JPS61130061A - サ−マルヘツドの製造方法 - Google Patents
サ−マルヘツドの製造方法Info
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- JPS61130061A JPS61130061A JP59252387A JP25238784A JPS61130061A JP S61130061 A JPS61130061 A JP S61130061A JP 59252387 A JP59252387 A JP 59252387A JP 25238784 A JP25238784 A JP 25238784A JP S61130061 A JPS61130061 A JP S61130061A
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- Japan
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- heating resistor
- thermal head
- etching
- dry etching
- etching method
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- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はサーマルヘッドの製造方法に関するもので、特
に1発熱抵抗体を所定のパターンに形成する際のエツチ
ング工程における欠点を改善したものである。
に1発熱抵抗体を所定のパターンに形成する際のエツチ
ング工程における欠点を改善したものである。
(従来の技術)
従来、サーマルヘッドの製造方法としては。
アルミナセラミックス等の絶縁性基板上にスパッタリン
グや真空蒸着等により発熱抵抗体次いで電極を一様に形
成した後、フォトレジストを用いて、電極の一部を細長
くエツチング除去すると七により発熱抵抗体の一部を露
出させ、更にこの露出部分が発熱部となる様に共通電極
から複数の個別電極を突き出した電極パターンを形成す
るように電極及び発熱抵抗体をエツチング除去してなる
方法や、或いは、この方法における発熱抵抗体の一部を
露出させる工程と電極パターンを形成する工程との順序
を逆にしてなる方法が知られており、その発熱抵抗体材
質としては高融点金属シリサイド系、或いは窒化タンタ
ル系のものが、また電極材質としてはアルミニウム合金
等が主に利用されている。
グや真空蒸着等により発熱抵抗体次いで電極を一様に形
成した後、フォトレジストを用いて、電極の一部を細長
くエツチング除去すると七により発熱抵抗体の一部を露
出させ、更にこの露出部分が発熱部となる様に共通電極
から複数の個別電極を突き出した電極パターンを形成す
るように電極及び発熱抵抗体をエツチング除去してなる
方法や、或いは、この方法における発熱抵抗体の一部を
露出させる工程と電極パターンを形成する工程との順序
を逆にしてなる方法が知られており、その発熱抵抗体材
質としては高融点金属シリサイド系、或いは窒化タンタ
ル系のものが、また電極材質としてはアルミニウム合金
等が主に利用されている。
ところで、これらの方法においては、前記発熱抵抗体を
所定のパターンに形成する際、主にHF +HN OA
系の混酸を用いた。ウェットエツチング法が採用されて
いるが、この様なウェットエツチング法によると1発熱
抵抗体において否応無くサイドエッチの問題が生じる。
所定のパターンに形成する際、主にHF +HN OA
系の混酸を用いた。ウェットエツチング法が採用されて
いるが、この様なウェットエツチング法によると1発熱
抵抗体において否応無くサイドエッチの問題が生じる。
従来。
この問題を解消せんとしてサーマルヘッドの製造工程そ
のものを変更したものも有るが、ウェットエツチング法
が基本的には等方性エツチングであることから、エツチ
ングが周囲に対して均等に進行することによりサイドエ
ッチの問題は解消し切れず、仲々満足のいくものが得ら
れていないのが実状の処である。加えて2発熱抵抗体の
みならず、材質によってはその上層に位置する電極をも
エツチングしてしまう他、更にはフォトレジストにおけ
るレジスト膜を腐食させる等という種々の問題も付加的
にからんでくることによって、より大きな不具合を招く
に至っている。その結果、得られるサーマルヘッドは1
発熱抵抗体の寸法のバラツキにより抵抗値のバラツキを
招いて高精度、高密度の階調制御を困離にするばかりで
なく、印字−ドッド形状のバラツキを直に引き起こし、
印字品質を著しく低下せしめたり、製造時の歩留り低下
も避けられないものとなっていた。
のものを変更したものも有るが、ウェットエツチング法
が基本的には等方性エツチングであることから、エツチ
ングが周囲に対して均等に進行することによりサイドエ
ッチの問題は解消し切れず、仲々満足のいくものが得ら
れていないのが実状の処である。加えて2発熱抵抗体の
みならず、材質によってはその上層に位置する電極をも
エツチングしてしまう他、更にはフォトレジストにおけ
るレジスト膜を腐食させる等という種々の問題も付加的
にからんでくることによって、より大きな不具合を招く
に至っている。その結果、得られるサーマルヘッドは1
発熱抵抗体の寸法のバラツキにより抵抗値のバラツキを
招いて高精度、高密度の階調制御を困離にするばかりで
なく、印字−ドッド形状のバラツキを直に引き起こし、
印字品質を著しく低下せしめたり、製造時の歩留り低下
も避けられないものとなっていた。
発熱抵抗体を所定のパターンに形成する際にドライエツ
