JP3226489B2 - 回路付きサスペンション基板 - Google Patents

回路付きサスペンション基板

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JP3226489B2
JP3226489B2 JP03702998A JP3702998A JP3226489B2 JP 3226489 B2 JP3226489 B2 JP 3226489B2 JP 03702998 A JP03702998 A JP 03702998A JP 3702998 A JP3702998 A JP 3702998A JP 3226489 B2 JP3226489 B2 JP 3226489B2
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泰人 大脇
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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は絶縁層の上に導体回
路が設置され、該導体回路の上にカバレーが設置され、
該カバレーを貫通して上記導体回路と導通する端子が設
置されて成る、ハードディスク装置等の磁気ディスク装
置に用いられる図12に示すような回路付きサスペンシ
ョン基板に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の高速化、高機能化に伴
い、半導体素子や磁気ヘッドなどの電子部品を搭載する
回路板には種々な形状の微細加工が要求され、その加工
精度が電子機器の信頼性を左右すると言っても過言では
ない。
【0003】回路付きサスペンション基板には磁気抵抗
素子を接続するための端子が設置されており、端子の表
面は銅、ニッケル、金等から成る。従来の回路付きサス
ペンション基板の端子は、例えば、導体回路表面に所定
の電解金属めっき処理をした後、その上に貫通孔を有す
るカバレーを設置することにより形成した。即ち、その
端子部分は、例えば、図4に示すように、カバレーの貫
通孔(33)から露出した上記金属めっき表面が端子表
面となる構造となっている。図4においては、端子
(8)の表面は電解金めっき薄膜から成る。そして、こ
のような回路付きサスペンション基板に実装される磁気
抵抗素子の端子と回路付きサスペンション基板の端子
は、通常、金属ボールによって接続される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図4に
示した従来の回路付きサスペンション基板の端子部分で
は、カバレー表面と端子表面(導体回路表面)に、通
常、カバレーの厚みに相当する4μm以上の段差(3
0)があり、図5に示すように、その段差(30)が原
因で、上記金属ボール(34)による磁気抵抗素子の端
子(32)と回路付きサスペンション基板の端子(8)
の接続に不良を生じる。即ち、図5において、金属ボー
ル(34)は回路付きサスペンション基板の端子(8)
と接触しているが、磁気抵抗素子の端子(32)とは接
触していない。
【0005】本発明は以上のような問題を解決するため
になされたものであって、回路付きサスペンション基板
に実装される磁気抵抗素子の端子と回路付きサスペンシ
ョン基板の端子の接続に高い信頼性が得られる回路付き
サスペンション基板を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による回路付きサ
スペンション基板は、絶縁層の上に導体回路が設置さ
れ、該導体回路の上にカバレーが設置され、該カバレー
を貫通して上記導体回路と導通する端子が設置されて成
る回路付きサスペンション基板において、前記端子は磁
気抵抗素子の端子と金属ボールによって接続されるもの
であり、端子表面がカバレー表面より下にあって、カバ
レー表面と端子表面の段差が3μm以下であることを特
徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の回路付きサスペンション
基板は、図1に示したように、絶縁層(2)の上に導体
回路(1)が設置され、該導体回路の上にカバレー
(3)が設置され、該カバレーを貫通して上記導体回路
と導通する端子(4)が設置されて成る回路付きサスペ
ンション基板であって、端子表面がカバレー表面より下
にあり、カバレー表面と端子表面の段差(30)が極め
て小さいものである。
【0008】本発明において、該段差は3μm以下であ
るが、2μm以下であることがより好ましく、理想的に
は1μm以下であるのが良い。
【0009】そして、本発明の回路付きサスペンション
基板に実装される磁気抵抗素子の端子と回路付きサスペ
ンション基板の端子は、図2に示したように、金属ボー
ル(34)によって接続される。図2において、金属ボ
ール(34)は磁気抵抗素子の端子(32)と回路付き
サスペンション基板の端子(4)の両方に接している。
【0010】金属ボールの材質としては、半田、金等が
挙げられるが特に、金が好ましい。金ボールによる端子
の接続は、通常、ゴールドボールボンディング法で行う
ことができる。即ち、金線の先端を回路付きサスペンシ
