JPH1167900A

JPH1167900A - 多層配線基板の製造方法

Info

Publication number: JPH1167900A
Application number: JP15946597A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Ito; 達也伊藤; Takeshi Toyoshima; 剛豊島
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1997-06-12
Filing date: 1997-06-17
Publication date: 1999-03-09
Anticipated expiration: 2017-06-17
Also published as: JP3599957B2

Abstract

(57)【要約】【課題】樹脂絶縁層を介して形成される複数層の配線
パターンとこれらの間を導通するビアを有する多層配線
基板において、配線パターンの密着強度を保ちつつビア
の導通不良を低減する。【解決手段】コア基板１上に形成された下層配線パター
ン４の上方に形成され、下層配線パターン４の上面にビ
アホール７が形成された樹脂絶縁層６の表面をエッチン
グ液により粗化する工程と、この粗化された樹脂絶縁層
６の上面６ａを研磨する工程と、その後、この研磨され
た樹脂絶縁層６のビアホール７を含む表面（６ｂ,７ａ)
を上記同様に粗化する工程とを有し、上記ビアホール７
内に追って形成されるビアの底部に樹脂残りや形状不良
が生じにくくし、且つ樹脂絶縁層６の上面に追って形成
される上層配線パターンの密着強度を強固に維持する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂絶縁層を介し
て形成される配線パターンと樹脂絶縁層を貫通し配線パ
ターン間を導通するビアとを有する多層配線基板の製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、配線パターン間に樹脂絶縁層を
介在させた多層配線基板７０は、図６(Ａ)に示すよう
に、コア基板７１の上面に形成した下層配線パターン７
２の上方に所定厚さの感光性樹脂ペーストを塗布し乾燥
させ樹脂絶縁層７４を形成する。この樹脂絶縁層７４に
対し、図６(Ｂ)に示すように、露光と現像、又はレーザ
加工を行って下層配線パターン７２の上面を露出させる
ビアホール７６を形成した後、樹脂絶縁層７４の上面に
無電解銅メッキ及び電解銅メッキと露光・現像等により
上層配線パターン８２を形成する。同時に、上記ビアホ
ール７６内には上・下層配線パターン８２，７２間を導
通するビア７８が形成される。

【０００３】ところで、上記ビアホール７６を形成する
際の加工のばら付きによって、図６(Ｃ)に示すように、
ビアホール７６の孔明け不足によりビア７８の底面と下
層配線パターン７２の上面との間に樹脂片７５が残る場
合がある。また、図６(Ｄ)に示すように、過剰現像によ
り略円柱状で下部が斜めに広がる形状のビアホール７６
が形成されると、上記銅メッキの付き周り不良が生じ、
ビア７８の底部に狭隘部８０を形成する場合がある。こ
れらの樹脂片７５が残ったり狭隘部８０があると、ビア
７８による上・下層配線パターン８２，７２間の導通が
不安定になり、立体回路が形成されない場合を生じるこ
とがある。

【０００４】係る導通不良を防ぐため、上記ビアホール
７６を形成した樹脂絶縁層７４の上面を厚さ約５μｍ程
研磨・除去して平坦化した後、該樹脂絶縁層７４の表面
にアルカリ・過マンガン酸カリウム等のエッチング液を
接触して、樹脂絶縁層７４の表面を粗化していた。その
後、この表面粗化された樹脂絶縁層７４の表面にＳｎ／
Ｐｄコロイドタイプのメッキ触媒核(図示せず)を吸着さ
せ、前記無電解銅メッキ等により上層配線パターン８２
を形成していた。この方法では、前記ビアホール７６を
形成する際の加工のばら付きによるビア７８の前記不良
を若干低減できるが、未だ不十分で安定性を欠いてい
る。

【０００５】また、前記エッチング液による樹脂絶縁層
７４の表面粗化を強く行うと、該樹脂絶縁層７４の上面
が過剰に粗化され、そこに形成される上層配線パターン
８２と樹脂絶縁層７４との密着強度が低下するという問
題もあった。更に、レーザを強く照射してビアホール７
６内に樹脂片７５が残らないようにする方法も考えられ
るが、レーザ照射が過剰になると前記図６(Ｄ)に示した
狭隘部８０が不用意にビア７８に形成されてしまうとい
う問題があった。