チング法を用いることによシ、従来の問題を極力解消し
た優れたサーマルヘッドの製造方法を提供することを目
的とするものである。
チング法を用いることによシ、従来の問題を極力解消し
た優れたサーマルヘッドの製造方法を提供することを目
的とするものである。
(発明の構成)
即ち9本発明は、絶縁性基板上に発熱抵抗体。
電極及び保護膜を有してなるサーマルヘッドの製造方法
において、前記発熱抵抗体を所定のパターンに形成する
際にドライエツチング法を用いることを特徴とするサー
マルヘッドの製造方法を要旨とするものである。
において、前記発熱抵抗体を所定のパターンに形成する
際にドライエツチング法を用いることを特徴とするサー
マルヘッドの製造方法を要旨とするものである。
本発明において特に重要なのは9発熱抵抗体を所定のパ
ターンに形成する際に、その具体的エツチング手段とし
てドライエツチング法を用いたことにある。即ち、近年
T、 S IO高密度化と共に技術発達がなされてきた
ドライエツチング法は、異方性エツチングが可能である
ために。
ターンに形成する際に、その具体的エツチング手段とし
てドライエツチング法を用いたことにある。即ち、近年
T、 S IO高密度化と共に技術発達がなされてきた
ドライエツチング法は、異方性エツチングが可能である
ために。
発熱抵抗体における横方向へのエツチングを抑え、且つ
、厚さ方向のみへのエツチングを進行せしめることが極
力可能と々ったもので3その結果8従来の等方性エツチ
ングにみられた周囲に対して均一にエツチングが進行す
るものとは異なって1発熱抵抗体のサイドエッチ量を、
′・数分の1以下に極力抑えることができるようになっ
たものである。
、厚さ方向のみへのエツチングを進行せしめることが極
力可能と々ったもので3その結果8従来の等方性エツチ
ングにみられた周囲に対して均一にエツチングが進行す
るものとは異なって1発熱抵抗体のサイドエッチ量を、
′・数分の1以下に極力抑えることができるようになっ
たものである。
一般にエツチング時におけるサイドエッチの量は、その
膜厚が大きなファクターとして存在するため、これを踏
まえると、サーマルヘッドにおける発熱抵抗体のパター
ニングに際しても。
膜厚が大きなファクターとして存在するため、これを踏
まえると、サーマルヘッドにおける発熱抵抗体のパター
ニングに際しても。
この発熱抵抗体の層厚は出来得る限り薄く設定しておく
必要があるが、実際問題として1発熱抵抗体の抵抗値制
御を容易となす為にはある程5一 度の厚みが必要となってくる。かと言ってその様な点を
鑑みれば1本発明におけるドライエツチング法は、とり
わけ有意義々ものと言える。
必要があるが、実際問題として1発熱抵抗体の抵抗値制
御を容易となす為にはある程5一 度の厚みが必要となってくる。かと言ってその様な点を
鑑みれば1本発明におけるドライエツチング法は、とり
わけ有意義々ものと言える。
してみると1発熱抵抗体材質としては、比抵抗の低いチ
タンシリサイド、或いはモリブデンシリサイド等を使用
することが好壕しく、その中でも、耐熱性に優れたチタ
ンシリサイドを使用すれは層厚002μm程度で、サー
マルヘッドに要求される1000程度の抵抗値が十分に
得られるため特に好ましいものとなる。
タンシリサイド、或いはモリブデンシリサイド等を使用
することが好壕しく、その中でも、耐熱性に優れたチタ
ンシリサイドを使用すれは層厚002μm程度で、サー
マルヘッドに要求される1000程度の抵抗値が十分に
得られるため特に好ましいものとなる。
本発明によるサーマルヘッドの製造方法は。
先づ、アルミナセラミックス等の絶縁性基板上にスパッ
タリングや真空蒸着等によって窒化タンタル系のもの、
或いは高融点金属シリサイド系のものよシなる発熱抵抗
体、そしてアルミニウム合金等よりなる電極を一様に形
成する。次いで、これをもとに特公昭55−7155号
公6一 報、または特公昭59−41873号公報に示す様な製
造工程を経た後、最表面に保護膜を形成して所望のサー
マルヘッドを得る。ここで。
タリングや真空蒸着等によって窒化タンタル系のもの、
或いは高融点金属シリサイド系のものよシなる発熱抵抗
体、そしてアルミニウム合金等よりなる電極を一様に形
成する。次いで、これをもとに特公昭55−7155号
公6一 報、または特公昭59−41873号公報に示す様な製
造工程を経た後、最表面に保護膜を形成して所望のサー
マルヘッドを得る。ここで。
前記工程中発熱抵抗体を所定のパターンに形成する際は
、ドライエツチング法を用いるわけだが、この方法自体
については従来より周知の方法に従って行なえば良く、
使用するエツチングガスは1発熱抵抗体或いは電極等の
材質を考慮の上、適宜選択すれば良いものである。この
様に使用するエツチングガスの選択を誤らなければ、電
極をもエツチングすることが極力避けられ、もって良好
なエツチングが行なえるものである。
、ドライエツチング法を用いるわけだが、この方法自体
については従来より周知の方法に従って行なえば良く、
使用するエツチングガスは1発熱抵抗体或いは電極等の
材質を考慮の上、適宜選択すれば良いものである。この
様に使用するエツチングガスの選択を誤らなければ、電
極をもエツチングすることが極力避けられ、もって良好
なエツチングが行なえるものである。
(実施例)
以下1本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
実施例1
部分グレーズを施したアルミナ基板上に、一様に通常の
スパッタリングによってS i Q 、’2膜を1.5
μm1発熱抵抗体としてチタンシリサイド膜を102μ
m+ を極としてAJCu−Si合′をリン酸:硝I!
