JPH05144974A - ポリイミド多層配線基板の製造方法 - Google Patents

ポリイミド多層配線基板の製造方法

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JPH05144974A
JPH05144974A JP30594391A JP30594391A JPH05144974A JP H05144974 A JPH05144974 A JP H05144974A JP 30594391 A JP30594391 A JP 30594391A JP 30594391 A JP30594391 A JP 30594391A JP H05144974 A JPH05144974 A JP H05144974A
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    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ポリイミド多層配線の張り合わせにおいて、
セラミック基板上に形成したポリイミド多層配線層に、
アルミニウムウェファ上に多層配線層を形成した基板を
接着剤で接着した後、支持基板のアルミニウムウェファ
を容易に剥離することを目的とする。 【構成】 張り合わせた後、ダイシングソー２５でパタ
ーンエリアの広さにアルミニウム平板１をカットし、低
熱膨張率ポリイミドとその上の層の密着がないところか
ら、支持基板のアルミニウム平板を剥離する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック基板にポリ
イミド樹脂を層間絶縁に使用した多層配線層を有するポ
リイミド多層配線基板の製造方法に関し、特にポリイミ
ド樹脂層の積層方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩチップを搭載する配線基板とし
て、従来から多層プリント配線基板が使用されてきた。
多層プリント配線基板は、銅張積層板をコア材に、プリ
プレグをコア材の接着剤として構成され、コア材とプリ
プレグを交互に積層し熱プレスを使用して一体化する。
積層板間の電気的接続はコア材とプリプレグを一体化し
た後、ドリルによって貫通スルーホールを形成し、貫通
スルーホール内壁を銅メッキすることによって行われ
る。
【０００３】また、近年、多層プリント配線基板より高
配線密度を要求されている大型コンピュータ用配線基板
に、セラミック基板上にポリイミド樹脂を層間絶縁に使
用した多層配線基板が使用されてきている。このポリイ
ミド・セラミック多層配線基板は、セラミック基板上に
ポリイミド前駆体ワニスを塗布、乾燥し、この塗布膜に
ヴィアホールを形成するポリイミド樹脂絶縁層形成工程
と、フォトリソグラフィー，真空蒸着およびメッキ法を
使用した配線層形成工程とからなり、かつ、この一連の
工程を繰り返すことにより、ポリイミド多層配線層の形
成を行っていた。
【０００４】また、上述したポリイミド・セラミック多
層配線基板の形成方法とは別にポリイミドシート上に配
線パターンを形成し、そのシートをセラミック基板上に
位置合わせを行って順次、加圧積層を行い多層配線基板
の形成を行う方法もある。この方法は、信号層をシート
単位で形成するため、欠陥の無いシートを選別して積層
することが可能となり、上述した逐次積層方法よりも製
造歩留まりを上げることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した多層プリント
配線基板は、積層板間の電気的接続をドリル加工で形成
した貫通スルーホールで行うため、微細な貫通スルーホ
ールの形成は不可能であり、そのためスルーホール間に
形成できる配線本数が限られてくる。また、一つの積層
板間の接続に一つの貫通スルーホールが必要となり、積
層数が増えるほど信号配線収容性が低下し、高配線密度
の多層プリント配線基板を形成することが困難になって
くるという欠点があった。
【０００６】また、上述した従来の多層プリント配線金
属の欠点を補うために、最近開発されたポリイミド・セ
ラミック多層配線基板は、ポリイミド絶縁層の積層数と
同じ回数だけ、セラミック基板上にポリイミド前駆体ワ
