JP2536274B2 - ポリイミド多層配線基板の製造方法 - Google Patents
ポリイミド多層配線基板の製造方法Info
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- JP2536274B2 JP2536274B2 JP2288796A JP28879690A JP2536274B2 JP 2536274 B2 JP2536274 B2 JP 2536274B2 JP 2288796 A JP2288796 A JP 2288796A JP 28879690 A JP28879690 A JP 28879690A JP 2536274 B2 JP2536274 B2 JP 2536274B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ポリイミド樹脂を層間絶縁に使用した多層
配線基板の製造方法に関し、特にポリイミド樹脂層の積
層方法に関する。
配線基板の製造方法に関し、特にポリイミド樹脂層の積
層方法に関する。
従来、ポリイミド樹脂を層間絶縁に使用した多層配線
基板の製造方法は、セラミック基板の上にポリイミド前
駆体ワニスの塗布および乾燥を行ない、この塗布膜に露
光，現像工程を行なってビアホールを上記塗布膜に形成
した後に、このポリイミド前駆体ワニス塗布膜をキュア
して、ポリイミド樹脂絶縁層とするという一連の工程を
繰返すことにより、多層配線層の形成を行なっていた。
基板の製造方法は、セラミック基板の上にポリイミド前
駆体ワニスの塗布および乾燥を行ない、この塗布膜に露
光，現像工程を行なってビアホールを上記塗布膜に形成
した後に、このポリイミド前駆体ワニス塗布膜をキュア
して、ポリイミド樹脂絶縁層とするという一連の工程を
繰返すことにより、多層配線層の形成を行なっていた。
上述した従来のポリイミド多層配線基板の製造方法で
は、ポリイミド絶縁層の積層数と同じ回数だけ、セラミ
ック基板上にポリイミド前駆体ワニスの塗布，塗布膜の
乾燥，ビアホールの成形およびキュアの各工程を繰返し
行なう必要がある。そのため、多層配線基板の積層工程
に非常に時間がかかる。また、ポリイミド絶縁層の形成
工程が繰返し行なわれるため、多層配線層の下層部分の
ポリイミド樹脂に多数回にわたるキュア工程の熱ストレ
スが加わり、このため、ポリイミド樹脂が劣化してくる
という欠点がある。
は、ポリイミド絶縁層の積層数と同じ回数だけ、セラミ
ック基板上にポリイミド前駆体ワニスの塗布，塗布膜の
乾燥，ビアホールの成形およびキュアの各工程を繰返し
行なう必要がある。そのため、多層配線基板の積層工程
に非常に時間がかかる。また、ポリイミド絶縁層の形成
工程が繰返し行なわれるため、多層配線層の下層部分の
ポリイミド樹脂に多数回にわたるキュア工程の熱ストレ
スが加わり、このため、ポリイミド樹脂が劣化してくる
という欠点がある。
本発明のポリイミド多層配線基板の製造方法は、キュ
アまで完了したビアホール形成済のポリイミドシートの
両面に金属配線層を形成し、この金属配線層の隣接する
金属配線層に接続する部分に突起を形成し、この突起に
対応する位置にビアホールを形成した未キュアポリイミ
ドシートを前記金属配線に突起を形成したポリイミドシ
ート間に入れて複数枚のポリイミドシートを基板上に積
層し、その後、この積層体を加圧加熱状態で一体化する
ことを特徴とする。
アまで完了したビアホール形成済のポリイミドシートの
両面に金属配線層を形成し、この金属配線層の隣接する
金属配線層に接続する部分に突起を形成し、この突起に
対応する位置にビアホールを形成した未キュアポリイミ
ドシートを前記金属配線に突起を形成したポリイミドシ
ート間に入れて複数枚のポリイミドシートを基板上に積
層し、その後、この積層体を加圧加熱状態で一体化する
ことを特徴とする。
また、本発明の他のポリイミド多層配線基板の製造方
法は、金属箔上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布
して乾燥し、この感光性ポリイミド前駆体ワニスの塗布
膜にビアホールを形成し、キュアを行って前記塗布膜を
ポリイミド化したポリイミドキュア膜とし、前記ビアホ
ール内を半田ボールで充填し、次に前記金属箔をエッチ
ングして金属配線層を形成し、この金属配線層が形成さ
れたポリイミドキュア膜に接着剤を塗布し、次にこの接
着剤を塗布したポリイミドキュア膜の複数枚を基板上に
積層して加圧加熱状態で一体化することを特徴とする。
法は、金属箔上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布
して乾燥し、この感光性ポリイミド前駆体ワニスの塗布
膜にビアホールを形成し、キュアを行って前記塗布膜を
