JPH04162589A - ポリイミド多層配線基板の製造方法 - Google Patents
ポリイミド多層配線基板の製造方法Info
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- JPH04162589A JPH04162589A JP28879690A JP28879690A JPH04162589A JP H04162589 A JPH04162589 A JP H04162589A JP 28879690 A JP28879690 A JP 28879690A JP 28879690 A JP28879690 A JP 28879690A JP H04162589 A JPH04162589 A JP H04162589A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
口産業上の利用分野〕
本発明は、ポリイミド樹脂を層間絶縁に使用した多層配
線基板の製造方法に関し、特にポリイミド樹脂層の積層
方法に関する。
線基板の製造方法に関し、特にポリイミド樹脂層の積層
方法に関する。
従来、ポリイミド樹脂を層間絶縁に使用した多層配線基
板の製造方法は、セラミック基板の上にポリイミド前駆
体ワニスの塗布および乾燥を行ない、この塗布膜に露光
、現像工程を行なってビアホールを上記塗布膜に形成し
た後に、このポリイミド前駆体ワニス塗布膜をキュアし
て、ポリイミド樹脂絶縁層とするという一連の工程を繰
返すことにより、多層配線層の形成を行なっていた。
板の製造方法は、セラミック基板の上にポリイミド前駆
体ワニスの塗布および乾燥を行ない、この塗布膜に露光
、現像工程を行なってビアホールを上記塗布膜に形成し
た後に、このポリイミド前駆体ワニス塗布膜をキュアし
て、ポリイミド樹脂絶縁層とするという一連の工程を繰
返すことにより、多層配線層の形成を行なっていた。
法では、ポリイミド絶縁層の積層数と同じ回数だけ、セ
ラミック基板上にポリイミド前駆体ワニスの塗布、塗布
膜の乾燥、ビアホールの成形およびキュアの各工程を繰
返し行なう必要がある。そのため、多層配線基板の積層
工程に非常に時間がかかる。また、ポリイミド絶縁層の
形成工程が繰返し行なわれるため、多層配線層の下層部
分のポリイミド樹脂に多数回にわたるキュア工程の熱ス
トレスが加わり、このため、ポリイミド樹脂が劣化して
くるという欠点がある。
ラミック基板上にポリイミド前駆体ワニスの塗布、塗布
膜の乾燥、ビアホールの成形およびキュアの各工程を繰
返し行なう必要がある。そのため、多層配線基板の積層
工程に非常に時間がかかる。また、ポリイミド絶縁層の
形成工程が繰返し行なわれるため、多層配線層の下層部
分のポリイミド樹脂に多数回にわたるキュア工程の熱ス
トレスが加わり、このため、ポリイミド樹脂が劣化して
くるという欠点がある。
本発明のポリイミド多層配線基板の製造方法は、キュア
まで完了したビアホール形成済のポリイミドシート上に
金属配線層を形成し、この金属配線層を形成したポリイ
ミドシート上に接着剤を塗布し、この接着剤を塗布した
ポリイミドシートの複数枚を基板上に積層して加圧加熱
状態で一体化することを特徴とする。
まで完了したビアホール形成済のポリイミドシート上に
金属配線層を形成し、この金属配線層を形成したポリイ
ミドシート上に接着剤を塗布し、この接着剤を塗布した
ポリイミドシートの複数枚を基板上に積層して加圧加熱
状態で一体化することを特徴とする。
本発明のポリイミド多層配線基板の製造方法は、キュア
まで完了したビアホール形成済のポリイミドシートの両
面に金属配線層を形成し、この金属配線層の隣接する金
属配線層に接続する部分に突起を形成し、この突起に対
応する位置にビアホールを形成した未キュアのポリイミ
ドシートを形成し、この未キュアポリイミドシートを前
記金属配線層に突起を形成したポリイミドシート間に入
れて複数枚のポリイミドシートを基板上に積層し、その
後、この積層体を加圧加熱状態で一体化することを特徴
とする。
まで完了したビアホール形成済のポリイミドシートの両
面に金属配線層を形成し、この金属配線層の隣接する金
属配線層に接続する部分に突起を形成し、この突起に対
応する位置にビアホールを形成した未キュアのポリイミ
ドシートを形成し、この未キュアポリイミドシートを前
記金属配線層に突起を形成したポリイミドシート間に入
れて複数枚のポリイミドシートを基板上に積層し、その
後、この積層体を加圧加熱状態で一体化することを特徴
とする。
本発明のポリイミド多層配線基板の製造方法は、金属箔
上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布して乾燥し、
この感光性ポリイミド前駆体ワニスの塗布膜にビアホー
ルを形成し、キュアを行なって前記塗布膜をポリイミド
化したポリイミドキュア膜とし、前記ビアホール内をめ
っきで充填し、次に前記金属箔をエツチングして金属配
線層を形成し、この金属配線層が形成されたポリイミド
キュア膜に接着剤を塗布し、次にこの接着剤を塗布した
ポリイミドキュア膜の複数枚を基板上に積層してを加圧
加熱状態で一体化することを特徴とする。