ニスの塗布，嵌装、ヴィアホールの形成、およびキュア
の各工程を繰り返し行う必要がある。そのため、多層配
線基板の積層工程に、非常に時間がかかる。また、ポリ
イミド絶縁層の形成工程が繰り返し行われるため、多層
配線層の下層部分のポリイミド樹脂に多数回にわたるキ
ュア工程の熱ストレスが加わり、このため、ポリイミド
樹脂が劣化していくという欠点があった。さらにこのポ
リイミド多層配線層は、逐次積層方式であるため製造歩
留まりの向上が困難であるという欠点がある。
【０００７】また、製造歩留まりを向上させる方法とし
て開発されたシート単位の積層方式も、１層ずつ順次加
圧積層を行うため、高多層になるほど下層部分のポリイ
ミド樹脂に熱ストレスが加わりポリイミド樹脂の劣化が
起きること、および、基板製作日数が長いという欠点は
改善されていない。
【０００８】また、上記欠点を改善させるために、ポリ
イミド多層配線層の構造を、複数の配線層を含んだ積層
体をひとつのブロックとし、貼り合わせるたびにアルミ
等の基材を塩酸などの溶液で随時溶かしていく方法も考
えられているが、基材を溶かすための液により配線が侵
されてしまう問題がある。
【０００９】本発明の目的は、これらの問題点を解決
し、従来の逐次積層方式に比べ非常に短い製造時間で、
高多層配線密度のポリイミド多層配線基板を形成できる
製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のポリイミド多層
配線基板の製造方法は、ポリイミド多層配線層を有する
多層配線基板において、ポリイミド多層配線を形成した
ポリイミド多層配線層の接着剤層と、やはりポリイミド
多層配線層を形成したセラミック基板上のポリイミド配
線層の表面とを位置合わせを行って重ね合わせたのち、
加圧・加熱条件下において、ポリイミド多層配線を形成
したポリイミド多層配線層の接着剤面とセラミック基板
上に形成したポリイミド多層配線層のポリイミド面を接
着剤で接着し、同時に金属バンプと金属バンプとが接着
し、積層構造体間が電気的に接続し、次にポリイミド多
層配線層を形成するときに使用した支持基板の平板をポ
リイミド多層配線層から剥離することを特徴とする。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を用いて説
明する。
【００１２】図１〜図１２は本発明のポリイミド多層配
線基板の製造方法の第１の実施例を工程順に図示したも
のである。本実施例のポリイミド多層配線基板１は、配
線層間絶縁厚２０μｍ，信号線幅２５μｍ，信号線膜厚
１０μｍであり、ポリイミド樹脂にはガラス転移点を有
する感光性ポリイミドを、配線金属には金を使用してい
る。
【００１３】まず、アルミニウムの平坦な板（以下、ア
ルミニウム平板と略す）上に一組の信号配線層と、ひと
つの接地および接続層を以下の方法で形成する。
【００１４】まず図１（ａ）に示すように、アルミニウ
ム平板１上に、パターンエリアの広さに低熱膨張率タイ
プのポリイミド２を使いべた層を形成する。
【００１５】次に図１（ｂ）に示すように、図１（ａ）
の工程で形成したべた層より大きく、低熱膨張率タイプ
のポリイミド３の層を形成する。
【００１６】次に図１（ｃ）に示すように、接地および
接続配線層４を、フォトレジストを用いたフォトリソグ
ラフィーでパターン化し、電解金メッキを行い接地およ
び接続配線層４を形成する。
【００１７】次に図１（ｄ）に示すように、感光性ポリ
イミドワニス５を、接地および接続層４を形成したアル
ミニウム平板１上に塗布し、露光・現像を行い所定の位
置にヴィアホール６を形成し、キュアを行う。
【００１８】次に図２（ｅ）に示すように、一組の信号
配線層７を層間絶縁に感光性ポリイミド８を使用して形
成する形成方法は、図１（ｃ）の工程において接地およ
び接続層４を形成した方法で信号配線層７を形成し、図
１（ｄ）の工程において絶縁層を形成した方法で信号層
間絶縁層を形成する。
【００１９】次に図２（ｆ）に示すように、信号配線層
７上にポリイミドワニス９を塗布し、露光・現像を行い
所定の位置にヴィアホール１０を形成し、キュアを行
う。
【００２０】次に図２（ｇ）に示すように、必要層数を
形成した多層配線層の最上層に、図３および図４に示す
工程で形成する多層配線層と電気的接続を行う位置に接
続用バンプ１１を形成する。バンプ１１はフォトレジス
トを使用したフォトリソグラフィーでパターン化し、電
解金メッキで形成する。メッキ厚は金１０μｍである。
【００２１】次に、上記とは別にセラミック基板上に一
組の信号配線層とそれを挟む一組の接地および接続層を
以下の工程で形成する。
【００２２】まず図３（ａ）に示すように、入出力信号
ピンおよび電源ピン１２が裏面にあるセラミック基板１
３上に接地および接続配線層１４をフォトレジストを用
いたフォトリソグラフィーでパターン化し、電解金メッ
キを行い接地および接続配線層を形成する。
【００２３】次に図３（ｂ）に示すように、感光性ポリ
イミドワニス１５を接地および接続層１４を形成したセ
ラミック基板１３上に塗布し、露光・現像を行い所定の
位置にヴィアホール１６を形成し、キュアを行う。
【００２４】次に図３（ｃ）に示すように、一組の信号
配線層１７を層間絶縁に感光性ポリイミド１８を使用し
て形成する。形成方法は、図３（ａ）の工程において接
地および接続層１４を形成した方法で信号配線層を形成
し、図３（ｂ）の工程において絶縁層を形成した方法で
信号層間絶縁層を形成する。
【００２５】次に図４（ｄ）に示すように、感光性ポリ
イミドワニス１９を信号配線１７上に塗布し、露光・現
像を行い所定の位置にヴィアホール２０を形成し、キュ
アを行う。
【００２６】次に図４（ｅ）に示すように、接続用バン
プ２１を図２（ｇ）の工程において使用した方法でポリ
イミド層１９上に形成する。
【００２７】次に図４（ｆ）に示すように、接続用バン
プ２１の上に図４（ｄ）の工程と同じようにヴィアホー
ル２２が形成されたポリイミド層２３を形成する。
【００２８】次に図５に示すように、図１（ａ）〜図２
（ｇ）の工程で形成したアルミニウム平板１上のポリイ
ミド多層配線層の接続用金属バンプ１１を有するポリイ
ミド層と、図３（ａ）〜図４（ｆ）の工程で形成したセ
ラミック基板１３上の金属バンプ２１を有するポリイミ
ド多層配線層を位置合わせを行った後重ね合わせ、加圧
およびポリイミド樹脂のガラス転移点を越える温度まで
加熱を行い、互いのポリイミド膜を接着し固定する。こ
の時、形成した金属バンプ１１，２１どうしで接合し、
ふたつの積層構造体が電気的に接続する。加圧及び加熱
方法は次の通りである。加圧・加熱はオートクレーブ型
真空プレス装置を使用し、加圧気体は窒素ガスを使用
し、加圧は基板温度２５０℃までは３ｋｇ／ｃｍ2 、基
板温度２５０℃から３５０℃までは１４ｋｇ／ｃｍ2 で
行う。この時、基板はプラテン上に置かれポリイミドフ
ィルムを用いて密封して、内部を真空状態にする。
【００２９】次に図６および図７に示すように、上記接
着済み基板をダイシングソー２５を用いて、パターンエ
リアの広さにアルミの平板１をカットする。
【００３０】次に図８に示すように、アルミの平板１上
の低熱膨張率ポリイミド層２とその上のポリイミド層３
の密着がないことを利用して、アルミの平板１を剥離す
る。
【００３１】次に図９に示すように、図８の工程で新た
に露出した低熱膨張ポリイミド３にドライエッチングプ
ロセスを行い所定の位置にヴィアホール２６を形成す
る。
【００３２】次に図１０に示すように、図９の工程で形
成したポリイミド層上に金バンプ２７を形成する。形成
方法は図４（ｅ）の工程と同じである。
【００３３】次に図１１に示すように、図１０の工程で
形成した金バンプ２７の上に図４（ｄ）の工程と同じよ
うにヴィアホール２８が形成されたポリイミド層２９を
形成する。
【００３４】以上の工程で形成したポリイミド配線層積
層体上に、図１（ａ）〜図２（ｇ）の工程で形成した別
のポリイミド配線層を、図５〜図８の方法で積層一体化
し、設計した配線層数になるまで上記工程を繰り返す。
図１２は、最終的なポリイミド多層配線基板を示してい
る。
【００３５】図１３〜図２１は本発明のポリイミド多層
配線基板の製造方法の第２の実施例を工程順に図示した
ものである。本実施例のポリイミド多層配線基板は、配
線層間絶縁厚２０μｍ，信号線幅２５μｍ，信号線膜厚
１０μｍであり、ポリイミド樹脂にはガラス転移点が無
い低熱膨張率感光性ポリイミドを、ただし、接着層には
ガラス転移点を有するポリイミド樹脂を、配線金属には
銅を使用している。
【００３６】まず、サファイアの平坦な板（以下サファ
イア平板と略す）上に一組の信号配線層と、ひとつの接
地および接続層を以下の方法で形成する。
【００３７】まず図１３（ａ）に示すように、サファイ
ア平板３１上に接地および接続配線層をフォトレジスト
を用いたフォトリソグラフィーでパターン化し、電解銅
メッキを行い接地および接続配線層３２を形成する。ま
た、この基板の外周に金属の蒸着膜３３を形成する。
【００３８】次に図１３（ｂ）に示すように、感光性ポ
リイミドワニス３４を接地および接続層３２，および蒸
着膜３３を形成したサファイア平板３１上に塗布し、露
光・現像を行い所定の位置にヴィアホール３５を形成
し、キュアを行う。
【００３９】次に図１３（ｃ）に示すように、一組の信
号配線層３６を層間絶縁に感光性ポリイミド３７を使用
して形成する。形成方法は、図１３（ａ）の工程におい
て接地および接続層３２を形成した方法で信号配線層を
形成し、図１３（ｂ）の工程において絶縁層を形成した
方法で信号層間絶縁層を形成する。
【００４０】次に図１３（ｄ）に示すように、信号配線
層３６上にポリイミドワニス３８を塗布し、露光・現像
を行い所定の位置にヴィアホール３９を形成し、キュア
を行う。
【００４１】次に図１３（ｅ）に示すように、図１３
（ｄ）の工程で必要層数を形成した多層配線層の最上層
に、図１４および図１５に示す工程で形成する多層配線
層と電気的接続を行う位置に接続用バンプ４０を形成す
る。バンプはフォトレジストを使用したフォトリソグラ
フィーでパターン化し、電解銅メッキで形成する。銅メ
ッキ厚は１０μｍである。
【００４２】次に、上記とは別にセラミック基板上に一
組の信号配線層とそれをはさむ一組の接地および接続層
を形成する。
【００４３】まず図１４（ａ）に示すように、信号入出
力ピンおよび電源ピン４１が裏面にあるセラミック基板
４２上に接地および接続配線層をフォトレジストを用い
たフォトリソグラフィーでパターン化し、電解銅メッキ
を行い接地および接続配線層４３を形成する。
【００４４】次に図１４（ｂ）に示すように、感光性ポ
リイミドワニス４４を接地および接続層４３を形成した
セラミック基板４２上に塗布し、露光・現像を行い所定
の位置にヴィアホール４５を形成し、キュアを行う。
【００４５】次に図１４（ｃ）に示すように、一組の信
号配線層４６を層間絶縁に感光性ポリイミド４７を使用
して形成する。形成方法は、図１４（ａ）の工程におい
て接地および接続層４３を形成した方法で信号配線層を
形成し、図１４（ｂ）の工程において絶縁層を形成した
方法で信号層間絶縁層を形成する。
【００４６】次に図１５（ｄ）に示すように、感光性ポ
リイミドワニス４８を信号配線４６上に塗布し、露光・
現像を行い所定の位置にヴィアホール４８を形成し、キ
ュアを行う。
【００４７】次に図１５（ｅ）に示すように、接続用金
属バンプ５０を工程１３（ｅ）において使用した方法で
ポリイミド層４８上に形成する。
【００４８】次に図１５（ｆ）に示すように、金属バン
プ５０の上に図１５（ｄ）の工程と同じようにヴィアホ
ール５１が形成されたポリイミド層５２を形成する。
【００４９】次に図１６に示すように、図１３の工程で
形成したサファイア平板３１上の接続用金属バンプ４０
を有するポリイミド多層配線層と、図１４および図１５
の工程で形成したセラミック基板４２上の金属バンプ５
０を有するポリイミド多層配線層を位置合わせを行った
後重ね合わせ、加圧およびポリイミド樹脂のガラス転移
点を越える温度まで加熱を行い互いのポリイミド膜を接
着し固定する。この時、形成した金属バンプ４０，５０
どうしで接合し、ふたつの積層構造体が電気的に接続す
る。加圧及び加熱方法は次の通りである。加圧・加熱は
オートクレーブ型真空プレス装置を使用し、加圧気体は
窒素ガスを使用し、加圧は基板温度２５０℃までは３ｋ
ｇ／ｃｍ2 、基板温度２５０℃から３５０℃までは１４
ｋｇ／ｃｍ2 で行う。この時、基板はプラテン上に置か
れポリイミドフィルムを用いて密封して、内部を真空状
態にする。
【００５０】次に図１７および図１８に示すように、上
記接着済み基板をダイシングソー５５を用いて、パター