ポリイミド化したポリイミドキュア膜とし、前記ビアホ
ール内を半田ボールで充填し、次に前記金属箔をエッチ
ングして金属配線層を形成し、この金属配線層が形成さ
れたポリイミドキュア膜に接着剤を塗布し、次にこの接
着剤を塗布したポリイミドキュア膜の複数枚を基板上に
積層して加圧加熱状態で一体化することを特徴とする。
また、本発明の他のポリイミド多層配線基板の製造方
法は、金属箔上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗
布、乾燥した未キュアのポリイミド前駆体ワニス膜にビ
アホールを形成し、このビアホール内を半田ボールで充
填し、次に前記金属箔をエッチングして金属配線層を形
成し、この金属配線層が形成された未キュアのポリイミ
ド前駆体ワニス膜を複数枚積層して加圧加熱状態でキュ
アして一体化することを特徴とする。
法は、金属箔上に感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗
布、乾燥した未キュアのポリイミド前駆体ワニス膜にビ
アホールを形成し、このビアホール内を半田ボールで充
填し、次に前記金属箔をエッチングして金属配線層を形
成し、この金属配線層が形成された未キュアのポリイミ
ド前駆体ワニス膜を複数枚積層して加圧加熱状態でキュ
アして一体化することを特徴とする。
次に、本発明について図面を用いて説明する。
第１図は本明細書に係る発明の第１の実施例を工程順
に図示したものである。
に図示したものである。
ポリエチレンテレフタレート（PET）フィルム２上に
感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布し、熱風オーブン
で乾燥する。このときの感光性ポリイミド前駆体ワニス
の塗布膜１の厚さは乾燥後10μｍである（第１図
（ａ））。このPETフィルム２上のポリイミドワニス塗
布膜１にガラスマスク３のパターンを焼きつける。露光
量は600［mJ/cm2］である（第１図（ｂ））。次に、ア
ルコール系現像液を用いスプレー現像方式で、ポリイミ
ドワニス塗布膜１の現像を行ない、ビアホール４を形成
する。（第１図（ｃ））。
感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗布し、熱風オーブン
で乾燥する。このときの感光性ポリイミド前駆体ワニス
の塗布膜１の厚さは乾燥後10μｍである（第１図
（ａ））。このPETフィルム２上のポリイミドワニス塗
布膜１にガラスマスク３のパターンを焼きつける。露光
量は600［mJ/cm2］である（第１図（ｂ））。次に、ア
ルコール系現像液を用いスプレー現像方式で、ポリイミ
ドワニス塗布膜１の現像を行ない、ビアホール４を形成
する。（第１図（ｃ））。
次に、PETフィルム２からビアホール４が形成された
ポリイミド塗布膜５を剥離し、キュアを行ないビアホー
ルを有したポリイミド樹脂フィルム６を形成する（第１
図（ｄ））。次に、このポリイミド樹脂フィルム６上に
クロムおよびパラジウムの薄膜７を両面にスパッタで形
成する。このときクロムおよびパラジウムの膜厚はおの
おの100［nm］および200［nm］である。このスパッタ膜
上にポジ型フォトレジスト８を両面に塗布し、ガラスマ
スク９を用いて露光を行ない（第１図（ｅ）），現像し
て配線パターン10を形成する（第１図（ｆ））。
ポリイミド塗布膜５を剥離し、キュアを行ないビアホー
ルを有したポリイミド樹脂フィルム６を形成する（第１
図（ｄ））。次に、このポリイミド樹脂フィルム６上に
クロムおよびパラジウムの薄膜７を両面にスパッタで形
成する。このときクロムおよびパラジウムの膜厚はおの
おの100［nm］および200［nm］である。このスパッタ膜
上にポジ型フォトレジスト８を両面に塗布し、ガラスマ
スク９を用いて露光を行ない（第１図（ｅ）），現像し
て配線パターン10を形成する（第１図（ｆ））。
次に、金めっきを行ない、金めっきパターンを形成
し、フォトレジスト８を剥離し、クロムおよびパラジウ
ムの薄膜７をエッチングし、金配線11を形成する（第１
図（ｇ））。次に、金配線パターンを形成したポリイミ
ドフィルム12の両面に低粘度ポリイミドワニスを膜厚0.
1μｍで塗布し、熱風オーブンで乾燥する。同様の方法
で形成したポリイミドフィルム12の下層にあたるパター
ンを持つポリイミドフィルム13をポリイミドフィルム12
と位置合せを行なって重ね合わせ、加熱および加圧を行
なう（第１図（ｈ））。
し、フォトレジスト８を剥離し、クロムおよびパラジウ
ムの薄膜７をエッチングし、金配線11を形成する（第１
図（ｇ））。次に、金配線パターンを形成したポリイミ
ドフィルム12の両面に低粘度ポリイミドワニスを膜厚0.