上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布して乾燥し、
この感光性ポリイミド前駆体ワニスの塗布膜にビアホー
ルを形成し、キュアを行なって前記塗布膜をポリイミド
化したポリイミドキュア膜とし、前記ビアホール内をめ
っきで充填し、次に前記金属箔をエツチングして金属配
線層を形成し、この金属配線層が形成されたポリイミド
キュア膜に接着剤を塗布し、次にこの接着剤を塗布した
ポリイミドキュア膜の複数枚を基板上に積層してを加圧
加熱状態で一体化することを特徴とする。
本発明のポリイミド多層配線基板の製造方法は、金属箔
上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布、乾燥した未
キュアのポリイミド前駆体ワニス膜にビアホールを形成
し、このビアホール内をめっきで充填し、次に前記金属
箔をエツチングして金属配線層を形成し、この金属配線
層が形成された未キュアのポリイミド前駆体ワニス膜を
複数枚積層して加圧加熱状態でキュアして一体化するこ
とを特徴とする。
上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布、乾燥した未
キュアのポリイミド前駆体ワニス膜にビアホールを形成
し、このビアホール内をめっきで充填し、次に前記金属
箔をエツチングして金属配線層を形成し、この金属配線
層が形成された未キュアのポリイミド前駆体ワニス膜を
複数枚積層して加圧加熱状態でキュアして一体化するこ
とを特徴とする。
本発明のポリイミド多層配線基板の製造方法は、金属箔
上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布して乾燥し、
この感光性ポリイミド前駆体ワニスノ塗布膜にビアホー
ルを形成し、キュアラ行すって前記塗布膜をポリイミド
化したポリイミドキュア膜とし、前記ビアホール内を半
田ボールで充填し、次に前記金属箔をエツチングして金
属配線層を形成し、この金属配線層が形成されたポリイ
ミドキュア膜に接着剤を塗布し、次にこの接着剤を塗布
したポリイミドキュア膜の複数枚を基板上に積層して加
圧加熱状態で一体化することを特徴とする。
上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布して乾燥し、
この感光性ポリイミド前駆体ワニスノ塗布膜にビアホー
ルを形成し、キュアラ行すって前記塗布膜をポリイミド
化したポリイミドキュア膜とし、前記ビアホール内を半
田ボールで充填し、次に前記金属箔をエツチングして金
属配線層を形成し、この金属配線層が形成されたポリイ
ミドキュア膜に接着剤を塗布し、次にこの接着剤を塗布
したポリイミドキュア膜の複数枚を基板上に積層して加
圧加熱状態で一体化することを特徴とする。
本発明のポリイミド多層配線基板の製造方法は、金属箔
上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布、乾燥した未
キュアのポリイミド前駆体ワニス膜にビアホールを形成
し、このビアホール内を半田ボールで充填し、次に前記
金属箔をエツチングして金属配線層を形成し、この金属
配線層が形成された未キュアのポリイミド前駆体ワニス
膜を複数枚積層して加圧加熱状態でキュアして一体化す
ることを特徴とする。
上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布、乾燥した未
キュアのポリイミド前駆体ワニス膜にビアホールを形成
し、このビアホール内を半田ボールで充填し、次に前記
金属箔をエツチングして金属配線層を形成し、この金属
配線層が形成された未キュアのポリイミド前駆体ワニス
膜を複数枚積層して加圧加熱状態でキュアして一体化す
ることを特徴とする。
次に、本発明について図面を用いて説明する。
第１図は本明細書に係る発明の第１の実施例を工程順に
図示したものである。
図示したものである。
ポリごチレンテレフタレート （Ｐ Ｅ Ｔ）フィルム
２上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布し、熱風オ
ーブンで乾燥する。このときの感光性ポリイミド前駆体
ワニスの塗布膜１の厚さは乾燥後１０μｍである（第１
図（ａ））。このＰＥＴフィルム２上のポリイミドワニ
ス塗布膜１にガラスマスク３のパターンを焼きつける。
２上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布し、熱風オ
ーブンで乾燥する。このときの感光性ポリイミド前駆体
ワニスの塗布膜１の厚さは乾燥後１０μｍである（第１
図（ａ））。このＰＥＴフィルム２上のポリイミドワニ
ス塗布膜１にガラスマスク３のパターンを焼きつける。
露光量は６００［ｍＪ／ｃｕｔ］である（第１図（ｂ）
）。次に、アルコール系現像液を用いスプレー現像方式
で、ポリイミドワニス塗布膜１の現像を行ない、ビアホ
ール４を形成する。（第１図（Ｃ））。
）。次に、アルコール系現像液を用いスプレー現像方式
で、ポリイミドワニス塗布膜１の現像を行ない、ビアホ
ール４を形成する。（第１図（Ｃ））。
次に、ＰＥＴフィルム２からビアホール４が形成された
ポリイミド塗布膜５を剥離し、キュアを行ないビアホー
ルを有したポリイミド樹脂フィルム６を形成する（第１
図（ｄ））。次に、このポリイミド樹脂フィルム６上に
クロムおよびパラジウムの薄膜７を両面にスパッタで形
成する。このときクロムおよびパラジウムの膜厚はおの
おの１００［ｎｍ］および２００［ｎｍ］である。この
スパッタ膜上にポジ型フォトレジスト８を両面に塗布し
、ガラスマスク９を用いて露光を行ない（第１図（ｅ）
）、現像して配線パターン１０を形成する（第１図（ｒ
））。
ポリイミド塗布膜５を剥離し、キュアを行ないビアホー
ルを有したポリイミド樹脂フィルム６を形成する（第１
図（ｄ））。次に、このポリイミド樹脂フィルム６上に
クロムおよびパラジウムの薄膜７を両面にスパッタで形
成する。このときクロムおよびパラジウムの膜厚はおの
おの１００［ｎｍ］および２００［ｎｍ］である。この
スパッタ膜上にポジ型フォトレジスト８を両面に塗布し
、ガラスマスク９を用いて露光を行ない（第１図（ｅ）
）、現像して配線パターン１０を形成する（第１図（ｒ
））。
次に、金めつきを行ない、金めつきパターンを２成し、
フォトレジスト８を剥離し、クロムおよびパラジウムの
薄膜７をエツチングし、金配線１１を形成する（第１図
（ｇ））。次に、金配線パターンを形成したポリイミド
フィルム１２の両面に低粘度ポリイミドワニスを膜厚０
，１μｍで塗布し、熱風オーブンで乾燥する。同様の方
法で形成したポリイミドフィルム１２の下層にあたるパ
ターンを持つポリイミドフィルム１３をポリイミドフィ
ルム１２と位置合せを行なって重ね合わせ、加熱および
加圧を行なう（第１図（ｈ））。
フォトレジスト８を剥離し、クロムおよびパラジウムの
薄膜７をエツチングし、金配線１１を形成する（第１図
（ｇ））。次に、金配線パターンを形成したポリイミド
フィルム１２の両面に低粘度ポリイミドワニスを膜厚０
，１μｍで塗布し、熱風オーブンで乾燥する。同様の方
法で形成したポリイミドフィルム１２の下層にあたるパ
ターンを持つポリイミドフィルム１３をポリイミドフィ
ルム１２と位置合せを行なって重ね合わせ、加熱および
加圧を行なう（第１図（ｈ））。
各層間の接続は次のとおりである。ポリイミドフィルム
１２に薄く塗布されたポリイミドワニスがポリイミドフ
ィルム１２．１３間の接着剤として働く。これはフィル
ム積層体を加圧加熱している時にポリイミドワニスがイ
ミド化し、この時にフィルム側のポリイミドと一体にな
るからである。
１２に薄く塗布されたポリイミドワニスがポリイミドフ
ィルム１２．１３間の接着剤として働く。これはフィル
ム積層体を加圧加熱している時にポリイミドワニスがイ
ミド化し、この時にフィルム側のポリイミドと一体にな
るからである。
また、導体配線（金配線１１およびポリイミドフィルム
１３上の受はパッド１５）の接続部分は、加圧時に前工
程で塗布した低粘度ポリイミドが圧力で逃げ、金−余熱
圧着で接合する。
１３上の受はパッド１５）の接続部分は、加圧時に前工
程で塗布した低粘度ポリイミドが圧力で逃げ、金−余熱
圧着で接合する。
また、このとき第１図（ｈ）に示すように、ポリイミド
膜積層体の最下層に板厚３Ｂ、内層に入出力配線層およ
び電源層１６を有するセラミック基板１７を同時に重ね
合わせ、加熱プレスを行ないセラミック基板１７上にポ
リイミド多層配線層を有する基板を形成する。第１図（
１）が完成したポリイミド多層配線基板の断面図である
。
膜積層体の最下層に板厚３Ｂ、内層に入出力配線層およ
び電源層１６を有するセラミック基板１７を同時に重ね
合わせ、加熱プレスを行ないセラミック基板１７上にポ
リイミド多層配線層を有する基板を形成する。第１図（
１）が完成したポリイミド多層配線基板の断面図である
。
本実施例ではポリイミド膜を２層たけ積層しているが、
同様の方法で何層でもポリイミド膜を積層可能である。
同様の方法で何層でもポリイミド膜を積層可能である。
また、本実施例では導体配線の接続部分を金−余熱圧着
で接合しているが、その他に金ススなどのはんだ接続で
も可能であり、よって導体配線金属も、銅など他の金属
でも可能である。
で接合しているが、その他に金ススなどのはんだ接続で
も可能であり、よって導体配線金属も、銅など他の金属
でも可能である。
また接着剤としては、本実施例のポリイミドワニスの他
に、加熱硬化時に気体を発生しない他の樹脂でも良い。
に、加熱硬化時に気体を発生しない他の樹脂でも良い。
エポキシ樹脂やシリコン樹脂なども使用可能である。
第２図は本明細書に係る発明の第２の実施例を工程順に
図示したものである。
図示したものである。
第２図（ａ）に示すポリイミド樹脂フィルム６上に形成
したクロムおよびパラジウムの薄膜７の上にさらに配線
パターン１０を有するフォトレジスト８を形成したもの
を第１図（ａ）〜（ｆ）に示すものと同じ工程で製造す
る。
したクロムおよびパラジウムの薄膜７の上にさらに配線
パターン１０を有するフォトレジスト８を形成したもの
を第１図（ａ）〜（ｆ）に示すものと同じ工程で製造す
る。
この第２図（ａ）に示すものに金めつきを行ない、金め
つきパターン２１を形成し、フォトレジスト８を剥離す
る（第２図（ｂ））。次にこのポリイミドシート２２の
上側および下側に位置することになる別のポリイミドシ
ート２３および２４ （第２図（ｆ）参照）の配線２５
および２６と金めっきパターン２１が接続する部分をめ
っきするために、再度フォトレジスト２７をポリイミド
シート２２の上側の面に塗布し、接続部分のパターンを
描画しであるガラスマスク２８を用いて露光を行ない（
第２図（Ｃ））、現像して接続部分のパターン２９を形
成しく第２図（ｄ））、金めつきを行ない、金の突起３
０を形成し、フォトレジスト２７を剥離し、クロムおよ
びパラジウムの薄膜７をエツチングし、金配線３１を形
成する（第２図（ｅ））。
つきパターン２１を形成し、フォトレジスト８を剥離す
る（第２図（ｂ））。次にこのポリイミドシート２２の
上側および下側に位置することになる別のポリイミドシ
ート２３および２４ （第２図（ｆ）参照）の配線２５
および２６と金めっきパターン２１が接続する部分をめ
っきするために、再度フォトレジスト２７をポリイミド
シート２２の上側の面に塗布し、接続部分のパターンを
描画しであるガラスマスク２８を用いて露光を行ない（
第２図（Ｃ））、現像して接続部分のパターン２９を形
成しく第２図（ｄ））、金めつきを行ない、金の突起３
０を形成し、フォトレジスト２７を剥離し、クロムおよ
びパラジウムの薄膜７をエツチングし、金配線３１を形
成する（第２図（ｅ））。
次に、第１図（ａ）から第１図（ｂ）に示すものと同一
の工程を用いて、上記で形成した金配線付ポリイミドキ
ュアシート２２，２３．２４の間に入れる未キュアのポ
リイミドシート３２，３３゜３４を形成する。なお、こ
の未キュアポリイミドシート３２，３３．３４に形成す
るビアホールの位置は、第２図（ｅ）に示した金の突起
３０に対応するようにする。この様にして形成した金配
線付ポリイミドキュアシート２２，２３．２４とビアホ
ールのみを形成した未キュアのポリイミドシート３２，
３３．３４を第２図（ｆ）の様に積層し、この積層体を
上下から加圧して、３００℃まで加熱する。
の工程を用いて、上記で形成した金配線付ポリイミドキ
ュアシート２２，２３．２４の間に入れる未キュアのポ
リイミドシート３２，３３゜３４を形成する。なお、こ
の未キュアポリイミドシート３２，３３．３４に形成す
るビアホールの位置は、第２図（ｅ）に示した金の突起
３０に対応するようにする。この様にして形成した金配
線付ポリイミドキュアシート２２，２３．２４とビアホ
ールのみを形成した未キュアのポリイミドシート３２，
３３．３４を第２図（ｆ）の様に積層し、この積層体を
上下から加圧して、３００℃まで加熱する。
各ポリイミドシート間の接着は、ビアホールのみを形成
した未キュアのポリイミドシート３２゜３３．３４が、
加圧加熱工程においてイミド化する際に上下にあるポリ
イミドシー）２２，２３゜２４と接着することにより得
られ、また、金配線層間の接続は加圧加熱工程において
、金の突起３０が上層の金パターンと金−余熱圧着によ
って接続することによって得られる。
した未キュアのポリイミドシート３２゜３３．３４が、
加圧加熱工程においてイミド化する際に上下にあるポリ
イミドシー）２２，２３゜２４と接着することにより得
られ、また、金配線層間の接続は加圧加熱工程において
、金の突起３０が上層の金パターンと金−余熱圧着によ
って接続することによって得られる。
また、このとき第２図（ｆ）に示すようにポリイミドシ
ート積層体の最下層に板厚３ｍｍで内層に入出力配線層
および電源層３５を有するセラミック基板３６を同時に
重ね合わせ、加圧加熱を行ない、セラミック基板上にポ
リイミド多層配線層を有する基板を形成する。第２図（
ｇ）が本実施例により完成したポリイミド多層配線基板
の断面図であり、３７はポリイミドシー）２２，２３．
２４とポリイミドシート３２，３３．３４を一体化した
ポリイミド配線層を示す。
ート積層体の最下層に板厚３ｍｍで内層に入出力配線層
および電源層３５を有するセラミック基板３６を同時に
重ね合わせ、加圧加熱を行ない、セラミック基板上にポ
リイミド多層配線層を有する基板を形成する。第２図（
ｇ）が本実施例により完成したポリイミド多層配線基板
の断面図であり、３７はポリイミドシー）２２，２３．
２４とポリイミドシート３２，３３．３４を一体化した
ポリイミド配線層を示す。
本実施例では、ポリイミド層を３層で積層しているが、
何層でもポリイミドシートを積層可能である。
何層でもポリイミドシートを積層可能である。
また、本実施例では導体配線層間の接続を金−余熱圧着
で行なっているが、その他の接続方法も可能であり、導
体配線金属も全以外の他の金属でも可能である。
で行なっているが、その他の接続方法も可能であり、導
体配線金属も全以外の他の金属でも可能である。
第３図は本明細書に係る発明の第３の実施例を工程順に
図示したものである。
図示したものである。
縮まないように枠（図には示してない）に固定された厚
さ１０［μｍ］の金のフィルム４１上に感光性ポリイミ
ドワニスを塗布し熱風オーフンで乾燥してポリイミドワ
ニス膜４２を形成する。ポリイミドワニス膜４２の塗布
膜厚は乾燥後２０口μｍｌである（第３図（ａ））。次
に、ポリイミドワニス膜４２にガラスマスク４３のビア
ホールのパターンを焼きつける。露光量は６００ ［ｍ
Ｊ ／ｃｉ］であ、るバ第３図（ｂ））。次に、ポリ
イミドワニス膜４２をアルコール系現像液を用いてスプ
レー現像方式で現像を行ないビアホール４４を形成する
（第３図（Ｃ））。次に、窒素雰囲気で２時間かげて４
００［’Ｃ］まで加熱して、ポリイミドワニス膜４２を
ポリイミド化する。
さ１０［μｍ］の金のフィルム４１上に感光性ポリイミ
ドワニスを塗布し熱風オーフンで乾燥してポリイミドワ
ニス膜４２を形成する。ポリイミドワニス膜４２の塗布
膜厚は乾燥後２０口μｍｌである（第３図（ａ））。次
に、ポリイミドワニス膜４２にガラスマスク４３のビア
ホールのパターンを焼きつける。露光量は６００ ［ｍ
Ｊ ／ｃｉ］であ、るバ第３図（ｂ））。次に、ポリ
イミドワニス膜４２をアルコール系現像液を用いてスプ
レー現像方式で現像を行ないビアホール４４を形成する
（第３図（Ｃ））。次に、窒素雰囲気で２時間かげて４
００［’Ｃ］まで加熱して、ポリイミドワニス膜４２を
ポリイミド化する。
次に、金フィルム４１のポリイミド塗布面の反対側の面
にポジ型フォトレジスト膜４５を塗布し、熱風オーブン
で乾燥し、裏面保護膜とする。次にノンシアン電解金め
っき液中にフィルムを入れ、電解金めっきを行ない、ビ
アホール４４に金が凸状に出るまでビア埋めめっき４６
を成形する（第３図（ｄ））。次に、配線パターンが描
かれたガラスマスク４７のパターンをポジレジスト膜４
５に焼きつける（第３図（ｅ））。露光量は４５０Ｅｍ
Ｊ／ｃｎコである。次に、アルカリ現像液を用いて浸漬
現像を行ない配線パターンを形成しく第３図（ｆ））
、ヨウ素ヨウ化カリウム水溶液で配線部分以外の金をエ
ツチングする（第３図（ｇ））。
にポジ型フォトレジスト膜４５を塗布し、熱風オーブン
で乾燥し、裏面保護膜とする。次にノンシアン電解金め
っき液中にフィルムを入れ、電解金めっきを行ない、ビ
アホール４４に金が凸状に出るまでビア埋めめっき４６
を成形する（第３図（ｄ））。次に、配線パターンが描
かれたガラスマスク４７のパターンをポジレジスト膜４
５に焼きつける（第３図（ｅ））。露光量は４５０Ｅｍ
Ｊ／ｃｎコである。次に、アルカリ現像液を用いて浸漬
現像を行ない配線パターンを形成しく第３図（ｆ））
、ヨウ素ヨウ化カリウム水溶液で配線部分以外の金をエ
ツチングする（第３図（ｇ））。
次に、ポジレジスト膜４５を剥離して、金配線パターン
４９を表面に設けたポリイミドキュア膜４８を形成する
（第３図（ｈ）参照、第３図（ｈ）は第３図（ｇ）を反
転した関係で示す）。次に、ポリイミドキュア膜４８の
金配線パターン４９の側の面に低粘度ポリイミドワニス
膜５１を膜厚０．１［μｍ］で塗布し、熱風オーブンで
乾燥する（第３図（ｈ））。同様の方法で形成したポリ
イミドキュア膜４８の下層にあたるパターンを持つポリ
イミドキュア膜５０をポリイミドキュア膜４８と位置合
せを行なって重ね合わせ、加熱および加圧を行なう（第
３図（Ｉ））。
４９を表面に設けたポリイミドキュア膜４８を形成する
（第３図（ｈ）参照、第３図（ｈ）は第３図（ｇ）を反
転した関係で示す）。次に、ポリイミドキュア膜４８の
金配線パターン４９の側の面に低粘度ポリイミドワニス
膜５１を膜厚０．１［μｍ］で塗布し、熱風オーブンで
乾燥する（第３図（ｈ））。同様の方法で形成したポリ
イミドキュア膜４８の下層にあたるパターンを持つポリ
イミドキュア膜５０をポリイミドキュア膜４８と位置合
せを行なって重ね合わせ、加熱および加圧を行なう（第
３図（Ｉ））。
各層間の接続は次のとおりである。ポリイミドキュア膜
４８，５０に薄く塗布されたポリイミドワニス膜５１が
ポリイミド樹脂膜４８．５０間の接着剤として働く。こ
れはポリイミド膜積層体を加圧加熱している時にポリイ
ミドワニス膜５１がイミド化し、この時ポリイミド膜積
層体が一体化する。また、導体配線の接続部分は加圧時
に前工程で塗布した低粘度ポリイミドが圧力で逃げ、金
−余熱圧着で接合する。
４８，５０に薄く塗布されたポリイミドワニス膜５１が
ポリイミド樹脂膜４８．５０間の接着剤として働く。こ
れはポリイミド膜積層体を加圧加熱している時にポリイ
ミドワニス膜５１がイミド化し、この時ポリイミド膜積
層体が一体化する。また、導体配線の接続部分は加圧時
に前工程で塗布した低粘度ポリイミドが圧力で逃げ、金
−余熱圧着で接合する。
また、このとき第３図（ｉ）に示すようにポリイミド膜
積層体の最下層に板厚３ｍｍ、内層に入出力配線層５２
および電源層５３を有するセラミック基板５４を同時に
重ね合わせ、加熱プレスを行ないセラミック基板５４上
にポリイミド多層配線層を有する基板を形成する。第３
図（ｊ）が完成したポリイミド多層配線基板の断面図で
ある。
積層体の最下層に板厚３ｍｍ、内層に入出力配線層５２
および電源層５３を有するセラミック基板５４を同時に
重ね合わせ、加熱プレスを行ないセラミック基板５４上
にポリイミド多層配線層を有する基板を形成する。第３
図（ｊ）が完成したポリイミド多層配線基板の断面図で
ある。
次に本明細書に係る発明の第４の実施例を説明する。
本実施例は上記の第３の実施例の金フィルム４１のかわ
りに厚さ１０口μｍ］の銅のフィルムを用い、工程は第
