JPS58197849A - 電極配線の形成方法 - Google Patents
電極配線の形成方法Info
- Publication number
- JPS58197849A JPS58197849A JP8016882A JP8016882A JPS58197849A JP S58197849 A JPS58197849 A JP S58197849A JP 8016882 A JP8016882 A JP 8016882A JP 8016882 A JP8016882 A JP 8016882A JP S58197849 A JPS58197849 A JP S58197849A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode wiring
- upper layer
- aluminum alloy
- lower layer
- layer
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電極配線の形成方法に関するものである。
現在、大部分の集積回路においては、アルミニウムまた
はアルミニウム合金を電極配線材料として用い、かつ写
真食刻法によりパターン形成を行うことによシ、所望パ
ターンの電極配線を形成している。
はアルミニウム合金を電極配線材料として用い、かつ写
真食刻法によりパターン形成を行うことによシ、所望パ
ターンの電極配線を形成している。
このようにして形成された電極配線の断面図を第１図に
示す。この図に示すように、電極配線１の断面形状はほ
ぼ長方形である。したがって、第２図に示すように、こ
の電極配線１の上に保饅膜あるいは多層配線の中間ＩＭ
２を堆積すると、この膜２には゛くびれ°３が生じ、そ
のためにピンホールや破損または２層目配線の断線など
の問題があった。
示す。この図に示すように、電極配線１の断面形状はほ
ぼ長方形である。したがって、第２図に示すように、こ
の電極配線１の上に保饅膜あるいは多層配線の中間ＩＭ
２を堆積すると、この膜２には゛くびれ°３が生じ、そ
のためにピンホールや破損または２層目配線の断線など
の問題があった。
そζで、パターン形成する前のアルミニウムま九はアル
ミニウム合金層の表面を酸化するなどの方法によシ、こ
の層とホトレノスト（パターン形成時のマスク）との密
着性を悪くすることによって、前記層とホトレジ２１間
に故意にエツチング液をしみ込ませ、それにより、電極
配線を断面台形に形成することが行われている。しかる
に、この方法は再現性に−２しかった。
ミニウム合金層の表面を酸化するなどの方法によシ、こ
の層とホトレノスト（パターン形成時のマスク）との密
着性を悪くすることによって、前記層とホトレジ２１間
に故意にエツチング液をしみ込ませ、それにより、電極
配線を断面台形に形成することが行われている。しかる
に、この方法は再現性に−２しかった。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、電極配線の
側面を階段状に形成することにより、保毅膜あるいは中
間膜から“〈びれ”を除去することができ、しかも電極
配線の側面を再現性よく階段状に形成することができる
電極配線の形成方法を提供することを目的とする。
側面を階段状に形成することにより、保毅膜あるいは中
間膜から“〈びれ”を除去することができ、しかも電極
配線の側面を再現性よく階段状に形成することができる
電極配線の形成方法を提供することを目的とする。
以下この発明の実施例を第３図を参照して説明する。
第３図■において、１１はシリコン基板であシ、まず、
この基板１１上に、エツチング速度の小さいアルばニウ
ム合金を用いてスパッタ法によシ下層１２を形成する。
この基板１１上に、エツチング速度の小さいアルばニウ
ム合金を用いてスパッタ法によシ下層１２を形成する。
次に、その下層１２の上に、エツチング速度の大きいア
ルオニウム合金を用いて同じくスパッタ法によシ上Ｍ１
３を形成する。
ルオニウム合金を用いて同じくスパッタ法によシ上Ｍ１
３を形成する。
続いて、上層１３の上にホトレゾスト１４を塗布して露
光・現像し、そのホトレゾス）１４を、電極配線、領域
上のみ第３図の）に示すように残す。
光・現像し、そのホトレゾス）１４を、電極配線、領域
上のみ第３図の）に示すように残す。
しかる後、残存ホトレジスト１４をマスクとして、上層
１３および下層１２の不要部分をリン酸エッチャントに
よりエツチング除去し、マスク下のみ上層１３および下
層１２を残すことによシ、それらからなる電極配線を形
成する。この場合、上層１３のアルオニウム合金のエツ
チング速度が、下層１２のそれより大きいために、サイ
ドエッチ量も上層１３の方が下層１２のそれよシ大きく
なる。その結果、残された上層１３および下層１２から
なる電極配線は、第３図（Ｑに示すように、側面が階段
状になる。したがって、その電極配線上に保護膜あるい
は多層配線の中間膜１５を第４図に示すように形成して
も、その中間膜１５には“くびれ”が発生しなくなる。
１３および下層１２の不要部分をリン酸エッチャントに
よりエツチング除去し、マスク下のみ上層１３および下
層１２を残すことによシ、それらからなる電極配線を形
成する。この場合、上層１３のアルオニウム合金のエツ
チング速度が、下層１２のそれより大きいために、サイ
ドエッチ量も上層１３の方が下層１２のそれよシ大きく
なる。その結果、残された上層１３および下層１２から
なる電極配線は、第３図（Ｑに示すように、側面が階段
状になる。したがって、その電極配線上に保護膜あるい
は多層配線の中間膜１５を第４図に示すように形成して
も、その中間膜１５には“くびれ”が発生しなくなる。
なお、厚さＩＪｌの電極配線を得る場合、上層１３とし
てはｈｔ −ｓｔ−造を２００〜１０００人、またはＡ
Ｉ −Ｃｕ 、 Ａｊ −８１−Ｃｕを２０００〜５０
００Ｘ形成する。一方、下層１２としてはＡｊ −Ｓｔ
を用い、厚さは、全体の厚さが１μとなるようにすれば
よい。
てはｈｔ −ｓｔ−造を２００〜１０００人、またはＡ
Ｉ −Ｃｕ 、 Ａｊ −８１−Ｃｕを２０００〜５０
００Ｘ形成する。一方、下層１２としてはＡｊ −Ｓｔ
を用い、厚さは、全体の厚さが１μとなるようにすれば
よい。
以上の実施例から明らかなように、この発明の方法にお
いては、エツチング速度の小さいアルミニウム合金から
なる下層を形成した後、その上に、エツチング速度の大
きいアルオニウム合金からなる上層を形成し、しかる後
、上層および下層のパ↑ ターン形成を写真食刻法で行うことによシ、前記２層か
らなる電極配線を形成する。この方法によれば、パター
ン形成時の、上層と下層とのサイドエッチ量の違いを利
用して、電極配線の側面をに枝状に形成できる。したが
って、電極配線上に保護膜あるいく中間膜を形成しても
、この膜に°くびれ“が発生することを防止できるよう
になる。
いては、エツチング速度の小さいアルミニウム合金から
なる下層を形成した後、その上に、エツチング速度の大
きいアルオニウム合金からなる上層を形成し、しかる後
、上層および下層のパ↑ ターン形成を写真食刻法で行うことによシ、前記２層か
らなる電極配線を形成する。この方法によれば、パター
ン形成時の、上層と下層とのサイドエッチ量の違いを利
用して、電極配線の側面をに枝状に形成できる。したが
って、電極配線上に保護膜あるいく中間膜を形成しても
、この膜に°くびれ“が発生することを防止できるよう
になる。
また、上記の方法によれば、電極配線の側面を再現性よ
く階段状に形成することができる。
く階段状に形成することができる。
第１図は従来の電極配線を示す断面図、第２図は従来の
電極配線上に保護膜あるいは中間膜を堆積した状態を示
す断面図、第３図はこの発明の電極配線の形成方法の実
施例を示す断面図、第４図はこの発明の実施例により形
成された電極配線上に保護膜あるいは中間膜を形成した
状態を示す断面図である。 １２・・・下層、１３・・・上層、１４・・・ホトレジ
スト。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図
電極配線上に保護膜あるいは中間膜を堆積した状態を示
す断面図、第３図はこの発明の電極配線の形成方法の実
施例を示す断面図、第４図はこの発明の実施例により形
成された電極配線上に保護膜あるいは中間膜を形成した
状態を示す断面図である。 １２・・・下層、１３・・・上層、１４・・・ホトレジ
スト。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図
Claims (1)
- エツチング速度の小さいアルミニウム合金からなる下層
を形成した後、その上に、エツチング速度の大きいアル
ミニウム合金からなる上層を形成し、しかる後、上層お
よび下層のパターン形成を写真食刻法で行うことによシ
、前記２層からなる電極配線を形成することを特徴とす
る電極配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8016882A JPS58197849A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 電極配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8016882A JPS58197849A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 電極配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197849A true JPS58197849A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13710789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8016882A Pending JPS58197849A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 電極配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197849A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144468A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0195536A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 多重膜配線体の製造方法 |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP8016882A patent/JPS58197849A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144468A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0195536A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 多重膜配線体の製造方法 |
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