とよ
りなる導体パターンを形成する方法において、 上記めっきレジスト膜を、上記パネルめっき層に接す
る部分がキレート剤無しのめっきレジスト膜であり、こ
れより上層側がキレート剤入りのめっきレジスト膜であ
る二層構造とし、 この二層構造のめっきレジスト膜を上記導体パターン
に対応して除去して、ここに上記パターンめっき層を形
成し、 上記キレート剤入りめっきレジスト膜に接する上記パ
ターンめっき層の側面に上記キレート剤によるエッチン
グレジスト性を有する有機被膜を形成し、 上記めっきレジスト膜が除去され、上面に有機被膜を
有さずに、上記パネルめっき層が露出され、側面に上記
有機被膜を有してパターンめっき層が露出されたものに
対してエッチングを行う構成である。
と、 上記形成されたパネル層上にめっきレジスト膜を形成
する工程と、 上記形成されためっきレジスト膜を導体パターンに対
応して除去する工程と、 除去された部分にパターンめっき層を形成する工程
と、 上記形成されたパターンめっき層の上面にエッチング
レジスト層を形成する工程と、 この後、上記めっきレジスト膜を除去する工程と、 上記パネルめっき層のうち上記パターンめっき層以外
の部分を除去すべくエッチングする工程とよりなり、 上記基板上に、上記パターンめっき層と上記パネルめ
っき層のうち上記パターンめっき層に対応する部分とよ
りなる導体パターンを形成する方法において、 上記めっきレジスト膜を、上記パネルめっき層に接す
る部分がキレート剤無しのめっきレジスト膜であり、こ
れより上層側がキレート剤入りのめっきレジスト膜であ
る二層構造とし、 この二層構造のめっきレジスト膜を上記導体パターン
に対応して除去して、ここに上記パターンめっき層を形
成し、 上記キレート剤入りめっきレジスト膜に接する上記パ
ターンめっき層の側面に上記キレート剤によるエッチン
グレジスト性を有する有機被膜を形成し、 上記めっきレジスト膜が除去され、上面に有機被膜を
有さずに、上記パネルめっき層が露出され、側面に上記
有機被膜を有してパターンめっき層が露出されたものに
対してエッチングを行う構成である。
めっきレジスト膜を二層構造とすることにより、エッ
チング前にの状態で、パターンめっき層は上面に有機被
膜を有さず、パターンめっき層は側面に有機被膜を有す
る状態となる。
チング前にの状態で、パターンめっき層は上面に有機被
膜を有さず、パターンめっき層は側面に有機被膜を有す
る状態となる。
これにより、パネルめっき層の側面についてはエッチ
ングが制限され、またパネルめっき層はサイドエッチン
グを抑制される。
ングが制限され、またパネルめっき層はサイドエッチン
グを抑制される。
〔実施例〕 第１図（Ａ）乃至（Ｉ）は本発明の導体パターンの形
成方法の一実施例を示す。各図中、第３図（Ａ）乃至
（Ｈ）に示す構成部分と対応する部分には同一符号を付
す。
成方法の一実施例を示す。各図中、第３図（Ａ）乃至
（Ｈ）に示す構成部分と対応する部分には同一符号を付
す。
第１図（Ａ），（Ｂ）は、従来例を示す第３図
（Ａ），（Ｂ）と同じであり、基板１上に銅箔2,及びパ
ネル銅めっき層３が形成される。
（Ａ），（Ｂ）と同じであり、基板１上に銅箔2,及びパ
ネル銅めっき層３が形成される。
次に、同図（Ｃ）に示すように、パネル銅めっき層３
の上面に、キレート剤が混入されていないキレート剤無
しレジスト膜30を極く薄く（厚さt5は約５μｍ）形成す
る。
の上面に、キレート剤が混入されていないキレート剤無
しレジスト膜30を極く薄く（厚さt5は約５μｍ）形成す
る。
次いで、同図（Ｄ）に示すように、図示の便宜上小円
で示すキレート剤32が混入されたキレート剤入りのレジ
スト膜31を厚さt6＝約75μｍの厚さに形成する。従っ
て、レジスト膜は、パネル銅めっき層３に接する極く薄
い部分がキレート剤無しのレジスト膜30であり、レジス
ト膜の大部分を占める残りの部分がキレート剤入りのレ
ジスト膜31である二層構造である。
で示すキレート剤32が混入されたキレート剤入りのレジ
スト膜31を厚さt6＝約75μｍの厚さに形成する。従っ
て、レジスト膜は、パネル銅めっき層３に接する極く薄
い部分がキレート剤無しのレジスト膜30であり、レジス
ト膜の大部分を占める残りの部分がキレート剤入りのレ
ジスト膜31である二層構造である。
ここで、キレート剤の成分は、エチレンジアミン四酢
酸類，ニトリロ三酢酸類，ウラミル二酢酸類，ポリフィ
リン類，フタロシアニン類等である。
酸類，ニトリロ三酢酸類，ウラミル二酢酸類，ポリフィ
リン類，フタロシアニン類等である。
更に、レジスト膜31上に導体パターンマスク５を載置
し、露光，現像して同図（Ｅ）に示すように、上層のレ
ジスト膜31のうちのパターン６に対応する部分と、下層
のレジスト膜30のうちのパターン６に対応する部分を除
去する。
し、露光，現像して同図（Ｅ）に示すように、上層のレ
ジスト膜31のうちのパターン６に対応する部分と、下層