３図（ａ）から、第３図（ｃ）までは同じである。
りに厚さ１０口μｍ］の銅のフィルムを用い、工程は第
３図（ａ）から、第３図（ｃ）までは同じである。
第３図（ａ）〜（Ｃ）と同じ工程で、銅フイルム６１上
のポリイミドワニス膜６２にビアホール６４を形成した
後に、第３図（ｄ）で示す工程とは異りポリイミドワニ
ス膜６２をキュアしてポリイミド化することなく、銅フ
ィルム６１のポリイミドワニス膜６２の塗布面の反対側
の面にポジ型フォトレジスト膜６３を塗布し、熱風オー
ブンで乾燥し、裏面保護膜とする。次に、半田めっき液
中にフィルムを入れ、電解半田めっきを行ないビアホー
ル６４に半田がわずかに凸状に出るまでビア埋めめっき
６５を形成する（第４図（ａ））。
のポリイミドワニス膜６２にビアホール６４を形成した
後に、第３図（ｄ）で示す工程とは異りポリイミドワニ
ス膜６２をキュアしてポリイミド化することなく、銅フ
ィルム６１のポリイミドワニス膜６２の塗布面の反対側
の面にポジ型フォトレジスト膜６３を塗布し、熱風オー
ブンで乾燥し、裏面保護膜とする。次に、半田めっき液
中にフィルムを入れ、電解半田めっきを行ないビアホー
ル６４に半田がわずかに凸状に出るまでビア埋めめっき
６５を形成する（第４図（ａ））。
次に、配線パターン６８（第４図（ｂ）参照）を第３の
実施例の第３図（ｅ）から第３図（ｈ）と同一工程で形
成する。ただし、この場合のエツチング液は塩化第二鉄
水溶液を使用する。次に、第３の実施例の第３図（ｉ）
と同一の方法でキュア前のポリイミド膜を重ね合わせ加
熱および加圧を行なう。
実施例の第３図（ｅ）から第３図（ｈ）と同一工程で形
成する。ただし、この場合のエツチング液は塩化第二鉄
水溶液を使用する。次に、第３の実施例の第３図（ｉ）
と同一の方法でキュア前のポリイミド膜を重ね合わせ加
熱および加圧を行なう。
本実施例の各層間の接合は次のとおりである。
キュア前の加工済ポリイミド膜６６と６７を重ね合わせ
膜に垂直な方向にプレスする。そして、加圧状態でポリ
イミド膜積層体を３５０℃まで加熱し、１５分間保持し
た後、室温まで冷却し、常圧にもどす。このとき、各層
の銅配線は、ビアホール中のビア埋めめっき６５と、配
線パターン６８の一部の銅メツキの受はパラＦ’６９と
が、加熱プレス時に半田接合する。また、各層のポリイ
ミド膜６６．６７間は、加熱時にイミド化反応が起きポ
リイミド前駆体からポリイミド樹脂になり、このときに
膜間の接合が起こる。同時にポリイミド樹脂のガラス転
位点（２８０℃付近）を越えた温度においては、ポリイ
ミド樹脂はゴム性弾性を示すので、銅配線パターン６８
の凸部による層間のすきまも、このときに削減しポリイ
ミド膜積層体として一体化する。
膜に垂直な方向にプレスする。そして、加圧状態でポリ
イミド膜積層体を３５０℃まで加熱し、１５分間保持し
た後、室温まで冷却し、常圧にもどす。このとき、各層
の銅配線は、ビアホール中のビア埋めめっき６５と、配
線パターン６８の一部の銅メツキの受はパラＦ’６９と
が、加熱プレス時に半田接合する。また、各層のポリイ
ミド膜６６．６７間は、加熱時にイミド化反応が起きポ
リイミド前駆体からポリイミド樹脂になり、このときに
膜間の接合が起こる。同時にポリイミド樹脂のガラス転
位点（２８０℃付近）を越えた温度においては、ポリイ
ミド樹脂はゴム性弾性を示すので、銅配線パターン６８
の凸部による層間のすきまも、このときに削減しポリイ
ミド膜積層体として一体化する。
また、このとき、ポリイミド膜積層体の最下層に板厚３
−１内層に入出力配線層７０および電源層７１を有する
セラミック基板７２を同時に重ね合わせ（第４図（ｂ）
参照、第４図（ｂ）は第４図（ａ）を反転した関係で示
す）加熱プレスを行ないセラミック基板７２上にポリイ
ミド多層配線層を有する基板を形成する。第４図（ｃ）
が本実施例により完成したポリイミド多層配線基板の断
面図である。
−１内層に入出力配線層７０および電源層７１を有する
セラミック基板７２を同時に重ね合わせ（第４図（ｂ）
参照、第４図（ｂ）は第４図（ａ）を反転した関係で示
す）加熱プレスを行ないセラミック基板７２上にポリイ
ミド多層配線層を有する基板を形成する。第４図（ｃ）
が本実施例により完成したポリイミド多層配線基板の断
面図である。
次に、本明細書に係る発明の第５および第６の実施例を
説明する。
説明する。
本実施例は第３または第４の各実施例においてビアをビ
ア埋めめっきするかわりに、スズ鉛又は金スズなどの半
田ボールをビアホール内に入れ積層する。本実施例にお
けるポリイミド膜の一体化は第３の実施例および第４の
実施例と同じである。
ア埋めめっきするかわりに、スズ鉛又は金スズなどの半
田ボールをビアホール内に入れ積層する。本実施例にお
けるポリイミド膜の一体化は第３の実施例および第４の
実施例と同じである。
また、導体配線の接続部分は加圧加熱時に半田ボールが
溶解し、接合する。
溶解し、接合する。
第３から第６の実施例において金属フィルムは他に銀、
アルミニウムなども可能である。まり第３および第４の
実施例においてビア埋めめっきは無電解めっきでも可能
である。
アルミニウムなども可能である。まり第３および第４の
実施例においてビア埋めめっきは無電解めっきでも可能