&=10=3からなるエツチング液でウェットエツチン
グすることにより、巾160μm、長さ20纂の細長い
窓をあけ発熱抵抗体を露出させる。次いで同様に、フォ
トレジストをマスクとしてAJ Ou Si合金膜
をウェットエツチングし、a長い発熱抵抗体の露出した
部分がサーマルヘッドの発熱部となるように、共通電極
から巾140μm、1t&間のスペース20μmの個別
!極が突き出したくし形を極パターンを形成する。そし
て、更にこのレジストパターンをマスクとしてQli’
4+20%02−ガスを用い1周波数1五56 M H
zのBE’電力60Wの条件にて前記発熱抵抗体をドラ
イエツチングする。−この後、レジストを剥離し、その
表面に外部配線との接続用1極部を除いて窒素原子15
%を添加したS1膜を保護膜として反応性スパッタリン
グによシ約8μm形成する。
スパッタリングによってS i Q 、’2膜を1.5
μm1発熱抵抗体としてチタンシリサイド膜を102μ
m+ を極としてAJCu−Si合′をリン酸:硝I!
&=10=3からなるエツチング液でウェットエツチン
グすることにより、巾160μm、長さ20纂の細長い
窓をあけ発熱抵抗体を露出させる。次いで同様に、フォ
トレジストをマスクとしてAJ Ou Si合金膜
をウェットエツチングし、a長い発熱抵抗体の露出した
部分がサーマルヘッドの発熱部となるように、共通電極
から巾140μm、1t&間のスペース20μmの個別
!極が突き出したくし形を極パターンを形成する。そし
て、更にこのレジストパターンをマスクとしてQli’
4+20%02−ガスを用い1周波数1五56 M H
zのBE’電力60Wの条件にて前記発熱抵抗体をドラ
イエツチングする。−この後、レジストを剥離し、その
表面に外部配線との接続用1極部を除いて窒素原子15
%を添加したS1膜を保護膜として反応性スパッタリン
グによシ約8μm形成する。
この様にして得られたサーマルヘッドの発熱抵抗体素子
の寸法は、139μff1X162μmとなシ、マスク
の寸法140μff1X 160μmに対しての誤差は
±1.5%以内であった。
の寸法は、139μff1X162μmとなシ、マスク
の寸法140μff1X 160μmに対しての誤差は
±1.5%以内であった。
実施例2
実施例Iにおいて、くシ形の電極パターンを形成する際
に、レジストパターンをマスクトシて00ノ4ガスを用
い、 RF電力250Wを印加してAノー0u−Si
合金膜の電極をドライエツチングし9次いで、OF4+
20%Ofガスを用いてRF電力60Wを印加してチタ
ンシリサイドの発熱抵抗体をドライエツチングした。
に、レジストパターンをマスクトシて00ノ4ガスを用
い、 RF電力250Wを印加してAノー0u−Si
合金膜の電極をドライエツチングし9次いで、OF4+
20%Ofガスを用いてRF電力60Wを印加してチタ
ンシリサイドの発熱抵抗体をドライエツチングした。
尚、他の条件は全て実施例1と同様になした。
この様にして得られたサーマルヘッドの発熱抵抗体素子
の寸法は、139.5μm×162μmとなり、マスク
の寸法140μm×160μmに対しての誤差は±1.
5係以内であった。
の寸法は、139.5μm×162μmとなり、マスク
の寸法140μm×160μmに対しての誤差は±1.