ンエリアの広さにかつ金属の蒸着膜３３を除去するよう
にサファイア平板３１をカットする。
【００５１】次に図１９に示すように、サファイア平板
３１と低熱膨張率ポリイミドの層３４および金属配線層
３２との密着がないことを利用して、サファイアの平板
３１を剥離する。
【００５２】次に図２０に示すように、図１９の工程で
新たに露出した接地および接続配線層３２上に感光性ポ
リイミドワニス５６を塗布し、露光・現像を行い所定の
位置にヴィアホール５７を形成し、キュアを行う。
【００５３】以上の工程で形成したポリイミド配線層積
層体上に、図１３の工程で形成した別のポリイミド配線
層を、図１６〜図２０の方法で積層一体化する。
【００５４】設計した配線層数になるまで上記工程を繰
り返す。図２１は、最終的なポリイミド多層配線基板を
示している。
【００５５】図２２は本発明のポリイミド多層配線基板
の製造方法の第３の実施例を工程順に図示したものであ
る。本実施例のポリイミド多層配線基板は、配線層間絶
縁厚２０μｍ，信号線幅２５μｍ，信号線膜厚１０μｍ
であり、ポリイミド樹脂にはガラス転移点を有する感光
性ポリイミドを、配線金属には金を使用している。
【００５６】まず、シリコンの平坦な板（以下シリコン
平板と略す）上に一組の信号配線層と、ひとつの接地お
よび接続層を以下の方法で形成する。
【００５７】図２２（ａ）に示すように、シリコン平板
６１上にパターンエリアの広さに無電解Ｎｉメッキを１
〜２μｍの厚さでべた層６２を形成する。
【００５８】次に図２２（ｂ）に示すように、無電解Ｎ
ｉメッキべた層６２より大きいポリイミドの層６３を形
成する。
【００５９】次に図２２（ｃ）に示すように、接地およ
び接続配線層６４をフォトレジストを用いたフォトリソ
グラフィーでパターン化し、電解金メッキを行い接地お
よび接続配線層を形成する。
【００６０】次に図２２（ｄ）に示すように感光性ポリ
イミドワニス６５を接地および接続層を形成したシリコ
ン平板６１上に塗布し、露光・現像を行い所定の位置に
ヴィアホール６６を形成し、キュアを行う。
【００６１】次に図２３（ｅ）に示すように、一組の信
号配線層６７を層間絶縁に感光性ポリイミド６８を使用
して形成する。形成方法は、接地および接続層６４を形
成した方法で信号配線層を形成し、図２２（ｄ）の工程
で絶縁層を形成した方法で信号層間絶縁層を形成する。
【００６２】次に図２３（ｆ）に示すように、信号配線
層６７上にポリイミドワニス６８を塗布し、露光・現像
を行い所定の位置にヴィアホール６９を形成し、キュア
を行う。
【００６３】次に図２３（ｇ）に示すように、図２３
（ｆ）の工程で必要層数を形成した多層配線層の最上層
に、図２４および図２５に示す工程で形成する多層配線
層と電気的接続を行う位置に接続用バンプ７０を形成す
る。バンプはフォトレジストを使用したフォトリソグラ
フィーでパターン化し、電解金メッキで形成する。メッ
キ厚は金１０μｍである。
【００６４】次に、上記とは別にセラミック基板上に一
組の信号配線層とそれを挟む一組の接地および接続層を
形成する。
【００６５】まず図２４（ａ）に示すように、入出力信
号ピンおよび電源ピン７１が裏面にあるセラミック基板
７２上に接地および接続配線層７３をフォトレジストを
用いたフォトリソグラフィーでパターン化し、電解金メ
ッキを行い接地および接続配線層を形成する。
【００６６】次に図２４（ｂ）に示すように、感光性ポ
リイミドワニス７４を接地および接続層７３を形成した
セラミック基板７２上に塗布し、露光・現像を行い所定
の位置にヴィアホール７５を形成し、キュアを行う。
【００６７】次に図２４（ｃ）に示すように、一組の信
号配線層７６を層間絶縁に感光性ポリイミド７７を使用
して形成する。形成方法は、図２４（ａ）の工程におい
て接地および接続層７３を形成した方法で信号配線層を
形成し、図２４（ｂ）の工程において絶縁層を形成した
方法で信号層間絶縁層を形成する。
【００６８】次に図２５（ｄ）に示すように、感光性ポ
リイミドワニス７８を信号配線７６上に塗布し、露光・
現像を行い所定の位置にヴィアホール７９を形成し、キ
ュアを行う。
【００６９】次に図２５（ｅ）に示すように、接続用バ
ンプ８０を図２３（ｇ）の工程において使用した方法で