ョン基板及び磁気抵抗素子の端子部分に接触させると同
時に金線の先端に局部的な高熱をかけて金を溶融し、金
ボールを形成させ両端子間に金ボールを付着させ両端子
を接続することができる。
【0011】本発明の回路付きサスペンション基板は、
図2に示したような、回路付きサスペンション基板の端
子表面と磁気抵抗素子の端子表面が垂直の関係にある場
合に、特に好ましく用いられる。
【0012】本発明の回路付きサスペンション基板は、
少なくとも絶縁層の上に導体回路が設置されている構成
を有するものであり、図3のように絶縁層(2)の下に
金属基材(5)が設置されているもの等を含む。
【0013】本発明において、導体回路の材質として
は、銅、アルミ、タングステン等が挙げられるが、通
常、銅が用いられる。また、導体回路の厚みは、通常、
1〜50μmである。
【0014】本発明において、絶縁層の材質としては、
ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等が
挙げられるが、ポリイミド樹脂が好ましい。また、絶縁
層の厚みは、通常、3〜50μmである。
【0015】本発明において、カバレーの材質として
は、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂
等が挙げられるが、ポリイミド樹脂が好ましい。また、
カバレーの厚みは、通常、1〜25μm、好ましくは、
5〜25μmである。なお、カバレーと前記絶縁層と
は、材質あるいは厚みが同じであっても異なっていても
良い。
【0016】本発明において、図3に示したように、絶
縁層(2)の下に金属基材(5)を設置する場合、その
金属基材の材質としてはステンレス、リン青銅、銅等が
挙げられるが、ステンレスが好ましい。また、金属基材
の厚みは、通常、5〜50μmである。
【0017】次に、本発明の回路付きサスペンション基
板の製造方法について、図3に示したような、絶縁層
(2)の下に金属基材(5)が設置された回路付きサス
ペンション基板を例にして説明する。なお、ここで、説
明をより具体的にするため、図3において、導体回路
(1)は銅、絶縁層(2)及びカバレー(3)はポリイ
ミド樹脂、金属基材(5)はステンレス基材から成るも
のとするが、本発明の回路付きサスペンション基板板の
製造方法はこれらになんら限定されるものではない。
【0018】まず、図6に示すように、予め任意の形状
に加工したステンレス基材(5)の上に絶縁層(2)と
してポリイミド樹脂の被膜を形成する。ポリイミド樹脂
は熱硬化性ポリイミド樹脂でも感光性ポリイミド樹脂で
もよいが絶縁層をパターン形成する場合は、感光性ポリ
イミド樹脂の方が好ましい。
【0019】感光性ポリイミド樹脂を用いて、パターン
化した絶縁層を形成するには、感光性ポリイミド樹脂前
駆体をまず、上記ステンレス基材の全面に塗布した後、
所定のフォトマスクを介して露光し、現像すれば良い。
【0020】次に、図7に示すように、絶縁層の上に、
スパッタリングによりクロム薄膜(9)と銅薄膜(1
0)を順次形成する。
【0021】そして、図8に示すように、銅薄膜(1
0)の上に電解銅めっきを行って銅から成る導体回路パ
ターン(1)を形成する。このような導体回路パターン
は、まず、導体回路パターンと逆パターンのレジストを
上記銅薄膜の上に形成した後で、露出した銅薄膜の上
に、電解銅めっきを行い、レジストを除去することによ
って形成することができる。レジスト除去後、導体回路
パターン部以外の不必要な上記銅薄膜及びクロム薄膜を
化学エッチングにて除去し、図8に示すような銅薄膜
(10)の上に導体回路パターン(1)が形成された状
態となる。
【0022】なお、銅導体層及び銅薄膜の化学エッチン
グはアルカリエッチングによることが好ましく、クロム
薄膜の化学エッチングには、例えば、フェリシアン化カ
リウム系のエッチング液や過マンガン酸カリウム、メタ
ケイ酸ナトリウム系等エッチング液が用いられる。
【0023】そして、図9に示すように、導体回路のパ
ターンの上に、無電解ニッケルめっきを行って、導体回
路の絶縁層に接していない表面を無電解ニッケル薄膜
(21)によって被覆する。この無電解ニッケルめっき
薄膜(21)は、導体回路のイオンマイグレーションを
防止する効果がある。
【0024】そして、図10に示すように導体回路のパ
ターンの上に、カバレー(3)として、ポリイミド樹脂
層を、導体回路パターン(1)の上面及び側面を覆い、
かつ、端子を設置する部分に貫通孔(33)を設けるよ
うに形成する。
【0025】上記カバレーとして用いるポリイミド樹脂
は熱硬化性ポリイミド樹脂でも感光性ポリイミド樹脂で
もよいが、カバレーをパターン形成する場合は、感光性
ポリイミド樹脂の方が好ましい。
【0026】感光性ポリイミド樹脂を用いて、パターン
化したカバレーを形成するには、前記の絶縁層をパター
ン形成する方法に準じて行えば良い。
【0027】次いで、上記貫通孔(33)に露出してい
る、上記無電解ニッケルめっき薄膜(21)を剥離した
後、電解ニッケルめっきと電解金めっきを順次に行っ
て、電解ニッケルめっき薄膜(6)と電解金めっき薄膜
(7)を積層することにより、端子表面がカバレー表面
