JP2001007468A - 配線基板，多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents
配線基板，多層配線基板およびその製造方法Info
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- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁層の表裏両面に配線層を有し、絶縁層の
貫通孔内面に導電層を有する配線基板において、前記配
線層を、銅箔等を接着剤で接着した銅張り基板を用いな
い安価で薄型の配線基板，多層配線基板およびその製造
方法を提供する。 【解決手段】 絶縁層１にテーパ状の貫通孔２を形成
し、絶縁層１の表裏両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内
面２ａを粗面化して、パラジウム触媒を付与した後、無
電解めっき層により、または無電解めっき層の上に電解
めっき層を積層形成して、配線層３，４および導電層５
を同時に形成するとともに、貫通孔２の小径側端部を導
電層５で閉止した配線基板，多層配線基板およびその製
造方法。
貫通孔内面に導電層を有する配線基板において、前記配
線層を、銅箔等を接着剤で接着した銅張り基板を用いな
い安価で薄型の配線基板，多層配線基板およびその製造
方法を提供する。 【解決手段】 絶縁層１にテーパ状の貫通孔２を形成
し、絶縁層１の表裏両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内
面２ａを粗面化して、パラジウム触媒を付与した後、無
電解めっき層により、または無電解めっき層の上に電解
めっき層を積層形成して、配線層３，４および導電層５
を同時に形成するとともに、貫通孔２の小径側端部を導
電層５で閉止した配線基板，多層配線基板およびその製
造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等に用い
られる配線基板，多層配線基板およびその製造方法に関
し、より詳細には、単層両面配線基板または両面配線基
板、ビルドアップ配線基板等のフィルムを多層に積層し
て形成した多層配線基板とその製造方法に関する。
られる配線基板，多層配線基板およびその製造方法に関
し、より詳細には、単層両面配線基板または両面配線基
板、ビルドアップ配線基板等のフィルムを多層に積層し
て形成した多層配線基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種電子機器の組み立てに用いられる配
線基板として、従来はガラスエポキシ等の硬質基材に、
銅箔等の導体層を接着剤を介して接着した後、導体層を
所望の回路配線パターン形状に加工したものが使用され
てきたが、最近では樹脂フィルムを用いた配線基板が賞
用されている。そのようなフレキシブル配線基板の典型
的な二例について、以下説明する。
線基板として、従来はガラスエポキシ等の硬質基材に、
銅箔等の導体層を接着剤を介して接着した後、導体層を
所望の回路配線パターン形状に加工したものが使用され
てきたが、最近では樹脂フィルムを用いた配線基板が賞
用されている。そのようなフレキシブル配線基板の典型
的な二例について、以下説明する。
【０００３】図８は第一の従来例の配線基板Ｃの縦断面
図である。このような配線基板は、例えば特開平１０−
２２４０１４号公報に示されている。図８において、３
１はポリイミド樹脂等からなる絶縁層で、その表裏両面
に接着剤３２，３３により接着された銅箔等を、所望パ
ターンに形成してなる配線層３４，３５を有する。３６
は前記絶縁層３１をその表裏両面の配線層３４，３５と
ともに貫通する貫通孔である。３７は前記貫通孔３６の
内面から前記絶縁層３１の表裏両面に形成された配線層
３４，３５上にかけて形成されて、前記表裏両面の配線
層３４，３５を電気的に接続する導電層である。３８は
前記導電層３７の貫通孔３９に充填された導電物質また
は非導電物質である。４０は表面側の配線層３４および
導電層３７を一部を残して被覆するレジスト膜である。
４１、４２は、配線層３４，３５の上に形成された導体
層である。
図である。このような配線基板は、例えば特開平１０−
２２４０１４号公報に示されている。図８において、３
１はポリイミド樹脂等からなる絶縁層で、その表裏両面
に接着剤３２，３３により接着された銅箔等を、所望パ
ターンに形成してなる配線層３４，３５を有する。３６
は前記絶縁層３１をその表裏両面の配線層３４，３５と
ともに貫通する貫通孔である。３７は前記貫通孔３６の
内面から前記絶縁層３１の表裏両面に形成された配線層
３４，３５上にかけて形成されて、前記表裏両面の配線
層３４，３５を電気的に接続する導電層である。３８は
前記導電層３７の貫通孔３９に充填された導電物質また
は非導電物質である。４０は表面側の配線層３４および
導電層３７を一部を残して被覆するレジスト膜である。
４１、４２は、配線層３４，３５の上に形成された導体
層である。
【０００４】図９は第二の従来例の配線基板Ｄの縦断面
図である。このような配線基板は、例えば特開平９−６
４２３１号公報に記載されている。図９において、５１
はポリイミド樹脂等からなる絶縁層で、その表裏両面に
接着剤５２，５３により接着された銅箔等を、所望パタ
ーンに形成してなる配線層５４，５５を有する。５６は
前記絶縁層５１をその一表面の配線層５４とともに貫通
し、他方の面の配線層５５に達するバイアホールまたは
ヴィアホールと称される貫通孔である。５７は前記配線
層５４から前記貫通孔５６の内面を経て貫通孔５６の内
面に露出した配線層５５の内面にかけて形成されて、前
記表裏両面の配線層５４，５５を電気的に接続する導電
層である。５８は前記導電５７の凹部５９に充填された
導電物質または非導電物質である。６０は表面側の配線
層５４および導電層５７を一部を残して被覆するレジス
ト膜である。６１，６２は、配線５４，５５の上に形成
された導体層である。
図である。このような配線基板は、例えば特開平９−６
４２３１号公報に記載されている。図９において、５１
はポリイミド樹脂等からなる絶縁層で、その表裏両面に
接着剤５２，５３により接着された銅箔等を、所望パタ
ーンに形成してなる配線層５４，５５を有する。５６は
前記絶縁層５１をその一表面の配線層５４とともに貫通
し、他方の面の配線層５５に達するバイアホールまたは
ヴィアホールと称される貫通孔である。５７は前記配線
層５４から前記貫通孔５６の内面を経て貫通孔５６の内
面に露出した配線層５５の内面にかけて形成されて、前
記表裏両面の配線層５４，５５を電気的に接続する導電
層である。５８は前記導電５７の凹部５９に充填された
導電物質または非導電物質である。６０は表面側の配線
層５４および導電層５７を一部を残して被覆するレジス
ト膜である。６１，６２は、配線５４，５５の上に形成
された導体層である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の配線基板Ｃ，Ｄは、いずれも絶縁層３１，５１に
接着剤３２，３３または５２，５３で接着され、所望パ
ターンに形成された配線層３４，３５または５４，５５
を有するものであり、絶縁層３１，５１として、予め銅
箔等を接着した銅張り基板を使用しなければならないの
で、配線基板が高価になるのみならず、配線層３４，３
５または５４，５５の上に導電層３７または５７を重ね
て形成するので、配線層と導電層に段差が生じて薄型化
が困難であるという問題点があった。またファインピッ
チ化に伴って貫通孔が小さくなる傾向にあるが、従来例
では小さな貫通孔に充填物を注入することは困難になっ
てくる。
従来の配線基板Ｃ，Ｄは、いずれも絶縁層３１，５１に
接着剤３２，３３または５２，５３で接着され、所望パ
ターンに形成された配線層３４，３５または５４，５５
を有するものであり、絶縁層３１，５１として、予め銅
箔等を接着した銅張り基板を使用しなければならないの
で、配線基板が高価になるのみならず、配線層３４，３
５または５４，５５の上に導電層３７または５７を重ね
て形成するので、配線層と導電層に段差が生じて薄型化
が困難であるという問題点があった。またファインピッ