のレジスト膜30のうちのパターン６に対応する部分を除
去する。
次に、第１図（Ｆ），（Ｇ）に示すように、従来例の
第３図（Ｅ），（Ｆ）と同様に、電界めっきにより、パ
ネル銅めっき層及びエッチングレジストめっきを順次行
ない、除去された部分７に、パターン銅めっき層８、更
にこの上面にエッチングレジストめっき層９を形成す
る。
第３図（Ｅ），（Ｆ）と同様に、電界めっきにより、パ
ネル銅めっき層及びエッチングレジストめっきを順次行
ない、除去された部分７に、パターン銅めっき層８、更
にこの上面にエッチングレジストめっき層９を形成す
る。
この状態で、レジスト膜31中のキレート剤がパターン
銅めっき層８の両側の側面8a,8bの銅とが化学反応を起
こし、パターン銅めっき層８の側面8a,8bに、クロスハ
ッチングで示す有機被膜33,34が形成される。
銅めっき層８の両側の側面8a,8bの銅とが化学反応を起
こし、パターン銅めっき層８の側面8a,8bに、クロスハ
ッチングで示す有機被膜33,34が形成される。
この有機被膜33,34はエッチングレジスト性を有す
る。
る。
キレート剤無しレジスト膜30の存在により、パネル銅
めっき層３の上面にはキレート剤は接していず、パネル
銅めっき層３の上面には有機被膜は形成されない。
めっき層３の上面にはキレート剤は接していず、パネル
銅めっき層３の上面には有機被膜は形成されない。
次いで、第１図（Ｈ）に示すように、レジスト膜30,3
1を除去する。
1を除去する。
この状態でエッチングを行い、パネル銅めっき層３及
び銅箔２を除去し、同図（Ｉ）に示すように導体パター
ン35が基板１上に形成される。
び銅箔２を除去し、同図（Ｉ）に示すように導体パター
ン35が基板１上に形成される。
エッチング時、エッチング液は、第２図中矢印20,21,
22で示すように、第４図に示す従来の場合と同様に、パ
ネル銅めっき層３の上面に作用すると共に、パターン銅
めっき層８の側面8aにも上面8cにも作用する。
22で示すように、第４図に示す従来の場合と同様に、パ
ネル銅めっき層３の上面に作用すると共に、パターン銅
めっき層８の側面8aにも上面8cにも作用する。
しかし、上面8c側についてはエッチングレジストめっ
き層９によりエッチングを制限され側面8a側については
有機被膜33によりエッチングを制限される。
き層９によりエッチングを制限され側面8a側については
有機被膜33によりエッチングを制限される。
このため、エッチングは、専らパネル銅めっき層３に
対して行われ、最初に銅めっき層３、続いて銅箔２が溶
解する。
対して行われ、最初に銅めっき層３、続いて銅箔２が溶
解する。
パネル銅めっき層３及び銅泊２は、専ら厚さ方向に溶
解し、この厚さ方向へのエッチングの進行度を「１」と
すると、パターン銅めっき層８の下側へ食い込む方向の
エッチングの進行度は約「0.5」である。
解し、この厚さ方向へのエッチングの進行度を「１」と
すると、パターン銅めっき層８の下側へ食い込む方向の
エッチングの進行度は約「0.5」である。
これにより、エッチングは、第２図中二点鎖線→
→で示すように進行して終了する。
→で示すように進行して終了する。
サイドエッチング量Ｃは、銅箔２とパネル銅めっき層
３とを合わせた厚さＡの約半分、即ち、従来の導体パタ
ーンの形成方法により生じたサイドエッチング量の約半
分に抑えられる。
３とを合わせた厚さＡの約半分、即ち、従来の導体パタ
ーンの形成方法により生じたサイドエッチング量の約半
分に抑えられる。
換言すれば、導体パターンマスク５のパターン６の幅
をW1,従来の形成方法により形成された導体パターン10
（第３図（Ｈ））の最小幅をW2,本実施例の形成方法に
より形成された導体パターン35の最小幅をW3とすると、 （W1−W2）＞（W1−W1） となる。
をW1,従来の形成方法により形成された導体パターン10
（第３図（Ｈ））の最小幅をW2,本実施例の形成方法に
より形成された導体パターン35の最小幅をW3とすると、 （W1−W2）＞（W1−W1） となる。
従って、導体パターン35は、厚さ方向に亘ってパター
ン６の幅W1を略維持して形成され、従来の方法により形
成された導体パターンよりも、理想的なな導体パターン
25に近いものとなる。
ン６の幅W1を略維持して形成され、従来の方法により形
成された導体パターンよりも、理想的なな導体パターン
25に近いものとなる。
従って、上記の実施例によれば、導体パターンマスク
５のパターン６の幅W1の寸法を、従来の最小幅100μｍ
の半分の50μｍとした場合でも、導体抵抗が不要に増さ
ず、しかも基板１との密着強度の高い、高品質の導体パ
ターンを形成できる。
５のパターン６の幅W1の寸法を、従来の最小幅100μｍ
の半分の50μｍとした場合でも、導体抵抗が不要に増さ
ず、しかも基板１との密着強度の高い、高品質の導体パ
ターンを形成できる。
なお、上記のレジスト膜30,31をレジストを塗布する
のではなく、二層構造のフィルム状のレジストフィルム
