JPH03204994A - ポリイミド多層配線基板の製造方法 - Google Patents
ポリイミド多層配線基板の製造方法Info
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- JPH03204994A JPH03204994A JP22615990A JP22615990A JPH03204994A JP H03204994 A JPH03204994 A JP H03204994A JP 22615990 A JP22615990 A JP 22615990A JP 22615990 A JP22615990 A JP 22615990A JP H03204994 A JPH03204994 A JP H03204994A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミック基板上にポリイミド樹脂を眉間絶縁
に使用して多層配線基板を形成するポリイミド多層配線
基板の製造方法に関する。
に使用して多層配線基板を形成するポリイミド多層配線
基板の製造方法に関する。
従来、この種のポリイミド多層配線基板の製造方法は、
セラミック基板の上にポリイミド前駆体ワニスを塗布し
て乾燥を行ない、この塗布膜に露光・現像工程を行ない
、ビアホールを上記の塗布膜に形成した後に、このポリ
イミド前駆体フェス塗布膜をキュアして、ポリイミド樹
脂絶縁層とし、かつこの一連の工程を繰返すことにより
多層配線層の形成を行なっていた。
セラミック基板の上にポリイミド前駆体ワニスを塗布し
て乾燥を行ない、この塗布膜に露光・現像工程を行ない
、ビアホールを上記の塗布膜に形成した後に、このポリ
イミド前駆体フェス塗布膜をキュアして、ポリイミド樹
脂絶縁層とし、かつこの一連の工程を繰返すことにより
多層配線層の形成を行なっていた。
上述した従来のポリイミド多層配線基板の製造方法では
、ポリイミド絶縁層の積層数と同じ回数だけ、セラミッ
ク基板上にポリイミド前駆体ワニスの塗布、塗布膜の乾
燥、ビアホールの成形およびキュアの各工程を繰返し行
なう必要がある。そのなめ、多層配線基板の積層工程に
非常に時間がかかる。才な、ポリイミド絶縁層の形成工
程が繰返し行なわれるため、多層配線層の下層部分のポ
リイミド樹脂に多数回にわたるキュア工程の熱ストレス
が加わり、このため、ポリイミド樹脂が劣化してくると
いう欠点がある。
、ポリイミド絶縁層の積層数と同じ回数だけ、セラミッ
ク基板上にポリイミド前駆体ワニスの塗布、塗布膜の乾
燥、ビアホールの成形およびキュアの各工程を繰返し行
なう必要がある。そのなめ、多層配線基板の積層工程に
非常に時間がかかる。才な、ポリイミド絶縁層の形成工
程が繰返し行なわれるため、多層配線層の下層部分のポ
リイミド樹脂に多数回にわたるキュア工程の熱ストレス
が加わり、このため、ポリイミド樹脂が劣化してくると
いう欠点がある。
本発明のポリイミド多層配線基板の製造方法は、セラミ
ック基板上にポリイミド多層配線基板を形成する工程に
おいて、プラスチックフィルム上に感光性ポリイミド前
駆体ワニスを塗布・乾燥し、このプラスチックフィルム
上の塗布膜のままで塗布膜にビアホールおよび金配線を
形成し、その後にプラスチックフィルムをポリイミドワ
ニス膜から剥離し、この金配線を有するポリイミドワニ
ス膜を積層し、その後にポリイミド積層膜と基板とを重
ね加圧状態でキュアすることにより構成される。
ック基板上にポリイミド多層配線基板を形成する工程に
おいて、プラスチックフィルム上に感光性ポリイミド前
駆体ワニスを塗布・乾燥し、このプラスチックフィルム
上の塗布膜のままで塗布膜にビアホールおよび金配線を
形成し、その後にプラスチックフィルムをポリイミドワ
ニス膜から剥離し、この金配線を有するポリイミドワニ
ス膜を積層し、その後にポリイミド積層膜と基板とを重
ね加圧状態でキュアすることにより構成される。
本発明のポリイミド多層配線基板の製造方法は、セラミ
ック基板上にポリイミド多層配線基板を形成する工程に
おいて、プラスチックフィルム上に感光性ポリイミド前
駆体ワニスを塗布・乾燥し、このプラスチックフィルム
上の塗布膜のままで塗布膜にビアホール、金属配線およ