1μｍで塗布し、熱風オーブンで乾燥する。同様の方法
で形成したポリイミドフィルム12の下層にあたるパター
ンを持つポリイミドフィルム13をポリイミドフィルム12
と位置合せを行なって重ね合わせ、加熱および加圧を行
なう（第１図（ｈ））。
各層間の接続は次のとおりである。ポリイミドフィル
ム12に薄く塗布されたポリイミドワニスがポリイミドフ
ィルム12,13間の接着剤として働く。これはフィルム積
層体を加圧加熱している時にポリイミドワニスがイミド
化し、この時にフィルム側のポリイミドと一体になるか
らである。また、導体配線（金配線11およびポリイミド
フィルム13上の受けパッド15）の接続部分は、加圧時に
前工程で塗布した低粘度ポリイミドが圧力で逃げ、金−
金熱圧着で接合する。
ム12に薄く塗布されたポリイミドワニスがポリイミドフ
ィルム12,13間の接着剤として働く。これはフィルム積
層体を加圧加熱している時にポリイミドワニスがイミド
化し、この時にフィルム側のポリイミドと一体になるか
らである。また、導体配線（金配線11およびポリイミド
フィルム13上の受けパッド15）の接続部分は、加圧時に
前工程で塗布した低粘度ポリイミドが圧力で逃げ、金−
金熱圧着で接合する。
また、このとき第１図（ｈ）に示すように、ポリイミ
ド膜積層体の最下層に板厚3mm、内層に入出力配線層お
よび電源層16を有するセラミック基板17を同時に重ね合
わせ、加熱プレスを行ないセラミック基板17上にポリイ
ミド多層配線層を有する基板を形成する。第１図（ｉ）
が完成したポリイミド多層配線基板の断面図である。
ド膜積層体の最下層に板厚3mm、内層に入出力配線層お
よび電源層16を有するセラミック基板17を同時に重ね合
わせ、加熱プレスを行ないセラミック基板17上にポリイ
ミド多層配線層を有する基板を形成する。第１図（ｉ）
が完成したポリイミド多層配線基板の断面図である。
本実施例ではポリイミド膜を２層だけ積層している
が、同様の方法で何層でもポリイミド膜を積層可能であ
る。
が、同様の方法で何層でもポリイミド膜を積層可能であ
る。
また、本実施例では導体配線の接続部分を金−金熱圧
着で接合しているが、その他に金スズなどのはんだ接続
でも可能であり、よって導体配線金層も、銅など他の金
属でも可能である。
着で接合しているが、その他に金スズなどのはんだ接続
でも可能であり、よって導体配線金層も、銅など他の金
属でも可能である。
また接着剤としては、本実施例のポリイミドワニスの
他に、加熱硬化時に気体を発生しない他の樹脂でも良
い。エポキシ樹脂やシリコン樹脂なども使用可能であ
る。
他に、加熱硬化時に気体を発生しない他の樹脂でも良
い。エポキシ樹脂やシリコン樹脂なども使用可能であ
る。
第２図は本明細書に係る発明の第２の実施例を工程順
に図示したものである。
に図示したものである。
第２図（ａ）に示すポリイミド樹脂フィルム６上に形
成したクロムおよびパラジウムの薄膜７の上にさらに配
線パターン10を有するフォトレジスト８を形成したもの
を第１図（ａ）〜（ｆ）に示すものと同じ工程で製造す
る。
成したクロムおよびパラジウムの薄膜７の上にさらに配
線パターン10を有するフォトレジスト８を形成したもの
を第１図（ａ）〜（ｆ）に示すものと同じ工程で製造す
る。
この第２図（ａ）に示すものに金めっきを行ない、金
めっきパターン21を形成し、フォトレジスト８を剥離す
る（第２図（ｂ））。次にこのポリイミドシート22の上
側および下側に位置することになる別のポリイミドシー
ト23および24（第２図（ｆ）参照）の配線25および26と
金めっきパターン21が接続する部分をめっきするため
に、再度フォトレジスト27をポリイミドシート22の上側
の面に塗布し、接続部分のパターンを描画してあるガラ
スマスク28を用いて露光を行ない（第２図（ｃ））、現
像して接続部分のパターン29を形成し（第２図
（ｄ））、金めっきを行ない、金の突起30を形成し、フ
ォトレジスト27を剥離し、クロムおよびパラジウムの薄
膜７をエッチングし、金配線31を形成する（第２図
（ｅ））。合 次に、第１図（ａ）から第１図（ｂ）に示すものと同
一の工程を用いて、上記で形成した金配線付ポリイミド
キュアシート22,23,24の間に入れる未キュアのポリイミ
ドシート32,33,34を形成する。なお、この未キュアポリ
イミドシート32,33,34に形成するビアホールの位置は、
第２図（ｅ）に示した金の突起30に対応するようにす
る。この様にして形成した金配線付ポリイミドキュアシ
ート22,23,24とビアホールのみを形成した未キュアのポ
リイミドシート32,33,34を第２図（ｆ）の様に積層し、
この積層体を上下から加圧して、300℃まで加熱する。
めっきパターン21を形成し、フォトレジスト８を剥離す
る（第２図（ｂ））。次にこのポリイミドシート22の上
側および下側に位置することになる別のポリイミドシー
ト23および24（第２図（ｆ）参照）の配線25および26と
金めっきパターン21が接続する部分をめっきするため
に、再度フォトレジスト27をポリイミドシート22の上側
の面に塗布し、接続部分のパターンを描画してあるガラ
スマスク28を用いて露光を行ない（第２図（ｃ））、現
像して接続部分のパターン29を形成し（第２図
（ｄ））、金めっきを行ない、金の突起30を形成し、フ
ォトレジスト27を剥離し、クロムおよびパラジウムの薄
膜７をエッチングし、金配線31を形成する（第２図
（ｅ））。合 次に、第１図（ａ）から第１図（ｂ）に示すものと同
一の工程を用いて、上記で形成した金配線付ポリイミド
キュアシート22,23,24の間に入れる未キュアのポリイミ
ドシート32,33,34を形成する。なお、この未キュアポリ
イミドシート32,33,34に形成するビアホールの位置は、
第２図（ｅ）に示した金の突起30に対応するようにす
る。この様にして形成した金配線付ポリイミドキュアシ
ート22,23,24とビアホールのみを形成した未キュアのポ
リイミドシート32,33,34を第２図（ｆ）の様に積層し、
この積層体を上下から加圧して、300℃まで加熱する。
各ポリイミドシート間の接着は、ビアホールのみを形
成した未キュアのポリイミドシート32,33,34が、加圧加
熱工程においてイミド化する際に上下にあるポリイミド
シート22,23,24と接着することにより得られ、また、金
配線層間の接続は加圧加熱状態において、金の突起30が
上層の金パターンと金−金熱圧着によって接続すること
によって得られる。
成した未キュアのポリイミドシート32,33,34が、加圧加
熱工程においてイミド化する際に上下にあるポリイミド
シート22,23,24と接着することにより得られ、また、金
配線層間の接続は加圧加熱状態において、金の突起30が
上層の金パターンと金−金熱圧着によって接続すること
によって得られる。
また、このとき第２図（ｆ）に示すようにポリイミド
シート積層体の最下層に板厚3mmで内層に入出力配線層
および電源層35を有するセラミック基板36を同時に重ね
合わせ、加圧加熱を行ない、セラミック基板上にポリイ
ミド多層配線層を有する基板を形成する。第２図（ｇ）
が本実施例により完成したポリイミド多層配線基板の断
面図であり、37はポリイミドシート22,23,24とポリイミ
ドシート32,33,34を一体化したポリイミド配線層を示
す。
シート積層体の最下層に板厚3mmで内層に入出力配線層
および電源層35を有するセラミック基板36を同時に重ね
合わせ、加圧加熱を行ない、セラミック基板上にポリイ
ミド多層配線層を有する基板を形成する。第２図（ｇ）
が本実施例により完成したポリイミド多層配線基板の断
面図であり、37はポリイミドシート22,23,24とポリイミ
ドシート32,33,34を一体化したポリイミド配線層を示
す。
本実施例では、ポリイミド層を３層で積層している
が、何層でもポリイミドシートを積層可能である。
が、何層でもポリイミドシートを積層可能である。
また、本実施例では導体配線層間の接続を金−金熱圧
着で行なっているが、その他の接続方法も可能であり、
導体配線金属も金以外の他の金属でも可能である。
着で行なっているが、その他の接続方法も可能であり、
導体配線金属も金以外の他の金属でも可能である。
第３図は本明細書に係る発明の第３の実施例を工程順
に図示したものである。
に図示したものである。
縮まないように枠（図には示してない）に固定された
厚さ10［μｍ］の金のフィルム41上に感光性ポリイミド
ワニスを塗布し熱風オーブンで乾燥してポリイミドワニ
ス膜42を形成する。ポリイミドワニス膜42の塗布膜厚は
乾燥後20［μｍ］である（第３図（ａ））。次に、ポリ
イミドワニス膜42にガラスマスク43のビアホールのパタ
ーンを焼きつける。露光量は600［mJ/cm2］である（第
３図（ｂ））。次に、ポリイミドワニス膜42をアルコー
ル系現像液を用いてスプレー現像方式で現像を行ないビ
アホール44を形成する（第３図（ｃ））。次に、窒素雰
囲気で２時間かけて400［℃］まで加熱して、ポリイミ
ドワニス膜42をポリイミド化する。
厚さ10［μｍ］の金のフィルム41上に感光性ポリイミド
ワニスを塗布し熱風オーブンで乾燥してポリイミドワニ
ス膜42を形成する。ポリイミドワニス膜42の塗布膜厚は
乾燥後20［μｍ］である（第３図（ａ））。次に、ポリ
イミドワニス膜42にガラスマスク43のビアホールのパタ
ーンを焼きつける。露光量は600［mJ/cm2］である（第
３図（ｂ））。次に、ポリイミドワニス膜42をアルコー
ル系現像液を用いてスプレー現像方式で現像を行ないビ
アホール44を形成する（第３図（ｃ））。次に、窒素雰
囲気で２時間かけて400［℃］まで加熱して、ポリイミ
ドワニス膜42をポリイミド化する。
次に、金フィルム41のポリイミド塗布面の反対側の面
にポジ型フォトレジスト膜45を塗布し、熱風オーブンで
乾燥し、裏面保護膜とする。次にノンシアン電解金めっ