【０００６】

【発明が解決すべき課題】本発明は、以上の従来の技術
における問題点を解決し、ビア底部における樹脂残りや
形状不良をなくし、ビアの形状を正確にして上・下層配
線パターン間の導通を確実にすると共に、樹脂絶縁層と
上層配線パターンとの密着強度を維持させた多層配線基
板の製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、樹脂絶縁層に対する表面粗化を複数回行
い、その間に樹脂絶縁層の上面を研磨することにより、
ビアホール内の表面と樹脂絶縁層の上面との粗度を相違
させることに着目して成されたものである。即ち、本発
明の多層配線基板の製造方法は、下層配線パターンの上
方に形成され、該下層配線パターンの上面に少なくとも
１つ以上のビアホールが形成された樹脂絶縁層の表面を
粗化する表面粗化工程と、該表面粗化された樹脂絶縁層
の上面を所定の厚さ研磨して除去する研磨工程と、その
後、該研磨された樹脂絶縁層の表面を粗化する表面粗化
工程と、を含むことを特徴とする。

【０００８】係る方法によれば、ビアホール内の表面が
適度に粗化され、下層配線パターン上の樹脂残りを無く
し、形状不良のビアホールの場合でも樹脂残りを低減
し、且つ該ビアホールの形状不良を緩和することができ
る。従って、追って形成されるビアと下層配線パターン
との導通を確保すると共に、樹脂絶縁層とその上面に追
って形成される上層配線パターンとの密着強度を維持す
ることが可能となる。尚、上記樹脂絶縁層の表面とはそ
の上面とビアホール内の表面の双方を含む。また、上記
表面粗化工程を複数回に渉って行い、その間において少
なくとも１回上記研磨工程を行う多層配線基板の製造方
法も含まれる。この場合、表面粗化工程と研磨工程を交
互に繰り返しても良いが、最後の表面粗化工程の直前に
研磨工程を１回行うと、ビアホール内の表面と樹脂絶縁
層の上面との粗度を、容易にそれぞれに適したレベルに
することが可能となる。

【０００９】更に、前記表面粗化工程が、過マンガン
酸、濃硫酸、又はクロム酸により前記樹脂絶縁層の表面
をエッチングするものである多層配線基板の製造方法も
含む。上記には具体的には過マンガン酸カリウムやクロ
ム酸カリウム等が含まれる。これによれば、樹脂絶縁層
の材質に応じて上記何れかのエッチング液を用い、その
濃度とエッチング時間を調整することにより、ビアホー
ル内の樹脂残り等を減らし、樹脂絶縁層の上面の粗度を
適度にすることが可能となる。

【００１０】また、研磨工程の前と後で濃度や種類の異
なるエッチング液を用いて各表面粗化工程を行うことも
できる。即ち、研磨工程の前に行う表面粗化工程ではビ
アホールの底部に残存する樹脂片を完全に除去すること
を主目的とするので、エッチング液の濃度を濃くしたり
エッチング時間を長くすると良い。或いは、研磨工程の
後の表面粗化工程に用いるエッチング液と異なる種類の
ものを用いても良い。この場合、樹脂絶縁層の上面が過
剰に粗化されても、その後の研磨工程により樹脂絶縁層
の表層における粗化部分が除去される。従って、研磨工
程の後の表面粗化工程では、上層配線パターンと樹脂絶
縁層との密着強度が最適となるエッチング液を用いると
良い。

【００１１】また、本発明は前記後の又は最後の表面粗
化工程の後に、前記樹脂絶縁層の上面に上層配線パター
ンを形成し、且つ前記ビアホール内に上・下層配線パタ
ーン間を導通するビアを形成する工程を、含む多層配線
基板の製造方法も提案する。この方法により、樹脂残り
や形状不良が無いか、少ないビアを形成できるので、上
・下層配線パターン間の導通を確実にし得る。また、樹
脂絶縁層の上面と上層配線パターンとの密着強度を低下
させず維持することもできる。

