JPS6140004A - 抵抗器のパタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はチーマルヘッド等において基板上に設けられる
抵抗器のパターン形成方法に関するものである。

この抵抗器は、抵抗体の上（二、該抵抗体の一部が露出
するように導体を接続、形成して構成されている。

〔従来の技術〕

この種の抵抗器の従来のパターン形成工程を第２図に示
す。

パターン形成に際しては、まず第２図（α）１：示すよ
うに、基板１上にＴａ、Ｎ等の抵抗体層２．Ｎ１Ｃｒ−
Ａμ等の導体層６をスパッタ法あるいは蒸着法により順
次形成し、次ζ二その上にレジストヲ塗布し露光現像を
行って所定のパターンのレジスト層４を形成する。第２
図（ａ′２はこの状態の平面図を示し、第２図（α）は
第２図（α′）のＡ−Ａ断面図に相当する。

次に、第２図（ＩＩ）　に示すように、レジスト層４を
マスクとしてエツチングを行って導体層３の露出部分を
除去する。第２図（ｂ′）はこの状態の平面図である。

そして、更にエツチングを続けて第２図（６）に示すよ
うに抵抗体層２の露出部分を除去す゛る。

第２図（Ｃ′）はこの状態の平面図である。

これから後の工程には次の■、■の２通りである。

■　レジスト層４を剥離し、新たにレジストを塗布し露
光現像を行って第２図ｆｌ）に示すようにレジスト層５
を形成する。第２図（ｄ′）はこの状態の平面図で、残
っている導体層の内の一部導体５α（周辺に斜線を記入
した部分）が露出している。

次にこのレジスト層５をマスクとしてエツチングを行っ
て第２図（−）に示すように露出している。

一部導体３αを除去する。これにより一部導体３αの下
の抵抗体２αが露出する。第２図（ｅ′）はこの状態の
平面図である。

■　最初のレジスト層４をポジレジストで形成しておき
、これＣ−再度露光、現像を行って第２図いに示すパタ
ーンのレジスト層６を形成する。

第一０図（／’−）はこの状態の平面図である。その後
、第２図（！１１に示すようにこのレジスト層６をマス
クとしてエツチングを行って露出している一部−導体３
ｈを除去しその下の抵抗体２ｂを露出させる。第２図（
ｇ′）はこの状態の平面図である。

この■、■の何れの場合も、最後にレジスト層５゜６を
除去することによって、第３図に示す抵抗器７を得るこ
とができる。抵抗器７は、Ｈ型の抵抗体８の両端部上に
導体９．９を接続形成した形状を有しており、抵抗体８
の中間部は導体９．９の間で露出している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

これらの従来のパターン形成方法は次の欠点を有してい
る。

すなわち、■の場合はレジストを２回塗布する必要があ
るので工程的に不利である。これに対し、■の場合はレ
ジスト、塗布が１回ですむので安くできるが、前段のエ
ツチングでレジストが浸されない場合のみ適用で門るも
のである。しかし、抵抗体膜はＴａ系、Ｃｒ−８ｉ系等
エツチングが困難なものが多く、これらに対してはドラ
イエツチングが有効であるが、ドライエツチングを行う
とレジストが変質するので、■の方法には問題がある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上述の問題点を解決できる抵抗器のパターン形
成方法を提出することを目的としたもので、そのための
手段として、基板上に抵抗体層。

導体層、ポジレジスト層な順次形成し、該ポジレジスト
層の一部を露光、現像により除去して第１回目のパター
ニングを行い、該パターニングされたポジレジスト層を
マスクとして該ポジレジスト層を変質させないウエツ・
トエツテングを行って前記導体層の露出部分を除去し、
次亀二前記ポジレジスト層の一部を露光、現像により除
去してｓ２回目のパターニングを行い、該パターニング
されたポジレジスト層をマスクとしてドライエツチング
を行って露出する導体の厚さの一部及び露出する抵抗体
を除去し、さらに再びウェットエツチング１に行って残
りの露出導体を除去し、最後に前記ポジレジスト層を除
去する工程を採用している。

〔作用〕

前段の導体エツチング（第１回目のパターニングにより
形成されたポジレジストマスクによるエツチング）は該
ポジレジストを変質させないウェットエツチングにより
行われるため、このエツチングによりレジストが侵され
ることはなく、このレジストを利用して第２回目のパタ
ーニングを行って抵抗体をドライエツチングにより効果
的に除去することができる。この後段のドライエツチン
グの際に、導体層の一部の露出部分は完全に除去されな
い（導体層の膜厚が厚いため）が、これはウェットエツ
チングにより除去できる。

