JPS6193601A - 薄膜抵抗装置およびその製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6193601A JPS6193601A JP59215609A JP21560984A JPS6193601A JP S6193601 A JPS6193601 A JP S6193601A JP 59215609 A JP59215609 A JP 59215609A JP 21560984 A JP21560984 A JP 21560984A JP S6193601 A JPS6193601 A JP S6193601A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- thin film
- film
- film resistor
- thickness
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- Pending
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、薄膜抵抗装置及びその製造方法に関するもの
である。
である。
（従来技術）
従来、薄膜抵抗は一度絶縁基板上に形成されると膜厚及
びその後の熱処理プロセスにより層抵抗が一義的に決定
されていた。例えば、層抵抗が高いと大きな抵抗値を持
つ抵抗体には都合が良いが小さな抵抗値の抵抗体を得る
には幅の大きい抵抗体とならざるを得ない。同様に、層
抵抗が低いと小さな抵抗値の抵抗体には都合が良いが大
きな抵抗値の抵抗体を得るには長さの長い抵抗体となら
ざるを得ない。以上の様に薄膜抵抗（に限らず拡散抵抗
も同様であるが）の層抵抗が一義的に決定されてしまう
と抵抗パターン設計上不便な場合があった。
びその後の熱処理プロセスにより層抵抗が一義的に決定
されていた。例えば、層抵抗が高いと大きな抵抗値を持
つ抵抗体には都合が良いが小さな抵抗値の抵抗体を得る
には幅の大きい抵抗体とならざるを得ない。同様に、層
抵抗が低いと小さな抵抗値の抵抗体には都合が良いが大
きな抵抗値の抵抗体を得るには長さの長い抵抗体となら
ざるを得ない。以上の様に薄膜抵抗（に限らず拡散抵抗
も同様であるが）の層抵抗が一義的に決定されてしまう
と抵抗パターン設計上不便な場合があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、薄膜抵抗の層抵抗を一義的な値に限定
することなく二種類の層抵抗を有する薄膜抵抗装置およ
びその製造方法を提供せんとするところにある。
することなく二種類の層抵抗を有する薄膜抵抗装置およ
びその製造方法を提供せんとするところにある。
（発明の構成）
本発明による薄膜抵抗装置は半導体基板と、該半導体基
板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に第一の膜厚を
有する第一の薄膜抵抗体と第二の膜厚を有する第二の薄
膜抵抗体とを有することを特徴とすると共に、その製造
方法においては半導体基板に形成された絶縁膜上に第一
の膜厚を有する薄膜層を形成する工程と、該薄膜層から
第一の薄膜抵抗体を形成する工程と、該第一の薄膜抵抗
体の中で所望の抵抗体が露出する様フォトレジストを形
成する工程と、該所望の抵抗体の膜厚を薄くして第二の
膜厚を有する第二の薄膜抵抗体を形成する工程とを有す
ることを特徴とするものである。
板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に第一の膜厚を
有する第一の薄膜抵抗体と第二の膜厚を有する第二の薄
膜抵抗体とを有することを特徴とすると共に、その製造
方法においては半導体基板に形成された絶縁膜上に第一
の膜厚を有する薄膜層を形成する工程と、該薄膜層から
第一の薄膜抵抗体を形成する工程と、該第一の薄膜抵抗
体の中で所望の抵抗体が露出する様フォトレジストを形
成する工程と、該所望の抵抗体の膜厚を薄くして第二の
膜厚を有する第二の薄膜抵抗体を形成する工程とを有す
ることを特徴とするものである。
（発明の作用）
本発明によれば、一種類の膜厚金有する薄膜抵抗体の内
の幾つかの抵抗体を選んで膜厚を薄くしより高い層抵抗
を持つ第二の抵抗体としている。
の幾つかの抵抗体を選んで膜厚を薄くしより高い層抵抗
を持つ第二の抵抗体としている。
（発明の効果）
この様にすることにより、抵抗値の小さい抵抗体は層抵
抗の低いものを用いてパターン設計し、抵抗値の大きい
抵抗体は層抵抗の高いものを用いてバター７設計すると
いった具合にチップ面積を有効に用いる手段が得られる
。
抗の低いものを用いてパターン設計し、抵抗値の大きい
抵抗体は層抵抗の高いものを用いてバター７設計すると
いった具合にチップ面積を有効に用いる手段が得られる
。
（実施例）
第１図（ａｌ〜（ｄｌに本発明による薄膜抵抗装置の製
造方法を断面図で示す。尚、第１図（ｄ）が本発明によ
る薄膜抵抗装置である。
造方法を断面図で示す。尚、第１図（ｄ）が本発明によ
る薄膜抵抗装置である。
半導体基板１０１に熱酸化膜１０２を形成し更４Ｃコ（
２）熱酸化膜１０２ 上１ｃＮｉｃｒ膜１０３を約６０
０人の厚さに被着する（第１図（ａ））、フナトレジス
ト１０４’ｅマスクとしてＮｉＣｒエッチ／グ液により
第一の膜厚を有する第一のＮｉＣｒ抵抗体１０５を形成
する（第１図（ｂ））。フォトレジスト１０４を除去後
、フォトレジスト１０６ｔ−用いて第一のＮｉＣｒ抵抗
体１０５の内の一部１０７ を露出させ、これｔ−Ｎ
ｉ Ｃｒエツチング液とエツチングし膜厚を約２００
人とし第二の膜厚を有する第二のＮｉＣｒ抵抗体１０８
ｔ”形成する（第１図（Ｃ））。フォトレジスト１０６
１＆：除去後アルミニウムを約１μｍの厚さに被着して
アルミニタム配線（図示せず）を形成し熱処理を施して
最後に気相成長酸化膜１０９で基板全体の保護膜とする
（第１図（ｄ））。この時第一のＮｉＣｒ抵抗は層抵抗
が１００Ω／口 、第二のＮｉＣｒ抵抗は１ａ抵抗が３
００Ω／口となる。
２）熱酸化膜１０２ 上１ｃＮｉｃｒ膜１０３を約６０
０人の厚さに被着する（第１図（ａ））、フナトレジス
ト１０４’ｅマスクとしてＮｉＣｒエッチ／グ液により
第一の膜厚を有する第一のＮｉＣｒ抵抗体１０５を形成
する（第１図（ｂ））。フォトレジスト１０４を除去後
、フォトレジスト１０６ｔ−用いて第一のＮｉＣｒ抵抗
体１０５の内の一部１０７ を露出させ、これｔ−Ｎ
ｉ Ｃｒエツチング液とエツチングし膜厚を約２００
人とし第二の膜厚を有する第二のＮｉＣｒ抵抗体１０８
ｔ”形成する（第１図（Ｃ））。フォトレジスト１０６
１＆：除去後アルミニウムを約１μｍの厚さに被着して
アルミニタム配線（図示せず）を形成し熱処理を施して
最後に気相成長酸化膜１０９で基板全体の保護膜とする
（第１図（ｄ））。この時第一のＮｉＣｒ抵抗は層抵抗
が１００Ω／口 、第二のＮｉＣｒ抵抗は１ａ抵抗が３
００Ω／口となる。
（発明のまとめ）
本発明によれば薄膜抵抗に二種類の層抵抗を持つ抵抗体
を用いることができるので、抵抗パターン設計時に使い
分けができチップ面積縮小の為に有効である。
を用いることができるので、抵抗パターン設計時に使い
分けができチップ面積縮小の為に有効である。
本発明の実施例ではＮ１ｃｒを例としたが、８ｉＣｒ。
ＴａＮ等を用いた場合でも同様の効果が発揮されること
は言うまでもない。
は言うまでもない。
第１図ｔａｌ〜（ｄ）は本発明による薄膜抵抗装置の製
造工程断面図で、第１図（ｄｉが本発明による薄膜抵抗
装置である。 １０１・・・・・・半導体基板、１０２・・・・・・熱
酸化膜、１０３・・・・・・ＮｉＣｒ 膜、１０４−・
・・フォトレジスト、１０５・・・・・・第一のＮｉＣ
ｒ抵抗体、１０６・・・・・・フォトレジスト、１０７
・・・・・・フォトレジスト１０６による露出部分、１
０８・・・・・・第二のＮｉＣｒ抵抗体、１０９・・・
・・・気相成長酸化膜。
造工程断面図で、第１図（ｄｉが本発明による薄膜抵抗
装置である。 １０１・・・・・・半導体基板、１０２・・・・・・熱
酸化膜、１０３・・・・・・ＮｉＣｒ 膜、１０４−・
・・フォトレジスト、１０５・・・・・・第一のＮｉＣ
ｒ抵抗体、１０６・・・・・・フォトレジスト、１０７
・・・・・・フォトレジスト１０６による露出部分、１
０８・・・・・・第二のＮｉＣｒ抵抗体、１０９・・・
・・・気相成長酸化膜。
Claims (2)
- （１）半導体基板と、該半導体基板上に形成された絶縁
膜と、該絶縁膜上に第一の膜厚を有する第一の薄膜抵抗
体と第二の膜厚を有する第二の薄膜抵抗体と、を有する
ことを特徴とする薄膜抵抗装置。 - （２）半導体基板に形成された絶縁膜上に第一の膜厚を
有する薄膜層を形成する工程と、該薄膜層から第一の薄
膜抵抗体を形成する工程と、該第一の薄膜抵抗体の中で
所望の抵抗体が露出する様フォトレジストを形成する工
程と、該所望の抵抗体の膜厚を薄くして第二の膜厚を有
する第二の薄膜抵抗体を形成する工程とを有することを
特徴とする薄膜抵抗装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215609A JPS6193601A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 薄膜抵抗装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215609A JPS6193601A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 薄膜抵抗装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193601A true JPS6193601A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16675254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59215609A Pending JPS6193601A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 薄膜抵抗装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193601A (ja) |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP59215609A patent/JPS6193601A/ja active Pending
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