JP4464790B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
また、上記したフォトリソグラフィー技術に限らず、レーザを用いてビアホールを穿孔する場合においても、レーザ条件等によりビアホールが不完全にしか形成されない場合の樹脂残存物や、レーザ加工時に発生する炭化物等のカスがビアホールの底に点在したり、膜状に残ることがあった。
また、前記導体層をそのまま接続端子として用いる場合には、例えば、凹部の表面にニッケルメッキ層および金メッキ層等のメッキ層を形成するとよい。凹部上には樹脂残存物がないので、導体層に所望のメッキ層を施し、接続信頼性に優れた接続端子とすることができる。
さらに、前記ビアホール内に、ハンダバンプが形成して、それを接続端子として用いてもよい。凹部上には樹脂残存物がないので、導体層とハンダバンプとの接続信頼性に優れたハンダバンプ(接続端子)を得ることができる。
これに対して、配線基板の下面側では、溶出した樹脂(樹脂残渣)や古い現像液は、新しい現像液により排除されるので、形成途中のビアホールの底には常に新しい現像液が供給される。したがって、ビアホールの深さ方向への現像速度が比較的速くなる。
また、前記導体層の種類としては、銅、ニッケル、金、銀等の導電性を有する金属からなる導体層が挙げられるので、無電解メッキ層や電解メッキ層は、これらの配線に用いられる金属から構成されている。また、導体層の形成方法としては、公知のサブトラクティブ法やアディティブ法を採用できる。
まず、樹脂絶縁層2の上面に公知のセミアディティブ法にて銅メッキにより形成し、さらにその表面を第二銅錯体と有機酸とを含有する粗化エッチング液を用いることにより0.1〜10μmの最大粗度(Rmax)となるように表面処理(粗化)した厚さ17μmの導体層4の上に、予めフィルム状に形成したエポキシ樹脂を主成分とし、シリカフィラーを含有する感光性樹脂シートを貼付け、樹脂絶縁層3を形成する(図1(a)参照)。
まず、図6は平面視略矩形状で略板形状をなす配線基板20の部分拡大断面図である。配線基板20はコア基板21の図中上面に樹脂絶縁層26a、36a、40a、下面に樹脂絶縁層26b、36b、40bを備え、最外層である樹脂絶縁層40a、40bはソルダーレジスト層としての機能も有している。また、各絶縁層の層間には、導体層24a、34a、44a、24b、34b、44bが形成されている。
以上のように、配線基板20は、配線基板内部のビア導体の他、表面のハンダバンプ、LGAパッドもそれぞれ下層の導体層の凹部と接続しているため、配線基板全体にわたり良好な接続信頼性が得られる。
まず、厚み800μmのビスマレイミド−トリアジン樹脂製のコア基板21の両面に銅箔が貼付けられた両面銅張り基板を用意し、ドリルによりスルーホール22を穿孔した後、スルーホール22の内周面および両面の銅箔上に無電解および電解銅メッキを施し、外側スルーホール導体23を含むメッキ層24を形成する(図8(a)参照)。なお、メッキ層24の表面は、第二銅錯体と有機酸とを含有する粗化エッチング液を用い、市販のエッチング処理装置(メック社製 CZ処理装置)により0.1〜10μmの最大粗度(Rmax)となるように表面処理しておく。
なお、本実施形態においては、スルーホール27は一つのみ図示しているがスルーホール27およびビアホール28は多数形成されているものとする。
まず、樹脂絶縁層52の上面に導体層54を公知のセミアディティブ法にて銅メッキにより形成する。なお、導体層54は、その表面を第二銅錯体と有機酸とを含有する粗化エッチング液を用い、0.1〜10μmの最大粗度(Rmax)となるように表面処理(粗化)しておく。導体層54の上に予めフィルム状に形成したエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂シートを貼付け、樹脂絶縁層53を形成する(図12(a)参照)。
以上、詳述したように、本発明においては、現像またはレーザ光によりビアホールを形成した後、樹脂エッチング工程と導体層エッチング工程を行うので、ビアホールの底に樹脂が残らず、導体層とビア導体との導通を確実に行うことができる。
2、3、26a、36a、40a:樹脂絶縁層
4、8、24a、34a、44a:導体層
5、28、:ビアホール
5B:残存樹脂
7、29、39:ビア導体
23:外側スルーホール導体
27:スルーホール
30:(内側)スルーホール導体
33:樹脂充填体
33p:樹脂ペースト
35:蓋導体層
Claims (5)
- 導体層の上に感光性樹脂からなる樹脂絶縁層を形成する工程と、
前記樹脂絶縁層に対し露光と現像を行うことにより、該樹脂絶縁層にビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記樹脂絶縁層の表面および前記ビアホールの内周面をエッチングするとともに、前記ビアホールの底面に残存した樹脂をエッチングすることにより前記導体層の一部を露出させる樹脂エッチング工程と、
前記ビアホールの底面に露出した導体層の表面をエッチングするとともに、前記ビアホールの外側における前記樹脂絶縁層の下側をエッチングすることにより庇部分を形成する導体層エッチング工程と、
水を吹き付けることにより前記庇部分を切除する工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記ビアホール形成工程における現像は、配線基板を略水平に保持した状態で行い、現像の途中で配線基板の上下面を上下反転させることにより、配線基板の両面にビアホール形成することを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 導体層の上に樹脂絶縁層を形成する工程と、
前記樹脂絶縁層に対しレーザ光を照射することにより、該樹脂絶縁層にビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記樹脂絶縁層の表面および前記ビアホールの内周面をエッチングするとともに、前記ビアホールの底面に残存した樹脂をエッチングすることにより前記導体層の一部を露出させる樹脂エッチング工程と、
前記ビアホールの底面に露出した導体層の表面をエッチングするとともに、前記ビアホールの外側における前記樹脂絶縁層の下側をエッチングすることにより庇部分を形成する導体層エッチング工程と、
水を吹き付けることにより前記庇部分を切除する工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記導体層エッチング工程では、ビアホールの底面に露出した導体層の表面に対し、導体層の厚みの5〜30%をエッチングにより除去することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
- 前記樹脂絶縁層を形成する工程の前に、第二銅錯体と有機酸とを含有する粗化液により、前記導体層の表面をエッチングして表面粗化する工程を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
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