JPH0750706B2 - 配線パターンの形成方法 - Google Patents
配線パターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH0750706B2 JPH0750706B2 JP28533387A JP28533387A JPH0750706B2 JP H0750706 B2 JPH0750706 B2 JP H0750706B2 JP 28533387 A JP28533387 A JP 28533387A JP 28533387 A JP28533387 A JP 28533387A JP H0750706 B2 JPH0750706 B2 JP H0750706B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring pattern
- thin film
- dry etching
- wiring
- shape
- Prior art date
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は配線パターン形成方法に係り、特に多層配線板
に好適なパターン形成方法に関する。
に好適なパターン形成方法に関する。
従来、多層配線板は以下（ａ）〜（ｈ）の工程で製造し
ていた。即ち、 （ａ） 下地絶縁体上にポリイミド前駆体を全面塗布
し、加熱硬化してポリイミド絶縁層を形成。
ていた。即ち、 （ａ） 下地絶縁体上にポリイミド前駆体を全面塗布
し、加熱硬化してポリイミド絶縁層を形成。
（ｂ） 上記ポリイミド絶縁層上にウェットエッチング
が可能なレジスト層を全面形成し、このレジスト上に蒸
着法またはスパッタリング法などによってアルミ薄膜を
全面に形成。
が可能なレジスト層を全面形成し、このレジスト上に蒸
着法またはスパッタリング法などによってアルミ薄膜を
全面に形成。
（ｃ） 上記アルミ薄膜上にフォトレジストを塗布し、
露光し、現像して所望の配線パターンを反転させたパタ
ーンを形成。
露光し、現像して所望の配線パターンを反転させたパタ
ーンを形成。
（ｄ） 露光したアルミ薄膜を、エッチング液にてエッ
チング除去し、フォトレジストを除去して所望配線を合
転させた形状のアルミ薄膜パターンを形成。
チング除去し、フォトレジストを除去して所望配線を合
転させた形状のアルミ薄膜パターンを形成。
（ｅ） アルミ薄膜パターンをドライエッチング用マス
クとし、上記ウェットエッチングが可能なレジスト及び
ポリイミド絶縁層をドライエッチング法でエッチングし
て所望配線パターン形成の加工溝を形成。
クとし、上記ウェットエッチングが可能なレジスト及び
ポリイミド絶縁層をドライエッチング法でエッチングし
て所望配線パターン形成の加工溝を形成。
（ｆ） 加工溝を有する基板全面に蒸着法またはスパッ
タリング法によって導体となる金属層を形成。
タリング法によって導体となる金属層を形成。
（ｇ） 上記ウェットエッチングが可能なレジストをウ
ェットエッチングにより除去し、これと共にこのレジス
ト上の金属を除去して加工溝内部に形成された金属層の
みを残す。
ェットエッチングにより除去し、これと共にこのレジス
ト上の金属を除去して加工溝内部に形成された金属層の
みを残す。
（ｈ） 更に上記（ａ）〜（ｇ）の工程を繰り返すこと
によって、多層配線形成が可能になる。
によって、多層配線形成が可能になる。
なお、上記従来技術は、アイ・イー・イー・イー、イー
・シー・シー（IEEE E.C.C.）、1984年、P82〜P87に記
載されている。
・シー・シー（IEEE E.C.C.）、1984年、P82〜P87に記
載されている。
上記従来技術は、基板上の絶縁層膜厚のばらつき、基板
上の異なる位置でのドライエッチング速度のばらつき等
により、ドライエッチング時間を所定深さの加工に要す
る最低時間よりも長くしなければならない点について配
慮されておらず、ポリイミド絶縁層溝加工後に露出する
面が、下層導体金属であるか下層ポリイミド絶縁層であ
るかによって、該露出面に凹凸が生じる、という問題が
あった。
上の異なる位置でのドライエッチング速度のばらつき等
により、ドライエッチング時間を所定深さの加工に要す
る最低時間よりも長くしなければならない点について配
慮されておらず、ポリイミド絶縁層溝加工後に露出する
面が、下層導体金属であるか下層ポリイミド絶縁層であ
るかによって、該露出面に凹凸が生じる、という問題が
あった。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点をなくし、
ドライエッチング後の露出面を基板全面でそろえること
により、精度の高い配線を安全に形成できる配線パター
ンの形成方法を提供することにある。
ドライエッチング後の露出面を基板全面でそろえること
により、精度の高い配線を安全に形成できる配線パター
ンの形成方法を提供することにある。
上記目的は下地絶縁体上に絶縁体を形成し、ドライエッ
チング法によって所望配線パターン形状の溝加工を行
い、この加工溝内に導体金属を充填して配線パターンを
形成する配線パターンの形成方法において、上記下地絶
縁体上に所望配線パターン形状と同形上もしくはそれよ
りも広くパターニングした金属薄膜をあらかじめ形成し
ておき、上記ドライエッチング法によって所望配線パタ
ーン形状の溝加工を形成する時のストッパにすることに
よって達成される。
チング法によって所望配線パターン形状の溝加工を行
い、この加工溝内に導体金属を充填して配線パターンを
形成する配線パターンの形成方法において、上記下地絶
縁体上に所望配線パターン形状と同形上もしくはそれよ
りも広くパターニングした金属薄膜をあらかじめ形成し
ておき、上記ドライエッチング法によって所望配線パタ
ーン形状の溝加工を形成する時のストッパにすることに
よって達成される。
ドライエッチング法においては、金属のエッチング速度
はポリイミド系樹脂のエッチング速度に比べて一般に10
0倍以上遅い。この為アルミ薄膜のような金属薄膜がド
ライエッチング用マスクとして用いられるわけだが、逆
にドライエッチングのストッパとして用いることも可能
である。即ち、ポリイミド絶縁層内の一定の深さの位置
にあらかじめ金属薄膜を形成しておけば、ドライエッチ
ングによってポリイミド絶縁層を加工しても金属薄膜が
露出した段階で加工の進行はストップする。なお、該金
属薄膜が所望配線を短絡させない為には、あらかじめ該
金属薄膜を所望配線パターンと略同形状にパターニング
しなければならない。また露光工程での位置ずれを考慮
すると、上記パターニングは所望配線パターン形状より
も広くパターニングしておくことが望ましい。
はポリイミド系樹脂のエッチング速度に比べて一般に10
0倍以上遅い。この為アルミ薄膜のような金属薄膜がド
ライエッチング用マスクとして用いられるわけだが、逆
にドライエッチングのストッパとして用いることも可能
である。即ち、ポリイミド絶縁層内の一定の深さの位置
にあらかじめ金属薄膜を形成しておけば、ドライエッチ
ングによってポリイミド絶縁層を加工しても金属薄膜が
露出した段階で加工の進行はストップする。なお、該金
属薄膜が所望配線を短絡させない為には、あらかじめ該
金属薄膜を所望配線パターンと略同形状にパターニング
しなければならない。また露光工程での位置ずれを考慮
すると、上記パターニングは所望配線パターン形状より
も広くパターニングしておくことが望ましい。
以下、本発明の一実施例を、第１図により説明する。第
１図（ａ）の下地絶縁体上１に、同図（ｂ）に示す様に
スパッタ法によりCr薄膜２（膜厚1000Å）を形成し、同
図（ｃ）の様に所望導体パターン形状より広くパターニ
ングした。次に同図（ｄ）に示す様にポリイミド絶縁層
３（膜厚20μｍ）およびリフトオフ層４（膜厚５μｍ）
を形成した。しかるのち同図（ｅ）に示す様にスパッタ
法によりAl薄膜５（膜厚0.1〜２μｍ）を形成し、同図
（ｆ）の様に所望導体パターンの反転パターンにパター
ニングした。次に同図（ｇ）の様に上記Al薄膜パターン
をマスクとしてドライエッチングを行い、加工溝６を得
る。この時、Cr薄膜２がストッパとして露出し、これ以
上深くドライエッチングが進行することはない。次いで
同図（ｈ）に示す様に銅層７を蒸着し、加工溝内部に銅
を充填する。しかるのちにリフトオフ層４をエッチング
除去することにより、同図（ｉ）の様な導体配線を得
た。
１図（ａ）の下地絶縁体上１に、同図（ｂ）に示す様に
スパッタ法によりCr薄膜２（膜厚1000Å）を形成し、同
図（ｃ）の様に所望導体パターン形状より広くパターニ
ングした。次に同図（ｄ）に示す様にポリイミド絶縁層
３（膜厚20μｍ）およびリフトオフ層４（膜厚５μｍ）
を形成した。しかるのち同図（ｅ）に示す様にスパッタ
法によりAl薄膜５（膜厚0.1〜２μｍ）を形成し、同図
（ｆ）の様に所望導体パターンの反転パターンにパター
ニングした。次に同図（ｇ）の様に上記Al薄膜パターン
をマスクとしてドライエッチングを行い、加工溝６を得
る。この時、Cr薄膜２がストッパとして露出し、これ以
上深くドライエッチングが進行することはない。次いで
同図（ｈ）に示す様に銅層７を蒸着し、加工溝内部に銅
を充填する。しかるのちにリフトオフ層４をエッチング
除去することにより、同図（ｉ）の様な導体配線を得
た。
以上述べたように本発明によれば配線幅が狭く、配線膜
厚の厚い配線、配ち高アスペクト比配線を狭い配線ピッ
チで形成できるので、高密度の配線基板を得ることがで
きる。
厚の厚い配線、配ち高アスペクト比配線を狭い配線ピッ
チで形成できるので、高密度の配線基板を得ることがで
きる。
第１図は、本発明の一実施例の工程を示す断面図であ
る。 １……下地絶縁体、２……Cr薄膜 ３……ポリイミド絶縁層 ４……リフトオフ層、５……Al薄膜 ６……加工溝、７……銅層
る。 １……下地絶縁体、２……Cr薄膜 ３……ポリイミド絶縁層 ４……リフトオフ層、５……Al薄膜 ６……加工溝、７……銅層
Claims (1)
- 【請求項１】下地絶縁体上に絶縁体を形成し、ドライエ
ッチング法によって所望配線パターン形状の溝加工を行
い、この加工溝内に導体金属を充填して配線パターンを
形成する配線パターン形成方法において、上記下地絶縁
体上に所望配線パターン形状と同形状もしくはそれより
広い形状の金属薄膜をあらかじめ設けておくことを特徴
とする配線パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28533387A JPH0750706B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 配線パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28533387A JPH0750706B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 配線パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128528A JPH01128528A (ja) | 1989-05-22 |
| JPH0750706B2 true JPH0750706B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=17690191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28533387A Expired - Lifetime JPH0750706B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 配線パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750706B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270680A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Ulvac Japan Ltd | Ｃｎｔ成長用微細ホール形成方法、ｃｎｔ成長用基板、及びｃｎｔ成長方法 |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP28533387A patent/JPH0750706B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01128528A (ja) | 1989-05-22 |
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