である。
以上説明したように本発明のポリイミド多層配線基板の
製造方法は、金属配線層を形成したキュアまで完了した
ポリイミドシートを接着剤を介して積層し、または金属
配線層を形成した未キュアのポリイミド前駆体ワニス膜
を積層し、この後加圧加熱状態で積層したシートを一体
化することにより、短い製造時間でポリイミド多層配線
基板を製造することができるという効果がある。
製造方法は、金属配線層を形成したキュアまで完了した
ポリイミドシートを接着剤を介して積層し、または金属
配線層を形成した未キュアのポリイミド前駆体ワニス膜
を積層し、この後加圧加熱状態で積層したシートを一体
化することにより、短い製造時間でポリイミド多層配線
基板を製造することができるという効果がある。
第１図〜第４図はそれぞれ本明細書に係る発明の第１〜
第４の実施例を製造工程順に示した図である。 ■・・・・・・ポリイミド前駆体ワニス塗布膜、２・・
・・・・ポリエチレンテレフタレートフィルム、３・・
・・・・ビアホール形成のためのガラスマスク、４・・
・・・・ビアホーノベ ５・・・・・・ビアホールが形
成されたポリイミド前駆体ワニス塗布膜、６・・・・・
・ポリイミド樹脂膜、７・・・・・クロムおよびパラジ
ウムの薄膜、８・・・・・・ポジ型フォトレジスト塗布
膜、９・・・・・・金配線形成のためのガラスマスク、
１０・・・・・・配線パターン、１１・・・・・・金配
線、１２．１３・・・・・・ビアホールおよび金配線が
形成されたポリイミドフィルム、１５・・・・・受はパ
ッド、１６・・・・・・入出力配線層および電源層、１
７・・・・・・セラミック基板、２１・・・・・・金め
つきパターン、２２，２３．２４・・・・・・ポリイミ
ドシート、２７・・・・・フォトレジスト、２８・・・
・・・ガラスマスク、３０・・・・・・金の突起、３１
・・・・・・金配線、３２．３３．３４・・・・・未キ
ュアのポリイミドシート、３６・・・・・・セラミック
基板、３７・・・・・・一体化したポリイミド配線層、
４１・・・・・・金フィルム、４２・・・・・・ポリイ
ミドワニス膜、４３・・・・・・ガラスマスク、４４・
・・・・・ビアホール、４５・・・・・・フォトレジス
ト膜、４６・・・・・・ビア埋めめっき、４７＋・・・
・・ガラスマスク、４８．５０・・・・・・ポリイミド
キュア膜、４９・・・・・・金配線パターン、５１・・
・・・・接着剤としての低粘度ポリイミド層、５４・・
・・・・セラミック基板、６１・・・・・・銅フィルム
、６２・・・・・・ポリイミドワニス膜、６３・・・・
・・フォトレジスト膜、６４・・・・・・ビアホール、
６５・・・・・・ビア埋めめっき、６６．６７・・・・
・・未キュアポリイミド膜、６８・・・・・・銅配線パ
ターン、６９・・・・・・受けパツド、７２・・・・・
・セラミック基板。 代理人 弁理士 内 原 音 ２ホロ１江チレンテしツクレートフィルム１０ｍ１泉降
ハ０ターシ ７８ ボ）ノイミトフ＜Ｌム 第２ 図 第 ３ 図 孕す 第３ 図 別３ 図 第４図
第４の実施例を製造工程順に示した図である。 ■・・・・・・ポリイミド前駆体ワニス塗布膜、２・・
・・・・ポリエチレンテレフタレートフィルム、３・・
・・・・ビアホール形成のためのガラスマスク、４・・
・・・・ビアホーノベ ５・・・・・・ビアホールが形
成されたポリイミド前駆体ワニス塗布膜、６・・・・・
・ポリイミド樹脂膜、７・・・・・クロムおよびパラジ
ウムの薄膜、８・・・・・・ポジ型フォトレジスト塗布
膜、９・・・・・・金配線形成のためのガラスマスク、
１０・・・・・・配線パターン、１１・・・・・・金配
線、１２．１３・・・・・・ビアホールおよび金配線が
形成されたポリイミドフィルム、１５・・・・・受はパ
ッド、１６・・・・・・入出力配線層および電源層、１
７・・・・・・セラミック基板、２１・・・・・・金め
つきパターン、２２，２３．２４・・・・・・ポリイミ
ドシート、２７・・・・・フォトレジスト、２８・・・
・・・ガラスマスク、３０・・・・・・金の突起、３１
・・・・・・金配線、３２．３３．３４・・・・・未キ
ュアのポリイミドシート、３６・・・・・・セラミック
基板、３７・・・・・・一体化したポリイミド配線層、
４１・・・・・・金フィルム、４２・・・・・・ポリイ
ミドワニス膜、４３・・・・・・ガラスマスク、４４・
・・・・・ビアホール、４５・・・・・・フォトレジス
ト膜、４６・・・・・・ビア埋めめっき、４７＋・・・
・・ガラスマスク、４８．５０・・・・・・ポリイミド
キュア膜、４９・・・・・・金配線パターン、５１・・
・・・・接着剤としての低粘度ポリイミド層、５４・・
・・・・セラミック基板、６１・・・・・・銅フィルム
、６２・・・・・・ポリイミドワニス膜、６３・・・・
・・フォトレジスト膜、６４・・・・・・ビアホール、
６５・・・・・・ビア埋めめっき、６６．６７・・・・
・・未キュアポリイミド膜、６８・・・・・・銅配線パ
ターン、６９・・・・・・受けパツド、７２・・・・・
・セラミック基板。 代理人 弁理士 内 原 音 ２ホロ１江チレンテしツクレートフィルム１０ｍ１泉降
ハ０ターシ ７８ ボ）ノイミトフ＜Ｌム 第２ 図 第 ３ 図 孕す 第３ 図 別３ 図 第４図