を接着してもよい。
のではなく、二層構造のフィルム状のレジストフィルム
を接着してもよい。
以上説明した様に、本発明によれば、エッチング前の
状態を、パネルめっき層は上面に有機被膜を有さずに、
パターンめっき層は側面にエッチングレジスト性を有す
る有機被膜を有する状態とし得る。これによりパネルめ
っき層の側面についてはエッチングが制限され、且つパ
ターンめっき層はパネルめっき層の下側に食い込む方向
のサイドエッチングが抑制され、その分、従来に比べ
て、細幅の導体パターンを、導体抵抗の不要な増加及び
導体パターンの基板に対する密着強度の不要な低下を伴
わずに、安定に製造することが出来る。
状態を、パネルめっき層は上面に有機被膜を有さずに、
パターンめっき層は側面にエッチングレジスト性を有す
る有機被膜を有する状態とし得る。これによりパネルめ
っき層の側面についてはエッチングが制限され、且つパ
ターンめっき層はパネルめっき層の下側に食い込む方向
のサイドエッチングが抑制され、その分、従来に比べ
て、細幅の導体パターンを、導体抵抗の不要な増加及び
導体パターンの基板に対する密着強度の不要な低下を伴
わずに、安定に製造することが出来る。
第１図は本発明の導体パターンの形成方法の一実施例を
示す図、 第２図は第１図（Ｉ）のエッチングの進行を説明する
図、 第３図は従来の導体パターンの形成方法を示す。 第４図は第３図（Ｈ）のエッチングの進行を説明する図
である。 図において、 １は基板、 ２は銅箔、 ３はパネル銅めっき層、 ４はめっきレジスト膜、 ５は導体パターンマスク、 ６はパターン、 ７は除去される部分、 ８はパターン銅めっき層、 8a,8bは側面、 20,21,22はエッチング液の作用を示す矢印、 25は理想的な導体パターン、 30はキレート剤無しレジスト膜、 31はキレート剤入りレジスト膜、 32はキレート剤、 33,34は有機被膜、 35は導体パターン を示す。
示す図、 第２図は第１図（Ｉ）のエッチングの進行を説明する
図、 第３図は従来の導体パターンの形成方法を示す。 第４図は第３図（Ｈ）のエッチングの進行を説明する図
である。 図において、 １は基板、 ２は銅箔、 ３はパネル銅めっき層、 ４はめっきレジスト膜、 ５は導体パターンマスク、 ６はパターン、 ７は除去される部分、 ８はパターン銅めっき層、 8a,8bは側面、 20,21,22はエッチング液の作用を示す矢印、 25は理想的な導体パターン、 30はキレート剤無しレジスト膜、 31はキレート剤入りレジスト膜、 32はキレート剤、 33,34は有機被膜、 35は導体パターン を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 3/06,3/10 - 3/24,3/38
Claims (1)
- 【請求項１】基板（１）上にパネルめっき層（３）を形
成する工程（第１図（Ｂ））と、 上記形成されたパネルめっき層（３）上にめっきレジス
ト膜を形成する工程と、 上記形成されためっきレジスト膜を導体パターンに対応
して除去する工程（第１図（Ｅ））と、 除去された部分にパターンめっき層（８）を形成する工
程（第１図（Ｆ））と、 上記形成されたパターンめっき層の上面にエッチングレ
ジスト層（９）を形成する工程（第１図（Ｇ））と、 この後、上記めっきレジスト膜を除去する工程（第１図
（Ｈ））と、 上記パネルめっき層のうち上記パターンめっき層以外の
部分を除去すべくエッチングする工程（第１図（Ｉ））
とよりなり、 上記基板上に、上記パターンめっき層と上記パネルめっ
き層のうち上記パターンめっき層に対応する部分とより
なる導体パターンを形成する方法において、 上記めっきレジスト膜を、上記パネルめっき層に接する
部分がキレート剤無しのめっきレジスト膜（30）であ
り、これより上層側がキレート剤入りのめっきレジスト
膜（31）である二層構造とし（第１図（Ｄ））、 この二層構造のめっきレジスト膜を上記導体パターンに
対応して除去して、ここに上記パターンめっき層（８）
を形成し（第１図（Ｆ））、 上記キレート剤入りめっきレジスト膜（31）に接する上
記パターンめっき層の側面に上記キレート剤によるエッ
チングレジスト性を有する有機被膜（33,34）を形成
し、 上記めっきレジスト膜が除去され、上面に有機被膜を有
さずに、上記パネルめっき層（３）が露出され、側面に
上記有機被膜（33,34）を有してパターンめっき層
（８）が露出されたものに対してエッチングを行うこと
を特徴とする導体パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4208390A JP2790884B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 導体パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4208390A JP2790884B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 導体パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03244185A JPH03244185A (ja) | 1991-10-30 |