【００１２】また、上記上層配線パターンを形成する工
程を、上記樹脂絶縁層の上面に導体薄膜を形成し、該薄
膜の上面にドライフィルムの樹脂パターンを形成し、こ
の樹脂パターン間に上層配線パターンを形成した後、上
記樹脂パターンと該樹脂パターンの底面に位置する導体
薄膜を除去するものともできる。更に、前記上層配線パ
ターンを形成する工程を、前記樹脂絶縁層の上面に導体
層を形成し、該導体層の上面に樹脂パターンを形成した
後、エッチングすることにより上記導体層を上記樹脂パ
ターンに倣った上層配線パターンとすることもできる。
これらによれば、樹脂絶縁層の上面に上層配線パターン
をその特性等に応じて強固に形成でき、複数層の配線パ
ターンを確実に形成することが可能になる。

【００１３】

【実施の形態】以下において本発明の実施に好適な形態
を図面と共に説明する。図１は本多層配線基板の製造方
法の概略を示す各工程の断面図に関する。図１(Ａ)に示
すように、先ずコア基板１の両面に下層配線パターン４
が形成される。係る下層配線パターン４は、予めその上
面に形成された図示しない感光性樹脂を露光・現像した
後、エッチングすることにより所定のパターンに形成さ
れている。また、この配線パターン４は、厚さ１８μｍ
の銅からなる。この場合、両面の配線パターン４同士を
導通するため、コア基板１に明けた貫通孔２内に、円筒
形の導通部３が配線パターン４と同時に形成される。該
導通部３の内側には図示しない熱硬化性樹脂がマスク印
刷により充填される。尚、上記コア基板１は厚さ０．８
mmのＢＴ(ヒ゛スマレイミト゛・トリシ゛アン)樹脂とガラス繊維布の複合
材からなる。

【００１４】次に、図１(Ｂ)に示すように、下層配線パ
ターン４の上方に厚さ５５μｍの感光性を有するエポキ
シ系の樹脂絶縁層６が全面に形成される。この樹脂絶縁
層６の所定の位置に露光と現像を行い、略円錐形のビア
ホール７が形成される。このビアホール７の底部には、
下層配線パターン４の上面が露出する。係るビアホール
７を形成する上記現像の方法によっては、前述した樹脂
残りが生じたり、ビアホール７自体に形状不良が生じ得
る。このため、ビアホール７を含む樹脂絶縁層６の表面
に対し、複数回の表面粗化とその間における上面研磨が
施される。これについては、追って図２にもとづき詳し
く説明する。

【００１５】次いで、図１(Ｃ)に示すように、ビアホー
ル７を含む樹脂絶縁層６の表面全体に渉り、無電解銅メ
ッキを施して厚さ１μｍの銅薄膜８を形成する。この銅
薄膜８は、ビアホール７内においてこれに倣った円錐状
のビアの基部９を形成する。更に、係る銅薄膜８の上面
全体に水溶性ドライフィルムの感光性樹脂を貼着して、
露光と現像を行うと、図１(Ｄ)に示すように、所定のパ
ターンのメッキレジスト(樹脂パターン)１０が形成され
る。次に、係るメッキレジスト１０が形成された銅薄膜
８に対し硫酸銅メッキを施すと、図１(Ｅ)に示すよう
に、上記メッキレジスト１０で覆われていない銅薄膜８
の上面に厚さ１５μｍの上層配線パターン１４が形成さ
れる。同時に、ビアホール７内の上記銅薄膜の基部９上
には同様の厚さのビア１２が形成される。

【００１６】その後、上記メッキレジスト１０をＮａＯ
Ｈ水溶液に接触させることにより剥離し、これにより露
出した銅薄膜８を除去するため、上層配線パターン１４
やビア１２も含めてそれらの上面をエッチングし、約２
μｍの厚さ除去する。この除去後の状態を図１(Ｆ)に示
す。これにより、上・下層配線パターン１４，４がビア
１２によって導通された立体回路が形成される。更に、
図１(Ｇ)に示すように、前記樹脂絶縁層６の上面全体に
厚さ５５μｍの樹脂絶縁層１６が形成され、該絶縁層１
６の所定の位置に露光と現像を行って、略円錐形のビア
ホール１７が形成される。このビアホール１７を含む樹
脂絶縁層１６にも、複数回の表面粗化とその間における
上面研磨が施される。