ポリイミド層７８上に形成する。
【００７０】次に図２５（ｆ）に示すように、接続用バ
ンプ８０の上に図２５（ｄ）と同じようにヴィアホール
８１が形成されたポリイミド層８２を形成する。
【００７１】次に図２６に示すように、図２２（ａ）〜
図２３（ｇ）の工程で形成したシリコン平板上のポリイ
ミド多層配線層の接続用金属バンプ７０を有するポリイ
ミド層と、図２４および図２５の工程で形成したセラミ
ック基板７２上の金属バンプ８０を有するポリイミド多
層配線層を位置合わせを行った後重ね合わせ、加圧およ
びポリイミド樹脂のガラス転移点を越える温度まで加熱
を行い互いのポリイミド膜を接着し固定する。この時、
形成した金属バンプ７０，８０どうしで接合し、ふたつ
の積層構造体が電気的に接続する。加圧及び加熱方法は
次の通りである。加圧・加熱はオートクレーブ型真空プ
レス装置を使用し、加圧気体は窒素ガスを使用し、加圧
は基板温度２５０℃までは３ｋｇ／ｃｍ2 、基板温度２
５０℃から３５０℃までは１４ｋｇ／ｃｍ2 で行う。こ
の時、基板はプラテン上に置かれポリイミドフィルムを
用いて密封して、内部を真空状態にする。
【００７２】次に図２７および図２８に示すように、上
記接着済み基板をダイシングソー８５を用いて、パター
ンエリアの広さにシリコンの平板をカットする。
【００７３】次に図２９に示すように、シリコンの平板
６１上の無電解Ｎｉメッキの層６２とその上のポリイミ
ド層６３との密着がないことを利用して、シリコンの平
板６１を剥離する。
【００７４】次に図３０に示すように、図２９の工程で
新たに露出したポリイミド層６３にドライエッチングプ
ロセスを行い所定の位置にヴィアホール８６を形成す
る。
【００７５】次に図３１に示すように、図３１の工程で
形成したポリイミド層上に金バンプ８７を形成する。形
成方法は図２３（ｇ）の工程と同じである。
【００７６】次に図３２に示すように、図３１の工程で
形成した金バンプの上にヴィアホール８８が形成された
ポリイミド層８９を形成する。
【００７７】図２４および図２５の工程で形成したポリ
イミド配線層積層体上に、図２２および図２３の工程で
形成した別のポリイミド配線層を、図２６〜図２９の方
法で積層一体化する。
【００７８】設計した配線層数になるまで上記工程を繰
り返す。図３３は、最終的なポリイミド多層配線基板を
示している。
【００７９】以上３つの実施例について説明したが、上
記に示した例の他、金属配線材料には銅などの低抵抗金
属を使用することができる。
【００８０】なお、接着層の材料としては溶融硬化型の
マレイミド樹脂、溶融型のフッ素系フィルム、例えばＰ
ＦＡ（フッ化エチレンとパーフルオロアルキルパーフル
オロビニルエーテル共重合体）などが使用できる。
【００８１】また、以上の実施例では、接着するふたつ
のポリイミド多層配線層のうちの一方の表面層にのみ接
着剤を塗布したが、両方の表面層に接着剤を塗布し接着
面の凹凸の影響を軽減することも可能である。
【００８２】また第１，第２および第３の実施例ではセ
ラミック基板上にポリイミド多層配線層を形成したが、
セラミック基板の他に硬質有機樹脂基板、例えば、ポリ
イミド樹脂の成形基板なども使用することができる。こ
の場合の入出力ピンは、ポリイミド樹脂成形基板に貫通
スルーホールを形成し入出力ピンを打ち込んで形成す
る。このポリイミド樹脂成形基板を使用したポリイミド
多層配線基板は、土台となるポリイミド樹脂成形基板と
配線層を有するポリイミド多層配線層の熱膨張係数を正
確に合わせることが可能であり、特に大面積高積層配線
基板の製造に適している。
【００８３】以上示した方法を使用することにより高積
層数の高配線密度ポリイミド多層配線基板を形成する時
に、積層体を支持する基板を容易に剥離することができ
る。
【００８４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ポリイミ
ド多層配線層を有する多層配線基板において、ポリイミ
ド多層配線を形成したポリイミド多層配線層の接着剤層
と、やはりポリイミド多層配線層を形成したセラミック
基板上のポリイミド配線層の表面とを位置合わせを行っ
て重ね合わせたのち、加圧・加熱条件下において、ポリ