| JP2790884B2 true JP2790884B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=12626150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4208390A Expired - Fee Related JP2790884B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 導体パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2790884B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040028458A (ko) * | 2002-09-30 | 2004-04-03 | (주)울텍 | 편평한 구리 기판에 미세 패턴의 단차가 있는 구리 도금방법 |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP4208390A patent/JP2790884B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03244185A (ja) | 1991-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6562250B1 (en) | Method for manufacturing wiring circuit boards with bumps and method for forming bumps | |
| JP3226489B2 (ja) | 回路付きサスペンション基板 | |
| JP2790884B2 (ja) | 導体パターンの形成方法 | |
| JPH05259639A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| WO1988005252A1 (en) | Method for the manufacture of multilayer printed circuit boards | |
| JPH01290289A (ja) | 導体パターン形成方法 | |
| JP3941463B2 (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP3080508B2 (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| JPH1117315A (ja) | 可撓性回路基板の製造法 | |
| JPH06252529A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2517277B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH03225894A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPS61113296A (ja) | プリント回路板の製造方法 | |
| JP3056865B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP3130707B2 (ja) | プリント基板およびその製造方法 | |
| JPH06314724A (ja) | 半導体素子搭載用両面配線基板，及びそれを用いた半導 体装置 | |
| JP3688940B2 (ja) | 可撓性回路基板の配線パタ−ン形成法 | |
| JPH05327184A (ja) | 電子部品搭載用基板の製造方法 | |
| JPS59175797A (ja) | 多層プリント板の製造方法 | |
| JPH01217994A (ja) | 印刷配線板 | |
| JPH0730233A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH0738497B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH02105494A (ja) | 印刷配線板およびその製造方法 | |
| JPH05175640A (ja) | プリント基板製造方法 | |
| JPH0366831B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |