JPS61130061A - サ−マルヘツドの製造方法 - Google Patents
サ−マルヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS61130061A JPS61130061A JP59252387A JP25238784A JPS61130061A JP S61130061 A JPS61130061 A JP S61130061A JP 59252387 A JP59252387 A JP 59252387A JP 25238784 A JP25238784 A JP 25238784A JP S61130061 A JPS61130061 A JP S61130061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating resistor
- thermal head
- etching
- dry etching
- etching method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はサーマルヘッドの製造方法に関するもので、特
に１発熱抵抗体を所定のパターンに形成する際のエツチ
ング工程における欠点を改善したものである。
に１発熱抵抗体を所定のパターンに形成する際のエツチ
ング工程における欠点を改善したものである。
（従来の技術）
従来、サーマルヘッドの製造方法としては。
アルミナセラミックス等の絶縁性基板上にスパッタリン
グや真空蒸着等により発熱抵抗体次いで電極を一様に形
成した後、フォトレジストを用いて、電極の一部を細長
くエツチング除去すると七により発熱抵抗体の一部を露
出させ、更にこの露出部分が発熱部となる様に共通電極
から複数の個別電極を突き出した電極パターンを形成す
るように電極及び発熱抵抗体をエツチング除去してなる
方法や、或いは、この方法における発熱抵抗体の一部を
露出させる工程と電極パターンを形成する工程との順序
を逆にしてなる方法が知られており、その発熱抵抗体材
質としては高融点金属シリサイド系、或いは窒化タンタ
ル系のものが、また電極材質としてはアルミニウム合金
等が主に利用されている。
グや真空蒸着等により発熱抵抗体次いで電極を一様に形
成した後、フォトレジストを用いて、電極の一部を細長
くエツチング除去すると七により発熱抵抗体の一部を露
出させ、更にこの露出部分が発熱部となる様に共通電極
から複数の個別電極を突き出した電極パターンを形成す
るように電極及び発熱抵抗体をエツチング除去してなる
方法や、或いは、この方法における発熱抵抗体の一部を
露出させる工程と電極パターンを形成する工程との順序
を逆にしてなる方法が知られており、その発熱抵抗体材
質としては高融点金属シリサイド系、或いは窒化タンタ
ル系のものが、また電極材質としてはアルミニウム合金
等が主に利用されている。
ところで、これらの方法においては、前記発熱抵抗体を
所定のパターンに形成する際、主にＨＦ ＋ＨＮ ＯＡ
系の混酸を用いた。ウェットエツチング法が採用されて
いるが、この様なウェットエツチング法によると１発熱
抵抗体において否応無くサイドエッチの問題が生じる。
所定のパターンに形成する際、主にＨＦ ＋ＨＮ ＯＡ
系の混酸を用いた。ウェットエツチング法が採用されて
いるが、この様なウェットエツチング法によると１発熱
抵抗体において否応無くサイドエッチの問題が生じる。
従来。
この問題を解消せんとしてサーマルヘッドの製造工程そ
のものを変更したものも有るが、ウェットエツチング法
が基本的には等方性エツチングであることから、エツチ
ングが周囲に対して均等に進行することによりサイドエ
ッチの問題は解消し切れず、仲々満足のいくものが得ら
れていないのが実状の処である。加えて２発熱抵抗体の
みならず、材質によってはその上層に位置する電極をも
エツチングしてしまう他、更にはフォトレジストにおけ
るレジスト膜を腐食させる等という種々の問題も付加的
にからんでくることによって、より大きな不具合を招く
に至っている。その結果、得られるサーマルヘッドは１
発熱抵抗体の寸法のバラツキにより抵抗値のバラツキを
招いて高精度、高密度の階調制御を困離にするばかりで
なく、印字−ドッド形状のバラツキを直に引き起こし、
印字品質を著しく低下せしめたり、製造時の歩留り低下
も避けられないものとなっていた。
のものを変更したものも有るが、ウェットエツチング法
が基本的には等方性エツチングであることから、エツチ
ングが周囲に対して均等に進行することによりサイドエ
ッチの問題は解消し切れず、仲々満足のいくものが得ら
れていないのが実状の処である。加えて２発熱抵抗体の
みならず、材質によってはその上層に位置する電極をも
エツチングしてしまう他、更にはフォトレジストにおけ
るレジスト膜を腐食させる等という種々の問題も付加的
にからんでくることによって、より大きな不具合を招く
に至っている。その結果、得られるサーマルヘッドは１
発熱抵抗体の寸法のバラツキにより抵抗値のバラツキを
招いて高精度、高密度の階調制御を困離にするばかりで
なく、印字−ドッド形状のバラツキを直に引き起こし、
印字品質を著しく低下せしめたり、製造時の歩留り低下
も避けられないものとなっていた。
発熱抵抗体を所定のパターンに形成する際にドライエツ
チング法を用いることによシ、従来の問題を極力解消し
た優れたサーマルヘッドの製造方法を提供することを目
的とするものである。
チング法を用いることによシ、従来の問題を極力解消し
た優れたサーマルヘッドの製造方法を提供することを目
的とするものである。
（発明の構成）
即ち９本発明は、絶縁性基板上に発熱抵抗体。
電極及び保護膜を有してなるサーマルヘッドの製造方法
において、前記発熱抵抗体を所定のパターンに形成する
際にドライエツチング法を用いることを特徴とするサー
マルヘッドの製造方法を要旨とするものである。
において、前記発熱抵抗体を所定のパターンに形成する
際にドライエツチング法を用いることを特徴とするサー
マルヘッドの製造方法を要旨とするものである。
本発明において特に重要なのは９発熱抵抗体を所定のパ
ターンに形成する際に、その具体的エツチング手段とし
てドライエツチング法を用いたことにある。即ち、近年
Ｔ、 Ｓ ＩＯ高密度化と共に技術発達がなされてきた
ドライエツチング法は、異方性エツチングが可能である
ために。
ターンに形成する際に、その具体的エツチング手段とし
てドライエツチング法を用いたことにある。即ち、近年
Ｔ、 Ｓ ＩＯ高密度化と共に技術発達がなされてきた
ドライエツチング法は、異方性エツチングが可能である
ために。
発熱抵抗体における横方向へのエツチングを抑え、且つ
、厚さ方向のみへのエツチングを進行せしめることが極
力可能と々ったもので３その結果８従来の等方性エツチ
ングにみられた周囲に対して均一にエツチングが進行す
るものとは異なって１発熱抵抗体のサイドエッチ量を、
′・数分の１以下に極力抑えることができるようになっ
たものである。
、厚さ方向のみへのエツチングを進行せしめることが極
力可能と々ったもので３その結果８従来の等方性エツチ
ングにみられた周囲に対して均一にエツチングが進行す
るものとは異なって１発熱抵抗体のサイドエッチ量を、
′・数分の１以下に極力抑えることができるようになっ
たものである。
一般にエツチング時におけるサイドエッチの量は、その
膜厚が大きなファクターとして存在するため、これを踏
まえると、サーマルヘッドにおける発熱抵抗体のパター
ニングに際しても。
膜厚が大きなファクターとして存在するため、これを踏
まえると、サーマルヘッドにおける発熱抵抗体のパター
ニングに際しても。
この発熱抵抗体の層厚は出来得る限り薄く設定しておく
必要があるが、実際問題として１発熱抵抗体の抵抗値制
御を容易となす為にはある程５一 度の厚みが必要となってくる。かと言ってその様な点を
鑑みれば１本発明におけるドライエツチング法は、とり
わけ有意義々ものと言える。
必要があるが、実際問題として１発熱抵抗体の抵抗値制
御を容易となす為にはある程５一 度の厚みが必要となってくる。かと言ってその様な点を
鑑みれば１本発明におけるドライエツチング法は、とり
わけ有意義々ものと言える。
してみると１発熱抵抗体材質としては、比抵抗の低いチ
タンシリサイド、或いはモリブデンシリサイド等を使用
することが好壕しく、その中でも、耐熱性に優れたチタ
ンシリサイドを使用すれは層厚００２μｍ程度で、サー
マルヘッドに要求される１０００程度の抵抗値が十分に
得られるため特に好ましいものとなる。
タンシリサイド、或いはモリブデンシリサイド等を使用
することが好壕しく、その中でも、耐熱性に優れたチタ
ンシリサイドを使用すれは層厚００２μｍ程度で、サー
マルヘッドに要求される１０００程度の抵抗値が十分に
得られるため特に好ましいものとなる。
本発明によるサーマルヘッドの製造方法は。
先づ、アルミナセラミックス等の絶縁性基板上にスパッ
タリングや真空蒸着等によって窒化タンタル系のもの、
或いは高融点金属シリサイド系のものよシなる発熱抵抗
体、そしてアルミニウム合金等よりなる電極を一様に形
成する。次いで、これをもとに特公昭５５−７１５５号
公６一 報、または特公昭５９−４１８７３号公報に示す様な製
造工程を経た後、最表面に保護膜を形成して所望のサー
マルヘッドを得る。ここで。
タリングや真空蒸着等によって窒化タンタル系のもの、
或いは高融点金属シリサイド系のものよシなる発熱抵抗
体、そしてアルミニウム合金等よりなる電極を一様に形
成する。次いで、これをもとに特公昭５５−７１５５号
公６一 報、または特公昭５９−４１８７３号公報に示す様な製
造工程を経た後、最表面に保護膜を形成して所望のサー
マルヘッドを得る。ここで。
前記工程中発熱抵抗体を所定のパターンに形成する際は
、ドライエツチング法を用いるわけだが、この方法自体
については従来より周知の方法に従って行なえば良く、
使用するエツチングガスは１発熱抵抗体或いは電極等の
材質を考慮の上、適宜選択すれば良いものである。この
様に使用するエツチングガスの選択を誤らなければ、電
極をもエツチングすることが極力避けられ、もって良好
なエツチングが行なえるものである。
、ドライエツチング法を用いるわけだが、この方法自体
については従来より周知の方法に従って行なえば良く、
使用するエツチングガスは１発熱抵抗体或いは電極等の
材質を考慮の上、適宜選択すれば良いものである。この
様に使用するエツチングガスの選択を誤らなければ、電
極をもエツチングすることが極力避けられ、もって良好
なエツチングが行なえるものである。
（実施例）
以下１本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
実施例１
部分グレーズを施したアルミナ基板上に、一様に通常の
スパッタリングによってＳ ｉ Ｑ 、’２膜を１．５
μｍ１発熱抵抗体としてチタンシリサイド膜を１０２μ
ｍ＋ を極としてＡＪＣｕ−Ｓｉ合′をリン酸：硝Ｉ！
＆＝１０＝３からなるエツチング液でウェットエツチン
グすることにより、巾１６０μｍ、長さ２０纂の細長い
窓をあけ発熱抵抗体を露出させる。次いで同様に、フォ
トレジストをマスクとしてＡＪ Ｏｕ Ｓｉ合金膜
をウェットエツチングし、ａ長い発熱抵抗体の露出した
部分がサーマルヘッドの発熱部となるように、共通電極
から巾１４０μｍ、１ｔ＆間のスペース２０μｍの個別
！極が突き出したくし形を極パターンを形成する。そし
て、更にこのレジストパターンをマスクとしてＱｌｉ’
４＋２０％０２−ガスを用い１周波数１五５６ Ｍ Ｈ
ｚのＢＥ’電力６０Ｗの条件にて前記発熱抵抗体をドラ
イエツチングする。−この後、レジストを剥離し、その
表面に外部配線との接続用１極部を除いて窒素原子１５
％を添加したＳ１膜を保護膜として反応性スパッタリン
グによシ約８μｍ形成する。
スパッタリングによってＳ ｉ Ｑ 、’２膜を１．５
μｍ１発熱抵抗体としてチタンシリサイド膜を１０２μ
ｍ＋ を極としてＡＪＣｕ−Ｓｉ合′をリン酸：硝Ｉ！
＆＝１０＝３からなるエツチング液でウェットエツチン
グすることにより、巾１６０μｍ、長さ２０纂の細長い
窓をあけ発熱抵抗体を露出させる。次いで同様に、フォ
トレジストをマスクとしてＡＪ Ｏｕ Ｓｉ合金膜
をウェットエツチングし、ａ長い発熱抵抗体の露出した
部分がサーマルヘッドの発熱部となるように、共通電極
から巾１４０μｍ、１ｔ＆間のスペース２０μｍの個別
！極が突き出したくし形を極パターンを形成する。そし
て、更にこのレジストパターンをマスクとしてＱｌｉ’
４＋２０％０２−ガスを用い１周波数１五５６ Ｍ Ｈ
ｚのＢＥ’電力６０Ｗの条件にて前記発熱抵抗体をドラ
イエツチングする。−この後、レジストを剥離し、その
表面に外部配線との接続用１極部を除いて窒素原子１５
％を添加したＳ１膜を保護膜として反応性スパッタリン
グによシ約８μｍ形成する。
この様にして得られたサーマルヘッドの発熱抵抗体素子
の寸法は、１３９μｆｆ１Ｘ１６２μｍとなシ、マスク
の寸法１４０μｆｆ１Ｘ １６０μｍに対しての誤差は
±１．５％以内であった。
の寸法は、１３９μｆｆ１Ｘ１６２μｍとなシ、マスク
の寸法１４０μｆｆ１Ｘ １６０μｍに対しての誤差は
±１．５％以内であった。
実施例２
実施例Ｉにおいて、くシ形の電極パターンを形成する際
に、レジストパターンをマスクトシて００ノ４ガスを用
い、 ＲＦ電力２５０Ｗを印加してＡノー０ｕ−Ｓｉ
合金膜の電極をドライエツチングし９次いで、ＯＦ４＋
２０％Ｏｆガスを用いてＲＦ電力６０Ｗを印加してチタ
ンシリサイドの発熱抵抗体をドライエツチングした。
に、レジストパターンをマスクトシて００ノ４ガスを用
い、 ＲＦ電力２５０Ｗを印加してＡノー０ｕ−Ｓｉ
合金膜の電極をドライエツチングし９次いで、ＯＦ４＋
２０％Ｏｆガスを用いてＲＦ電力６０Ｗを印加してチタ
ンシリサイドの発熱抵抗体をドライエツチングした。
尚、他の条件は全て実施例１と同様になした。
この様にして得られたサーマルヘッドの発熱抵抗体素子
の寸法は、１３９．５μｍ×１６２μｍとなり、マスク
の寸法１４０μｍ×１６０μｍに対しての誤差は±１．
５係以内であった。
の寸法は、１３９．５μｍ×１６２μｍとなり、マスク
の寸法１４０μｍ×１６０μｍに対しての誤差は±１．
５係以内であった。
９一
実施例３
部分グレーズを施したアルミナ基板上に、実施例１と同
様にして３ ｉ ０２♀膜１発熱抵抗体。
様にして３ ｉ ０２♀膜１発熱抵抗体。
電極をそれぞれ形成する。次いで、フォトレジストをマ
スクとしてＡノーＣｕ Ｓｉ合金膜のこの後、レジス
トを剥離し、この電極パターン自体をマスクとして代用
し、０Ｆ４４２０％Ｏｊ・ガスを用いて、ＲＦ電力６０
Ｗの条件にてチタンシリサイドよシなる発熱抵抗体をド
ライエツチングする。次いで、フォトレジストヲマスク
として電極をウェットエツチングし１個別電極のくし形
電極パターンを横断するよう、巾１６０μｍ、長さ２０
ｍの細長い窓をあけ１発熱抵抗体を露出させ、レジスト
剥離後、実施例１と同様にして保護膜を形成する。
スクとしてＡノーＣｕ Ｓｉ合金膜のこの後、レジス
トを剥離し、この電極パターン自体をマスクとして代用
し、０Ｆ４４２０％Ｏｊ・ガスを用いて、ＲＦ電力６０
Ｗの条件にてチタンシリサイドよシなる発熱抵抗体をド
ライエツチングする。次いで、フォトレジストヲマスク
として電極をウェットエツチングし１個別電極のくし形
電極パターンを横断するよう、巾１６０μｍ、長さ２０
ｍの細長い窓をあけ１発熱抵抗体を露出させ、レジスト
剥離後、実施例１と同様にして保護膜を形成する。
この様にして得られたサーマルヘッドの発熱抵抗体素子
の寸法は、１３９μｍＸ １６２μｍとなり、マスク寸
法１４０μｍ×１６０μｍに対しての誤差は±１．５％
