JP2008034790A - Ic整合基板とキャリアとの結合構造、その製造方法、電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 キャリア10と、キャリア10上に形成され、キャリア10に貼り付けられる第1誘電体層14とを備えるIC整合基板8とを備えている。キャリア10と第1誘電体層14の材料を選択することによって、キャリア10と第1誘電体層14との間の付着力により、IC整合基板8が製造過程においてキャリア10から剥離することなく、カット処理の際に、カットされたIC整合基板8がキャリア10から自然分離する。
【選択図】 図2
Description
図2は、本発明の実施例に基づく、IC整合基板8とキャリア10との結合構造28、およびその製造方法、および電子デバイス6の製造方法の工程図である。本実施例に示すIC整合基板8は、多層配線構造を備え、該多層配線構造は両面基板であって、その表面および裏面共に外部と電気接続される。尚、この両面基板は、表面が裏面と電気接続しているが、多層配線構造としてその他の接続方法によって接続してもよく、例えば、片面配線であってもよい。この他、多層配線構造の層数についても、特に制限はなく、各種応用に応じて適宜変更をすることができる。
図3は、本発明の実施例に基づく、IC整合基板38とキャリア30の結合構造40、およびその製造方法、および電子デバイス36の製造方法の工程図である。本実施例で示したIC整合基板38は、少なくとも一の半導体デバイス35を備え、例えば、受動素子、駆動電子デバイス、薄膜トランジスタ(TFT)装置、およびその他の電子デバイスの少なくとも一つ、もしくは、その組み合わせなどである。注意すべきは、図3では一つの半導体デバイスのみを備えるIC整合基板を示しているが、この分野の通常の知識を有するものであれば分かるように、IC整合基板は複数の半導体デバイスを備えることが可能であり、後続の工程でカットすることによって数百、数千の電子デバイスを製造することができるが、ここでは表示および説明の簡略化のため、一つで示している。
本発明に記載のキャリアと誘電体層材料の「選択」または「処理」によって付着力を制御する原理は、下記の文献において掲示された付着力理論が参考にできる。
2:Fowkes,F.M., “Contact Angle, Wettability, and Adhesion” American Chemical Society, Washington, D.C.,1964.
3:薛敬和,“接着剤全書”高立,台北,1985.
付着力理論は、付着の3つの必要条件、即ち、湿潤性、固体化、十分な変形による接合時の弾性圧の減少を説明している。この3項の原理を備えていれば、付着力を選択かつ制御して、本発明に必要な効果を実現することができる。次に、この3原理について詳細に説明する。
S=γS−γl−γSl
湿潤:S>0
不湿潤:S<0
γS:該固体が飽和蒸気雰囲気における自由エネルギ
γl:該液体が飽和蒸気雰囲気における自由エネルギ
γSl:該固体と該液体とのインターフェースの自由エネルギ
S=初期拡散係数
塗布方式で形成される誘電体層については湿潤性原理により、S値が大きいほど、最終の付着力も大きくなり、S値が小さいほど最終の付着力も小さくなる。この原理により、材料を選んで本発明に必要な付着力を実現できる。同様に、表面処理の方法により自由エネルギを適宜変更することができ、付着性を増強若しくは減弱したりして、本発明に必要な付着力を実現できる。付着力は、実際の大きさが製造工程の品質から受ける影響が大きいため、この分野の通常の知識を有するものであれば分かるように、本原理は、定性結果であって、具体的なS値によりその適用範囲を限定するものではないが、この定性原理と試行錯誤法により同時に行うことで、本発明においてキャリアと誘電体層との間の適切な付着力を得ることができ、本発明のいわゆる「自然分離」の効果を実現できる。
2 重合体層
3、22、24、26 金属層
4 多層配線構造
6、36 電子デバイス
7、37 残留誘電体層材料
8、38 IC整合基板
10、30 キャリア
14、34 第1誘電体層
15、17、39 全域付着強化領域
16、18、20 誘電体層
19 全域付着領域
28、40 IC整合基板とキャリアとの結合構造
35 半導体デバイス
S1〜S5 ステップ
S1´〜S4´ ステップ
Claims (16)
- IC整合基板とキャリアとの結合構造であって、
キャリアと、
前記キャリア上に形成され、前記キャリアに貼り付けられる第1誘電体層を備えるIC整合基板とを備え、
前記キャリアと前記第1誘電体層との間の付着力により、前記IC整合基板が製造過程において前記キャリアから剥離することがない一方、カット処理の際にIC整合基板が前記キャリアから自然分離されるように、前記キャリアと前記第1誘電体層の材料が選択されることを特徴とするIC整合基板とキャリアとの結合構造。 - 前記キャリアと前記第1誘電体層との間には、何ら付着処理が施されていないことを特徴とする請求項1に記載のIC整合基板とキャリアとの結合構造。
- 前記キャリアと前記第1誘電体層との間には、付着弱化処理が施されていることを特徴とする請求項1に記載のIC整合基板とキャリアとの結合構造。
- 前記IC整合基板が多層配線構造を備え、前記多層配線構造が、
前記第1誘電体層を含む少なくとも一の誘電体層と、少なくとも一の金属層とを備え、少なくとも一の誘電体層と少なくとも一の金属層を前記キャリア上に順に交互に積層して形成されていることを特徴とする請求項1に記載のIC整合基板とキャリアとの結合構造。 - 前記多層配線構造の各誘電体層間は、付着強化処理が施され、それぞれ全域付着強化領域を形成することを特徴とする請求項4に記載のIC整合基板とキャリアとの結合構造。
- 前記IC整合基板は、前記第1誘電体層上に形成される少なくとも一の半導体デバイスをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のIC整合基板とキャリアとの結合構造。
- 前記第1誘電体層と前記少なくとも一の半導体デバイスとの間に付着強化処理が施され、全域付着強化領域を形成することを特徴とする請求項6に記載のIC整合基板とキャリアとの結合構造。
- IC整合基板とキャリアとの結合構造の製造方法であって、
キャリアを提供するステップと、
前記キャリアに貼り付けられる第1誘電体層を備えたIC整合基板を、前記キャリア上に形成するステップとを含み、
前記キャリアと前記第1誘電体層との間の付着力により、前記IC整合基板が製造過程において前記キャリアから剥離することがない一方、カット処理の際にIC整合基板が前記キャリアから自然分離されるように、前記キャリアと前記第1誘電体層の材料が選択することを特徴とするIC整合基板とキャリアとの結合構造の製造方法。 - 前記キャリアと前記第1誘電体層との間に、何ら処理を施さないことを特徴とする請求項8に記載のIC整合基板とキャリアとの結合構造の製造方法。
- 前記キャリアと前記第1誘電体層との間に、付着弱化処理を施すことを特徴とする請求項8に記載のIC整合基板とキャリアとの結合構造の製造方法。
- 前記IC整合基板は多層配線構造を備えており、
前記IC整合基板を形成するステップは、
前記第1誘電体層を含む少なくとも一の誘電体層を形成するステップと、
少なくとも一の金属層を形成することにより、前記少なくとも一の誘電体層と少なくとも一の金属層を前記キャリア上に順に交互に積層して形成するステップとを含むことを特徴とする請求項8に記載のIC整合基板とキャリアとの結合構造の製造方法。 - 前記IC整合基板を形成するステップは、前記多層配線構造の各誘電体層の間に施される付着強化処理をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のIC整合基板とキャリアとの結合構造の製造方法。
- 前記IC整合基板を形成するステップは、
前記キャリア上に前記第1誘電体層を形成するステップと、
前記第1誘電体層上に少なくとも一の半導体デバイスを形成するステップとを含むことを特徴とする請求項8に記載のIC整合基板とキャリアとの結合構造の製造方法。 - 前記IC整合基板を形成するステップは、前記第1誘電体層と前記少なくとも一の半導体デバイスとの間において施される付着強化処理をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載のIC整合基板とキャリアとの結合構造の製造方法。
- 電子デバイスの製造方法であって、
請求項8〜14のいずれか1つに記載の方法と、
前記IC整合基板をカットすることにより、カットされたIC整合基板を前記キャリアから自然分離させて、電子デバイスを形成するステップとを含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記IC整合基板は、テープ粘着、挟持具による挟み取り、または真空吸着によって、前記キャリアから自然分離されることを特徴とする請求項15に記載の電子デバイスの製造方法。
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