き液中にフィルムを入れ、電解金めっきを行ない、ビア
ホール44に金が凸状に出るまでビア埋めめっき46を成形
する（第３図（ｄ））。次に、配線パターンが描かれた
ガラスマスク47のパターンをポジレジスト膜45に焼きつ
ける（第３図（ｅ））。露光量は450［mJ/cm2］であ
る。次に、アルカリ現像液を用いて浸漬現像を行ない配
線パターンを形成し（第３図（ｆ）），ヨウ素ヨウ化カ
リウム水溶液で配線部分以外の金をエッチングする（第
３図（ｇ））。
にポジ型フォトレジスト膜45を塗布し、熱風オーブンで
乾燥し、裏面保護膜とする。次にノンシアン電解金めっ
き液中にフィルムを入れ、電解金めっきを行ない、ビア
ホール44に金が凸状に出るまでビア埋めめっき46を成形
する（第３図（ｄ））。次に、配線パターンが描かれた
ガラスマスク47のパターンをポジレジスト膜45に焼きつ
ける（第３図（ｅ））。露光量は450［mJ/cm2］であ
る。次に、アルカリ現像液を用いて浸漬現像を行ない配
線パターンを形成し（第３図（ｆ）），ヨウ素ヨウ化カ
リウム水溶液で配線部分以外の金をエッチングする（第
３図（ｇ））。
次に、ポジレジスト膜45を剥離して、金配線パターン
49を表面に設けたポリイミドキュア膜48を形成する（第
３図（ｈ）参照，第３図（ｈ）は第３図（ｇ）を反転し
た関係で示す）。次に，ポリイミドキュア膜48の金配線
パターン49の側の面に低粘度ポリイミドワニス膜51を膜
厚0.1［μｍ］で塗布し、熱風オーブンで乾燥する（第
３図（ｈ））。同様の方法で形成したポリイミドキュア
膜48の下層にあたるパターンを持つポリイミドキュア膜
50をポリイミドキュア膜48と位置合せを行なって重ね合
わせ、加熱および加圧を行なう（第３図（ｉ））。
49を表面に設けたポリイミドキュア膜48を形成する（第
３図（ｈ）参照，第３図（ｈ）は第３図（ｇ）を反転し
た関係で示す）。次に，ポリイミドキュア膜48の金配線
パターン49の側の面に低粘度ポリイミドワニス膜51を膜
厚0.1［μｍ］で塗布し、熱風オーブンで乾燥する（第
３図（ｈ））。同様の方法で形成したポリイミドキュア
膜48の下層にあたるパターンを持つポリイミドキュア膜
50をポリイミドキュア膜48と位置合せを行なって重ね合
わせ、加熱および加圧を行なう（第３図（ｉ））。
各層間の接続は次のとおりである。ポリイミドキュア
膜48,50に薄く塗布されたポリイミドワニス膜51がポリ
イミド樹脂膜48,50間の接着剤として働く。これはポリ
イミド膜積層体を加圧加熱している時にポリイミドワニ
ス膜51がイミド化し、この時ポリイミド膜積層体が一体
化する。また、導体配線の接続部分は加圧時に前工程で
塗布した低粘度ポリイミドが圧力で逃げ、金−金熱圧着
で接合する。
膜48,50に薄く塗布されたポリイミドワニス膜51がポリ
イミド樹脂膜48,50間の接着剤として働く。これはポリ
イミド膜積層体を加圧加熱している時にポリイミドワニ
ス膜51がイミド化し、この時ポリイミド膜積層体が一体
化する。また、導体配線の接続部分は加圧時に前工程で
塗布した低粘度ポリイミドが圧力で逃げ、金−金熱圧着
で接合する。
また、このとき第３図（ｉ）に示すようにポリイミド
膜積層体の最下層に板厚3mm,内層に入出力配線層52およ
び電源層53を有するセラミック基板54を同時に重ね合わ
せ、加熱プレスを行ないセラミック基板54上にポリイミ
ド多層配線層を有する基板を形成する。第３図（ｊ）が
完成したポリイミド多層配線基板の断面図である。
膜積層体の最下層に板厚3mm,内層に入出力配線層52およ
び電源層53を有するセラミック基板54を同時に重ね合わ
せ、加熱プレスを行ないセラミック基板54上にポリイミ
ド多層配線層を有する基板を形成する。第３図（ｊ）が
完成したポリイミド多層配線基板の断面図である。
次に本明細書に係る発明の第４の実施例を説明する。
本実施例は上記の第３の実施例の金フィルム41のかわ
りに厚さ10［μｍ］の銅のフィルムを用い、工程は第３
図（ａ）から、第３図（ｃ）までは同じである。
りに厚さ10［μｍ］の銅のフィルムを用い、工程は第３
図（ａ）から、第３図（ｃ）までは同じである。
第３図（ａ）〜（ｃ）と同じ工程で、銅フィルム61上
のポリイミドワニス膜62にビアホール64を形成した後
に、第３図（ｄ）で示す工程とは異りポリイミドワニス
膜62をキュアしてポリイミド化することなく、銅フィル
ム61のポリイミドワニス膜62の塗布面の反対側の面にポ
ジ型フォトレジスト膜63を塗布し、熱風オーブンで乾燥
し、裏面保護膜とする。次に、半田めっき液中にフィル
ムを入れ、電解半田めっきを行ないビアホール64に半田
がわずかに凸状に出るまでビア埋めめっき65を形成する
（第４図（ａ））。
のポリイミドワニス膜62にビアホール64を形成した後
に、第３図（ｄ）で示す工程とは異りポリイミドワニス
膜62をキュアしてポリイミド化することなく、銅フィル
ム61のポリイミドワニス膜62の塗布面の反対側の面にポ
ジ型フォトレジスト膜63を塗布し、熱風オーブンで乾燥
し、裏面保護膜とする。次に、半田めっき液中にフィル
ムを入れ、電解半田めっきを行ないビアホール64に半田
がわずかに凸状に出るまでビア埋めめっき65を形成する
（第４図（ａ））。
次に、配線パターン68（第４図（ｂ）参照）を第３の
実施例の第３図（ｅ）から第３図（ｈ）と同一工程で形
成する。ただし、この場合のエッチング液は塩化第二鉄
水溶液を使用する。次に、第３の実施例の第３図（ｉ）
と同一の方法でキュア前のポリイミド膜を重ね合わせ加
熱および加圧を行なう。
実施例の第３図（ｅ）から第３図（ｈ）と同一工程で形
成する。ただし、この場合のエッチング液は塩化第二鉄
水溶液を使用する。次に、第３の実施例の第３図（ｉ）
と同一の方法でキュア前のポリイミド膜を重ね合わせ加
熱および加圧を行なう。
本実施例の各層間の接合は次のとおりである。キュア
前の加工済ポリイミド膜66と67を重ね合わせ膜に垂直な
方向にプレスする。そして、加圧状態でポリイミド膜積
層体を350℃まで加熱し、15分間保持した後、室温まで
冷却し、常圧にもどす。このとき、各層の銅配線は、ビ
アホール中のビア埋めめっき65と、配線パターン68の一
部の銅メッキの受けパッド69とが、加熱プレス時に半田
接合する。また、各層のポリイミド膜66,67間は、加熱
時にイミド化反応が起きポリイミド前駆体からポリイミ
ド樹脂になり、このときに膜間の接合が起こる。同時に
ポリイミド樹脂のガラス転位点（280℃付近）を越えた
温度においては、ポリイミド樹脂はゴム性弾性を示すの
で、銅配線パターン68の凸部による層間のすきまも、こ
のときに削減しポリイミド膜積層体として一体化する。
前の加工済ポリイミド膜66と67を重ね合わせ膜に垂直な
方向にプレスする。そして、加圧状態でポリイミド膜積
層体を350℃まで加熱し、15分間保持した後、室温まで
冷却し、常圧にもどす。このとき、各層の銅配線は、ビ
アホール中のビア埋めめっき65と、配線パターン68の一
部の銅メッキの受けパッド69とが、加熱プレス時に半田
接合する。また、各層のポリイミド膜66,67間は、加熱
時にイミド化反応が起きポリイミド前駆体からポリイミ
ド樹脂になり、このときに膜間の接合が起こる。同時に
ポリイミド樹脂のガラス転位点（280℃付近）を越えた
温度においては、ポリイミド樹脂はゴム性弾性を示すの
で、銅配線パターン68の凸部による層間のすきまも、こ
のときに削減しポリイミド膜積層体として一体化する。
また、このとき、ポリイミド膜積層体の最下層に板厚
3mm,内層に入出力配線層70および電源層71を有するセラ
ミック基板72を同時に重ね合わせ（第４図（ｂ）参照，
第４図（ｂ）は第４図（ａ）を反転した関係で示す）加
熱プレスを行ないセラミック基板72上にポリイミド多層
配線層を有する基板を形成する。第４図（ｃ）が本実施
例により完成したポリイミド多層配線基板の断面図であ
る。
3mm,内層に入出力配線層70および電源層71を有するセラ
ミック基板72を同時に重ね合わせ（第４図（ｂ）参照，
第４図（ｂ）は第４図（ａ）を反転した関係で示す）加
熱プレスを行ないセラミック基板72上にポリイミド多層
配線層を有する基板を形成する。第４図（ｃ）が本実施
例により完成したポリイミド多層配線基板の断面図であ
る。
次に、本明細書に係る発明の第５および第６の実施例
を説明する。
を説明する。
本実施例は第３または第４の各実施例においてビアを
ビア埋めめっきするかわりに、スズ鉛又は金スズなどの
半田ボールをビアホール内に入れ積層する。本実施例に
おけるポリイミド膜の一体化は第３の実施例および第４
の実施例と同じである。また、導体配線の接続部分は加
圧加熱時に半田ボールが溶解し、接合する。
ビア埋めめっきするかわりに、スズ鉛又は金スズなどの
半田ボールをビアホール内に入れ積層する。本実施例に
おけるポリイミド膜の一体化は第３の実施例および第４
の実施例と同じである。また、導体配線の接続部分は加
圧加熱時に半田ボールが溶解し、接合する。
第３から第６の実施例において金属フィルムは他に
銀，アルミニウムなども可能である。また第３および第
４の実施例においてビア埋めめっきは無電解めっきでも
可能である。
銀，アルミニウムなども可能である。また第３および第
４の実施例においてビア埋めめっきは無電解めっきでも
可能である。
以上説明したように本発明のポリイミド多層配線基板
の製造方法は、金属配線層を形成したキュアまで完了し
たポリイミドシートを接着剤を介して積層し、または金
属配線層を形成した未キュアのポリイミド前駆体ワニス
膜を積層し、この後加圧加熱状態で積層したシートを一
体化することにより、短い製造時間でポリイミド多層配
線基板を製造することができるという効果がある。
の製造方法は、金属配線層を形成したキュアまで完了し
たポリイミドシートを接着剤を介して積層し、または金
属配線層を形成した未キュアのポリイミド前駆体ワニス
膜を積層し、この後加圧加熱状態で積層したシートを一