以内であった。
の寸法は、１３９μｍＸ １６２μｍとなり、マスク寸
法１４０μｍ×１６０μｍに対しての誤差は±１．５％
以内であった。
比較例
実施例３において、くシ形の電極パターンを形成する際
に、フォトレジストをマスクとしてＡ７！−０ｕ−８ｉ
合金膜をＨＳ Ｐ Ｏａ −ＨＮＯｓ系のエツチング液
でウェットエツチングし１次いでＨＦ −ＨＮ Ｏ、Ｂ
の５＝１の混酸を用いて。
に、フォトレジストをマスクとしてＡ７！−０ｕ−８ｉ
合金膜をＨＳ Ｐ Ｏａ −ＨＮＯｓ系のエツチング液
でウェットエツチングし１次いでＨＦ −ＨＮ Ｏ、Ｂ
の５＝１の混酸を用いて。
チタンシリサイドよりなる発熱抵抗体をウェットエツチ
ングする。尚、他の条件は全て実施例３と同様になした
。
ングする。尚、他の条件は全て実施例３と同様になした
。
は７％以上であった。
（発明の効果）
以上の説明からもわかる様に１本発明ではサーマルヘッ
ドにおける発熱抵抗体を所定のパタものよりもそのサイ
ドエッチ量を極力低減せしめ、エツチング精度を数倍に
引き上げることが可能となったもので、その結果、サー
マルヘッドとしての抵抗値のバラツキを減少させ、また
。
ドにおける発熱抵抗体を所定のパタものよりもそのサイ
ドエッチ量を極力低減せしめ、エツチング精度を数倍に
引き上げることが可能となったもので、その結果、サー
マルヘッドとしての抵抗値のバラツキを減少させ、また
。
発熱抵抗体の形状を略設計通りに再現出来るもので、印
字品質、印字濃度、更にはサーマルヘッド製造時の歩留
りといったものもより一層その向上が期待できるものと
なる。
字品質、印字濃度、更にはサーマルヘッド製造時の歩留
りといったものもより一層その向上が期待できるものと
なる。
Claims (2)
- （１）絶縁性基板上に発熱抵抗体、電極及び保護膜を有
してなるサーマルヘッドの製造方法において、前記発熱
抵抗体を所定のパターンに形成する際にドライエッチン
グ法を用いることを特徴とするサマーヘッドの製造方法
。 - （２）前記発熱抵抗体がチタンシリサイドよりなること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のサーマル
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59252387A JPS61130061A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59252387A JPS61130061A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61130061A true JPS61130061A (ja) | 1986-06-17 |
Family
ID=17236611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59252387A Pending JPS61130061A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61130061A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63183861A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Seikosha Co Ltd | サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPS63183862A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Seikosha Co Ltd | サ−マルヘツドの製造方法 |
| KR980000911A (ko) * | 1996-06-12 | 1998-03-30 | 김광호 | 저항값을 재작업하는 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5780074A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of thermal head |
| JPS5869078A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-25 | Ricoh Co Ltd | サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPS58166766A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58190060A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6140004A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | 富士通株式会社 | 抵抗器のパタ−ン形成方法 |
-
1984