より下にあって、カバレー表面と端子表面の段差が3μ
m以下になるように端子を形成し、図11に示すような
本発明の回路付きサスペンション基板を得ることができ
る。電解めっき金属薄膜の厚み(端子の高さ)は電解め
っき時間を制御することによって調整することができ
る。なお、図3と図11は同じ構造の回路付きサスペン
ション基板を示すものであるが、図3においては、前記
スパンタリングにより形成されたクロム薄膜(9)と銅
薄膜(10)及び導体回路を被覆した無電解ニッケルめ
っき薄膜(21)は図示しておらず、また、電解ニッケ
ルめっき薄膜(6)と電解金めっき薄膜(7)を合わせ
て端子(4)として図示している。
【0028】本発明の回路付きサスペンション基板にお
いて、導体回路パターンの配線幅は、通常、5〜50μ
mである。なお、本発明において、配線幅とは、無電解
めっきにより導体回路表面に形成された金属薄膜の厚み
も含むものとする。
【0029】また、導体回路パターンの配線間隔は、通
常、5〜50μmである。なお、本発明において、配線
間隔とは、上記金属薄膜が形成される前の導体回路の配
線間隔ではなく、上記金属薄膜が形成された導体回路を
配線とした場合の配線間隔を意味する。
【0030】また、本発明の、ハードディスク装置等の
磁気ディスク装置に用いられる回路付きサスペンション
基板の一例の斜視図を図12に示したが、図12に示し
た端子(16)は、図11に示した端子と同様の構成で
あり、端子表面がカバレー表面より下にあって、カバレ
ー表面と端子表面の段差が3μm以下である。
【0031】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を説
明するが、本発明は実施例により何ら限定されるもので
はない。
【0032】(実施例1) p−フェニレンジアミン0.702kg(6.5モル)
と3,4,3',4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
1.624kg(5.5モル)と2,2−ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン0.444
kg(1.0モル)(酸無水物合計量6.5モル)とを
ジメチルアセトアミド19.72kgに溶解させ、室温
で72時間攪拌した。この後、75℃に昇温し、粘度が
5000センチポイズに達したとき、加熱を止め、室温
まで放置、冷却した。次いで、これに、4−o−ニトロ
フェニル−3,5−ジメトキシカルボニル−2,6−ジ
メチル−1,4−ジヒドロピリジン0.9633kg
(2.78モル)、4−o−ニトロフェニル−3,5−
ジアセチル−1,4−ジヒドロピリジン0.6422k
g(2.04モル)及びイミダゾール0.161kg
(2.36モル)を加えて、感光性ポリイミド樹脂前駆
体の溶液を調整した。
【0033】所定の形状に予め加工した厚み25μmの
ステンレス(SUS304)基材上に上記感光性ポリイ
ミド樹脂前駆体の溶液を塗布した後、120℃で2分間
加熱乾燥して、感光性ポリイミド樹脂前駆体の被膜を形
成した。次いで、マスクを介して、露光量700mJ/
cm2 にて紫外線照射し、160℃で3分間加熱した
後、現像処理して、ネガ型画像を形成し、更に、0.0
1torrの真空下、400℃に加熱して、パターン化
したポリイミド樹脂から成る絶縁層(膜厚10μm)を
形成した。
【0034】次に、このような絶縁層を形成したステン
レス基材の全面上に連続スパッタリング処理によってク
ロムと銅をそれぞれ500オングストローム及び100
0オングストロームの膜厚で薄膜形成した。銅薄膜の表
面抵抗は0.2〜0.4Ω/□であった。
【0035】この後、常法に従って、市販のドライフィ
ルムラミネートを110℃で銅薄膜上にラミネートした
後、露光量80mJ/cm2 にてこれを露光・現像さ
せ、目的とする導体回路パターンの逆パターンとなるレ
ジストを形成した。
【0036】次いで、ステンレス基材の裏面に軽粘着シ
ートをめっきマスクとして粘着した後、露出した銅薄膜
の上に硫酸銅電解めっきを行って、膜厚10μmの銅め
っきから成る導体回路パターンを形成し、この後、レジ
ストを除去した。
【0037】次いで、導体回路パターン部以外の不必要
な前記銅薄膜及びクロム薄膜をフェリシアン化カリウム
と水酸化ナトリウムの混合水溶液に30℃で順次浸漬
し、除去した。
【0038】この後、通常の無電解めっきを施し、膜厚
0.1μmのニッケル薄膜を、導体回路の絶縁層に接し
ていない全表面と露出しているステンレス基材の表面に
形成した。
【0039】次いで、ステンレス基材上の導体回路パタ
ーンの上に、前記絶縁層のパターン形成と同様にして、
上記感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて、ポリイミド
樹脂から成る厚みが3μmのカバレーを、端子を設置す
る部分に貫通孔を設けるようにして形成した。
【0040】そして、基材を硝酸系剥離剤に室温で浸漬
して、上記貫通孔に露出している上記無電解ニッケルめ
っき薄膜及び導体回路部以外の不必要な部分の前記無電
解ニッケルめっき薄膜を剥離した。