〔実施例〕

以下、第１図に関連して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明に係る抵抗器のパターン形成方法による
サーマルヘッドの抵抗器製造工程図である。

抵抗器のパターン形成に際しては、まず第１図（α）（
＝示すように、グレーズドアルミナ基板１１上に窒化タ
ンタル（Ｔａ、Ｎ）をスパッタ法により１ｏｏｏ　ｌの
厚さに付着させて抵抗体層１２を形成し、その上にアル
ミニウム（Ａｔ）を蒸着法により０．５μの厚さに付着
させて導体層１６を形成し、さらにその上にポジレジス
）Ｙ塗布し露光現像により第１回目のパターニングを行
ってポジレジスト層１４ヲ形成する。第１図（α′）は
この状態の平面図で、第１図（Ｗ）は第１図（α′）の
Ｂ−Ｂ断面図に相当する。

次に第１図（ｂ）に示すように、ポジレジスト層１４を
マスクとしてエツチングを行って導体層１６の露出部分
な除去する。このエツチングは、りん酸。

硝酸、酢酸混合液で行われるクエットエッテングであり
、エツチングによりポジレジストがイ受されることはな
い。第１図（ｂ′）はこの状態の平面図である。ここま
での工程は、レジストにボジレジス）Ｙ用いる点を除け
ば従来と同様である。

次に、ポジレジスト層１４の一部に露光し現像を行って
第２回目のパターニングを行う。その結果、第１図（Ｃ
）に示すポジレジスト層１５　、１５が得られる。第１
図（α′）はこの状態の平面図である。

次に、このポジレジスト層１５をマスクとしてドライエ
ツチングを行って第１図（ｄ）に示すように抵抗体層１
２の露出部分を除去する。このドライエツチングは、リ
アクティブイオンエツチング装置を用い、ＣＦ、＋０．
ガスにて行う。この際ポジレジスト層１５は変質するが
、この後は該ポジレジスト層１５のパターニングが行わ
れないため、支障をきたすことはない、第１図（ｄ′）
はこの状態の平面内である。

この工程では、露出導体１３αもエツチングされるが、
通常導体の方が膜厚が厚いため（抵抗体１０００Ａに対
し導体が０．５μ）、露出導体１３αは第１図（ｄｌに
示すように全部は除去されず厚さが減るだけである。

次（二第１図（−）に示すようＩ：、この露出導体１３
αをクエットエッチングにより除去する。第１図（α′
）はこの状態の平面図である。

最後にポジレジスト膜１５を除去すれば、８３図と同形
状の抵抗器が得られる。

〔発明の効果〕

本発明は以上のように構成されているので、次の各種の
優れた効果を奏することが可能である。

、（１）　　抵抗体の不要部分の除去はドライエツチン
グにより高精度に行われる。

（２）　　レジストにポジレジストを用い、第１回目の
パターニング後の前段のエツチングをクエットエツテン
グとしているため、このエツチングによりレジストが変
質せず、再び第２回目のパターニングを行うことが可能
である。すなわち、レジスト塗布を１回ですませられる
ので、（１）項と関連してコストを低減することが可能
である。

【図面の簡単な説明】

第１図（α）〜（−′）は本発明に係る抵抗器のパター
ン形成方法の実施例を示す抵抗器製造工程図、第２図（
α）〜（ｄ′）は従来の抵抗器製造工程図、第３図は抵
抗器の正面図である。 図中、７は抵抗器、８は抵抗体、９は導体、１１は基板
、１２は抵抗体層、１３は導体層、１６αは露出導体、
１４　、　ｉｓはポジレジスト層をそれぞれ示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板上に抵抗体層、導体層、ポジレジス ト層を順次形成し、該ポジレジスト層の一部を露光、現
   像により除去して第１回目のパターニングを行い、該パ
   ターニングされたポジレジスト層をマスクとして該ポジ
   レジスト層を変質させないウェットエッチングを行つて
   前記導体層の露出部分を除去し、次に前記ポジレジスト
   層の一部を露光、現像により除去して第２回目のパター
   ニングを行い、該パターニングされたポジレジスト層を
   マスクとしてドライエッチングを行って露出導体の厚さ
   の一部及び露出抵抗体を除去し、さらに再びウェットエ
   ッチングを行つて残りの露出導体を除去し、最後に前記
   ポジレジスト層を除去することを特徴とする抵抗器のパ
   ターン形成方法。