体化することにより、短い製造時間でポリイミド多層配
線基板を製造することができるという効果がある。
第１図〜第４図はそれぞれ本明細書に係る発明の第１〜
第４の実施例を製造工程順に示した図である。 １……ポリイミド前駆体ワニス塗布膜、２……ポリエチ
レンテレフタレートフィルム、３……ビアホール形成の
ためのガラスマスク、４……ビアホール、５……ビアホ
ールが形成されたポリイミド前駆体ワニス塗布膜、６…
…ポリイミド樹脂膜、７……クロムおよびパラジウムの
薄膜、８……ポジ型フォトレジスト塗布膜、９……金配
線形成のためのガラスマスク、10……配線パターン、11
……金配線、12,13……ビアホールおよび金配線が形成
されたポリイミドフィルム、15……受けパッド、16……
入出力配線層および電源層、17……セラミック基板、21
……金めっきパターン、22,23,24……ポリイミドシー
ト、27……フォトレジスト、28……ガラスマスク、30…
…金の突起、31……金配線、32,33,34……未キュアのポ
リイミドシート、36……セラミック基板、37……一体化
したポリイミド配線層、41……金フィルム、42……ポリ
イミドワニス膜、43……ガラスマスク、44……ビアホー
ル、45……フォトレジスト膜、46……ビア埋めめっき、
47……ガラスマスク、48,50……ポリイミドキュア膜、4
9……金配線パターン、51……接着剤としての低粘度ポ
リイミド層、54……セラミック基板、61……銅フィル
ム、62……ポリイミドワニス膜、63……フォトレジスト
膜、64……ビアホール、65……ビア埋めめっき、66,67
……未キュアポリイミド膜、68……銅配線パターン、69
……受けパッド、72……セラミック基板。
第４の実施例を製造工程順に示した図である。 １……ポリイミド前駆体ワニス塗布膜、２……ポリエチ
レンテレフタレートフィルム、３……ビアホール形成の
ためのガラスマスク、４……ビアホール、５……ビアホ
ールが形成されたポリイミド前駆体ワニス塗布膜、６…
…ポリイミド樹脂膜、７……クロムおよびパラジウムの
薄膜、８……ポジ型フォトレジスト塗布膜、９……金配
線形成のためのガラスマスク、10……配線パターン、11
……金配線、12,13……ビアホールおよび金配線が形成
されたポリイミドフィルム、15……受けパッド、16……
入出力配線層および電源層、17……セラミック基板、21
……金めっきパターン、22,23,24……ポリイミドシー
ト、27……フォトレジスト、28……ガラスマスク、30…
…金の突起、31……金配線、32,33,34……未キュアのポ
リイミドシート、36……セラミック基板、37……一体化
したポリイミド配線層、41……金フィルム、42……ポリ
イミドワニス膜、43……ガラスマスク、44……ビアホー
ル、45……フォトレジスト膜、46……ビア埋めめっき、
47……ガラスマスク、48,50……ポリイミドキュア膜、4
9……金配線パターン、51……接着剤としての低粘度ポ
リイミド層、54……セラミック基板、61……銅フィル
ム、62……ポリイミドワニス膜、63……フォトレジスト
膜、64……ビアホール、65……ビア埋めめっき、66,67
……未キュアポリイミド膜、68……銅配線パターン、69
……受けパッド、72……セラミック基板。
Claims (3)
- 【請求項１】キュアまで完了したビアホール形成済のポ
リイミドシートの両面に金属配線層を形成し、この金属
配線層の隣接する金属配線層に接続する部分に突起を形
成し、この突起に対応する位置にビアホールを形成した
未キュアポリイミドシートを前記金属配線層に突起を形
成したポリイミドシート間に入れて複数枚のポリイミド
シートを基板上に積層し、その後、この積層体を加圧加
熱状態で一体化することを特徴とするポリイミド多層配
線基板の製造方法。 - 【請求項２】金属箔上に感光性ポリイミド前駆体ワニス
を塗布して乾燥し、この感光性ポリイミド前駆体ワニス
の塗布膜にビアホールを形成し、キュアを行って前記塗
布膜をポリイミド化したポリイミドキュア膜とし、前記
ビアホール内を半田ボールで充填し、次に前記金属箔を
エッチングして金属配線層を形成し、この金属配線層が
形成されたポリイミドキュア膜に接着剤を塗布し、次に
この接着剤を塗布したポリイミドキュア膜の複数枚を基
板上に積層して加圧加熱状態で一体化することを特徴と
するポリイミド多層配線基板の製造方法。 - 【請求項３】金属箔上に感光性ポリイミド前駆体ワニス
を塗布、乾燥した未キュアのポリイミド前駆体ワニス膜
にビアホールを形成し、このビアホール内を半田ボール
で充填し、次に前記金属箔をエッチングして金属配線層
を形成し、この金属配線層が形成された未キュアのポリ
イミド前駆体ワニス膜を複数枚積層して加圧加熱状態で
キュアして一体化することを特徴とするポリイミド多層