【００１７】上記樹脂絶縁層１６の上面に前記同様の図
示しない銅薄膜とメッキレジストが形成され、これらに
対し硫酸銅メッキを施すと、上記メッキレジストのない
銅薄膜の上面に厚さ１５μｍの最上層配線パターン２０
が形成され、同時にビアホール１７内には上記同様のビ
ア１８が形成される。これにより、図１(Ｇ)のように、
下層・上層・最上層配線パターン４，１４，２０とこれ
らを導通するビア１２，１８からなる立体回路が形成さ
れる。そして、図１(Ｈ)に示すように、上記樹脂絶縁層
１６及び最上層配線パターン２０の上面全体に感光性の
エポキシ変性樹脂からなるソルダーレジスト２２を形成
し、露光と現像を行って最上層配線パターン２０の上面
に開口部２４を形成する。この開口部内２４に露出する
最上層配線パターン２０の上面に、無電解メッキにより
Ｎｉ(Ｎｉ−Ｐ)メッキ層及びＡｕメッキ層からなるパッ
ド２６を形成して、多層配線基板２８を得た。

【００１８】この多層配線基板２８は、上層・最上層配
線パターン１４，２０及びビア１２，１８を形成する直
前の工程において、樹脂絶縁層６,１６とビアホール７,
１７の表面に２回以上の表面粗化が施されているので、
ビアホール７，１７の底部に樹脂残りや形状不良が少な
い。且つ、その間に樹脂絶縁層６，１６の上面に研磨が
施されるので、樹脂絶縁層６，１６の上面が過剰に粗化
されることもない。従って、樹脂絶縁層６，１６と上層
・最上層配線パターン１４，２０との密着強度も強固に
維持されるので、３層の配線パターン４，１４，２０間
をビア１２，１８により確実に導通した安定性のある立
体回路を提供することができる。尚、最上層配線パター
ン２０は上下方向における相対的な名称で、仮に上層配
線パターン１４を下層配線パターンとした場合、その上
層配線パターンとなる。

【００１９】次に図２により本発明の特徴的な製造工程
について説明する。図２(Ａ)は、前記図１(Ｂ)のビアホ
ール７付近の模式的な拡大端面図で、下層配線パターン
４の上方に樹脂絶縁層６とビアホール７が形成された状
態である。先ず、ビアホール７を含む樹脂絶縁層６の表
面にエッチング液を接触させて表面粗化する工程を行
う。上記エッチング液には、アルカリ・過マンガン酸タ
イプのエッチング液(過マンガン酸カリウム４５ｇ／リット
ル、奥野製薬製商品名ＯＰＣ−１２００エポエッチ２０
０ｍリットル／リットル）を用いた。このエッチング液の温度を
８０℃にして、樹脂絶縁層６の表面を４分間浸漬する
と、図２(Ｂ)に示すように、樹脂絶縁層６の上面はラン
ダムな凹凸面６ａになり、ビアホール７の表面も凹凸面
７ａになる。

【００２０】次に、係る樹脂絶縁層６の表面を中和す
る。中和液には奥野製薬製の商品名ＯＰＣ−１３００ニ
ュートライザー(２００ｍリットル／リットル)を用い、液温４５
℃で４分間浸漬することで樹脂絶縁層６の表面(凹凸面
６ａ，７ａ)が中和される。次いで、樹脂絶縁層６の上
面を研磨する工程を行う。この研磨は、ロール状の研磨
材(＃３２０、商品名ＩＨバフ・日本特殊研砥製)を用
い、樹脂絶縁層６の上面を約５μｍ除去した。その結
果、図２(Ｃ)に示すように、樹脂絶縁層６の上面から上
記凹凸面６ａを含む表層が除去され、平坦面６ｂが形成
される。この平坦面６ｂを形成した際の樹脂絶縁層６の
厚さは略５０μｍであった。