チ化に伴って貫通孔が小さくなる傾向にあるが、従来例
では小さな貫通孔に充填物を注入することは困難になっ
てくる。
【０００６】そこで、本発明は、銅箔等を接着剤で接着
することなく絶縁層の表裏両面および貫通孔内面に段差
が無く、直接に、しかも貫通孔の内面の導電層が貫通孔
を閉じている配線基板を提供することを目的とする。本
発明はまた、前記の構成を有する配線基板を複数積層し
てなる多層配線基板を提供することを目的とする。本発
明はさらに、上記の配線基板または多層配線基板の製造
方法を提供することを目的とする。
することなく絶縁層の表裏両面および貫通孔内面に段差
が無く、直接に、しかも貫通孔の内面の導電層が貫通孔
を閉じている配線基板を提供することを目的とする。本
発明はまた、前記の構成を有する配線基板を複数積層し
てなる多層配線基板を提供することを目的とする。本発
明はさらに、上記の配線基板または多層配線基板の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、絶
縁層が一つ以上の貫通孔と、両面に配線層と、前記貫通
孔内に導電層とを有する配線基板において、前記貫通孔
がテーパ状で、前記導電層が貫通孔内の小径側部で貫通
孔を閉止していることを特徴とする配線基板である。本
発明の多層配線基板は、配線基板を層間絶縁層および層
間導電体を介して複数層積層一体化したことを特徴とす
る多層配線基板である。本発明の配線基板の製造方法
は、絶縁層にテーパ状の貫通孔を形成する工程と、前記
絶縁層の両面の配線層および貫通孔の内面の導電層を同
時に一体に形成するとともに前記導電層で貫通孔の小径
側端部を閉止する工程とを有することを特徴とする配線
基板の製造方法である。
縁層が一つ以上の貫通孔と、両面に配線層と、前記貫通
孔内に導電層とを有する配線基板において、前記貫通孔
がテーパ状で、前記導電層が貫通孔内の小径側部で貫通
孔を閉止していることを特徴とする配線基板である。本
発明の多層配線基板は、配線基板を層間絶縁層および層
間導電体を介して複数層積層一体化したことを特徴とす
る多層配線基板である。本発明の配線基板の製造方法
は、絶縁層にテーパ状の貫通孔を形成する工程と、前記
絶縁層の両面の配線層および貫通孔の内面の導電層を同
時に一体に形成するとともに前記導電層で貫通孔の小径
側端部を閉止する工程とを有することを特徴とする配線
基板の製造方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
絶縁層が一つ以上の貫通孔と、両面に配線層と、前記貫
通孔内に導電層とを有する配線基板において、前記貫通
孔がテーパ状で、前記導電層が貫通孔内の小径側部で貫
通孔を閉止していることを特徴とする配線基板である。
絶縁層が一つ以上の貫通孔と、両面に配線層と、前記貫
通孔内に導電層とを有する配線基板において、前記貫通
孔がテーパ状で、前記導電層が貫通孔内の小径側部で貫
通孔を閉止していることを特徴とする配線基板である。
【０００９】本発明の請求項２記載の発明は、前記テー
パ状の貫通孔の中心軸に対する傾斜角度が１５〜６５
度、前記貫通孔の小径側の直径Φが１０〜４０μｍ、前
記配線層及び導電層の厚さｔが５〜３０μｍであり、か
つΦ≦２ｔの関係に設定したことを特徴とする請求項１
記載の配線基板である。
パ状の貫通孔の中心軸に対する傾斜角度が１５〜６５
度、前記貫通孔の小径側の直径Φが１０〜４０μｍ、前
記配線層及び導電層の厚さｔが５〜３０μｍであり、か
つΦ≦２ｔの関係に設定したことを特徴とする請求項１
記載の配線基板である。
【００１０】本発明の請求項３記載の発明は、前記配線
層および導電層が、銅または銅合金からなり、前記絶縁
層に接着剤を介することなく形成され、かつ配線層と導
電層とが一体に形成されていることを特徴とする請求項
１または２記載の配線基板である。
層および導電層が、銅または銅合金からなり、前記絶縁
層に接着剤を介することなく形成され、かつ配線層と導
電層とが一体に形成されていることを特徴とする請求項
１または２記載の配線基板である。
【００１１】本発明の請求項４記載の発明は、前記配線
層および導電層が、無電解めっき層、または無電解めっ
き層の上に電解めっき層を積層したもののいずれかで形
成されている請求項１ないし３記載の配線基板である。
層および導電層が、無電解めっき層、または無電解めっ
き層の上に電解めっき層を積層したもののいずれかで形
成されている請求項１ないし３記載の配線基板である。
【００１２】本発明の請求項５記載の発明は、前記絶縁
層の表面と貫通孔の内面とが、０．１〜１０μｍの粗面
に形成されていることを特徴とする請求項１ないし４記
載の配線基板である。
層の表面と貫通孔の内面とが、０．１〜１０μｍの粗面
に形成されていることを特徴とする請求項１ないし４記
載の配線基板である。
【００１３】本発明の請求項６記載の発明は、前記配線
層の上の一部または全部に、電気接続用の金属層を有す
ることを特徴とする請求項１ないし５記載の配線基板で
ある。
層の上の一部または全部に、電気接続用の金属層を有す
ることを特徴とする請求項１ないし５記載の配線基板で
ある。
【００１４】本発明の請求項７記載の発明は、前記金属
層が、金層またはパラジウム層により、またはニッケル
層の上に金層またはパラジウム層を積層して形成されて
いることを特徴とする請求項１ないし６記載の配線基板
である。
層が、金層またはパラジウム層により、またはニッケル
層の上に金層またはパラジウム層を積層して形成されて
いることを特徴とする請求項１ないし６記載の配線基板
である。
【００１５】本発明の請求項８記載の発明は、前記請求
項１ないし７記載の配線基板を層間絶縁層および層間導
電体を介して複数層積層一体化したことを特徴とする多
層配線基板である。
項１ないし７記載の配線基板を層間絶縁層および層間導
電体を介して複数層積層一体化したことを特徴とする多
層配線基板である。
【００１６】本発明の請求項９記載の発明は、前記層間
絶縁層が、ガラス転移温度Ｔｇが１５０℃以上の接着性
樹脂または熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項
８記載の多層配線基板である。
絶縁層が、ガラス転移温度Ｔｇが１５０℃以上の接着性
樹脂または熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項
８記載の多層配線基板である。
【００１７】本発明の請求項１０記載の発明は、前記層
間導電体が、錫，鉛，銀，銅，金，アルミニウムからな
る単体金属、またはこれら二以上の合金、またはこれら
を主成分とし他の金属をも含有する合金またはそれらを
含む導電ペーストからなることを特徴とする請求項９記
載の多層配線基板である。
間導電体が、錫，鉛，銀，銅，金，アルミニウムからな
る単体金属、またはこれら二以上の合金、またはこれら
を主成分とし他の金属をも含有する合金またはそれらを
含む導電ペーストからなることを特徴とする請求項９記
載の多層配線基板である。
【００１８】本発明の請求項１１記載の発明は、絶縁層
にテーパ状の貫通孔を形成する工程と、前記絶縁層の両
面のおよび貫通孔の内面をウェット法またはドライ法で
粗面化する工程と、前記粗面化された面にめっき触媒を
付与する工程と、前記めっき触媒を付与された絶縁層の
両面および前記貫通孔の内面の粗面に配線層および導電
層を同時に一体に形成するとともに前記導電層で貫通孔
の小径側端部を閉止する工程とを有することを特徴とす
る配線基板の製造方法である。
にテーパ状の貫通孔を形成する工程と、前記絶縁層の両
面のおよび貫通孔の内面をウェット法またはドライ法で
粗面化する工程と、前記粗面化された面にめっき触媒を
付与する工程と、前記めっき触媒を付与された絶縁層の
両面および前記貫通孔の内面の粗面に配線層および導電
層を同時に一体に形成するとともに前記導電層で貫通孔
の小径側端部を閉止する工程とを有することを特徴とす
る配線基板の製造方法である。
【００１９】本発明の請求項１２記載の発明は、前記配
線層および導電層を、無電解めっき層、または無電解め
っき層の上に電解めっき層を積層して形成することを特
徴とする請求項１１記載の配線基板の製造方法である。