び半田で作られた各層の配線接続部を形成し、その後に
プラスチックフィルムをポリイミド膜から剥離し、この
金属配線および半田で作られた配線接続部を有するポリ
イミドワニス膜を積層し、その後にポリイミド積層膜と
基板とを重ね加圧状態でキュアすることにより構成され
る。
ック基板上にポリイミド多層配線基板を形成する工程に
おいて、プラスチックフィルム上に感光性ポリイミド前
駆体ワニスを塗布・乾燥し、このプラスチックフィルム
上の塗布膜のままで塗布膜にビアホール、金属配線およ
び半田で作られた各層の配線接続部を形成し、その後に
プラスチックフィルムをポリイミド膜から剥離し、この
金属配線および半田で作られた配線接続部を有するポリ
イミドワニス膜を積層し、その後にポリイミド積層膜と
基板とを重ね加圧状態でキュアすることにより構成され
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を工程順に図示したものであ
る。先ずＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィル
ム２上に感光性のポリイミド前駆体ワニスを塗布し、熱
風オーブンで乾燥する〔図（ａ）〕。この感光性のポリ
イミド前駆体ワニス塗布膜１の厚さは乾燥後１０μｍで
ある。次に、ＰＥＴフィルム２上のポリイミド塗布膜１
にガラスマスク３のパターンを焼きつける〔図（ｂ））
、露光量は６００（ｍＪ／ａｍ若〕である。次に、ＰＥ
Ｔフィルム２にポリイミド樹脂スを塗布したままの状態
で、アルコール系現像液を用いスプレー現像方式で現像
を行ない、ビアホール４を形成する〔図（Ｃ）〕。次に
、ビアホール４を形成したポリイミド膜５上にクロムお
よびパラジウムの薄膜６を１０１００（ｎおよび２００
（ｎｍ）の厚さにスパッタリングで形成し〔図（ｄ））
、その上にポジ型フォトレジスト７を塗布し、ガラスマ
スク８のパターンを露光し〔図（ｅ）〕、現像して配線
パターン９を形成する〔図（ｆ）〕。次に、金めつきを
行ない金配線パターン１０を形成し、フォトレジスト７
を剥離し、クロムおよびパラジウムの薄膜をエツチング
で除去する〔図（ｇ））。
る。先ずＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィル
ム２上に感光性のポリイミド前駆体ワニスを塗布し、熱
風オーブンで乾燥する〔図（ａ）〕。この感光性のポリ
イミド前駆体ワニス塗布膜１の厚さは乾燥後１０μｍで
ある。次に、ＰＥＴフィルム２上のポリイミド塗布膜１
にガラスマスク３のパターンを焼きつける〔図（ｂ））
、露光量は６００（ｍＪ／ａｍ若〕である。次に、ＰＥ
Ｔフィルム２にポリイミド樹脂スを塗布したままの状態
で、アルコール系現像液を用いスプレー現像方式で現像
を行ない、ビアホール４を形成する〔図（Ｃ）〕。次に
、ビアホール４を形成したポリイミド膜５上にクロムお
よびパラジウムの薄膜６を１０１００（ｎおよび２００
（ｎｍ）の厚さにスパッタリングで形成し〔図（ｄ））
、その上にポジ型フォトレジスト７を塗布し、ガラスマ
スク８のパターンを露光し〔図（ｅ）〕、現像して配線
パターン９を形成する〔図（ｆ）〕。次に、金めつきを
行ない金配線パターン１０を形成し、フォトレジスト７
を剥離し、クロムおよびパラジウムの薄膜をエツチング
で除去する〔図（ｇ））。
次に、ＰＥＴフィルム２上の加工済ポリイミド膜１１を
機械的にＰＥＴフィルム２から引き剥し、図（ｈ）に示
すように加工済ポリイミド膜単体１２とする。加工済ポ
リイミド膜単体１２と同様の方法で形成したこの膜単体
１２の下層にあたるパターンを持った加工済ポリイミド
膜単体１３との位置合わせを行なって重ね合わせる。
機械的にＰＥＴフィルム２から引き剥し、図（ｈ）に示
すように加工済ポリイミド膜単体１２とする。加工済ポ
リイミド膜単体１２と同様の方法で形成したこの膜単体
１２の下層にあたるパターンを持った加工済ポリイミド
膜単体１３との位置合わせを行なって重ね合わせる。
各層間の接合は次のとおりである。キュア前の加工済ポ
リイミド膜単体１２と１３とを重ね合わせ、膜に垂直な
方向にプレスする。そして、加圧状態でポリイミド膜積
層体を３５０℃まで加熱し、１５分間保持した後に室温
まで冷却して常圧にもどす。このとき各層の金配線１０
