JP2917909B2 - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JP2917909B2 JP2917909B2 JP8112558A JP11255896A JP2917909B2 JP 2917909 B2 JP2917909 B2 JP 2917909B2 JP 8112558 A JP8112558 A JP 8112558A JP 11255896 A JP11255896 A JP 11255896A JP 2917909 B2 JP2917909 B2 JP 2917909B2
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- wiring board
- multilayer wiring
- resin
- benzocyclobutene resin
- benzocyclobutene
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
-
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- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は集積度の高いＬＳＩ
実装用基板に関して、微細かつ高多層配線ができ、高密
度実装が可能な多層配線基板の製造方法に関するもので
ある。
実装用基板に関して、微細かつ高多層配線ができ、高密
度実装が可能な多層配線基板の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の多層配線基板は、配線抵
抗の低いＣｕを主成分とする導体配線と、ポリイミド樹
脂からなる導体配線の層間絶縁体から構成されている。
抗の低いＣｕを主成分とする導体配線と、ポリイミド樹
脂からなる導体配線の層間絶縁体から構成されている。
【０００３】図２に従来技術による多層配線基板の構成
図を示す。
図を示す。
【０００４】基板２１の表面に導体層２２が設けられ
る。この導体層２２はＣｒ／Ｐｄ／Ｃｕ、あるいはＣｒ
／Ｃｕ／Ｃｒ膜などの複数層構成を有している。そして
全表面に感光製を有したポリイミド樹脂層間絶縁膜２３
をコーテイングし、光によりビアホール２４が形成され
る。この上にさらに導体配線層２５が形成される。
る。この導体層２２はＣｒ／Ｐｄ／Ｃｕ、あるいはＣｒ
／Ｃｕ／Ｃｒ膜などの複数層構成を有している。そして
全表面に感光製を有したポリイミド樹脂層間絶縁膜２３
をコーテイングし、光によりビアホール２４が形成され
る。この上にさらに導体配線層２５が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の多層配
線基板は、層間絶縁体に用いているポリイミド樹脂の硬
化温度が高く、また硬化中において脱水反応があり、さ
らには硬化膜の吸水性が大きいので、配線抵抗の低いＣ
ｕを主成分とする導体配線を用いた場合、Ｃｕ配線の酸
化、腐食などを引き起こす欠点がある。
線基板は、層間絶縁体に用いているポリイミド樹脂の硬
化温度が高く、また硬化中において脱水反応があり、さ
らには硬化膜の吸水性が大きいので、配線抵抗の低いＣ
ｕを主成分とする導体配線を用いた場合、Ｃｕ配線の酸
化、腐食などを引き起こす欠点がある。
【０００６】さらには層間絶縁体にポリイミドを用いて
いるため、Ｃｕイオンがポリイミド樹脂絶縁体中に拡散
してしまい。このためイオンのマイグレーションを引き
起こし、絶縁性が著しく低下するという欠点もある。
いるため、Ｃｕイオンがポリイミド樹脂絶縁体中に拡散
してしまい。このためイオンのマイグレーションを引き
起こし、絶縁性が著しく低下するという欠点もある。
【０００７】このため層間絶縁体にポリイミド樹脂を用
いた従来の多層配線基板では、Ｃｕを主成分とする導体
配線を用いるにあたり、長期信頼性に欠くという問題点
がある。
いた従来の多層配線基板では、Ｃｕを主成分とする導体
配線を用いるにあたり、長期信頼性に欠くという問題点
がある。
【０００８】一方エレクトロニクス機器の高性能、高機
能化の要求に対し、高速伝送に対応した材料が必要とな
る。高速伝送では特性インピーダンスを整合させ、かつ
信号の伝播遅延時間の短縮が要求されている。信号伝播
遅延時間Ｔは
能化の要求に対し、高速伝送に対応した材料が必要とな
る。高速伝送では特性インピーダンスを整合させ、かつ
信号の伝播遅延時間の短縮が要求されている。信号伝播
遅延時間Ｔは
【数１】 で示される（ただし、Ｃ：光速、ε：層間絶縁体の誘電
率、Ｋ：定数）。すなわち層間絶縁体の誘電率が低いほ
ど信号伝播遅延時間は短縮され、高速化が実現される。
率、Ｋ：定数）。すなわち層間絶縁体の誘電率が低いほ
ど信号伝播遅延時間は短縮され、高速化が実現される。
【０００９】上述した従来の多層配線基板は、層間絶縁
体に用いているポリイミド樹脂の誘電率が３．５程度と
なっており、信号伝播遅延時間が長くなるという欠点が
ある。なお誘電率は、ＡＳＴＭＤ１５０の測定法におい
て、１０6 Ｈｚの周波数での値を用いる。
体に用いているポリイミド樹脂の誘電率が３．５程度と
なっており、信号伝播遅延時間が長くなるという欠点が
ある。なお誘電率は、ＡＳＴＭＤ１５０の測定法におい
て、１０6 Ｈｚの周波数での値を用いる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前述したように、配線抵
抗の低いＣｕを主成分とした導体配線を用いるにあた
り、ポリイミド樹脂を層間絶縁膜として用いた場合、諸
問題が発生している。これらの問題を解決するため鋭意
工夫を行なった。
抗の低いＣｕを主成分とした導体配線を用いるにあた
り、ポリイミド樹脂を層間絶縁膜として用いた場合、諸
問題が発生している。これらの問題を解決するため鋭意
工夫を行なった。
【００１１】その結果、配線抵抗の低いＣｕを主成分と
する導体配線とベンゾシクロブテン樹脂からなる層間絶
縁体を有する構成からなる多層配線基板が前述の問題点
を解決し、またこのような多層配線基板は、基板表面に
設けられたＣｕを主成分とする導体配線層上にベンゾシ
クロブテン樹脂を塗布する工程と、前記ベンゾシクロブ
テン樹脂上にパターン形成用の樹脂層を設けて前記ベン
ゾシクロブテン樹脂にビアホールを形成する工程と、前
記ベンゾシクロブテン樹脂を２００℃程度の温度におい
て加熱硬化させる工程とから製造することが可能である
ことが見いだされた。
する導体配線とベンゾシクロブテン樹脂からなる層間絶
縁体を有する構成からなる多層配線基板が前述の問題点
を解決し、またこのような多層配線基板は、基板表面に
設けられたＣｕを主成分とする導体配線層上にベンゾシ
クロブテン樹脂を塗布する工程と、前記ベンゾシクロブ
テン樹脂上にパターン形成用の樹脂層を設けて前記ベン
ゾシクロブテン樹脂にビアホールを形成する工程と、前
記ベンゾシクロブテン樹脂を２００℃程度の温度におい
て加熱硬化させる工程とから製造することが可能である
ことが見いだされた。
【００１２】このベンゾシクロブテン樹脂は２００℃、
もしくはそれ以下で硬化させることができ、また硬化膜
は耐湿性にも優れている。このためＣｕ導体配線層上
に、直接ベンゾシクロブテン樹脂を形成し、ベンゾシク
ロブテン樹脂層間絶縁体を構成することにより、Ｃｕ配
線の酸化、腐食を防ぐことができる。
もしくはそれ以下で硬化させることができ、また硬化膜
は耐湿性にも優れている。このためＣｕ導体配線層上
に、直接ベンゾシクロブテン樹脂を形成し、ベンゾシク
ロブテン樹脂層間絶縁体を構成することにより、Ｃｕ配
線の酸化、腐食を防ぐことができる。
【００１３】またはまず低温で膜が形成可能なベンゾシ
クロブテン樹脂で導体配線を介して、そのあとにポリイ
ミド樹脂絶縁体などを形成することにより導体配線の酸
化を防ぐことができる。またポリイミド樹脂絶縁体中へ
のＣｕイオン拡散を防ぎ、イオンのマイグレーションに
よる絶縁性の低下も防ぐことができる。
クロブテン樹脂で導体配線を介して、そのあとにポリイ
ミド樹脂絶縁体などを形成することにより導体配線の酸
化を防ぐことができる。またポリイミド樹脂絶縁体中へ
のＣｕイオン拡散を防ぎ、イオンのマイグレーションに
よる絶縁性の低下も防ぐことができる。
【００１４】さらには硬化したベンゾシクロブテン樹脂
は耐湿性にも優れていることから、長期的な導体配線の
酸化、腐食を防ぐことができる。
は耐湿性にも優れていることから、長期的な導体配線の
酸化、腐食を防ぐことができる。
【００１５】一方、ベンゾシクロブテン樹脂の誘電率は
２．６と従来のポリイミドよりも低く、これを層間絶縁
体として用いることにより、信号伝播遅延時間を短縮す
ることができる。
２．６と従来のポリイミドよりも低く、これを層間絶縁
体として用いることにより、信号伝播遅延時間を短縮す
ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は層間絶縁体にベンゾシクロブテン樹
脂を有する本発明の一実施例の構成図である。
て説明する。図１は層間絶縁体にベンゾシクロブテン樹
脂を有する本発明の一実施例の構成図である。
【００１７】シリコン、サフアイア、あるいはアルミナ
などを主成分とするセラミツクなどからなる基板１１の
表面に、Ｃｕを主成分とする導体配線層１２が設けられ
る。そして全表面にベンゾシクロブテン樹脂絶縁体１３
をコーテイングしたのち、この表面にフオトレジストで
パターン形成させ、ベンゾシクロブテンをエツチングす
ることにより、ビアホール１４を得ることができ、エツ
チングにはプラズマエツチャーを用いることができ、ガ
スはＣＦ4 とＯ2 、あるいはＳＦ6 とＯ2 混合ガスが適
当である。
などを主成分とするセラミツクなどからなる基板１１の
表面に、Ｃｕを主成分とする導体配線層１２が設けられ
る。そして全表面にベンゾシクロブテン樹脂絶縁体１３
をコーテイングしたのち、この表面にフオトレジストで
パターン形成させ、ベンゾシクロブテンをエツチングす
ることにより、ビアホール１４を得ることができ、エツ
チングにはプラズマエツチャーを用いることができ、ガ
スはＣＦ4 とＯ2 、あるいはＳＦ6 とＯ2 混合ガスが適
当である。
【００１８】ここでベンゾシクロブテン樹脂絶縁体１３
は２００℃で硬化され、全表面にＣｕスパツタ膜を形成
しエツチングして導体配線層１５得るか、あるいは全表
面にＣｒスパツタ膜を形成したのち、Ｃｕスパツタ膜あ
るいはめっきＣｕ箔を形成することにより得ることがで
きる。
は２００℃で硬化され、全表面にＣｕスパツタ膜を形成
しエツチングして導体配線層１５得るか、あるいは全表
面にＣｒスパツタ膜を形成したのち、Ｃｕスパツタ膜あ
るいはめっきＣｕ箔を形成することにより得ることがで
きる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層配線
基板の製造方法は、導体配線の層間絶縁体にベンゾシク
ロブテン樹脂を有する多層配線基板を、ベンゾシクロブ
テン樹脂を２００℃で硬化させることによって、従来よ
り低温のプロセスで多層配線基板を製造することができ
る。又この方法によって得られた多層配線基板は、Ｃｕ
導体配線の酸化、腐食を防ぎ、またＣｕイオンのマイグ
レーションによる絶縁性の低下を防ぐことができる効果
がある。
基板の製造方法は、導体配線の層間絶縁体にベンゾシク
ロブテン樹脂を有する多層配線基板を、ベンゾシクロブ
テン樹脂を２００℃で硬化させることによって、従来よ
り低温のプロセスで多層配線基板を製造することができ
る。又この方法によって得られた多層配線基板は、Ｃｕ
導体配線の酸化、腐食を防ぎ、またＣｕイオンのマイグ
レーションによる絶縁性の低下を防ぐことができる効果
がある。
【００２０】これにより配線抵抗の低いＣｕを主成分と
する導体配線を有した微細かつ高多層配線を形成するこ
とができ、高密度実装が可能な多層配線基板を提供する
ことができる。
する導体配線を有した微細かつ高多層配線を形成するこ
とができ、高密度実装が可能な多層配線基板を提供する
ことができる。
【００２１】またベンゾシクロブテン樹脂は誘電率が
２．６と低く、これを層間絶縁体として用いることによ
り、信号伝播遅延時間が短縮されるという効果もある。
２．６と低く、これを層間絶縁体として用いることによ
り、信号伝播遅延時間が短縮されるという効果もある。
【図１】層間絶縁体にベンゾシクロブテン樹脂を用いる
本発明によって製造される一実施例の構成図である。
本発明によって製造される一実施例の構成図である。
【図２】従来技術による多層配線基板の構成図である。
１１，２１ 基板 １２，１５，２２，２５ 導体配線層 １３ ベンゾシクロブテン樹脂絶縁体 １４，２４ ビアホール ２３ ポリイミド樹脂絶縁体
Claims (2)
- 【請求項１】Ｃｕを主成分とする導体配線を有し、ベン
ゾシクロブテン樹脂を導体配線の層間絶縁体に用いるこ
とを特徴とする多層配線基板の製造方法であって、基板
表面に設けられたＣｕを主成分とする導体配線層上にベ
ンゾシクロブテン樹脂を塗布した後２００℃程度の温度
において加熱硬化させる工程を有することを特徴とする
多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記ベンゾシクロブテン樹脂を加熱硬化さ
せた後に、パターン形成用の樹脂層を設けて前記ベンゾ
シクロブテン樹脂にビアホールを形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112558A JP2917909B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112558A JP2917909B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 多層配線基板の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29602590A Division JPH0719973B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 多層配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264962A JPH08264962A (ja) | 1996-10-11 |
| JP2917909B2 true JP2917909B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=14589685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8112558A Expired - Fee Related JP2917909B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917909B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008016640A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Consortium For Advanced Semiconductor Materials & Related Technologies | 半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2002213C (en) * | 1988-11-10 | 1999-03-30 | Iwona Turlik | High performance integrated circuit chip package and method of making same |
-
1996
- 1996-05-07 JP JP8112558A patent/JP2917909B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08264962A (ja) | 1996-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990323 |
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