配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2288796A JP2536274B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | ポリイミド多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2288796A JP2536274B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | ポリイミド多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162589A JPH04162589A (ja) | 1992-06-08 |
| JP2536274B2 true JP2536274B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=17734845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2288796A Expired - Fee Related JP2536274B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | ポリイミド多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536274B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69218319T2 (de) * | 1991-07-26 | 1997-07-10 | Nec Corp., Tokio/Tokyo | Mehrschichtige Leiterplatte aus Polyimid und Verfahren zur Herstellung |
| JP2652325B2 (ja) * | 1993-06-15 | 1997-09-10 | チッソ株式会社 | フレキシブルプリント基板の製造法 |
| JP3587884B2 (ja) * | 1994-07-21 | 2004-11-10 | 富士通株式会社 | 多層回路基板の製造方法 |
| JP3633252B2 (ja) | 1997-01-10 | 2005-03-30 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びその製造方法 |
| JPH10275966A (ja) | 1997-01-30 | 1998-10-13 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
| WO1998056220A1 (fr) * | 1997-06-06 | 1998-12-10 | Ibiden Co., Ltd. | Plaquette de circuit simple face et procede de fabrication de ladite plaquette |
| JP3867496B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2007-01-10 | 日本ピラー工業株式会社 | 多層回路基板およびその製造法 |
| JP4002117B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2007-10-31 | 古河電気工業株式会社 | 多層基板及びその製造方法 |
| JP4844294B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2011-12-28 | パナソニック株式会社 | 複合配線基板 |
| JP5110163B2 (ja) * | 2008-07-17 | 2012-12-26 | 株式会社村田製作所 | 部品内蔵モジュールの製造方法 |
| US11137241B2 (en) * | 2019-03-27 | 2021-10-05 | Vishay Advanced Technologies, Ltd. | Three dimensional strain gage |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0245998A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Hitachi Ltd | 薄膜多層配線基板 |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP2288796A patent/JP2536274B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04162589A (ja) | 1992-06-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |