JP2002009202A - 低誘電率樹脂絶縁層の製造方法及び該絶縁層を用いた回路基板の製造方法及び該絶縁層を用いた薄膜多層回路フィルムの製造方法 - Google Patents
低誘電率樹脂絶縁層の製造方法及び該絶縁層を用いた回路基板の製造方法及び該絶縁層を用いた薄膜多層回路フィルムの製造方法Info
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- JP2002009202A JP2002009202A JP2000185606A JP2000185606A JP2002009202A JP 2002009202 A JP2002009202 A JP 2002009202A JP 2000185606 A JP2000185606 A JP 2000185606A JP 2000185606 A JP2000185606 A JP 2000185606A JP 2002009202 A JP2002009202 A JP 2002009202A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低誘電率樹脂絶縁層の製造方法及び該絶縁層
を用いた回路基板の製造方法及び該絶縁層を用いた薄膜
多層回路フィルムの製造方法に関し、樹脂絶縁層を微細
な多孔質にして、強度の低下を招来することなく誘電率
を低下させ、その低誘電率樹脂絶縁層を用いた回路基板
や薄膜多層回路フィルムを実現し、信号伝播の遅延を低
減しようとする。 【解決手段】 シリコン・ウエハ１にポリイミドからな
る絶縁層４を形成してからＣｕの微粒子６を拡散し、そ
のＣｕの微粒子６を化学エッチングして微細な孔を生成
して絶縁層４を多孔質化する。
を用いた回路基板の製造方法及び該絶縁層を用いた薄膜
多層回路フィルムの製造方法に関し、樹脂絶縁層を微細
な多孔質にして、強度の低下を招来することなく誘電率
を低下させ、その低誘電率樹脂絶縁層を用いた回路基板
や薄膜多層回路フィルムを実現し、信号伝播の遅延を低
減しようとする。 【解決手段】 シリコン・ウエハ１にポリイミドからな
る絶縁層４を形成してからＣｕの微粒子６を拡散し、そ
のＣｕの微粒子６を化学エッチングして微細な孔を生成
して絶縁層４を多孔質化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低誘電率樹脂絶縁
層或いは該低誘電率樹脂絶縁層を用いた回路基板或いは
該低誘電率樹脂絶縁層を用いた薄膜多層回路フィルムを
製造するのに好適方法に関する。
層或いは該低誘電率樹脂絶縁層を用いた回路基板或いは
該低誘電率樹脂絶縁層を用いた薄膜多層回路フィルムを
製造するのに好適方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、樹脂絶縁層を用いた回路基板或い
は樹脂絶縁層を用いた薄膜多層回路フィルムを構成する
絶縁層材料として、誘電率が３．５以上もある樹脂材料
を用いている為、信号伝送回路の場合、寄生容量に依る
信号の伝播遅延が発生する。
は樹脂絶縁層を用いた薄膜多層回路フィルムを構成する
絶縁層材料として、誘電率が３．５以上もある樹脂材料
を用いている為、信号伝送回路の場合、寄生容量に依る
信号の伝播遅延が発生する。
【０００３】そこで、絶縁層を構成する樹脂材料の誘電
率を低下させる為、樹脂材料の構造中にフッ素などを導
入することが行なわれているが、誘電率を２．５以下に
することは実現されていないし、しかも、フッ素を含む
絶縁層は積層し難く、多層回路基板や多層回路フィルム
を形成することは困難であり、コストも高くなる。
率を低下させる為、樹脂材料の構造中にフッ素などを導
入することが行なわれているが、誘電率を２．５以下に
することは実現されていないし、しかも、フッ素を含む
絶縁層は積層し難く、多層回路基板や多層回路フィルム
を形成することは困難であり、コストも高くなる。
【０００４】また、樹脂材料中に熱分解する物質を添加
しておき、絶縁層を形成してから加熱することで空洞を
発生させ、誘電率を低下させることが行なわれている
が、このようにして形成された絶縁層は、層の強度や密
着性に問題がある。
しておき、絶縁層を形成してから加熱することで空洞を
発生させ、誘電率を低下させることが行なわれている
が、このようにして形成された絶縁層は、層の強度や密
着性に問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明では、樹脂絶縁
層を微細な多孔質にすることで、強度の低下を招来する
ことなく誘電率を低下させ、その低誘電率樹脂絶縁層を
用いた回路基板や薄膜多層回路フィルムを実現し、信号
伝播の遅延を低減しようとする。
層を微細な多孔質にすることで、強度の低下を招来する
ことなく誘電率を低下させ、その低誘電率樹脂絶縁層を
用いた回路基板や薄膜多層回路フィルムを実現し、信号
伝播の遅延を低減しようとする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、樹脂絶縁層
に金属微粒子を分散させ、その金属微粒子を化学エッチ
ングすることで該樹脂絶縁層を多孔質化して誘電率を低
減させることが基本になっている。
に金属微粒子を分散させ、その金属微粒子を化学エッチ
ングすることで該樹脂絶縁層を多孔質化して誘電率を低
減させることが基本になっている。
【０００７】前記手段を採ることに依り、強度を低下さ
せることなく多孔質化して誘電率を低下させた樹脂絶縁
層を実現することができ、従って、その樹脂絶縁膜を用
いた回路基板や薄膜多層回路フィルムは強度が高いので
取り扱いが容易であり、そして、該基板やフィルムに作
り込まれた回路では、信号伝播遅延が少ないので、良質
の情報伝送や通信が可能になる。
せることなく多孔質化して誘電率を低下させた樹脂絶縁
層を実現することができ、従って、その樹脂絶縁膜を用
いた回路基板や薄膜多層回路フィルムは強度が高いので
取り扱いが容易であり、そして、該基板やフィルムに作
り込まれた回路では、信号伝播遅延が少ないので、良質
の情報伝送や通信が可能になる。
【０００８】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 図１乃至図３は本発明の実施の形態１を説明する為の工
程要所に於ける絶縁層を表す要部切断側面図であり、以
下、これ等の図を参照しつつ説明する。
程要所に於ける絶縁層を表す要部切断側面図であり、以
下、これ等の図を参照しつつ説明する。
【０００９】図１（Ａ）参照 １−（１） スパッタリング法を適用することに依り、シリコン・ウ
エハ１上にＣｕ層を形成する。
エハ１上にＣｕ層を形成する。
【００１０】１−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチャントを硫酸アンモニウム及び硫酸ナトリウムと
するウエット・エッチング法を適用することに依り、前
記Ｃｕ層をエッチングして導体２を形成する。
エッチャントを硫酸アンモニウム及び硫酸ナトリウムと
するウエット・エッチング法を適用することに依り、前
記Ｃｕ層をエッチングして導体２を形成する。
【００１１】尚、断面の関係で図示されていないが、こ
の段階で必要箇所にビア（導電プラグ）を形成してよ
い。
の段階で必要箇所にビア（導電プラグ）を形成してよ
い。
【００１２】１−（３） スパッタリング法を適用することに依り、厚さが１００
〔ｎｍ〕のＣｒからなるバリヤ層３を形成する。尚、バ
リヤ層３の材料としては、前記Ｃｒの他、Ｔｉ、Ａｌ、
Ｎｉ、Ａｕなどを用いて良い。
〔ｎｍ〕のＣｒからなるバリヤ層３を形成する。尚、バ
リヤ層３の材料としては、前記Ｃｒの他、Ｔｉ、Ａｌ、
Ｎｉ、Ａｕなどを用いて良い。
【００１３】１−（４） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチャントをフェリシアン化カリウム及び水酸化ナト
リウムとするウエット・エッチング法を適用することに
依り、Ｃｒからなるバリヤ層３のうち、Ｃｕからなる導
体２を覆うもの以外をエッチングして除去する。
エッチャントをフェリシアン化カリウム及び水酸化ナト
リウムとするウエット・エッチング法を適用することに
依り、Ｃｒからなるバリヤ層３のうち、Ｃｕからなる導
体２を覆うもの以外をエッチングして除去する。
【００１４】図１（Ｂ）参照 １−（５） 工程１−（４）で形成したレジスト膜を除去してから、
スピン・コート法を適用することに依り、ポリイミドか
らなる絶縁層４を形成してから温度４００〔℃〕、時間
６０〔分〕の加熱を行なう。尚、この工程を経た絶縁膜
４の厚さは約１０〔μｍ〕程度である。
スピン・コート法を適用することに依り、ポリイミドか
らなる絶縁層４を形成してから温度４００〔℃〕、時間
６０〔分〕の加熱を行なう。尚、この工程を経た絶縁膜
４の厚さは約１０〔μｍ〕程度である。
【００１５】図２（Ａ）参照 ２−（１） スパッタリング法を適用することに依り、厚さが０．５
〔μｍ〕のＣｕからなる拡散用金属層５を成膜する。
〔μｍ〕のＣｕからなる拡散用金属層５を成膜する。
【００１６】図２（Ｂ）参照 ２−（２） 温度４００〔℃〕、時間６０〔分〕の熱処理を行なっ
て、拡散用金属層５からポリイミドからなる絶縁層４内
にＣｕの微粒子６を拡散させる。
て、拡散用金属層５からポリイミドからなる絶縁層４内
にＣｕの微粒子６を拡散させる。
【００１７】拡散用金属層５から樹脂層４内にＣｕの微
粒子６を拡散するには、前記熱処理の他、高温雰囲気中
に放置、高温多湿雰囲気中に放置等の手段を採っても良
い。
粒子６を拡散するには、前記熱処理の他、高温雰囲気中
に放置、高温多湿雰囲気中に放置等の手段を採っても良
い。
【００１８】２−（３） 化学機械研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａ
ｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法を適用することに
依り、Ｃｕからなる拡散用金属層５を研磨して除去す
る。
ｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法を適用することに
依り、Ｃｕからなる拡散用金属層５を研磨して除去す
る。
【００１９】図３参照 ３−（１） 全体を硫酸中に浸漬して超音波を加える処理を１０
〔分〕間実施すると、絶縁層４内に分散していたＣｕの
微粒子６がエッチングされ、その結果、絶縁層４には径
が１００〔Å〕以下の空洞６Ａが生成されて多孔質とな
る。
〔分〕間実施すると、絶縁層４内に分散していたＣｕの
微粒子６がエッチングされ、その結果、絶縁層４には径
が１００〔Å〕以下の空洞６Ａが生成されて多孔質とな
る。
【００２０】本発明の場合、前記したように、下層の導
体２はＣｒからなるバリヤ層３で覆われているので、こ
の化学エッチングに依って導体２が損傷されることは皆
無である。
体２はＣｒからなるバリヤ層３で覆われているので、こ
の化学エッチングに依って導体２が損傷されることは皆
無である。
【００２１】前記工程を経て得られた多孔質化絶縁層４
の誘電率を測定したところ、２．４なる値が得られた。
因みに、従来の技術に依って多孔質化した絶縁層に於け
る誘電率は２．５であるから、本発明に依った場合、僅
かではあるが低い値が得られた。この理由は、分子レベ
ルの大きさで空洞を形成した場合と、金属微粒子の大き
さで空洞を形成した場合とでは、空洞率に違いがある為
である。
の誘電率を測定したところ、２．４なる値が得られた。
因みに、従来の技術に依って多孔質化した絶縁層に於け
る誘電率は２．５であるから、本発明に依った場合、僅
かではあるが低い値が得られた。この理由は、分子レベ
ルの大きさで空洞を形成した場合と、金属微粒子の大き
さで空洞を形成した場合とでは、空洞率に違いがある為
である。
【００２２】本発明に依った場合、誘電率を低下させる
ことができるのもさることながら、多孔質化しても分子
構造に大きな影響を与えることがなく、従って、基材の
物性を維持することができるので、強度並びに密着性の
低下は生じない。
ことができるのもさることながら、多孔質化しても分子
構造に大きな影響を与えることがなく、従って、基材の
物性を維持することができるので、強度並びに密着性の
低下は生じない。
【００２３】実施の形態２ 図４乃至図７は本発明の実施の形態２を説明する為の工
程要所に於ける絶縁層を表す要部切断側面図であり、以
下、これ等の図を参照しつつ説明する。
程要所に於ける絶縁層を表す要部切断側面図であり、以
下、これ等の図を参照しつつ説明する。
【００２４】図４（Ａ）参照 ４−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、スパッ
タリング法、リフト・オフ法を適用することに依り、ガ
ラスからなる支持基板１１に樹脂薄膜多層回路フィルム
形成予定部分に開口をもち且つ厚さが０．１〔μｍ〕の
Ｃｒからなる密着層１２を形成する。
タリング法、リフト・オフ法を適用することに依り、ガ
ラスからなる支持基板１１に樹脂薄膜多層回路フィルム
形成予定部分に開口をもち且つ厚さが０．１〔μｍ〕の
Ｃｒからなる密着層１２を形成する。
【００２５】支持基板１１の材料としては、ガラスの他
にシリコン・ウエハ、セラミックス基板などを用いるこ
とができ、また、密着層１２の材料としては、実施の形
態１と同様、樹脂との密着性が良好なＣｕ、Ｔｉ、Ｎｉ
など、シラン・カップリング剤などのカップリング剤を
用いることができる。
にシリコン・ウエハ、セラミックス基板などを用いるこ
とができ、また、密着層１２の材料としては、実施の形
態１と同様、樹脂との密着性が良好なＣｕ、Ｔｉ、Ｎｉ
など、シラン・カップリング剤などのカップリング剤を
用いることができる。
【００２６】図４（Ｂ）参照 ４−（２） スピン・コート法を適用することに依り、ポリイミドの
前駆体であるポリアミック酸を塗布してから、温度４０
０〔℃〕、時間６０〔分〕のキュアーを行って、厚さが
５〔μｍ〕のポリイミドからなる絶縁層１３（第一層）
を形成する。
前駆体であるポリアミック酸を塗布してから、温度４０
０〔℃〕、時間６０〔分〕のキュアーを行って、厚さが
５〔μｍ〕のポリイミドからなる絶縁層１３（第一層）
を形成する。
【００２７】この絶縁層１３には、ポリイミドの他に種
々な材料を用いることが可能であるが、後のプロセスに
耐え得る材料として、現状ではポリイミドが最良である
が、そのポリイミドも、感光性があるもの、フィルム状
のもの、感光性をもったフィルム状のものなど、種々な
種類のものがあり、そして、フィルム状のものを用いる
場合、スピン・コート法ではなく、貼り合わせで絶縁層
１３を形成することができる。
々な材料を用いることが可能であるが、後のプロセスに
耐え得る材料として、現状ではポリイミドが最良である
が、そのポリイミドも、感光性があるもの、フィルム状
のもの、感光性をもったフィルム状のものなど、種々な
種類のものがあり、そして、フィルム状のものを用いる
場合、スピン・コート法ではなく、貼り合わせで絶縁層
１３を形成することができる。
【００２８】４−（３） 実施の形態１と同様にしてＣｕからなる配線１４、ビア
１５、ポリイミドからなる絶縁層１６（第二層）を形成
し、次いで、同様の工程を繰り返すことで配線１７、ビ
ア１８、絶縁層１９（第三層）、配線２０を形成する。
１５、ポリイミドからなる絶縁層１６（第二層）を形成
し、次いで、同様の工程を繰り返すことで配線１７、ビ
ア１８、絶縁層１９（第三層）、配線２０を形成する。
【００２９】図５（Ａ）参照 ５−（１） 密着層１２のエッジ、即ち、密着層１２と薄膜多層回路
フィルム領域との界面に図示の矢印に見られるようにＹ
ＡＧレーザを照射する。
フィルム領域との界面に図示の矢印に見られるようにＹ
ＡＧレーザを照射する。
【００３０】図５（Ｂ）参照 ５−（２） 工程５−（１）で説明したＹＡＧレーザの照射に依っ
て、薄膜多層回路フィルム領域とその周囲との間には、
図示されているような切り溝１９Ａが形成されて分離さ
れる。
て、薄膜多層回路フィルム領域とその周囲との間には、
図示されているような切り溝１９Ａが形成されて分離さ
れる。
【００３１】尚、薄膜多層回路フィルム領域を周囲から
分離するには、支持基板１１の裏面から薄膜多層回路フ
ィルム領域の全域にレーザや紫外線等を照射するように
しても良く、その場合、支持基板１１はガラスなどの透
明体であることが必要であり、紫外線を用いる場合に
は、絶縁層１３が感光性のものであることが必要であ
る。
分離するには、支持基板１１の裏面から薄膜多層回路フ
ィルム領域の全域にレーザや紫外線等を照射するように
しても良く、その場合、支持基板１１はガラスなどの透
明体であることが必要であり、紫外線を用いる場合に
は、絶縁層１３が感光性のものであることが必要であ
る。
【００３２】図６参照 ６−（１） 薄膜多層回路フィルム領域を支持基板１１から剥離し、
フレキシブル薄膜多層回路フィルム２１を取り出すが、
この際、超音波を加えることで、剥離が容易になり、ま
た、支持基板１１とフレキシブル薄膜多層回路フィルム
２１との間に水分が入り込むと自然に分離して浮いてく
る。
フレキシブル薄膜多層回路フィルム２１を取り出すが、
この際、超音波を加えることで、剥離が容易になり、ま
た、支持基板１１とフレキシブル薄膜多層回路フィルム
２１との間に水分が入り込むと自然に分離して浮いてく
る。
【００３３】剥離が困難である場合には、表面に粘着テ
ープを貼付し、その粘着テープを剥離することで、同時
にフレキシブル薄膜多層回路フィルム２１を取り出すこ
とができる。
ープを貼付し、その粘着テープを剥離することで、同時
にフレキシブル薄膜多層回路フィルム２１を取り出すこ
とができる。
【００３４】図７参照 ７−（１） 完成された樹脂絶縁層を用いたフレキシブル薄膜多層回
路フィルムを剥離した後、フェリシアン化カリウム及び
水酸化ナトリウムをエッチャントとして支持基板１１上
のＣｒからなる密着層１２を剥離することで、その上の
不要になった絶縁層１３などを同時に除去する。
路フィルムを剥離した後、フェリシアン化カリウム及び
水酸化ナトリウムをエッチャントとして支持基板１１上
のＣｒからなる密着層１２を剥離することで、その上の
不要になった絶縁層１３などを同時に除去する。
【００３５】７−（２） 表面に形成された諸被膜が全て除去された支持基板１１
は、プラズマ照射、再研磨、スクラブなどの処理を施
し、再使用することができる。
は、プラズマ照射、再研磨、スクラブなどの処理を施
し、再使用することができる。
【００３６】本発明に依る低誘電率樹脂絶縁膜の用途と
しては、樹脂薄膜多層回路基板、プリント配線板、ＭＣ
Ｍ（ｍｕｌｔｉ ｃｈｉｐ ｍｏｄｕｌｅ）基板、半導
体チップなどに応用することができ、また、フレキシブ
ルである薄膜多層回路フィルムは、デバイスとＭＣＭ基
板とを結ぶインターポーザ、ガラス・エポキシ回路基板
などに接合したプリント回路基板、セラミックス回路基
板などに接合したＭＣＭ、その他の電子装置に応用でき
るなど多岐に亙る。
しては、樹脂薄膜多層回路基板、プリント配線板、ＭＣ
Ｍ（ｍｕｌｔｉ ｃｈｉｐ ｍｏｄｕｌｅ）基板、半導
体チップなどに応用することができ、また、フレキシブ
ルである薄膜多層回路フィルムは、デバイスとＭＣＭ基
板とを結ぶインターポーザ、ガラス・エポキシ回路基板
などに接合したプリント回路基板、セラミックス回路基
板などに接合したＭＣＭ、その他の電子装置に応用でき
るなど多岐に亙る。
【００３７】本発明に於いては、前記説明した実施の形
態を含め、多くの形態で実施することができ、以下、そ
れを付記として例示する。
態を含め、多くの形態で実施することができ、以下、そ
れを付記として例示する。
【００３８】（付記１）基板（例えばシリコン・ウエハ
１）に樹脂絶縁層（例えばポリイミドからなる絶縁層
４）を形成してから金属微粒子（例えばＣｕの微粒子
６）を拡散する工程と、該金属微粒子を化学エッチング
して微細な孔（例えば空洞６Ａ）を生成して該樹脂絶縁
層を多孔質化する工程とが含まれてなることを特徴とす
る低誘電率樹脂絶縁層の製造方法。（１）
１）に樹脂絶縁層（例えばポリイミドからなる絶縁層
４）を形成してから金属微粒子（例えばＣｕの微粒子
６）を拡散する工程と、該金属微粒子を化学エッチング
して微細な孔（例えば空洞６Ａ）を生成して該樹脂絶縁
層を多孔質化する工程とが含まれてなることを特徴とす
る低誘電率樹脂絶縁層の製造方法。（１）
【００３９】（付記２）基板（例えばシリコン・ウエハ
１）上に配線などの導体（例えば導体２）を形成してか
ら該導体を覆うバリヤ層（例えばバリヤ層３）を形成す
る工程と、全面を覆う樹脂絶縁層（例えばポリイミドか
らなる絶縁層４）及び拡散用金属層（例えばＣｕからな
る拡散用金属層５）を積層形成する工程と、該拡散用金
属層から該樹脂絶縁層に金属微粒子（Ｃｕの微粒子６）
を拡散させてから該拡散用金属層を除去する工程と、該
樹脂絶縁層に拡散された金属微粒子のみを化学エッチン
グして微細な孔（例えば空洞６Ａ）を生成させて該樹脂
絶縁層を多孔質化する工程とが含まれてなることを特徴
とする低誘電率樹脂絶縁層を用いた回路基板の製造方
法。（２）
１）上に配線などの導体（例えば導体２）を形成してか
ら該導体を覆うバリヤ層（例えばバリヤ層３）を形成す
る工程と、全面を覆う樹脂絶縁層（例えばポリイミドか
らなる絶縁層４）及び拡散用金属層（例えばＣｕからな
る拡散用金属層５）を積層形成する工程と、該拡散用金
属層から該樹脂絶縁層に金属微粒子（Ｃｕの微粒子６）
を拡散させてから該拡散用金属層を除去する工程と、該
樹脂絶縁層に拡散された金属微粒子のみを化学エッチン
グして微細な孔（例えば空洞６Ａ）を生成させて該樹脂
絶縁層を多孔質化する工程とが含まれてなることを特徴
とする低誘電率樹脂絶縁層を用いた回路基板の製造方
法。（２）
【００４０】（付記３） （付記２）に於いて、前記樹脂絶縁層を多孔質化する工
程を経た後、該多孔質化樹脂絶縁膜上に配線などの導体
を形成してから該導体を覆うバリヤ層を形成する工程
と、全面を覆う樹脂絶縁層及び拡散用金属層を積層形成
する工程と、該拡散用金属層から該樹脂絶縁層に金属微
粒子を拡散させてから該拡散用金属層を除去する工程
と、該樹脂絶縁層に拡散された金属微粒子のみを化学エ
ッチングして微細な孔を生成させて該樹脂絶縁層を多孔
質化する工程とを繰り返して多層にすることを特徴とす
る低誘電率樹脂絶縁層を用いた回路基板の製造方法。
程を経た後、該多孔質化樹脂絶縁膜上に配線などの導体
を形成してから該導体を覆うバリヤ層を形成する工程
と、全面を覆う樹脂絶縁層及び拡散用金属層を積層形成
する工程と、該拡散用金属層から該樹脂絶縁層に金属微
粒子を拡散させてから該拡散用金属層を除去する工程
と、該樹脂絶縁層に拡散された金属微粒子のみを化学エ
ッチングして微細な孔を生成させて該樹脂絶縁層を多孔
質化する工程とを繰り返して多層にすることを特徴とす
る低誘電率樹脂絶縁層を用いた回路基板の製造方法。
【００４１】（付記４）支持基板（例えばガラスからな
る支持基板１１）上に該支持基板とは密着性が低い第一
の樹脂絶縁層（例えばポリイミドからなる絶縁層１３）
を形成する工程と、該第一の樹脂絶縁層上に配線などの
第一の導体（例えば配線１４）を形成してから該第一の
導体を覆うバリヤ層（図示せず）を形成する工程と、全
面を覆う第二の樹脂絶縁層（例えばポリイミドからなる
絶縁層１６）及び拡散用金属層（例えば銅層）を積層形
成する工程と、該拡散用金属層から該第二の樹脂絶縁層
に金属微粒子（例えば銅の微粒子）を拡散させてから該
拡散用金属層を除去する工程と、該第二の樹脂絶縁層に
拡散された金属微粒子のみを化学エッチングして微細な
孔を生成させて該第二の樹脂絶縁層を多孔質化する工程
と、該固定基板上の第一の絶縁層から最表面層までを剥
離してフレキシブル薄膜多層回路フィルムとする工程と
が含まれてなることを特徴とする低誘電率樹脂絶縁層を
用いた薄膜多層回路フィルムの製造方法。（３）
る支持基板１１）上に該支持基板とは密着性が低い第一
の樹脂絶縁層（例えばポリイミドからなる絶縁層１３）
を形成する工程と、該第一の樹脂絶縁層上に配線などの
第一の導体（例えば配線１４）を形成してから該第一の
導体を覆うバリヤ層（図示せず）を形成する工程と、全
面を覆う第二の樹脂絶縁層（例えばポリイミドからなる
絶縁層１６）及び拡散用金属層（例えば銅層）を積層形
成する工程と、該拡散用金属層から該第二の樹脂絶縁層
に金属微粒子（例えば銅の微粒子）を拡散させてから該
拡散用金属層を除去する工程と、該第二の樹脂絶縁層に
拡散された金属微粒子のみを化学エッチングして微細な
孔を生成させて該第二の樹脂絶縁層を多孔質化する工程
と、該固定基板上の第一の絶縁層から最表面層までを剥
離してフレキシブル薄膜多層回路フィルムとする工程と
が含まれてなることを特徴とする低誘電率樹脂絶縁層を
用いた薄膜多層回路フィルムの製造方法。（３）
【００４２】
【発明の効果】本発明に依る低誘電率樹脂絶縁層の製造
方法及び該絶縁層を用いた回路基板の製造方法及び該絶
縁層を用いた薄膜多層回路フィルムの製造方法に於いて
は、基板に樹脂絶縁層を形成してから金属微粒子を拡散
し、該金属微粒子を化学エッチングして微細な孔を生成
して該樹脂絶縁層を多孔質化することが基本になってい
る。
方法及び該絶縁層を用いた回路基板の製造方法及び該絶
縁層を用いた薄膜多層回路フィルムの製造方法に於いて
は、基板に樹脂絶縁層を形成してから金属微粒子を拡散
し、該金属微粒子を化学エッチングして微細な孔を生成
して該樹脂絶縁層を多孔質化することが基本になってい
る。
【００４３】前記構成を採ることに依り、強度を低下さ
せることなく多孔質化して誘電率を低下させた樹脂絶縁
層を実現することができ、従って、その樹脂絶縁膜を用
いた回路基板や薄膜多層回路フィルムは強度が高いので
取り扱いが容易であり、そして、該基板やフィルムに作
り込まれた回路では、信号伝播遅延が少ないので、良質
の情報伝送や通信が可能になる。
せることなく多孔質化して誘電率を低下させた樹脂絶縁
層を実現することができ、従って、その樹脂絶縁膜を用
いた回路基板や薄膜多層回路フィルムは強度が高いので
取り扱いが容易であり、そして、該基板やフィルムに作
り込まれた回路では、信号伝播遅延が少ないので、良質
の情報伝送や通信が可能になる。
【図１】本発明の実施の形態１を説明する為の工程要所
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
【図２】本発明の実施の形態１を説明する為の工程要所
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
【図３】本発明の実施の形態１を説明する為の工程要所
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
【図４】本発明の実施の形態２を説明する為の工程要所
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
【図５】本発明の実施の形態２を説明する為の工程要所
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
【図６】本発明の実施の形態２を説明する為の工程要所
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
【図７】本発明の実施の形態２を説明する為の工程要所
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
に於ける絶縁層を表す要部切断側面図である。
１ シリコン・ウエハ ２ 導体 ３ バリヤ層 ４ 絶縁層 ５ 拡散用金属層 ６ Ｃｕの微粒子 ６Ａ 空洞
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０８Ｊ 9/26 ＣＥＺ Ｃ０８Ｊ 9/26 １０１ １０１ Ｃ０８Ｌ 101:00 Ｃ０８Ｌ 101:00 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｒ Ｆターム(参考） 4F074 AA74 AC05 AC29 CB03 CB13 CB27 DA03 DA47 5E346 AA12 AA15 AA23 AA26 BB01 CC10 CC31 CC32 DD02 DD03 DD17 DD32 EE33 EE35 GG01 GG28 HH05
Claims (3)
- 【請求項１】基板に樹脂絶縁層を形成してから金属微粒
子を拡散する工程と、 該金属微粒子を化学エッチングして微細な孔を生成して
該樹脂絶縁層を多孔質化する工程とが含まれてなること
を特徴とする低誘電率樹脂絶縁層の製造方法。 - 【請求項２】基板上に配線などの導体を形成してから該
導体を覆うバリヤ層を形成する工程と、 全面を覆う樹脂絶縁層及び拡散用金属層を積層形成する
工程と、 該拡散用金属層から該樹脂絶縁層に金属微粒子を拡散さ
せてから該拡散用金属層を除去する工程と、 該樹脂絶縁層に拡散された金属微粒子のみを化学エッチ
ングして微細な孔を生成させて該樹脂絶縁層を多孔質化
する工程とが含まれてなることを特徴とする低誘電率樹
脂絶縁層を用いた回路基板の製造方法。 - 【請求項３】支持基板上に該支持基板とは密着性が低い
第一の樹脂絶縁層を形成する工程と、 該第一の樹脂絶縁層上に配線などの第一の導体を形成し
てから該第一の導体を覆うバリヤ層を形成する工程と、 全面を覆う第二の樹脂絶縁層及び拡散用金属層を積層形
成する工程と、 該拡散用金属層から該第二の樹脂絶縁層に金属微粒子を
拡散させてから該拡散用金属層を除去する工程と、 該第二の樹脂絶縁層に拡散された金属微粒子のみを化学
エッチングして微細な孔を生成させて該第二の樹脂絶縁
層を多孔質化する工程と、 該固定基板上の第一の絶縁層から最表面層までを剥離し
てフレキシブル薄膜多層回路フィルムとする工程とが含
まれてなることを特徴とする低誘電率樹脂絶縁層を用い
た薄膜多層回路フィルムの製造方法。
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| JP2000185606A JP4640878B2 (ja) | 2000-06-21 | 2000-06-21 | 低誘電率樹脂絶縁層を用いた回路基板の製造方法及び低誘電率樹脂絶縁層を用いた薄膜多層回路フィルムの製造方法 |
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-
2000
- 2000-06-21 JP JP2000185606A patent/JP4640878B2/ja not_active Expired - Fee Related
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