【００２１】更に、樹脂絶縁層６の表面(６ｂ，７ａ)を
再度粗化する工程を行う。これは前記と同じエッチング
液を同じ条件で用いて、樹脂絶縁層６の表面を粗化す
る。その結果、図２(Ｄ)に示すように、ビアホール７の
表面は更に粗化された凹凸面７ｂとなると共に、樹脂絶
縁層６の上面は前記と同様の凹凸面６ａとなる。この樹
脂絶縁層６の表面(６ａ，７ｂ)に対しても、前記と同じ
中和液を用いて中和する。この後、前記図１(Ｃ)以下に
示す各工程が行われる。そして、上記２回の表面粗化を
受けたビアホール７の底部においては、下層配線パター
ン４の上に樹脂片が残らず除去される。また、ビアホー
ル７の表面は粗い凹凸面７ｂとなり、角部が緩くなるた
め追って無電解銅メッキ等される際、ビア１２を形成す
る銅メッキの付き回りが確実になる。

【００２２】従って、ビアホール７が適度の現像により
略円錐形に形成されている場合、そこに形成されるビア
１２は図３(Ａ)に示すように、前記樹脂残りのない略円
錐形に形成され、下・上層配線パターン４，１４間の導
通を確実に行う。また、過剰現像によってビアホール７
が略円柱状で下部が斜めに広がる形状不良に形成された
場合でも、表面粗化により該ビアホール７の下部の傾斜
した角部分が曲面化され、銅メッキの付き回り性が向上
する。このため、図３(Ｂ)に示すように底部に狭隘な部
分のないビア１２′が形成でき、下・上層配線パターン
４，１４間の導通を確保できる。一方、後の表面粗化工
程のみにより凹凸面６ａとされた樹脂絶縁層６の上面に
は、上層配線パターン１４を形成する銅メッキが上記凹
凸面６ａに強固に密着する。このため、該配線パターン
１４と樹脂絶縁層６との密着強度を従来同様に維持する
ことができる。

【００２３】ここで上記表面粗化、上面研磨、及び表面
粗化の工程順に行った本発明の実施例の効果を、従来の
技術による従来例、及び比較例と共に具体的に説明す
る。前記表面粗化、中和、上面研磨、表面粗化、及び中
和工程の順に施した実施例の多層配線基板２８を２０個
用意した。各配線基板２８内には、直径１００μｍのビ
ア１２，１８が１０００個が形成されている。これらの
配線基板２８の前記パッド２６にプローブ(図示せず)を
接触させ、外部電源から電流を各基板２８内部の１００
０個のビア１２，１８を含む立体回路に流し、該立体回
路の抵抗値を測定して、導通しているか否か判断した。
また、上層・最上層配線パターン１４，２０の樹脂絶縁
層６，１６に対する密着強度を、銅箔引き剥がし強さ
(ＪＩＳ：Ｃ６４８１)にもとづくピール強度を測定して
判定した。

【００２４】一方、上記実施例について施した工程のう
ち上面研磨工程のみを外して、表面粗化、中和、表面粗
化、及び中和を施した実施例と同様の多層配線基板２８
を比較例として２０個用意した。この比較例の各配線基
板２８内にも直径１００μｍのビア１２，１８が１００
０個が形成されている。更に、前記従来の技術の例とし
て、樹脂絶縁層６，１６に前記エッチング液による表面
粗化と中和液による中和のみを施した同じ構造の配線基
板２８を２０個用意した。これら比較例及び従来例も、
上記と同じ方法でビア１２，１８を含む立体回路の導通
の有無と、上層・最上層配線パターン１４，２０の密着
強度を測定した。上記プローブによる抵抗値測定から、
１０００個のビア１２，１８のうち１個でも不導通個所
のある立体回路を有する配線基板２８を不良として、各
例の２０個の配線基板全体における導通不良の配線基板
２８の発生率を算出した。また、上層・最上配線パター
ン１４，２０のピール強度の測定値についても、各例の
レベルを把握した。これら実施例、比較例、従来例の各
測定結果を表１に示す。