5係以内であった。
9一
実施例3
部分グレーズを施したアルミナ基板上に、実施例1と同
様にして3 i 02♀膜1発熱抵抗体。
様にして3 i 02♀膜1発熱抵抗体。
電極をそれぞれ形成する。次いで、フォトレジストをマ
スクとしてAノーCu Si合金膜のこの後、レジス
トを剥離し、この電極パターン自体をマスクとして代用
し、0F4420%Oj・ガスを用いて、RF電力60
Wの条件にてチタンシリサイドよシなる発熱抵抗体をド
ライエツチングする。次いで、フォトレジストヲマスク
として電極をウェットエツチングし1個別電極のくし形
電極パターンを横断するよう、巾160μm、長さ20
mの細長い窓をあけ1発熱抵抗体を露出させ、レジスト
剥離後、実施例1と同様にして保護膜を形成する。
スクとしてAノーCu Si合金膜のこの後、レジス
トを剥離し、この電極パターン自体をマスクとして代用
し、0F4420%Oj・ガスを用いて、RF電力60
Wの条件にてチタンシリサイドよシなる発熱抵抗体をド
ライエツチングする。次いで、フォトレジストヲマスク
として電極をウェットエツチングし1個別電極のくし形
電極パターンを横断するよう、巾160μm、長さ20
mの細長い窓をあけ1発熱抵抗体を露出させ、レジスト
剥離後、実施例1と同様にして保護膜を形成する。
この様にして得られたサーマルヘッドの発熱抵抗体素子
の寸法は、139μmX 162μmとなり、マスク寸
法140μm×160μmに対しての誤差は±1.5%
以内であった。
の寸法は、139μmX 162μmとなり、マスク寸
法140μm×160μmに対しての誤差は±1.5%
以内であった。
比較例
実施例3において、くシ形の電極パターンを形成する際
に、フォトレジストをマスクとしてA7!−0u−8i
合金膜をHS P Oa −HNOs系のエツチング液
でウェットエツチングし1次いでHF −HN O、B
の5=1の混酸を用いて。
に、フォトレジストをマスクとしてA7!−0u−8i
合金膜をHS P Oa −HNOs系のエツチング液
でウェットエツチングし1次いでHF −HN O、B
の5=1の混酸を用いて。
チタンシリサイドよりなる発熱抵抗体をウェットエツチ
ングする。尚、他の条件は全て実施例3と同様になした
。
ングする。尚、他の条件は全て実施例3と同様になした
。
は7%以上であった。
(発明の効果)
以上の説明からもわかる様に1本発明ではサーマルヘッ
ドにおける発熱抵抗体を所定のパタものよりもそのサイ
ドエッチ量を極力低減せしめ、エツチング精度を数倍に
引き上げることが可能となったもので、その結果、サー
マルヘッドとしての抵抗値のバラツキを減少させ、また
。
ドにおける発熱抵抗体を所定のパタものよりもそのサイ
ドエッチ量を極力低減せしめ、エツチング精度を数倍に
引き上げることが可能となったもので、その結果、サー
マルヘッドとしての抵抗値のバラツキを減少させ、また
。
発熱抵抗体の形状を略設計通りに再現出来るもので、印
字品質、印字濃度、更にはサーマルヘッド製造時の歩留
りといったものもより一層その向上が期待できるものと
なる。
字品質、印字濃度、更にはサーマルヘッド製造時の歩留
りといったものもより一層その向上が期待できるものと
なる。
Claims (2)
- (1)絶縁性基板上に発熱抵抗体、電極及び保護膜を有
してなるサーマルヘッドの製造方法において、前記発熱
抵抗体を所定のパターンに形成する際にドライエッチン
グ法を用いることを特徴とするサマーヘッドの製造方法
。 - (2)前記発熱抵抗体がチタンシリサイドよりなること
を特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載のサーマル
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59252387A JPS61130061A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59252387A JPS61130061A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61130061A true JPS61130061A (ja) | 1986-06-17 |
Family
ID=17236611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59252387A Pending JPS61130061A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61130061A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63183861A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Seikosha Co Ltd | サ−マルヘツドの製造方法 |
JPS63183862A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Seikosha Co Ltd | サ−マルヘツドの製造方法 |
KR980000911A (ko) * | 1996-06-12 | 1998-03-30 | 김광호 | 저항값을 재작업하는 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5780074A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of thermal head |
JPS5869078A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-25 | Ricoh Co Ltd | サ−マルヘツドの製造方法 |
JPS58166766A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS58190060A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS6140004A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | 富士通株式会社 | 抵抗器のパタ−ン形成方法 |
-
1984
- 1984-11-29 JP JP59252387A patent/JPS61130061A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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KR980000911A (ko) * | 1996-06-12 | 1998-03-30 | 김광호 | 저항값을 재작업하는 방법 |
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