線層および導電層を、無電解めっき層、または無電解め
っき層の上に電解めっき層を積層して形成することを特
徴とする請求項１１記載の配線基板の製造方法である。
【００２０】本発明の請求項１３記載の発明は、前記絶
縁基板の両面全面および貫通孔内面に無電解めっき法に
より薄膜めっき層を形成する工程と、前記薄膜めっき層
の配線層および導電層となる部分を除いてレジスト膜を
形成する工程と、レジスト膜で被覆されていない薄膜め
っき層の上に無電解めっき法により、または電解めっき
法により、または無電解めっき法に続いて電解めっき法
により配線層および導電層を形成する工程と、レジスト
膜を除去した後それによって露出した薄膜めっき層をエ
ッチングにより除去する工程とを有することを特徴とす
る請求項１１ないし１２記載の配線基板の製造方法であ
る。
縁基板の両面全面および貫通孔内面に無電解めっき法に
より薄膜めっき層を形成する工程と、前記薄膜めっき層
の配線層および導電層となる部分を除いてレジスト膜を
形成する工程と、レジスト膜で被覆されていない薄膜め
っき層の上に無電解めっき法により、または電解めっき
法により、または無電解めっき法に続いて電解めっき法
により配線層および導電層を形成する工程と、レジスト
膜を除去した後それによって露出した薄膜めっき層をエ
ッチングにより除去する工程とを有することを特徴とす
る請求項１１ないし１２記載の配線基板の製造方法であ
る。
【００２１】本発明の請求項１４記載の発明は、前記絶
縁層の両面および貫通孔内面に、配線層および導電層と
なる部分を除いてレジスト膜を形成する工程と、前記レ
ジスト膜から露出する絶縁層に無電解めっき法によりま
たは無電解めっき法に続いて電解めっき法により配線層
および導電層を形成する工程とレジスト膜を除去する工
程とを含むことを特徴とする請求項１１ないし１２記載
の配線基板の製造方法である。
縁層の両面および貫通孔内面に、配線層および導電層と
なる部分を除いてレジスト膜を形成する工程と、前記レ
ジスト膜から露出する絶縁層に無電解めっき法によりま
たは無電解めっき法に続いて電解めっき法により配線層
および導電層を形成する工程とレジスト膜を除去する工
程とを含むことを特徴とする請求項１１ないし１２記載
の配線基板の製造方法である。
【００２２】本発明の請求項１５記載の発明は、前記絶
縁基板の両面全面および貫通孔内面に無電解めっき法に
より薄膜めっき層を形成する工程と、薄膜めっき層の上
に無電解めっき法により、または電解めっき法により、
または無電解めっき法に続いて電解めっき法により厚膜
めっき層を形成する工程と、前記厚膜めっき層の配線層
および導電層となる部分にレジスト膜を形成する工程
と、レジスト膜で被覆されていない厚膜めっき層をエッ
チングにより除去する工程と、レジスト膜を除去する工
程とを有することを特徴とする請求項１１または１２記
載の配線基板の製造方法である。
縁基板の両面全面および貫通孔内面に無電解めっき法に
より薄膜めっき層を形成する工程と、薄膜めっき層の上
に無電解めっき法により、または電解めっき法により、
または無電解めっき法に続いて電解めっき法により厚膜
めっき層を形成する工程と、前記厚膜めっき層の配線層
および導電層となる部分にレジスト膜を形成する工程
と、レジスト膜で被覆されていない厚膜めっき層をエッ
チングにより除去する工程と、レジスト膜を除去する工
程とを有することを特徴とする請求項１１または１２記
載の配線基板の製造方法である。
【００２３】本発明の請求項１６記載の発明は、少なく
とも前記配線層および導電層となる部分に、ドライプロ
セスで導電薄膜を形成する工程と、その導電薄膜の上に
無電解めっき法によりまたは電解めっき法によりまたは
無電解めっき法の上に電解めっき法により導電層を形成
する工程とを含むことを特徴とする請求項１３ないし１
５記載の配線基板の製造方法である。
とも前記配線層および導電層となる部分に、ドライプロ
セスで導電薄膜を形成する工程と、その導電薄膜の上に
無電解めっき法によりまたは電解めっき法によりまたは
無電解めっき法の上に電解めっき法により導電層を形成
する工程とを含むことを特徴とする請求項１３ないし１
５記載の配線基板の製造方法である。
【００２４】本発明の請求項１７記載の発明は、前記貫
通孔を、レーザにより形成することを特徴とする請求項
１１ないし１６記載の配線基板の製造方法である。
通孔を、レーザにより形成することを特徴とする請求項
１１ないし１６記載の配線基板の製造方法である。
【００２５】本発明の請求項１８記載の発明は、前記貫
通孔を、強アルカリ性の液でエッチングして形成するこ
とを特徴とする請求項１１ないし１６記載の配線基板の
製造方法である。
通孔を、強アルカリ性の液でエッチングして形成するこ
とを特徴とする請求項１１ないし１６記載の配線基板の
製造方法である。
【００２６】本発明の請求項１９記載の発明は、前記請
求項１ないし１０記載の配線基板を、配線層または金属
層の相互間を層間導電体を介して接続するとともに層間
絶縁層を介在して積層する工程と、この積層体を真空中
で加熱加圧して一体化する工程とを含むことを特徴とす
る多層配線基板の製造方法である。
求項１ないし１０記載の配線基板を、配線層または金属
層の相互間を層間導電体を介して接続するとともに層間
絶縁層を介在して積層する工程と、この積層体を真空中
で加熱加圧して一体化する工程とを含むことを特徴とす
る多層配線基板の製造方法である。
【００２７】本発明の請求項２０記載の発明は、前記層
間絶縁層を、液状の接着性樹脂または熱可塑性樹脂を塗
布，印刷，転写して形成することを特徴とする請求項１
９記載の多層配線基板の製造方法である。
間絶縁層を、液状の接着性樹脂または熱可塑性樹脂を塗
布，印刷，転写して形成することを特徴とする請求項１
９記載の多層配線基板の製造方法である。
【００２８】本発明の請求項２１記載の発明は、前記層
間絶縁層を、フィルム状の接着性樹脂または熱可塑性樹
脂を熱ラミネート，真空ラミネート，真空熱ラミネート
して形成することを特徴とする請求項１９記載の多層配
線基板の製造方法である。
間絶縁層を、フィルム状の接着性樹脂または熱可塑性樹
脂を熱ラミネート，真空ラミネート，真空熱ラミネート
して形成することを特徴とする請求項１９記載の多層配
線基板の製造方法である。
【００２９】
【実施例】本発明の実施例の配線基板について、以下、
図面を参照して説明する。図１は本発明の実施例の配線
基板Ａの縦断面図である。図１において、１は絶縁層
で、従来と同様のものが使用できるが、好ましくは、例
えば全芳香族ポリエステル液晶ポリマーフィルムが用い
られる。全芳香族ポリエステル液晶ポリマーフィルム
は、例えば、Ｋ社製のＣＴ材で、熱膨張係数が１５〜２
０×１０-6／℃、水蒸気透過率が０．１３ｇ・２０μ／
ｍ２・ｄａｙ（４０℃，９０％ＲＨ）、吸水率が０．０
４％（２３℃，２４Ｈ ）、ガラス転移温度が３１５℃
の諸特性を有する。なお、このように絶縁層１として、
上記の全芳香族ポリエステル液晶ポリマーフィルムを用
いれば、後述するような各種の優れた特長が得られる
が、それ以外にポリイミド、エポキシ、ポリエステル等
の可撓性を有する高耐熱性樹脂フィルムを用いることが
できる。２は前記絶縁層１を貫通する内面がテーパ状の
貫通孔である。この貫通孔２のテーパ状内面の中心軸に
対する傾斜角度θは、１５〜６５°に設定されている。
前記絶縁層１の表裏両面１ａ，１ｂおよび前記貫通孔２
の内壁面２ａは、図１に示すように、その表面粗度が
０．１〜１０μｍ，好ましくは０．５〜５μｍ程度の粗
面に形成されている。そして、絶縁層１の粗面化した表
裏両面１ａ，１ｂに、接着剤を介することなく、例えば
銅等よりなる配線層３，４が形成されている。また、前
記粗面化した貫通孔２の内面２ａに、接着剤を介するこ
となく、例えば銅等よりなる導電層５が形成されてい
る。さらに配線層３，４と導電層５とは一体に形成され
かつ貫通孔２の小径部を閉じるように形成されている。
ここで、前記貫通孔２の小径側の直径Φと、配線層３，
４および導電層５の厚さｔとは、Φ≦２ｔの関係に設定
されている。例えば貫通孔２の小径側の直径Φは、１０
〜４０μｍに設定され、前記配線層３，４および導電層
５の厚さｔは、５〜３０μｍに設定されている。また、
絶縁層１の表面側（図１の上側）の配線層３および導電
層５は一部を残してレジスト膜６によって被覆されてお
り、そのレジスト膜６によって被覆されていない部分
に、例えば金等よりなる導体層７が形成されており、裏
面側（図１の下側）の配線層４の一部にも例えば金等よ
りなる導体層８が形成されている。なお、導体層７，８
は金で形成する代わりに、ニッケル層の上に金層を積層
形成してもよい、
図面を参照して説明する。図１は本発明の実施例の配線
基板Ａの縦断面図である。図１において、１は絶縁層
で、従来と同様のものが使用できるが、好ましくは、例
えば全芳香族ポリエステル液晶ポリマーフィルムが用い
られる。全芳香族ポリエステル液晶ポリマーフィルム
は、例えば、Ｋ社製のＣＴ材で、熱膨張係数が１５〜２
０×１０-6／℃、水蒸気透過率が０．１３ｇ・２０μ／
ｍ２・ｄａｙ（４０℃，９０％ＲＨ）、吸水率が０．０
４％（２３℃，２４Ｈ ）、ガラス転移温度が３１５℃
の諸特性を有する。なお、このように絶縁層１として、
上記の全芳香族ポリエステル液晶ポリマーフィルムを用
いれば、後述するような各種の優れた特長が得られる
が、それ以外にポリイミド、エポキシ、ポリエステル等
の可撓性を有する高耐熱性樹脂フィルムを用いることが
できる。２は前記絶縁層１を貫通する内面がテーパ状の
貫通孔である。この貫通孔２のテーパ状内面の中心軸に
対する傾斜角度θは、１５〜６５°に設定されている。
前記絶縁層１の表裏両面１ａ，１ｂおよび前記貫通孔２
の内壁面２ａは、図１に示すように、その表面粗度が
０．１〜１０μｍ，好ましくは０．５〜５μｍ程度の粗
面に形成されている。そして、絶縁層１の粗面化した表
裏両面１ａ，１ｂに、接着剤を介することなく、例えば
銅等よりなる配線層３，４が形成されている。また、前
記粗面化した貫通孔２の内面２ａに、接着剤を介するこ
となく、例えば銅等よりなる導電層５が形成されてい
る。さらに配線層３，４と導電層５とは一体に形成され
かつ貫通孔２の小径部を閉じるように形成されている。
ここで、前記貫通孔２の小径側の直径Φと、配線層３，
４および導電層５の厚さｔとは、Φ≦２ｔの関係に設定
されている。例えば貫通孔２の小径側の直径Φは、１０
〜４０μｍに設定され、前記配線層３，４および導電層
５の厚さｔは、５〜３０μｍに設定されている。また、
絶縁層１の表面側（図１の上側）の配線層３および導電
層５は一部を残してレジスト膜６によって被覆されてお
り、そのレジスト膜６によって被覆されていない部分
に、例えば金等よりなる導体層７が形成されており、裏
面側（図１の下側）の配線層４の一部にも例えば金等よ
りなる導体層８が形成されている。なお、導体層７，８
は金で形成する代わりに、ニッケル層の上に金層を積層
形成してもよい、
【００３４】すなわち、本発明の配線基板Ａの特徴の第
一は、絶縁層１の表裏両面および貫通孔の内面に、接着
剤を介在することなく配線層３，４および導電層５を形
成していることであり、第二に貫通孔２の小径側の直径
Φと、配線層３，４および導電層５の厚さｔとの寸法
を、上記のような特定の関係に設定することにより、導
電層５および配線層４そのものでもって貫通孔２を閉じ
るようにしていることである。上記の構成によって、絶
縁層１の表裏両面に予め接着剤で銅箔等を接着した銅張
り絶縁層を使用しなくてよくなるのみならず、貫通孔２
の孔埋めのために例えば導電ペースト等を充填する必要
がなく、製造容易で、原価低減ができるという特長があ
る。
一は、絶縁層１の表裏両面および貫通孔の内面に、接着
剤を介在することなく配線層３，４および導電層５を形
成していることであり、第二に貫通孔２の小径側の直径
Φと、配線層３，４および導電層５の厚さｔとの寸法
を、上記のような特定の関係に設定することにより、導
電層５および配線層４そのものでもって貫通孔２を閉じ
るようにしていることである。上記の構成によって、絶
縁層１の表裏両面に予め接着剤で銅箔等を接着した銅張
り絶縁層を使用しなくてよくなるのみならず、貫通孔２
の孔埋めのために例えば導電ペースト等を充填する必要
がなく、製造容易で、原価低減ができるという特長があ
る。
【００３５】また、図１に示す配線基板Ａは、絶縁層１
の表裏両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内壁面２ａが粗
面化されて、その上に配線層３，４および導電層５が面
一に形成されているので、図８や図９に示すような、配
線層３４，３５と導電層３７との間および配線層５４，
５５と導電層５７との間の段差はなく、両者の段差に起
因する各種の不都合はなくなる。また、絶縁層１の表裏
両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内壁面２ａが粗面化さ
れて、その上に配線層３，４および導電層５が形成され
ているので、絶縁層１と配線層３，４および導電層５と
の密着強度は著しく大きく、したがって、絶縁層１と配
線層３，４の間および絶縁層１と導電層５間で剥離が生
じないという特長がある。
の表裏両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内壁面２ａが粗
面化されて、その上に配線層３，４および導電層５が面
一に形成されているので、図８や図９に示すような、配
線層３４，３５と導電層３７との間および配線層５４，
５５と導電層５７との間の段差はなく、両者の段差に起
因する各種の不都合はなくなる。また、絶縁層１の表裏
両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内壁面２ａが粗面化さ
れて、その上に配線層３，４および導電層５が形成され
ているので、絶縁層１と配線層３，４および導電層５と
の密着強度は著しく大きく、したがって、絶縁層１と配
線層３，４の間および絶縁層１と導電層５間で剥離が生
じないという特長がある。
【００３６】次に、本発明の配線基板Ａの製造方法例に
ついて説明する。図２は本発明の配線基板Ａの第一の製
造方法の工程ブロック図を示し、図３（ａ）ないし
（ｅ）および図４（ａ）ないし（ｄ）は本発明の配線基
板の製造工程の各工程における絶縁層等の縦断面図を示
す。以下、上記図２ないし図４を用いて本発明の配線基
板の製造方法について説明する。まず、例えば液晶ポリ
マーフィルム等からなる絶縁層１を用意する［図２
（ａ）,図３（ａ）］。次に、絶縁層１の所定位置にテ
ーパ状の貫通孔２を形成する［（図２（ｂ），図３
（ｂ））。この貫通孔２の形成は、レーザ加工方法が精
度の高い加工ができて有利であるが、機械的加工や強ア
ルカリ液等による化学的加工でもよい。このテーパ状の
貫通孔２の小径側の直径Φは１０〜４０μｍに形成さ
れ、またテーパ面の中心軸に対する傾斜角度θは、１５
〜６５°に形成される。ここで、貫通孔２の小径側の直
径Φが１０μｍ未満では、貫通孔２内へのめっき液の流
れが悪くなって、導電層５の形成速度が小さくなり過
ぎ、４０μｍを超えると配線層４および導電層５によっ
て貫通孔２を閉止することが困難になる。したがって、
貫通孔２の小径側の直径Φは、１０〜４０μｍに限定さ
れる。また、貫通孔２の中心軸に対する傾斜角度θが１
５°未満では、孔径が小さ過ぎて導電層５の形成が困難
になるとともに、貫通孔２の肩部で配線層３と導電層５
との間の接続が不安定になるし、６５°を超えると大径
側の直径が大きくなり過ぎて、集積密度が低くなる。し
たがって、貫通孔２のテーパ面の傾斜角度θは１５〜６
５°に限定される。この絶縁層１の表裏両面１ａ，１ｂ
および貫通孔２の内面２ａは平滑であるため、この表裏
両面１ａ，１ｂおよび内面２ａに直接無電解銅めっき法
等で配線層３，４および導電層５を形成することはでき
ない。次に、前記絶縁層１の表裏両面１ａ，１ｂおよび
貫通孔２の内面２ａをウェットブラスト処理または液体
ホーニングと称される粗面化処理を施して、表面粗度が
０．１〜１０μｍ程度、好ましくは０．５〜５μｍ程度
に粗面化する［（図２（ｃ），図３（ｃ））。前記粗面
化処理は、例えば粒径が５〜３００μｍ程度で硬度がヌ
ープ硬度で１３００〜２５００の範囲（またはモース硬
度で７〜１５の範囲）の多角状の砥粒を用いて、ポンプ
圧力１〜５ｋｇ／ｃｍ２２、砥粒と液体との比率は５〜
４０ｖｏｌ％程度の条件で実施する。次に、上記絶縁層
１の粗面化した表裏両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内
面２ａの全面を、パラジウム処理等によってめっき触媒
を付与した後、直接例えば無電解銅めっきを施して、厚
さｔが５〜８０μｍの導体層３４５を形成する。前記無
電解銅めっきに代えて、無電解銅めっき層を形成した後
この無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を形成し
て、厚さｔが５〜８０μｍ程度の導体層３４５を形成す
るようにしてもよい。このとき、貫通孔２の小径側の直
径Φと、導体層３４５の厚さｔとが、Φ≦２ｔの関係に
設定されているので、裏面の導体層３４５および貫通孔
２内の導体層３４５によって、貫通孔２の小径側の端部
は閉止される［（図２（ｄ），図３（ｄ）］。次に、こ
の表裏両面の導体層３４５の上に所望パターンのレジス
ト膜９，１０を形成する［図２（ｅ），図３（ｅ）］。
次に、前記レジスト膜９，１０で被覆されていない導体
層３４５をエッチングにより除去して、所望パターンの
配線層３，４および導電層５を形成する［図２（ｆ），
図４（ａ）］。次に、レジスト膜９，１０を除去する
と、所望パターンの配線層３，４および導電層５が現れ
る［図２（ｇ），図４（ｂ）］。次に、表裏両面の配線
層３，４および導電層５の上に、一部を残して所望パタ
ーンのレジスト膜１１，１２を形成する［図２（ｈ），
図４（ｃ）］。次に、レジスト膜１１，１２から露出す
る配線層３，４に、無電解めっき法により、または電解
めっき法により、または無電解めっき法の後に電解めっ
き法により、金等よりなる導体層７，８を形成する［２
（ｉ），４（ｄ）］。この後、必要に応じて裏面の不要
なレジスト膜１２を除去する。あるいは表裏両面のレジ
スト膜１１，１２を一旦除去した後、新たに表面側の必
要部分のみにレジスト膜６を形成する。以上の各工程を
経て、図１に示す本発明の配線基板Ａが製作される。
ついて説明する。図２は本発明の配線基板Ａの第一の製
造方法の工程ブロック図を示し、図３（ａ）ないし
（ｅ）および図４（ａ）ないし（ｄ）は本発明の配線基
板の製造工程の各工程における絶縁層等の縦断面図を示
す。以下、上記図２ないし図４を用いて本発明の配線基
板の製造方法について説明する。まず、例えば液晶ポリ
マーフィルム等からなる絶縁層１を用意する［図２
（ａ）,図３（ａ）］。次に、絶縁層１の所定位置にテ
ーパ状の貫通孔２を形成する［（図２（ｂ），図３
（ｂ））。この貫通孔２の形成は、レーザ加工方法が精
度の高い加工ができて有利であるが、機械的加工や強ア
ルカリ液等による化学的加工でもよい。このテーパ状の
貫通孔２の小径側の直径Φは１０〜４０μｍに形成さ
れ、またテーパ面の中心軸に対する傾斜角度θは、１５
〜６５°に形成される。ここで、貫通孔２の小径側の直
径Φが１０μｍ未満では、貫通孔２内へのめっき液の流
れが悪くなって、導電層５の形成速度が小さくなり過
ぎ、４０μｍを超えると配線層４および導電層５によっ
て貫通孔２を閉止することが困難になる。したがって、
貫通孔２の小径側の直径Φは、１０〜４０μｍに限定さ
れる。また、貫通孔２の中心軸に対する傾斜角度θが１
５°未満では、孔径が小さ過ぎて導電層５の形成が困難
になるとともに、貫通孔２の肩部で配線層３と導電層５
との間の接続が不安定になるし、６５°を超えると大径
側の直径が大きくなり過ぎて、集積密度が低くなる。し
たがって、貫通孔２のテーパ面の傾斜角度θは１５〜６
５°に限定される。この絶縁層１の表裏両面１ａ，１ｂ
および貫通孔２の内面２ａは平滑であるため、この表裏
両面１ａ，１ｂおよび内面２ａに直接無電解銅めっき法
等で配線層３，４および導電層５を形成することはでき
ない。次に、前記絶縁層１の表裏両面１ａ，１ｂおよび
貫通孔２の内面２ａをウェットブラスト処理または液体
ホーニングと称される粗面化処理を施して、表面粗度が
０．１〜１０μｍ程度、好ましくは０．５〜５μｍ程度
に粗面化する［（図２（ｃ），図３（ｃ））。前記粗面
化処理は、例えば粒径が５〜３００μｍ程度で硬度がヌ
ープ硬度で１３００〜２５００の範囲（またはモース硬
度で７〜１５の範囲）の多角状の砥粒を用いて、ポンプ
圧力１〜５ｋｇ／ｃｍ２２、砥粒と液体との比率は５〜
４０ｖｏｌ％程度の条件で実施する。次に、上記絶縁層
１の粗面化した表裏両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内
面２ａの全面を、パラジウム処理等によってめっき触媒
を付与した後、直接例えば無電解銅めっきを施して、厚
さｔが５〜８０μｍの導体層３４５を形成する。前記無
電解銅めっきに代えて、無電解銅めっき層を形成した後
この無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を形成し
て、厚さｔが５〜８０μｍ程度の導体層３４５を形成す
るようにしてもよい。このとき、貫通孔２の小径側の直
径Φと、導体層３４５の厚さｔとが、Φ≦２ｔの関係に
設定されているので、裏面の導体層３４５および貫通孔
２内の導体層３４５によって、貫通孔２の小径側の端部
は閉止される［（図２（ｄ），図３（ｄ）］。次に、こ
の表裏両面の導体層３４５の上に所望パターンのレジス
ト膜９，１０を形成する［図２（ｅ），図３（ｅ）］。
次に、前記レジスト膜９，１０で被覆されていない導体
層３４５をエッチングにより除去して、所望パターンの
配線層３，４および導電層５を形成する［図２（ｆ），
図４（ａ）］。次に、レジスト膜９，１０を除去する
と、所望パターンの配線層３，４および導電層５が現れ
る［図２（ｇ），図４（ｂ）］。次に、表裏両面の配線
層３，４および導電層５の上に、一部を残して所望パタ
ーンのレジスト膜１１，１２を形成する［図２（ｈ），
図４（ｃ）］。次に、レジスト膜１１，１２から露出す
る配線層３，４に、無電解めっき法により、または電解
めっき法により、または無電解めっき法の後に電解めっ
き法により、金等よりなる導体層７，８を形成する［２
（ｉ），４（ｄ）］。この後、必要に応じて裏面の不要
なレジスト膜１２を除去する。あるいは表裏両面のレジ
スト膜１１，１２を一旦除去した後、新たに表面側の必
要部分のみにレジスト膜６を形成する。以上の各工程を
経て、図１に示す本発明の配線基板Ａが製作される。
【００３７】以上の製造方法によれば、絶縁層１の表裏
両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内面２ａを粗面化する
ことにより、接着剤を介在することなく直接無電解めっ
きが可能になるので、表裏両面に接着剤を介して銅箔等
を接着した銅張り基板を用いる必要がなく、通常のポリ
イミドやポリマーフィルム等を用いることができるの
で、絶縁層１のコストが低くて済む特長がある。また、
絶縁層１表裏両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内面２ａ
に、配線層３，４および導電層５を同時に形成できるの
で、これらを順次形成する方法に比較して、容易かつ短
時間で形成でき、製造工程および製造時間を短縮できる
という特長がある。さらに、上記の製造方法によれば、
表面の配線層３と導電層５は一体に形成されているの
で、従来の銅箔をエッチングした配線層３４，５４の上
に導電層３７，５７を積層形成するものに比較して、薄
型化ができるという特徴がある。さらにまた、貫通孔３
６，５６に導電ペースト等を充填する必要がないので、
原価低減ができるという特徴がある。なお、ここにい
う、導電ペースト等を充填する必要がないということ
は、充填することを許容しないことを意味するものでは
ない。
両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内面２ａを粗面化する
ことにより、接着剤を介在することなく直接無電解めっ
きが可能になるので、表裏両面に接着剤を介して銅箔等
を接着した銅張り基板を用いる必要がなく、通常のポリ
イミドやポリマーフィルム等を用いることができるの
で、絶縁層１のコストが低くて済む特長がある。また、
絶縁層１表裏両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内面２ａ
に、配線層３，４および導電層５を同時に形成できるの
で、これらを順次形成する方法に比較して、容易かつ短
時間で形成でき、製造工程および製造時間を短縮できる
という特長がある。さらに、上記の製造方法によれば、
表面の配線層３と導電層５は一体に形成されているの
で、従来の銅箔をエッチングした配線層３４，５４の上
に導電層３７，５７を積層形成するものに比較して、薄
型化ができるという特徴がある。さらにまた、貫通孔３
６，５６に導電ペースト等を充填する必要がないので、
原価低減ができるという特徴がある。なお、ここにい
う、導電ペースト等を充填する必要がないということ
は、充填することを許容しないことを意味するものでは
ない。
【００３８】なお、上記実施例に示したように、絶縁層
１として全芳香族ポリエステル液晶ポリマーフィルムを
用いる配線基板Ａによれば、絶縁層１の吸水率が０．０
４％（２３℃，２４Ｈ）と、従来のポリイミド樹脂フィ
ルムの吸水率２．９％（２３℃，２４Ｈ）に比較して約
７０分の１であり、これに伴って、配線層３，４および
導電層５の形成前の絶縁層１の粗面化のためのウェット
ブラスト処理または液体ホーニング処理工程や、その後
のソルダーレジスト形成工程等における吸湿寸法変化率
は４×１０-6／℃（ＲＨ）と、従来のポリイミド樹脂フ
ィルムの吸湿寸法変化率２２×１０−６／℃（ＲＨ）と
比較して約５分の１に低減でき、回路配線パターンの変
形等が生じない配線基板Ａが提供できるという特長があ
る。しかしながら、本発明の絶縁層１の材料としては、
全芳香族ポリエステル液晶ポリマーフィルムのみに限定
されるものではなく、ポリイミドフィルム等の他のポリ
マーフィルムも使用できるものである。
１として全芳香族ポリエステル液晶ポリマーフィルムを
用いる配線基板Ａによれば、絶縁層１の吸水率が０．０
４％（２３℃，２４Ｈ）と、従来のポリイミド樹脂フィ
ルムの吸水率２．９％（２３℃，２４Ｈ）に比較して約
７０分の１であり、これに伴って、配線層３，４および
導電層５の形成前の絶縁層１の粗面化のためのウェット
ブラスト処理または液体ホーニング処理工程や、その後
のソルダーレジスト形成工程等における吸湿寸法変化率
は４×１０-6／℃（ＲＨ）と、従来のポリイミド樹脂フ
ィルムの吸湿寸法変化率２２×１０−６／℃（ＲＨ）と
比較して約５分の１に低減でき、回路配線パターンの変
形等が生じない配線基板Ａが提供できるという特長があ
る。しかしながら、本発明の絶縁層１の材料としては、
全芳香族ポリエステル液晶ポリマーフィルムのみに限定
されるものではなく、ポリイミドフィルム等の他のポリ
マーフィルムも使用できるものである。
【００３９】なお、上記実施例の配線基板Ａの製造方法
では、絶縁層１の表裏両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の
内面２ａを粗面化しパラジウム等によりめっき触媒を付
加した後、全面に導体層３４５を形成して、この導体層
３４５をレジスト膜９，１０を用いたエッチングによっ
て所望パターンの配線層３，４および導電層５を形成す
る方法について説明したが、図５の工程ブロック図に示
すように、図２の（ａ）ないし（ｃ）までの各工程と同
様に、絶縁層１を用意し、貫通孔２を形成した後、その
表裏両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内面２ａを粗面化
し、さらにパラジウム等によりめっき触媒を付加した後
［図５（ａ）ないし（ｃ）］、絶縁層１の表裏両面に所
望の配線層３，４および導電層５の形状に一致する形状
の開口部を有するレジスト膜１３，１４を形成し［図５
（ｄ）］、このレジスト膜１３，１４の開口部から露出
している絶縁層１の上に、無電解めっき法により、また
は無電解めっき法の後に電解めっき法により配線層３，
４および導電層５を形成し［図５（ｅ）］、レジスト膜
１３，１４を除去し［図５（ｆ）］、再び所望パターン
のレジスト膜１５，１６を形成して［図５（ｇ）］、導
体層７，８を形成する［図５（ｈ）］方法を採用しても
よい。
では、絶縁層１の表裏両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の
内面２ａを粗面化しパラジウム等によりめっき触媒を付
加した後、全面に導体層３４５を形成して、この導体層
３４５をレジスト膜９，１０を用いたエッチングによっ
て所望パターンの配線層３，４および導電層５を形成す
る方法について説明したが、図５の工程ブロック図に示
すように、図２の（ａ）ないし（ｃ）までの各工程と同
様に、絶縁層１を用意し、貫通孔２を形成した後、その
表裏両面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内面２ａを粗面化
し、さらにパラジウム等によりめっき触媒を付加した後
［図５（ａ）ないし（ｃ）］、絶縁層１の表裏両面に所
望の配線層３，４および導電層５の形状に一致する形状
の開口部を有するレジスト膜１３，１４を形成し［図５
（ｄ）］、このレジスト膜１３，１４の開口部から露出
している絶縁層１の上に、無電解めっき法により、また
は無電解めっき法の後に電解めっき法により配線層３，
４および導電層５を形成し［図５（ｅ）］、レジスト膜
１３，１４を除去し［図５（ｆ）］、再び所望パターン
のレジスト膜１５，１６を形成して［図５（ｇ）］、導
体層７，８を形成する［図５（ｈ）］方法を採用しても
よい。
【００４０】また、図６の工程ブロック図に示すよう
に、図５の（ａ）ないし（ｃ）までの各工程と同様に、
絶縁層１を用意し、貫通孔２を形成した後、その表裏両
面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内面２ａを粗面化し、さ
らにパラジウム等によりめっき触媒を付加した後［図６
（ａ）ないし（ｃ）］、無電解銅めっき法により薄膜銅
めっき層を形成し［図６（ｄ）］、絶縁層１の表裏両面
の薄膜銅めっき層に所望の配線層３，４および導電層５
の形状に一致する形状の開口部を有するレジスト膜１
７，１８を形成し［図６（ｅ）］、このレジスト膜１
７，１８の開口部から露出している薄膜銅めっき層の上
に、無電解めっき法により、または電解めっき法によ
り、または無電解めっき法の後に電解めっき法により配
線層３，４および導電層５を形成し［図６（ｆ）］、レ
ジスト膜１７，１８を除去し［図６（ｇ）］、レジスト
膜１７，１８に隠れていた薄膜銅めっき層をエッチング
法で除去し［図６（ｈ）］、再び所望パターンのレジス
ト膜１９，２０を形成して［図６（ｉ）］、導体層７，
８を形成する［図６（ｊ）］方法を採用してもよい。
に、図５の（ａ）ないし（ｃ）までの各工程と同様に、
絶縁層１を用意し、貫通孔２を形成した後、その表裏両
面１ａ，１ｂおよび貫通孔２の内面２ａを粗面化し、さ
らにパラジウム等によりめっき触媒を付加した後［図６
（ａ）ないし（ｃ）］、無電解銅めっき法により薄膜銅
めっき層を形成し［図６（ｄ）］、絶縁層１の表裏両面
の薄膜銅めっき層に所望の配線層３，４および導電層５
の形状に一致する形状の開口部を有するレジスト膜１
７，１８を形成し［図６（ｅ）］、このレジスト膜１
７，１８の開口部から露出している薄膜銅めっき層の上
に、無電解めっき法により、または電解めっき法によ
り、または無電解めっき法の後に電解めっき法により配
線層３，４および導電層５を形成し［図６（ｆ）］、レ
ジスト膜１７，１８を除去し［図６（ｇ）］、レジスト
膜１７，１８に隠れていた薄膜銅めっき層をエッチング
法で除去し［図６（ｈ）］、再び所望パターンのレジス
ト膜１９，２０を形成して［図６（ｉ）］、導体層７，
８を形成する［図６（ｊ）］方法を採用してもよい。
【００４１】上記実施例の配線基板Ａは単層で用いる
が、この配線基板Ａの複数個を層間絶縁層を介して積層
一体化した図７のような多層配線基板Ｂとして用いるこ
ともできる。図７に示す多層配線基板Ｂにおいて、Ａ
１，Ａ２，Ａ３はそれぞれ図１に示すような単層の配線
基板であり、各配線基板相互間に層間絶縁層２１，２２
を介在して、積層一体化されている。ここで、上記の
「図１に示すような単層の配線基板」とは、全て同一構
成のものということを意味するものではなく、多層配線
基板Ｂの要求機能や要求特性に応じて、適宜の構成のも
のを用い得ることはもちろんである。また、上記層間絶
縁層２１，２２としては、接着性樹脂または熱可塑性樹
脂が用いられる。例えば液状の接着性樹脂または熱可塑
性樹脂を、スピンコート，カーテンコート，スクリーン
印刷，転写等の方法で形成して積層一体化することもで
きるし、あるいはフィルム状の接着性樹脂または熱可塑
性樹脂を介在して、熱ラミネート，真空ラミネート，真
空熱ラミネート等の方法で、積層一体化するようにして
もよいし、熱プレス、真空熱プレスで一括して積層一体
化してもよい。この層間絶縁層２１，２２は、多層配線
基板Ｂに半導体チップ等をマウントするために、そのガ
ラス化温度Ｔｇが１５０℃以上、より望ましくは２００
℃以上のものを用いる。また、図７において、２３，２
４は層間導電体で、この層間導電体２３，２４は、配線
基板Ａ１，Ａ２，Ａ３相互の電気的接続を確保するため
に、軟質金属，例えば錫，鉛，銀，銅，金，アルミニウ
ム等の単体金属、またはそれらの二種以上よりなる軟質
合金、またはそれらを主成分とし、他の金属成分をも含
有する軟質合金よりなるものである。さらに、上記層間
導電体２３，２４として、上記の軟質金属または軟質合
金を導電材料として含有する導電ペーストを用いて形成
してもよい。さらにまた、層間導電体２３，２４は、図
７に示すように配線層３，４相互間を接続するもののみ
ならず、配線層４と導電層５との相互間を接続するよう
にしてもよい。、
が、この配線基板Ａの複数個を層間絶縁層を介して積層
一体化した図７のような多層配線基板Ｂとして用いるこ
ともできる。図７に示す多層配線基板Ｂにおいて、Ａ
１，Ａ２，Ａ３はそれぞれ図１に示すような単層の配線
基板であり、各配線基板相互間に層間絶縁層２１，２２
を介在して、積層一体化されている。ここで、上記の
「図１に示すような単層の配線基板」とは、全て同一構
成のものということを意味するものではなく、多層配線
基板Ｂの要求機能や要求特性に応じて、適宜の構成のも
のを用い得ることはもちろんである。また、上記層間絶
縁層２１，２２としては、接着性樹脂または熱可塑性樹
脂が用いられる。例えば液状の接着性樹脂または熱可塑
性樹脂を、スピンコート，カーテンコート，スクリーン
印刷，転写等の方法で形成して積層一体化することもで
きるし、あるいはフィルム状の接着性樹脂または熱可塑
性樹脂を介在して、熱ラミネート，真空ラミネート，真
空熱ラミネート等の方法で、積層一体化するようにして
もよいし、熱プレス、真空熱プレスで一括して積層一体
化してもよい。この層間絶縁層２１，２２は、多層配線
基板Ｂに半導体チップ等をマウントするために、そのガ
ラス化温度Ｔｇが１５０℃以上、より望ましくは２００
℃以上のものを用いる。また、図７において、２３，２
４は層間導電体で、この層間導電体２３，２４は、配線
基板Ａ１，Ａ２，Ａ３相互の電気的接続を確保するため
に、軟質金属，例えば錫，鉛，銀，銅，金，アルミニウ
ム等の単体金属、またはそれらの二種以上よりなる軟質
合金、またはそれらを主成分とし、他の金属成分をも含
有する軟質合金よりなるものである。さらに、上記層間
導電体２３，２４として、上記の軟質金属または軟質合
金を導電材料として含有する導電ペーストを用いて形成
してもよい。さらにまた、層間導電体２３，２４は、図
７に示すように配線層３，４相互間を接続するもののみ
ならず、配線層４と導電層５との相互間を接続するよう
にしてもよい。、
【００４２】
【発明の効果】本発明は以上のように、絶縁層が一つ以
上の貫通孔と、両面に配線層と、前記貫通孔内に導電層
とを有する配線基板において、前記貫通孔がテーパ状
で、前記導電層が貫通孔内の小径側部で貫通孔を閉止し
ていることを特徴とする配線基板であるから、従来の表
裏両面に接着剤を介して銅箔等を接着した銅張り基板を
用いる必要がなく、安価な配線基板が提供できるのみな
ず、配線層の上に導電層を重ねて形成するものに比較し
て、薄型の配線基板を提供できる。本発明また、上記の
配線基板を層間絶縁体層を介して複数層積層一体化した
ことを特徴とする多層配線基板であるから、安価で薄型
の多層配線基板を提供できる。本発明はさらに、絶縁層
にテーパ状の貫通孔を形成する工程と、前記絶縁層の両
面の配線層および貫通孔の内面の導電層を同時に形成す
るとともに貫通孔の小径側端部を閉止する工程とを有す
ることを特徴とする配線基板の製造方法であるから、従
来の銅箔等を接着剤で接着した銅張り基板を用いる製造
方法に比較して、配線層および導電層の密着性が良く安
価かつ薄型の配線基板または多層配線基板の製造方法が
提供できる。
上の貫通孔と、両面に配線層と、前記貫通孔内に導電層
とを有する配線基板において、前記貫通孔がテーパ状
で、前記導電層が貫通孔内の小径側部で貫通孔を閉止し
ていることを特徴とする配線基板であるから、従来の表
裏両面に接着剤を介して銅箔等を接着した銅張り基板を
用いる必要がなく、安価な配線基板が提供できるのみな
ず、配線層の上に導電層を重ねて形成するものに比較し
て、薄型の配線基板を提供できる。本発明また、上記の
配線基板を層間絶縁体層を介して複数層積層一体化した
ことを特徴とする多層配線基板であるから、安価で薄型
の多層配線基板を提供できる。本発明はさらに、絶縁層
にテーパ状の貫通孔を形成する工程と、前記絶縁層の両
面の配線層および貫通孔の内面の導電層を同時に形成す
るとともに貫通孔の小径側端部を閉止する工程とを有す
ることを特徴とする配線基板の製造方法であるから、従
来の銅箔等を接着剤で接着した銅張り基板を用いる製造
方法に比較して、配線層および導電層の密着性が良く安
価かつ薄型の配線基板または多層配線基板の製造方法が
提供できる。
【図１】 本発明の一実施例の配線基板Ａの要部拡大縦
断面図
断面図
【図２】 本発明の一実施例の配線基板Ａの第一の製造
方法の工程ブロック図
方法の工程ブロック図
【図３】 本発明の一実施例の配線基板Ａの第一の製造
方法の前半の各工程における絶縁層等の縦断面図
方法の前半の各工程における絶縁層等の縦断面図
【図４】 本発明の一実施例の配線基板Ａの第一の製造
方法の後半の各工程における絶縁層等の縦断面図
方法の後半の各工程における絶縁層等の縦断面図
【図５】 本発明の一実施例の配線基板Ａの第二の製造
方法の工程ブロック図
方法の工程ブロック図
【図６】 本発明の一実施例の配線基板Ａの第三の製造
方法の工程ブロック図
方法の工程ブロック図
【図７】 本発明の一実施例の多層配線基板Ｂの要部拡
大縦断面図
大縦断面図
【図８】 従来の配線基板Ｃの要部拡大縦断面図
【図９】 従来の配線基板Ｄの要部拡大縦断面図
Ａ、Ａ１、Ａ２、Ａ３ 配線基板 Ｂ 多層配線基板 １ 絶縁層 １ａ 絶縁層の表面 １ｂ 絶縁層の裏面 ２ 貫通孔 ２ａ 貫通孔の内面 ３、４ 配線層 ５ 導電層 ６、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、
１７、１８、１９、２０ レジスト膜 ２１，２２ 層間絶縁層 ２３，２４ 層間導電体
１７、１８、１９、２０ レジスト膜 ２１，２２ 層間絶縁層 ２３，２４ 層間導電体
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA03 AA04 BB01 BB31 BB33 BB36 BB49 CC06 CC12 DD04 DD05 DD06 DD12 DD21 DD48 DD52 DD54 EE03 GG20 5E317 AA25 BB02 BB03 BB11 BB12 BB13 BB15 CC32 CC33 CC52 CD05 CD12 CD15 CD25 CD27 CD32 GG17 5E346 AA02 AA12 AA41 AA43 CC09 CC10 CC32 CC33 CC34 CC37 CC38 CC39 CC40 CC41 DD03 DD13 DD22 DD25 DD31 EE31 FF04 FF07 FF13 FF14 FF15 FF22 GG15 GG17 GG19 GG22 GG23 GG27 GG28 HH32 HH33
Claims (21)
- 【請求項１】絶縁層が一つ以上の貫通孔と、両面に配線
層と、前記貫通孔内に導電層とを有する配線基板におい
て、前記貫通孔がテーパ状で、前記導電層が貫通孔内の
小径側部で貫通孔を閉止していることを特徴とする配線
基板。 - 【請求項２】前記テーパ状の貫通孔の中心軸に対する傾
斜角度が１５〜６５度、前記貫通孔の小径側の直径Φが
１０〜４０μｍ、前記配線層及び導電層の厚さｔが５〜
３０μｍであり、かつΦ≦２ｔの関係に設定したことを
特徴とする請求項１記載の配線基板。 - 【請求項３】前記配線層および導電層が、銅または銅合
金からなり、前記絶縁層に接着剤を介することなく形成
されており、かつ配線層と導電層とが一体に形成されて
いることを特徴とする請求項１または２記載の配線基
板。 - 【請求項４】前記配線層および導電層が、無電解めっき
層により、または無電解めっき層の上に電解めっき層を
積層して形成されていることを特徴とする請求項１ない
し３記載の配線基板。 - 【請求項５】前記絶縁層の表面と貫通孔の内面とが、
０．１〜１０μｍの粗面に形成されていることを特徴と
する請求項１ないし４記載の配線基板。 - 【請求項６】前記配線層の上の一部または全部に、電気
接続用の金属層を有することを特徴とする請求項１ない
し５記載の配線基板。 - 【請求項７】前記金属層が、金層またはパラジウム層に
より、またはニッケル層の上に金層またはパラジウム層
を積層して形成されていることを特徴とする請求項１な
いし６記載の配線基板。 - 【請求項８】前記請求項１ないし７記載の配線基板を層
間絶縁層を介して複数層積層一体化し、かつ前記各配線
基板の配線層または導電層の相互間を、層間導電体を介
して接続したことを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項９】前記層間絶縁層が、ガラス転移温度Ｔｇが
１５０℃以上の接着性樹脂または熱可塑性樹脂であるこ
とを特徴とする請求項８記載の多層配線基板。 - 【請求項１０】前記層間導電体が、錫，鉛，銀，銅，
金，アルミニウムからなる単体金属またはこれら二以上
の合金またはこれらを主成分とし他の金属をも含有する
合金またはそれらを含む導電ペーストからなることを特
徴とする請求項９記載の多層配線基板。 - 【請求項１１】前記絶縁層にテーパ状の貫通孔を形成す
る工程と、前記絶縁層の両面および貫通孔の内面をウェ
ット法またはドライ法で粗面化する工程と、前記粗面化
された面にめっき触媒を付与する工程と、前記めっき触
媒が付与された絶縁層の両面および前記貫通孔の内面の
粗面に配線層および導電層を同時に一体に形成するとと
もに前記導電層で前記貫通孔の小径側端部を閉止する工
程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項１２】前記配線層および導電層を、無電解めっ
き法により、または無電解めっき法に続いて電解めっき
法により積層して形成することを特徴とする請求項１１
記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項１３】前記絶縁基板の両面全面および貫通孔内
面に無電解めっき法により薄膜めっき層を形成する工程
と、前記薄膜めっき層の配線層および導電層となる部分
を除いてレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜で被
覆されていない薄膜めっき層の上に無電解めっき法によ
り、または電解めっき法により、または無電解めっき法
に続いて電解めっき法により配線層および導電層を形成
する工程と、レジスト膜を除去した後それによって露出
した薄膜めっき層をエッチングにより除去する工程とを
有することを特徴とする請求項１１または１２記載の配
線基板の製造方法。 - 【請求項１４】前記絶縁層の両面および貫通孔内面に、
配線層および導電層となる部分を除いてレジスト膜を形
成する工程と、前記レジスト膜から露出する絶縁層に無
電解めっき法によりまたは無電解めっき法に続いて電解
めっき法により配線層および導電層を形成する工程とレ
ジスト膜を除去する工程とを含むことを特徴とする請求
項１１ないし１２記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項１５】前記絶縁基板の両面全面および貫通孔内
面に無電解めっき法により薄膜めっき層を形成する工程
と、薄膜めっき層の上に無電解めっき法により、または
電解めっき法により、または無電解めっき法に続いて電
解めっき法により厚膜めっき層を形成する工程と、前記
厚膜めっき層の配線層および導電層となる部分にレジス
ト膜を形成する工程と、レジスト膜で被覆されていない
厚膜めっき層をエッチングにより除去する工程と、レジ
スト膜を除去する工程とを有することを特徴とする請求
項１１または１２記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項１６】少なくとも前記配線層および導電層とな
る部分に、ドライプロセスで導電薄膜を形成する工程
と、その導電薄膜の上に無電解めっき法によりまたは電
解めっき法によりまたは無電解めっき法に続いて電解め
っき法により配線層および導電層を形成する工程とを含
むことを特徴とする請求項１３いし１５記載の配線基板
の製造方法。 - 【請求項１７】前記貫通孔を、レーザにより形成するこ
とを特徴とする請求項１１ないし１６記載の配線基板の
製造方法。 - 【請求項１８】前記貫通孔を、強アルカリ性の液でエッ
チングして形成することを特徴とする請求項１１ないし
１６記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項１９】前記請求項１ないし１０記載の配線基板
を、配線層または金属層の相互間を層間導電体を介して
接続するとともに層間絶縁層を介在して積層する工程
と、この積層体を真空中で加熱加圧して一体化する工程
とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２０】前記層間絶縁層を、液状の接着性樹脂ま
たは熱可塑性樹脂を塗布，印刷，転写して形成すること
を特徴とする請求項１９記載の多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項２１】前記層間絶縁層を、フィルム状の接着性
樹脂または熱可塑性樹脂を熱ラミネート，真空ラミネー
ト、真空熱ラミネートして形成することを特徴とする請
求項１９記載の多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11177729A JP2001007468A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 配線基板，多層配線基板およびその製造方法 |
| US09/739,890 US6492597B2 (en) | 1999-06-24 | 2000-12-20 | Wiring substrate, multi-layered wiring substrate and method of fabricating those |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP11177729A JP2001007468A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 配線基板，多層配線基板およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP11177729A Pending JP2001007468A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 配線基板，多層配線基板およびその製造方法 |
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| US (1) | US6492597B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001007468A (ja) |
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