イミド多層配線を形成したポリイミド多層配線層の接着
剤面とセラミック基板上に形成したポリイミド多層配線
層のポリイミド面を接着剤で接着し、同時に金属バンプ
と金属バンプとが接着し、積層構造体間が電気的に接続
し、次にポリイミド多層配線層を形成するときに使用し
た支持基板の平板をポリイミド多層配線層から剥離する
ことにより、従来の逐次積層方式に比べ非常に短い製造
時間で、高多層高配線密度のポリイミド多層配線基板を
形成できるという効果がある。
【００８５】また、ポリイミド多層配線層の構造を、複
数の配線層を含んだ積層体をひとつのブロックとし、張
り合わせるたびにアルミ等の基材を塩酸などの溶液で随
時溶かしていく方法も考えられている。そのとき、基材
を溶かすための液により配線が侵されてしまうのが、本
発明により改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の製造工程を示す図であ
る。
【図２】本発明の第１の実施例の製造工程を示す図であ
る。
【図３】本発明の第１の実施例の製造工程を示す図であ
る。
【図４】本発明の第１の実施例の製造工程を示す図であ
る。
【図５】本発明の第１の実施例の製造工程を示す図であ
る。
【図６】本発明の第１の実施例の製造工程を示す図であ
る。
【図７】本発明の第１の実施例の製造工程を示す図であ
る。
【図８】本発明の第１の実施例の製造工程を示す図であ
る。
【図９】本発明の第１の実施例の製造工程を示す図であ
る。
【図１０】本発明の第１の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図１１】本発明の第１の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図１２】本発明の第１の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図１３】本発明の第２の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図１４】本発明の第２の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図１５】本発明の第２の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図１６】本発明の第２の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図１７】本発明の第２の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図１８】本発明の第２の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図１９】本発明の第２の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図２０】本発明の第２の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図２１】本発明の第２の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図２２】本発明の第３の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図２３】本発明の第３の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図２４】本発明の第３の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図２５】本発明の第３の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図２６】本発明の第３の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図２７】本発明の第３の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図２８】本発明の第３の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