は、ビアホール中の金めつき部分１４と同じ金めっきの
受はバッド１５とが、加熱プレス時に金−余熱圧着で接
合する。また、各層のポリイミド膜間は加熱時にイミド
化反応が起き、ポリイミド前駆体からポリイミド樹脂に
なり、このとき膜間の接合が起こる。
リイミド膜単体１２と１３とを重ね合わせ、膜に垂直な
方向にプレスする。そして、加圧状態でポリイミド膜積
層体を３５０℃まで加熱し、１５分間保持した後に室温
まで冷却して常圧にもどす。このとき各層の金配線１０
は、ビアホール中の金めつき部分１４と同じ金めっきの
受はバッド１５とが、加熱プレス時に金−余熱圧着で接
合する。また、各層のポリイミド膜間は加熱時にイミド
化反応が起き、ポリイミド前駆体からポリイミド樹脂に
なり、このとき膜間の接合が起こる。
同時にポリイミド樹脂のガラス転位点く２８０℃付近）
を越えた温度においては、ポリイミド樹脂はゴム性弾性
を示すので、金配線１０の凸部による層間の隙間もこの
ときに消滅し、ポリイミド膜積層体として一体化する。
を越えた温度においては、ポリイミド樹脂はゴム性弾性
を示すので、金配線１０の凸部による層間の隙間もこの
ときに消滅し、ポリイミド膜積層体として一体化する。
また、このとき、ポリイミド膜積層体の最下層に板厚３
ｏｈｍ、内層に入出力配線層および電源配線層１６を
有するセラミック基板１７を同時に重ね合わせて加熱プ
レスを行ない、セラミック基板１７上にポリイミド多層
配線層を有する基板を形成する。図（ｉ）が完成したポ
リイミド多層配線基板の断面図である。
ｏｈｍ、内層に入出力配線層および電源配線層１６を
有するセラミック基板１７を同時に重ね合わせて加熱プ
レスを行ない、セラミック基板１７上にポリイミド多層
配線層を有する基板を形成する。図（ｉ）が完成したポ
リイミド多層配線基板の断面図である。
第２図は本発明の他の実施例を工程順に示した図である
。
。
第２図（ａ）〜（ｇ＞に示す工程は第１図（ａ）〜（ｇ
）と同じである。パターン１０を形成しフォトレジスト
７を剥離した後〔第２図（ｇ）〕、さらにもう−度フオ
ドレジスト１８を塗布し配線接続部のパターンのガラス
マスクを露光し、現像して配線パターンを形成する〔第
２図（ｈ）〕。
）と同じである。パターン１０を形成しフォトレジスト
７を剥離した後〔第２図（ｇ）〕、さらにもう−度フオ
ドレジスト１８を塗布し配線接続部のパターンのガラス
マスクを露光し、現像して配線パターンを形成する〔第
２図（ｈ）〕。
形成工程は前に述べた金配線パターンと同一である。次
に、金スズめっきを行ない第２図（ｉ）に示す金スズ半
田からなる配線接続部分である受はバッド１９を形成す
る。
に、金スズめっきを行ない第２図（ｉ）に示す金スズ半
田からなる配線接続部分である受はバッド１９を形成す
る。
次に第２図（ｉ＞に示すように、フォトレジスト１８を
剥離し、クロムおよびパラジウムの薄膜６をエツチング
で除去する。次に、ＰＥＴフィルム２上の加工済ポリイ
ミド膜１１を機械的にＰＥＴフィルム２から引き剥し加
工済ポリイミド膜単体１２とする。同様の方法で形成し
た加工済ポリイミド膜単体１２の下層にあたるパターン
を持つ他の加工済ポリイミド膜単体１３を加工済ポリイ
ミド膜単体１２と位置合せを行なって重ね合わせる。
剥離し、クロムおよびパラジウムの薄膜６をエツチング
で除去する。次に、ＰＥＴフィルム２上の加工済ポリイ
ミド膜１１を機械的にＰＥＴフィルム２から引き剥し加
工済ポリイミド膜単体１２とする。同様の方法で形成し
た加工済ポリイミド膜単体１２の下層にあたるパターン
を持つ他の加工済ポリイミド膜単体１３を加工済ポリイ
ミド膜単体１２と位置合せを行なって重ね合わせる。
各層間の接合は次のとおりに行なう。キュア前の加工済
ポリイミド膜単体１２と１３を重ね合わせ、膜に垂直な
方向にプレスする。そして、加圧状態でポリイミド膜積
層体を３５０℃まで加熱し１５分間保持した後、室温ま
で冷却し常圧にもどす。このとき、各層の金配線におい
ては、ビアホール中の金めつき部分１４の金スズめっき
の受はパ・ソド１つとが、加熱プレス時に金スズ半田の
溶解で接合する。また、各層のポリイミド膜間は加熱時
にイミド化反応が起きポリイミド前駆体からポリイミド
樹脂になり、このときに膜間の接合が起こる。同時にポ
リイミド樹脂のガラス転位点く２８０℃付近）を越えた
温度においては、ポリイミド樹脂はゴム性弾性を示すの
で、金配線１０の凸部による層間のすきまもこのときに
消滅し、ポリイミド膜積層体として一体化する。
ポリイミド膜単体１２と１３を重ね合わせ、膜に垂直な
方向にプレスする。そして、加圧状態でポリイミド膜積
層体を３５０℃まで加熱し１５分間保持した後、室温ま
で冷却し常圧にもどす。このとき、各層の金配線におい
ては、ビアホール中の金めつき部分１４の金スズめっき
の受はパ・ソド１つとが、加熱プレス時に金スズ半田の
溶解で接合する。また、各層のポリイミド膜間は加熱時
にイミド化反応が起きポリイミド前駆体からポリイミド
樹脂になり、このときに膜間の接合が起こる。同時にポ
リイミド樹脂のガラス転位点く２８０℃付近）を越えた
温度においては、ポリイミド樹脂はゴム性弾性を示すの
で、金配線１０の凸部による層間のすきまもこのときに
消滅し、ポリイミド膜積層体として一体化する。
また、第１図（ｈ）で示したものと同様にポリイミド膜
積層体にセラミック基板１７上にポリイミド多層配線層
を有する基板を形成する。（第１図（ｊ））が完成した
ポリイミド多層配線基板の断面図である。
積層体にセラミック基板１７上にポリイミド多層配線層
を有する基板を形成する。（第１図（ｊ））が完成した
ポリイミド多層配線基板の断面図である。
なお、上述の実施例では、ポリイミド膜を２層だけ積層
しているが、同様の方法で何層でもポリイミド膜を積層
可能である。
しているが、同様の方法で何層でもポリイミド膜を積層
可能である。
また、金属配線に金を用いているが、他に、銅。
ニッケルなどが使用でき、半田には金スズ半田の他に、
金ゲル半田、金シリ半田、スズ鉛（Ｓｎ５％、Ｐｂ９５
％）半田、鉛錫半田、白金インジウム半田、カドミウム
亜鉛半田などの高温半田が使用できる。
金ゲル半田、金シリ半田、スズ鉛（Ｓｎ５％、Ｐｂ９５
％）半田、鉛錫半田、白金インジウム半田、カドミウム
亜鉛半田などの高温半田が使用できる。
以上説明したように本発明は、プラスチックフィルム上
に感光性のポリイミド前駆体ワニスを塗布・乾燥し、プ
ラスチックフィルム上でポリイミド膜にビアホールおよ
び金配線パターンまたはビアホール、金配線パターンお
よび半田からなる配線接続部を形成し、プラスチックフ
ィルムの剥離後にポリイミド膜を積層してポリイミド多
層配線基板を製造することにより、短い製造時間で多層
配線基板を製造することができるという効果がある。
に感光性のポリイミド前駆体ワニスを塗布・乾燥し、プ
ラスチックフィルム上でポリイミド膜にビアホールおよ
び金配線パターンまたはビアホール、金配線パターンお
よび半田からなる配線接続部を形成し、プラスチックフ
ィルムの剥離後にポリイミド膜を積層してポリイミド多
層配線基板を製造することにより、短い製造時間で多層
配線基板を製造することができるという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｉ）は本発明の一実施例の製造工程順
の説明図、第２図（ａ）〜（ｊ）は本発明の他の実施例
の製造工程順の説明図である。 ｌ・・・ポリイミド前駆体ワニス塗布膜、２・・・ポリ
イミドテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、３゜８・・
・ガラスマスク、４・・・ビアホール、５・・・ポリイ
ミド膜、６・・・薄膜、７・・・ポジ型フォトレジスト
、９・・・配線パターン、１０・・・金配線パターン、
１１・・・加工済ポリイミド膜、１２．１３・・・加工
済ポリイミド膜単体、１４・・・金めつき部分、１５．
１９・・・受はパッド、１６・・・入出力配線層および
電源配線層、１７・・・セラミック基板。
の説明図、第２図（ａ）〜（ｊ）は本発明の他の実施例
の製造工程順の説明図である。 ｌ・・・ポリイミド前駆体ワニス塗布膜、２・・・ポリ
イミドテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、３゜８・・
・ガラスマスク、４・・・ビアホール、５・・・ポリイ
ミド膜、６・・・薄膜、７・・・ポジ型フォトレジスト
、９・・・配線パターン、１０・・・金配線パターン、
１１・・・加工済ポリイミド膜、１２．１３・・・加工
済ポリイミド膜単体、１４・・・金めつき部分、１５．
１９・・・受はパッド、１６・・・入出力配線層および
電源配線層、１７・・・セラミック基板。
Claims (2)
- （１）セラミック基板上にポリイミド多層配線基板を形
成する工程において、プラスチックフィルム上に感光性
ポリイミド前駆体ワニスを塗布・乾燥し、このプラスチ
ックフィルム上の塗布膜のままで塗布膜にビアホールお
よび金配線を形成し、その後にプラスチックフィルムを
ポリイミドワニス膜から剥離し、この金配線を有するポ
リイミドワニス膜を積層し、その後にポリイミド積層膜
と基板とを重ね加圧状態でキュアすることを特徴とする
ポリイミド多層配線基板の製造方法。 - （２）セラミック基板上にポリイミド多層配線基板を形
成する工程において、プラスチックフィルム上に感光性
ポリイミド前駆体ワニスを塗布・乾燥し、このプラスチ
ックフィルム上の塗布膜のままで塗布膜にビアホール，
金属配線および半田で作られた各層の配線接続部を形成
し、その後にプラスチックフィルムをポリイミド膜から
剥離し、この金属配線および半田で作られた配線接続部
を有するポリイミドワニス膜を積層し、その後にポリイ
ミド積層膜と基板とを重ね加圧状態でキュアすることを
特徴とするポリイミド多層配線基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25914989 | 1989-10-03 | ||
| JP1-259149 | 1989-10-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03204994A true JPH03204994A (ja) | 1991-09-06 |
Family
ID=17330017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22615990A Pending JPH03204994A (ja) | 1989-10-03 | 1990-08-28 | ポリイミド多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03204994A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5628852A (en) * | 1991-07-26 | 1997-05-13 | Nec Corporation | Method for manufacturing a polyimide multilayer wiring substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63274199A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Hitachi Ltd | 多層配線の形成方法 |
-
1990
- 1990-08-28 JP JP22615990A patent/JPH03204994A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63274199A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Hitachi Ltd | 多層配線の形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5628852A (en) * | 1991-07-26 | 1997-05-13 | Nec Corporation | Method for manufacturing a polyimide multilayer wiring substrate |
| US5686702A (en) * | 1991-07-26 | 1997-11-11 | Nippon Electric Co | Polyimide multilayer wiring substrate |
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