【００２５】

【表１】

【００２６】表１から、実施例はビア１２，１８が不導
通の配線基板２８の比率が低く、且つ上層・最上層配線
パターン１４，２０のピール強度も全ての配線基板２８
が一応強固な密着強度とされる１ｋｇ/ｃｍ²以上であっ
た。この結果から、実施例では樹脂残りや形状不良の少
ないビア１２等が得られ、上層配線パターン１４等の密
着強度も強固に維持されたことが理解される。一方、比
較例は同様にビア１２等による導通不良の基板の発生率
が低くなった反面、上層配線パターン１４等の密着強度
が従来例よりも低いレベルなった。これは比較例では２
つの表面粗化工程間における研磨工程を省いたため、樹
脂絶縁層６，１６の上面が過度にエッチングされ、大き
く脆い凹凸面６ａが形成されたことによると思われる。
更に、従来例は上層配線パターン１４等の密着強度が高
い反面、ビア１２等による不良の発生率が５０％以上と
高く、生産性が低くなることも確認された。

【００２７】係る結果から、本発明による実施例では樹
脂絶縁層６，１６の表面のうち、ビアホール７，１７の
表面に２回の粗化を行ってビア１２，１８の底部に樹脂
残りや形状不良が生じるのを防ぎ、且つ樹脂絶縁層６等
の上面は中間に研磨を施して実質１回の表面粗化のみと
して上層配線パターン１４等の密着強度の低下を防いだ
ことが容易に理解される。尚、本発明は、表面粗化、上
面研磨、及び表面粗化の工程順だけでなく、表面粗化の
工程を３回以上としその間において上面研磨を行う形態
や、同じく表面粗化の工程を３回以上として最後の表面
粗化の直前のみに上面研磨を行う形態も含まれる。要す
るに、ビアホール７内等の表面には複数回の表面粗化を
行う一方、樹脂絶縁層６等の上面には実質的に１回のみ
表面粗化を行う方法であれば良い。

【００２８】図４は本発明による異なる形態のビアに関
する。同図(Ａ)は上下２層の樹脂絶縁層を貫通するビア
を示す。先ず、前記同様のコア基板３０の上面に下層配
線パターン３２が形成され、その上方に感光性エポキシ
からなる樹脂絶縁層３４，３６が形成される。この樹脂
絶縁層３４の上面の図示しない位置には上層配線パター
ンが形成されている。次に、下層配線パターン３２の上
面における樹脂絶縁層３４，３６には、露光と現像によ
り緩い円錐状のビアホール３５が形成される。更に、樹
脂絶縁層３６(３４)の表面、即ちその上面とビアホール
３５の表面には複数回の前記表面粗化が行われ、且つそ
の間において樹脂絶縁層３６の上面に前記研磨が行われ
る。そして、樹脂絶縁層３６上に無電解銅メッキ等を行
い、且つ図示しない感光性樹脂層を形成した後、露光、
現像、及びエッチングを行って最上層配線パターン３９
が形成される。同時に、ビアホール３５内に下・最上層
配線パターン３２，３９間を導通する略円錐形状のビア
３８を得ることができる。

【００２９】また、図４(Ｂ)ではコア基板４０の上面に
下層配線パターン４２が形成され、その上方に上記と同
様の樹脂絶縁層４４，４６が形成されている。この樹脂
絶縁層４４の上面の図示しない位置には上層配線パター
ンが形成されている。次に、上方からレーザを樹脂絶縁
層４４，４６に対し下向きに照射し、下層配線パターン
４２の上面が露出する円柱状のビアホール４５を形成す
る。更に、樹脂絶縁層４６の上面とビアホール４５の表
面に複数回の前記表面粗化を行い、且つその間で樹脂絶
縁層４６の上面を研磨する。そして、無電解メッキ等を
行って最上層配線パターン４９と円柱状のビア４８が形
成される。

【００３０】更に、図４(Ｃ)は異なる方法により形成さ
れるビアに関する。先ず、コア基板５０の上面に下層配
線パターン５２が形成され、その上方に樹脂絶縁層５４
が形成される。この樹脂絶縁層５４に露光と現像を行
い、下層配線パターン５２の上に緩い円錐形状のビアホ
ール５５を形成する。次に、樹脂絶縁層５４の上面とビ
アホール５５の表面に複数回の表面粗化を行い、その間
に樹脂絶縁層５４の上面を研磨して図示しない位置に上
層配線パターンを形成する。この際、ビアホール５５内
にはメッキレジストが形成されているので、ビアは形成
されない。次いで、樹脂絶縁層５４の上面に樹脂絶縁層
５６が形成され、露光と現像により上記ビアホール５５
があった位置とも重なるビアホール５７が形成される。
該ビアホール５７は、現像処理を強めとすることで底部
側が略垂直に形成される。

【００３１】このビアホール５７の表面と樹脂絶縁層５
６の上面に複数回の表面粗化を行い、且つその間で樹脂
絶縁層５６の上面を研磨する。そして、無電解メッキ等
を行って最上層配線パターン５９を形成すると共に、断
面形状が２段階のテーパを有するビア５８が形成され
る。これらのビア３８，４８，５８は各ビアホール３
５，４５，５７に倣った断面形状になると共に、それら
の底部において前記樹脂残りや狭隘な形状不良を形成す
ることが少ない。従って、上下に離隔した下層配線パタ
ーン３２等と最上層配線パターン３９等の間を直かに導
通させることが可能となる。

【００３２】本発明は、以上において説明した各形態に
限定されるものではない。例えば、図５(Ａ)及び(Ｂ)に
示すように、図１と同じくコア基板１の両面に下層配線
パターン４を形成し、その上方に樹脂絶縁層６を形成し
且つビアホール７を形成した後、前記複数回の表面粗化
とその間に研磨を施したものを用意する。次に、図５
(Ｃ)に示すように、この樹脂絶縁層６の表面全体に無電
解銅メッキ等を施して数１０μｍの厚さの銅膜(導体層)
６０を形成し、更に、図５(Ｄ)に示すように、上記銅膜
６０の上面に感光性の樹脂からなる絶縁層６２を形成す
る。次いで、係る樹脂絶縁層６２に露光と現像を行い、
図５(Ｅ)に示すように、所定の樹脂パターン６３とす
る。そして、係る樹脂パターン６３と上記銅膜６０とを
エッチング液に浸漬することにより、図５(Ｆ)に示すよ
うに、上記樹脂パターン６３によって保護された位置に
上層配線パターン６４及びビア６６が形成される。同様
の方法により、図示しない樹脂絶縁層や最上層配線パタ
ーン等を形成して、前記配線基板２８と同様な多層配線
基板６８を形成することができる。

【００３３】また、前記多層配線基板２８のコア基板１
には、ＢＴ樹脂とガラス繊維布との複合材(ガラス−Ｂ
Ｔレジン材)の他、ガラス−エポキシ材、ガラス−ＰＰ
Ｅ材や、紙−エポキシ材等の複合材、或いはエポキシ、
ＢＴレジン、ポリイミド、ＰＰＥ等の樹脂を用いても良
い。更に、コア基板１を上記樹脂に限らず、セラミック
製としても良い。係る剛性の高いセラミックのコア基板
１を用いる場合、その両面に同数の樹脂絶縁層６，１６
と下層・上層・最上層配線パターン４，１４，２０を形
成せず、互いに異なる層数としたり、或いはコア基板１
の片面にのみ樹脂絶縁層６等や下層・上層配線パターン
４，１４等を形成しても良い。後者の場合、前記貫通孔
２等を省略することができる。更にまた、上記コア基板
１は必須の要素ではなく、例えば既設の樹脂絶縁層の上
面に下層配線パターン４を形成して順次前記の各工程を
行って、樹脂製多層配線基板を製造しても良い。或い
は、既設のセラミック層又はセラミック多層配線基板の
上面に下層配線パターン４を形成して順次前記の各工程
を行い、セラミックと樹脂の複合多層配線基板を製造す
ることも可能である。

【００３４】また、前記表面粗化に用いるエッチング液
には、過マンガン酸、濃硫酸、又はクロム酸を含むもの
を用いることもでき、樹脂絶縁層の表面等に形成すべき
凹凸面に応じて適宜調整して使用される。更に、前記多
層配線基板２８の外部との導通用端子にパッド２６を用
いたが、これに替えて半田バンプ、リード、又はピン等
を使用することもできる。尚、配線パターン４等を銅で
形成したが、Ｎｉ及びその合金(Ｎｉ−Ｐ,Ｎｉ−Ｂ,Ｎ
ｉ−Ｃｕ−Ｐ)、Ｃｏ及びその合金(Ｃｏ−Ｐ,Ｃｏ−Ｂ,
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ)、Ｓｎとその合金(Ｓｎ−Ｐｂ,Ｓｎ−
Ｐｂ−Ｐｄ)、Ａｕ,Ａｇ,Ｐｄ,Ｐｔ,Ｒｈ,又はＲｕ等と
それらの合金の何れかを用いることもできる。

【００３５】

【発明の効果】以上において説明した本発明の製造方法
によれば、下層配線パターンの上方に形成された樹脂絶
縁層のビアホール内を含む表面に複数回の表面粗化と、
その間において樹脂絶縁層の上面を研磨する工程を行う
ため、追って形成されるビア底部の樹脂残りやビアの形
状不良を確実に低減でき、ビアにおける導通不良を減ら
すことができる。同時に、樹脂絶縁層の上面に追って形
成される上層配線パターンの密着強度を強固な状態で維
持できる。また、請求項４の発明によれば、樹脂絶縁層
の上面に形成される上層配線パターンが強固に密着され
るので、前記下層配線パターン及びビアと共に所定の立
体回路を確実に形成することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(Ａ)乃至(Ｈ)は本発明の多層配線基板の製造工
程の概略を示す部分断面図。

【図２】(Ａ)乃至(Ｄ)は本発明方法の各工程を示す部分
端面図。

【図３】(Ａ)及び(Ｂ)は本発明により得られる各ビアを
示す部分断面図。

【図４】(Ａ)乃至(Ｃ)は本発明により得られる異なるビ
アを示す部分断面図。

【図５】(Ａ)乃至(Ｆ)は本発明の異なる製造工程の概略
を示す部分断面図。

【図６】(Ａ)及び(Ｂ)は従来の配線基板の製造工程を示
す部分断面図、(Ｃ)及び(Ｄ)はこれにより形成されたビ
アを示す部分断面図。

【符号の説明】

４,３２,４２,５２……………………………下層配線パ
ターン６,１６,３４,３６,４４,４６,５４,５６…樹脂絶縁層７,１７,３５,４５,５５,５７………………ビアホール８………………………………………………導体薄膜１０,６３………………………………………樹脂パター
ン１２,１２′,１８,３８,４８,５８,６６……ビア１４,６４………………………………………上層配線パ
ターン２０,３９,４９,５９…………………最上層配線パター
ン(上層配線パターン) ２８,６８……………………………………多層配線基板６０……………………………………………導体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下層配線パターンの上方に形成され、該下
層配線パターンの上面に少なくとも１つ以上のビアホー
ルが形成された樹脂絶縁層の表面を粗化する表面粗化工
程と、該表面粗化された樹脂絶縁層の上面を所定の厚さ研磨し
て除去する研磨工程と、その後、該研磨された樹脂絶縁
層の表面を粗化する表面粗化工程と、を含むことを特徴
とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】前記表面粗化工程を複数回に渉って行い、
その間において少なくとも１回前記研磨工程を行うこと
を特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方
法。
【請求項３】前記表面粗化工程が、過マンガン酸、濃硫
酸、又はクロム酸により前記樹脂絶縁層の表面をエッチ
ングすることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層
配線基板の製造方法。
【請求項４】前記後の又は最後の表面粗化工程の後に、
前記樹脂絶縁層の上面に上層配線パターンを形成し、且
つ前記ビアホール内に上・下層配線パターン間を導通す
るビアを形成する工程を、含むことを特徴とする請求項
１乃至３の何れかに記載の多層配線基板の製造方法。