【0041】この後、貫通孔即ち端子部に電解ニッケル
めっきと電解金めっきを順次に行って、端子表面がカバ
レー表面より下にあって、カバレー表面と端子表面の段
差が3μm以下になるように端子を形成し図11及び図
12に示したような回路付きサスペンション基板を得
た。なお、図11は回路付きサスペンション基板の要部
を示すものであり、導体回路の配線形状は示されていな
いが、本実施例においては、4本の配線が設置されてお
り、配線幅は40μm、配線間隔は30μmとした。
【0042】(比較例1) 実施例1において、導体回路パターンの上に無電解ニッ
ケルめっきをする代わりに、電解ニッケルめっき及び電
解金めっきを順次行い、電解ニッケルめっき薄膜及び電
解金めっき薄膜を積層した。
【0043】次いで、電解金めっき薄膜の上に、実施例
1と同様にして、ポリイミド樹脂から成る厚みが5μm
のカバレーを、端子となる部分に貫通孔を設けるように
して形成し、端子を形成した。即ち、その貫通孔から露
出した電解金めっき薄膜が端子表面となる図4及び図1
2に示すような回路付きサスペンション基板を得た。
【0044】(比較実験) 実施例1、比較例1の回路付きサスペンション基板、そ
れぞれ100枚に、所定の磁気抵抗素子を搭載し、ゴー
ルドボールボンディング法により端子の接続処理を行っ
た。その結果、実施例1の回路付きサスペンション基板
では、回路付きサスペンション基板の端子及び磁気抵抗
素子の端子に確実に金属ボールが接触しており、100
枚すべてに接続不良は無かったのに対し、比較例1の回
路付きサスペンション基板では磁気抵抗素子の端子に金
ボールが接触していない接触不良が100枚中2枚発生
した。
【0045】
【発明の効果】本発明の回路付きサスペンション基板
は、絶縁層の上に導体回路が設置され、該導体回路の上
にカバレーが設置され、該カバレーを貫通して上記導体
回路と導通する端子が設置されて成る回路付きサスペン
ション基板であって、端子表面がカバレー表面より下に
あり、カバレー表面と端子表面の段差が3μm以下であ
るため、回路付きサスペンション基板に実装される磁気
抵抗素子の端子と回路付きサスペンション基板の端子の
接続に高い信頼性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の回路付きサスペンション基板の一例
の要部を示す断面図である。
【図2】 本発明の回路付きサスペンション基板の端子
と磁気抵抗素子の端子の接続状態を示す断面図である。
【図3】 本発明の回路付きサスペンション基板の一例
の要部を示す断面図である。
【図4】 従来の回路付きサスペンション基板の一例の
要部を示す断面図である。
【図5】 従来の回路付きサスペンション基板の端子と
磁気抵抗素子の端子の接続状態を示す断面図である。
【図6】、
【図7】、
【図8】、
【図9】、
【図10】、
【図11】 本発明の回路付きサスペンション基板の製
造工程を示す、各工程における回路付きサスペンション
基板の断面図である。
【図12】 回路付きサスペンション基板の一例を示す
斜視図である。
【符号の説明】
1 導体回路 2 絶縁層 3 カバレー 4 本発明の回路付きサスペンション基板の端子 5 金属基材 6 電解ニッケルめっき薄膜 7 電解金めっき薄膜 8 従来の回路付きサスペンション基板の端子 11 回路付きサスペンション基板 12 ステンレス基材 13 回路パターン 14 ジンバル 15及び16 端子 30 カバレー表面と端子表面の段差 31 磁気抵抗素子 32 磁気抵抗素子の端子 34 金属ボール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−12984(JP,A) 特開 平5−206620(JP,A) 特開 平5−95176(JP,A) 特開 平9−293222(JP,A) 実公 平7−3663(JP,Y2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/28 G11B 5/60 H01L 21/60 H05K 3/24 H05K 3/34

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁層の上に導体回路が設置され、該導
    体回路の上にカバレーが設置され、該カバレーを貫通し
    て上記導体回路と導通する端子が設置されて成る回路付
    きサスペンション基板において、前記端子は磁気抵抗素
    子の端子と金属ボールによって接続されるものであり、
    端子表面がカバレー表面より下にあって、カバレー表面
    と端子表面の段差が3μm以下であることを特徴とする
    回路付きサスペンション基板。
  2. 【請求項2】 端子が導体回路の上に電解金属めっきを
    行って形成されたものである請求項1に記載の回路付き
    サスペンション基板。
JP03702998A 1998-02-19 1998-02-19 回路付きサスペンション基板 Expired - Lifetime JP3226489B2 (ja)

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