Claims (6)
- １．キュアまで完了したビアホール形成済のポリイミド
シート上に金属配線層を形成し、この金属配線層を形成
したポリイミドシート上に接着剤を塗布し、この接着剤
を塗布したポリイミドシートの複数枚を基板上に積層し
て加圧加熱状態で一体化することを特徴とするポリイミ
ド多層配線基板の製造方法。 - ２．キュアまで完了したビアホール形成済のポリイミド
シートの両面に金属配線層を形成し、この金属配線層の
隣接する金属配線層に接続する部分に突起を形成し、こ
の突起に対応する位置にビアホールを形成した未キュア
のポリイミドシートを形成し、この未キュアポリイミド
シートを前記金属配線層に突起を形成したポリイミドシ
ート間に入れて複数枚のポリイミドシートを基板上に積
層し、その後、この積層体を加圧加熱状態で一体化する
ことを特徴とするポリイミド多層配線基板の製造方法。 - ３．金属箔上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布し
て乾燥し、この感光性ポリイミド前駆体ワニスの塗布膜
にビアホールを形成し、キュアを行なって前記塗布膜を
ポリイミド化したポリイミドキュア膜とし、前記ビアホ
ール内をめっきで充填し、次に前記金属箔をエッチング
して金属配線層を形成し、この金属配線層が形成された
ポリイミドキュア膜に接着剤を塗布し、次にこの接着剤
を塗布したポリイミドキュア膜の複数枚を基板上に積層
して加圧加熱状態で一体化することを特徴とするポリイ
ミド多層配線基板の製造方法。 - ４．金属箔上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布，
乾燥した未キュアのポリイミド前駆体ワニス膜にビアホ
ールを形成し、このビアホール内をめっきで充填し、次
に前記金属箔をエッチングして金属配線層を形成し、こ
の金属配線層が形成された未キュアのポリイミド前駆体
ワニス膜を複数枚積層して加圧加熱状態でキュアして一
体化することを特徴とするポリイミド多層配線基板の製
造方法。 - ５．金属箔上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布し
て乾燥し、この感光性ポリイミド前駆体ワニスの塗布膜
にビアホールを形成し、キュアを行なって前記塗布膜を
ポリイミド化したポリィミドキュア膜とし、前記ビアホ
ール内を半田ボールで充填し、次に前記金属箔をエッチ
ングして金属配線層を形成し、この金属配線層が形成さ
れたポリイミドキュア膜に接着剤を塗布し、次にこの接
着剤を塗布したポリイミドキュア膜の複数枚を基板上に
積層して加圧加熱状態で一体化することを特徴とするポ
リイミド多層配線基板の製造方法。 - ６．金属箔上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布，
乾燥した未キュアのポリイミド前駆体ワニス膜にビアホ
ールを形成し、このビアホール内を半田ボールで充填し
、次に前記金属箔をエッチングして金属配線層を形成し
、この金属配線層が形成された未キュアのポリイミド前
駆体ワニス膜を複数枚積層して加圧加熱状態でキュアし
て一体化することを特徴とするポリイミド多層配線基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2288796A JP2536274B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | ポリイミド多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2288796A JP2536274B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | ポリイミド多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162589A true JPH04162589A (ja) | 1992-06-08 |
| JP2536274B2 JP2536274B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=17734845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2288796A Expired - Fee Related JP2536274B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | ポリイミド多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536274B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH071193A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-06 | Chisso Corp | フレキシブルプリント基板の製造法 |
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