- 1984-11-29 JP JP59252387A patent/JPS61130061A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5780074A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of thermal head |
| JPS5869078A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-25 | Ricoh Co Ltd | サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPS58166766A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58190060A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6140004A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | 富士通株式会社 | 抵抗器のパタ−ン形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63183861A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Seikosha Co Ltd | サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPS63183862A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Seikosha Co Ltd | サ−マルヘツドの製造方法 |
| KR980000911A (ko) * | 1996-06-12 | 1998-03-30 | 김광호 | 저항값을 재작업하는 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4410867A (en) | Alpha tantalum thin film circuit device | |
| US4251326A (en) | Fabricating an RC network utilizing alpha tantalum | |
| JPS58165313A (ja) | 湿度センサおよびその製法 | |
| US5041191A (en) | Diffusion barrier for thin film hybrid circuits | |
| JPS61130061A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| US4710263A (en) | Method of fabricating print head for thermal printer | |
| US5244536A (en) | Method of manufacturing platinum temperature sensor | |
| US4035206A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a pattern of conductors | |
| JPS5941872B2 (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JPS591276A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH0657454B2 (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JP2590774B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JPS5821310A (ja) | プレ−ナ型磁気バブル素子の製造法 | |
| JP2533088B2 (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| KR970015788A (ko) | 메탈층 형성 방법 | |
| JP3211287B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0837233A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6193601A (ja) | 薄膜抵抗装置およびその製造方法 | |
| JPH023926A (ja) | 配線の形成方法 | |
| JPS5835958A (ja) | 薄膜混成集積回路の製造方法 | |
| JPS58142528A (ja) | 食刻方法 | |
| JPS58224763A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS60140747A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5818954A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPS62202759A (ja) | 発熱抵抗素子の作成方法 |