図２９】本発明の第３の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図３０】本発明の第３の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図３１】本発明の第３の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図３２】本発明の第３の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【図３３】本発明の第３の実施例の製造工程を示す図で
ある。
【符号の説明】
１ アルミニウム平板 ２，３，６３ 低熱膨張率タイプのポリイミド ４，１４，４３，６４，７３ 接地および接続配線層 ５，１５ 感光性ポリイミドワニス ６，１０，１６，２０，２２，２６，２８，３５，３
９，４５ ヴィアホール ４９，５１，５７，６６，６９，７５，７９，８１，８
６ ヴィアホール ７，１７，３６，４６，６７，７６ 一組の信号配線層 １１，４０，７０ 接続用バンプ １２，４１，７１ 入出力信号ピンおよび電源ピン １３，４２，７２ セラミック基板 ２１，５０，８０ 接続用バンプ ２５，５５，８５ ダイシングソー ２７ 金バンプ ３１ サファイア平板 ６１ シリコン平板 ６２ Ｎｉメッキべた層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｌ 6921−4Ｅ Ｅ 6921−4Ｅ 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｒ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１の基板の外周部の表面をポリイミドと
    の接着性を良好にし内部表面をポリイミドとの接着性を
    ほぼ０にした上でこの基板上に１以上の配線層と層間絶
    縁材であるポリイミド層とから成る第１の積層構造を形
    成する第１の工程と、 第２の基板上に１以上の配線層と層間絶縁材であるポリ
    イミド層とから成る第２の積層構造を形成する第２の工
    程と、 第１の積層構造の表面に形成され第１の積層構造内の配
    線と電気的に接続された金属バンプと、第２の積層構造
    の表面に形成され第２の積層構造内の配線と電気的に接
    続された金属バンプとを目合せすると同時に、第１の積
    層構造の表面に形成された接着層と第２の積層構造の表
    面に形成された接着層とを加圧・加熱条件下において接
    着することにより上記金属バンプ相互の接続を行う第３
    の工程と、第１の積層構造の外周部を切り離すことによ
    って第１の基板を除去する第４の工程と、 第４の工程によって露出したポリイミド層にヴィアホー
    ルをあける第５の工程とを含むことを特徴とするポリイ
    ミド多層配線基板の製造方法。
  2. 【請求項２】前記第１の基板をアルミニウム，アルミナ
    もしくはシリコン等の硬質な平板とし、前記第１の基板
    に密接する第１のポリイミド層とその上に形成する第２
    のポリイミド層とを低熱膨張率タイプのポリイミドと
    し、第１のポリイミド層を基板内部のみに形成し、前記
    接着層をガラス転移点を有するポリイミドとすることを
    特徴とする請求項１記載のポリイミド多層配線基板の製
    造方法。
  3. 【請求項３】前記第１の基板をアルミナ単結晶板とし、
    この基板の外周部表面にチタン，クロム，タングステ
    ン，パラジウムもしくは白金の蒸着膜を形成し、この接
    着層をガラス転移点を有するポリイミドとすることを特
    徴とする請求項１記載のポリイミド多層配線基板の製造
    方法。
  4. 【請求項４】前記第１の基板をアルミニウム，アルミナ
    もしくはシリコン等の硬質な平板とし、この第１の基板
    の内部表面に無電解ニッケルメッキを施すことを特徴と
    する請求項１記載のポリイミド多層配線基板の製造方
    法。
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