JPH11145205A - Ｔａｂ用テープの製造方法 - Google Patents
Ｔａｂ用テープの製造方法Info
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- JPH11145205A JPH11145205A JP30520797A JP30520797A JPH11145205A JP H11145205 A JPH11145205 A JP H11145205A JP 30520797 A JP30520797 A JP 30520797A JP 30520797 A JP30520797 A JP 30520797A JP H11145205 A JPH11145205 A JP H11145205A
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易にポリイミド系ソルダーレジストの厚さ
を１０μｍ以上にでき、ＴＡＢ用テープの歩留と生産性
を向上させるＴＡＢ用テープの製造方法を提供する。 【解決手段】 ポリイミドフィルム１３の片面に、銅箔
配線パターン１を形成して接着剤レス片面銅被覆ＣＣＬ
３を作成する。この接着剤レス片面銅被覆ＣＣＬ３の銅
箔配線パターン１側と、ポリイミド系ソルダーレジスト
４側とを貼り合わせ(201、202)、フォトカバーレイ１２
を露光現像でパターンニングする(203) 。このパターン
ニングされたフォトカバーレイ１２をマスクとして、１
０％アルカリ水溶液（ＮａＯＨ）でポリイミド系ソルダ
ーレジスト４をエッチングした後、ベーク処理してポリ
イミド２に硬化する(204) 。その後、フォトカバーレイ
１２を剥離してＴＡＢ用テープ６を製造する(205) 。
を１０μｍ以上にでき、ＴＡＢ用テープの歩留と生産性
を向上させるＴＡＢ用テープの製造方法を提供する。 【解決手段】 ポリイミドフィルム１３の片面に、銅箔
配線パターン１を形成して接着剤レス片面銅被覆ＣＣＬ
３を作成する。この接着剤レス片面銅被覆ＣＣＬ３の銅
箔配線パターン１側と、ポリイミド系ソルダーレジスト
４側とを貼り合わせ(201、202)、フォトカバーレイ１２
を露光現像でパターンニングする(203) 。このパターン
ニングされたフォトカバーレイ１２をマスクとして、１
０％アルカリ水溶液（ＮａＯＨ）でポリイミド系ソルダ
ーレジスト４をエッチングした後、ベーク処理してポリ
イミド２に硬化する(204) 。その後、フォトカバーレイ
１２を剥離してＴＡＢ用テープ６を製造する(205) 。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＡＢ（Tape Aut
omated Bonding）用テープの製造方法に関し、特に、ポ
リイミド系ソルダーレジストが塗布された配線ピッチが
８０μｍ以下の配線層を有するＴＡＢ用テープの製造方
法に関する。
omated Bonding）用テープの製造方法に関し、特に、ポ
リイミド系ソルダーレジストが塗布された配線ピッチが
８０μｍ以下の配線層を有するＴＡＢ用テープの製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のＴＡＢ用テープの製造方
法による行程を示す。先ず、ポリイミドフィルム１３の
片面（図４では上面）に、銅箔を貼り付けるための接着
剤１４を塗布する(401) 。このポリイミドフィルム１３
に、インナーリードと半導体素子を接続するためのＩＬ
Ｂ（Inner Lead Bonding）ウインドウ１５を、金型によ
るパンチング加工によって形成する(402) 。ＩＬＢウイ
ンドウ１５の形成されたポリイミドフィルム１３の接着
剤１４塗布面に、銅箔１６を連続ロールラミネータで貼
り付け(403) 、銅箔１６の表面に銅箔配線パターン１８
を形成する(404)。
法による行程を示す。先ず、ポリイミドフィルム１３の
片面（図４では上面）に、銅箔を貼り付けるための接着
剤１４を塗布する(401) 。このポリイミドフィルム１３
に、インナーリードと半導体素子を接続するためのＩＬ
Ｂ（Inner Lead Bonding）ウインドウ１５を、金型によ
るパンチング加工によって形成する(402) 。ＩＬＢウイ
ンドウ１５の形成されたポリイミドフィルム１３の接着
剤１４塗布面に、銅箔１６を連続ロールラミネータで貼
り付け(403) 、銅箔１６の表面に銅箔配線パターン１８
を形成する(404)。
【０００３】この銅箔配線パターン１８の所定の部分に
液状のポリイミド系ソルダーレジスト４を印刷で塗布し
ベーク処理を行う(405) 。更に、銅箔配線パターン１８
の所定の部分にＮｉ／Ａｕめっきを施してＴＡＢ用テー
プ１７を製造している。
液状のポリイミド系ソルダーレジスト４を印刷で塗布し
ベーク処理を行う(405) 。更に、銅箔配線パターン１８
の所定の部分にＮｉ／Ａｕめっきを施してＴＡＢ用テー
プ１７を製造している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示したような従来のＴＡＢ用テープの製造方法によれ
ば、液状のポリイミド系ソルダーレジスト４を印刷で塗
布しているため、ポリイミド系ソルダーレジスト４の流
れ出しや、かすれによる薄状化が生じ、１回の塗布行程
ではポリイミド系ソルダーレジスト４の被覆が安定せ
ず、ベーク処理後のポリイミド系ソルダーレジスト４の
厚さが１０μｍ以下になってしまって配線保護機能を発
揮できず、このため２回の塗布行程が必要となり、製品
歩留が低下し、生産性が悪いという問題があった。
示したような従来のＴＡＢ用テープの製造方法によれ
ば、液状のポリイミド系ソルダーレジスト４を印刷で塗
布しているため、ポリイミド系ソルダーレジスト４の流
れ出しや、かすれによる薄状化が生じ、１回の塗布行程
ではポリイミド系ソルダーレジスト４の被覆が安定せ
ず、ベーク処理後のポリイミド系ソルダーレジスト４の
厚さが１０μｍ以下になってしまって配線保護機能を発
揮できず、このため２回の塗布行程が必要となり、製品
歩留が低下し、生産性が悪いという問題があった。
【０００５】従って、本発明の目的は、簡易にポリイミ
ド系ソルダーレジストの厚さを１０μｍ以上にでき、Ｔ
ＡＢ用テープの歩留と生産性を向上させるＴＡＢ用テー
プの製造方法を提供することである。
ド系ソルダーレジストの厚さを１０μｍ以上にでき、Ｔ
ＡＢ用テープの歩留と生産性を向上させるＴＡＢ用テー
プの製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上に述べた
目的を実現するため、絶縁フィルムの片面上に所定の配
線パターンを有するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）
用テープの製造方法において、絶縁フィルムの配線パタ
ーンの設けられた面側にフォトカバーレイ付ポリイミド
系ソルダーレジストを塗布し、フォトカバーレイ付ポリ
イミド系ソルダーレジストのフォトカバーレイを感光現
像して所定のパターンに形成し、所定のパターンに形成
されたフォトカバーレイをマスク材として、フォトカバ
ーレイ付ポリイミド系ソルダーレジストのポリイミド系
ソルダーレジストをエッチングしてベーク処理し、マス
ク材として使用したフォトカバーレイを剥離して、ＴＡ
Ｂ用テープを製造することを特徴とするＴＡＢ用テープ
の製造方法を提供する。
目的を実現するため、絶縁フィルムの片面上に所定の配
線パターンを有するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）
用テープの製造方法において、絶縁フィルムの配線パタ
ーンの設けられた面側にフォトカバーレイ付ポリイミド
系ソルダーレジストを塗布し、フォトカバーレイ付ポリ
イミド系ソルダーレジストのフォトカバーレイを感光現
像して所定のパターンに形成し、所定のパターンに形成
されたフォトカバーレイをマスク材として、フォトカバ
ーレイ付ポリイミド系ソルダーレジストのポリイミド系
ソルダーレジストをエッチングしてベーク処理し、マス
ク材として使用したフォトカバーレイを剥離して、ＴＡ
Ｂ用テープを製造することを特徴とするＴＡＢ用テープ
の製造方法を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明のＴＡＢ用テープの製
造方法を詳細に説明する。
造方法を詳細に説明する。
【０００８】図１は、本発明のＴＡＢ用テープの製造方
法で使用されるフォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダ
ーレジスト（ポリアミック酸）を示す。図１に示したフ
ォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジスト５は、
ポリイミド系ソルダーレジスト４と、感光性樹脂のフォ
トカバーレイ１２とから成り、ポリイミド系ソルダーレ
ジスト４とフォトカバーレイ１２のそれぞれ片面を貼り
合わせた構造になっている。このフォトカバーレイ付ポ
リイミド系ソルダーレジスト５の両面（フォトカバーレ
イ１２側およびポリイミド系ソルダーレジスト４側）に
フォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジスト５を
保護するためのＰＥＴ離型フィルム１１が貼られてい
る。このＰＥＴ離型フィルム１１は、ＴＡＢ用テープの
製造時に剥離される。
法で使用されるフォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダ
ーレジスト（ポリアミック酸）を示す。図１に示したフ
ォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジスト５は、
ポリイミド系ソルダーレジスト４と、感光性樹脂のフォ
トカバーレイ１２とから成り、ポリイミド系ソルダーレ
ジスト４とフォトカバーレイ１２のそれぞれ片面を貼り
合わせた構造になっている。このフォトカバーレイ付ポ
リイミド系ソルダーレジスト５の両面（フォトカバーレ
イ１２側およびポリイミド系ソルダーレジスト４側）に
フォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジスト５を
保護するためのＰＥＴ離型フィルム１１が貼られてい
る。このＰＥＴ離型フィルム１１は、ＴＡＢ用テープの
製造時に剥離される。
【０００９】図２は、図１で示したフォトカバーレイ付
ポリイミド系ソルダーレジスト５を使用してＴＡＢ用テ
ープを製造する方法を示す。ここで、フォトカバーレイ
付ポリイミド系ソルダーレジスト５は、そのポリイミド
系ソルダーレジスト４の厚さが５０μｍのものを使用す
る。先ず、接着剤レスのポリイミドキャスティング材で
あるポリイミドフィルム１３（厚さ４０μｍ、初期弾性
係数５５０ｋｇｆ／ｍｍ2)の片面（図２では上面）に、
銅箔配線パターン１を形成して接着剤レス片面銅被覆Ｃ
ＣＬ（Copper Clad Laminate）３を作成する。この接着
剤レス片面銅被覆ＣＣＬ３の銅箔配線パターン１側と、
ポリイミド系ソルダーレジスト４側のＰＥＴ離型フィル
ム１１を剥離したフォトカバーレイ付ポリイミド系ソル
ダーレジスト５のポリイミド系ソルダーレジスト４側と
を、ロールラミネートで貼り合わせる(201、202)。
ポリイミド系ソルダーレジスト５を使用してＴＡＢ用テ
ープを製造する方法を示す。ここで、フォトカバーレイ
付ポリイミド系ソルダーレジスト５は、そのポリイミド
系ソルダーレジスト４の厚さが５０μｍのものを使用す
る。先ず、接着剤レスのポリイミドキャスティング材で
あるポリイミドフィルム１３（厚さ４０μｍ、初期弾性
係数５５０ｋｇｆ／ｍｍ2)の片面（図２では上面）に、
銅箔配線パターン１を形成して接着剤レス片面銅被覆Ｃ
ＣＬ（Copper Clad Laminate）３を作成する。この接着
剤レス片面銅被覆ＣＣＬ３の銅箔配線パターン１側と、
ポリイミド系ソルダーレジスト４側のＰＥＴ離型フィル
ム１１を剥離したフォトカバーレイ付ポリイミド系ソル
ダーレジスト５のポリイミド系ソルダーレジスト４側と
を、ロールラミネートで貼り合わせる(201、202)。
【００１０】次に、フォトカバーレイ付ポリイミド系ソ
ルダーレジスト５のフォトカバーレイ１２側のＰＥＴ離
型フィルム１１を剥離し、フォトカバーレイ１２を１０
０μｍの加工精度の露光現像でパターンニングする(20
3) 。このパターンニングされたフォトカバーレイ付ポ
リイミド系ソルダーレジスト５のフォトカバーレイ１２
をマスクとして、１０％アルカリ水溶液（ＮａＯＨ）で
フォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジスト５の
厚さ５０μｍのポリイミド系ソルダーレジスト４をエッ
チングした後、２７０℃の温度でベーク処理してポリイ
ミド２に硬化する(204) 。この硬化後のポリイミド２
は、厚さが２５μｍ、初期弾性係数５００ｋｇｆ／ｍｍ
2 、ガラス転移温度３３０℃となった。その後、フォト
カバーレイ１２を剥離して、銅箔配線パターン１８の所
定の部分にＮｉ／Ａｕめっき（図示せず）を施し、ＴＡ
Ｂ用テープ６を製造する(205) 。
ルダーレジスト５のフォトカバーレイ１２側のＰＥＴ離
型フィルム１１を剥離し、フォトカバーレイ１２を１０
０μｍの加工精度の露光現像でパターンニングする(20
3) 。このパターンニングされたフォトカバーレイ付ポ
リイミド系ソルダーレジスト５のフォトカバーレイ１２
をマスクとして、１０％アルカリ水溶液（ＮａＯＨ）で
フォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジスト５の
厚さ５０μｍのポリイミド系ソルダーレジスト４をエッ
チングした後、２７０℃の温度でベーク処理してポリイ
ミド２に硬化する(204) 。この硬化後のポリイミド２
は、厚さが２５μｍ、初期弾性係数５００ｋｇｆ／ｍｍ
2 、ガラス転移温度３３０℃となった。その後、フォト
カバーレイ１２を剥離して、銅箔配線パターン１８の所
定の部分にＮｉ／Ａｕめっき（図示せず）を施し、ＴＡ
Ｂ用テープ６を製造する(205) 。
【００１１】この様にして製造されたＴＡＢ用テープ６
において、ポリイミド２は、その厚さが２５μｍなって
おり、十分にその特性を発揮すると共に、Ｎｉ／Ａｕめ
っきを施しても、ポリイミド２に剥がれやめくれが生じ
ず、ＴＡＢ用テープ６の歩留と生産性が向上した。
において、ポリイミド２は、その厚さが２５μｍなって
おり、十分にその特性を発揮すると共に、Ｎｉ／Ａｕめ
っきを施しても、ポリイミド２に剥がれやめくれが生じ
ず、ＴＡＢ用テープ６の歩留と生産性が向上した。
【００１２】また、本発明の製造方法で製造されたＴＡ
Ｂ用テープ６について、ＭＩＴ屈曲試験を行ったとこ
ろ、ポリイミド系ソルダーレジスト層であるポリイミド
２のクラック発生が、屈曲数１００以上となり、銅箔配
線パターン１の保護機能を十分に果たすものとなった。
Ｂ用テープ６について、ＭＩＴ屈曲試験を行ったとこ
ろ、ポリイミド系ソルダーレジスト層であるポリイミド
２のクラック発生が、屈曲数１００以上となり、銅箔配
線パターン１の保護機能を十分に果たすものとなった。
【００１３】更に、半導体素子接合のための模擬加熱試
験を１５０℃×８時間行ってもポリイミド２の剥がれや
めくれが発生せず、銅箔配線パターン１との密着性が良
好なものとなった。
験を１５０℃×８時間行ってもポリイミド２の剥がれや
めくれが発生せず、銅箔配線パターン１との密着性が良
好なものとなった。
【００１４】以上、本発明の一実施形態を示したが、Ｔ
ＡＢ用テープ６はデバイスホールを設けたインナーリー
ドボンディングタイプのＴＡＢ用テープであってもよ
い。
ＡＢ用テープ６はデバイスホールを設けたインナーリー
ドボンディングタイプのＴＡＢ用テープであってもよ
い。
【００１５】図３は、本発明の製造方法によって製造さ
れたデバイスホールを設けたインナーリードボンディン
グタイプのＴＡＢ用テープを示す。このＴＡＢ用テープ
７は、デバイスホール８の設けられたポリイミドフィル
ム１３と、ポリイミドフィルム１３の片面に塗布された
接着剤１４と、接着剤１４によってポリイミドフィルム
１３に接着されている銅箔配線パターン１と、銅箔配線
パターン１を保護するためのソルダーレジスト層である
ポリイミド２とから成る。
れたデバイスホールを設けたインナーリードボンディン
グタイプのＴＡＢ用テープを示す。このＴＡＢ用テープ
７は、デバイスホール８の設けられたポリイミドフィル
ム１３と、ポリイミドフィルム１３の片面に塗布された
接着剤１４と、接着剤１４によってポリイミドフィルム
１３に接着されている銅箔配線パターン１と、銅箔配線
パターン１を保護するためのソルダーレジスト層である
ポリイミド２とから成る。
【００１６】銅箔配線パターン１は、インナーリード９
とアウターリード１０を有し、インナーリード９と半導
体素子（図示せず）とを接合して、半導体装置を形成す
る。
とアウターリード１０を有し、インナーリード９と半導
体素子（図示せず）とを接合して、半導体装置を形成す
る。
【００１７】本発明の製造方法によって製造されたＴＡ
Ｂ用テープ７において、接着剤１４およびポリイミド系
ソルダーレジストのポリイミド２のガラス転移温度は、
１５０℃以上であり、接着剤１４とポリイミド２の密着
性が高いことが望ましい。このガラス転移温度が１５０
℃以上であれば、２７０℃のポリイミド系ソルダーレジ
スト４のベーク処理温度に耐えることができ、このガラ
ス転移温度が高ければ高いほど耐熱性が向上することに
なる。
Ｂ用テープ７において、接着剤１４およびポリイミド系
ソルダーレジストのポリイミド２のガラス転移温度は、
１５０℃以上であり、接着剤１４とポリイミド２の密着
性が高いことが望ましい。このガラス転移温度が１５０
℃以上であれば、２７０℃のポリイミド系ソルダーレジ
スト４のベーク処理温度に耐えることができ、このガラ
ス転移温度が高ければ高いほど耐熱性が向上することに
なる。
【００１８】ポリイミド系ソルダーレジスト４をベーク
処理して生成されるポリイミド２の初期弾性係数は、ポ
リイミドフィルム１３の初期弾性係数の１／１０以上が
望ましい。これは、ポリイミド２の初期弾性係数とポリ
イミドフィルム１３の初期弾性係数が近ければ近いほ
ど、ポリイミド２の剥がれやめくれが発生しにくくなる
からであり、両者の曲げ歪みが等しい場合、この初期弾
性係数が応力バランスに影響するためである。
処理して生成されるポリイミド２の初期弾性係数は、ポ
リイミドフィルム１３の初期弾性係数の１／１０以上が
望ましい。これは、ポリイミド２の初期弾性係数とポリ
イミドフィルム１３の初期弾性係数が近ければ近いほ
ど、ポリイミド２の剥がれやめくれが発生しにくくなる
からであり、両者の曲げ歪みが等しい場合、この初期弾
性係数が応力バランスに影響するためである。
【００１９】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明のＴＡＢ用テー
プの製造方法によれば、配線層を保護するソルダーレジ
ストをフォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジス
トによって作成することとしたので、ポリイミド系ソル
ダーレジストのベーク処理後のソルダーレジストの厚さ
を容易に１０μｍ以上にすることができ、配線層とソル
ダレジストの密着性が向上し、剥離やめくれが生じず屈
曲性に優れ、８０μｍ以下の配線ピッチが可能なＴＡＢ
用テープの製品歩留と生産性が向上するようになった。
プの製造方法によれば、配線層を保護するソルダーレジ
ストをフォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジス
トによって作成することとしたので、ポリイミド系ソル
ダーレジストのベーク処理後のソルダーレジストの厚さ
を容易に１０μｍ以上にすることができ、配線層とソル
ダレジストの密着性が向上し、剥離やめくれが生じず屈
曲性に優れ、８０μｍ以下の配線ピッチが可能なＴＡＢ
用テープの製品歩留と生産性が向上するようになった。
【００２０】また、本発明のＴＡＢ用テープの製造方法
で使用されるフォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダー
レジストは、液状でないため、ソルダーレジストの流れ
出しや、かすれによる薄状化も発生せず、ポリイミド系
ソルダーレジストの被覆が安定して行うことができ、Ｔ
ＡＢ用テープの製品歩留と生産性が向上するようになっ
た。
で使用されるフォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダー
レジストは、液状でないため、ソルダーレジストの流れ
出しや、かすれによる薄状化も発生せず、ポリイミド系
ソルダーレジストの被覆が安定して行うことができ、Ｔ
ＡＢ用テープの製品歩留と生産性が向上するようになっ
た。
【図１】本発明によるＴＡＢ用テープの製造方法で使用
されるフォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジス
トの実施の一形態を示す概略図である。
されるフォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジス
トの実施の一形態を示す概略図である。
【図２】本発明によるＴＡＢ用テープの製造方法を示す
図である。
図である。
【図３】本発明によるＴＡＢ用テープの製造方法によっ
て製造されたＴＡＢ用テープの実施の一形態を示す図で
ある。
て製造されたＴＡＢ用テープの実施の一形態を示す図で
ある。
【図４】従来のＴＡＢ用テープの製造方法を示す図であ
る。
る。
１ 銅箔配線パターン ２ ポリイミド ３ 接着剤レス片面銅被覆ＣＣＬ ４ ポリイミド系ソルダーレジスト ５ フォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジスト ６、７ ＴＡＢ用テープ ８ デバイスホール ９ インナーリード １０ アウターリード １１ ＰＥＴ離型フィルム １２ フォトカバーレイ １３ ポリイミドフィルム １４ 接着剤 １５ ＩＬＢウインドウ １６ 銅箔
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁フィルムの片面上に所定の配線パター
ンを有するＴＡＢ用テープの製造方法において、 前記絶縁フィルムの前記配線パターンの設けられた面側
にフォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジストを
塗布し、 前記フォトカバーレイ付ポリイミド系ソルダーレジスト
のフォトカバーレイを感光現像して所定のパターンに形
成し、 前記所定のパターンに形成された前記フォトカバーレイ
をマスク材として、前記フォトカバーレイ付ポリイミド
系ソルダーレジストのポリイミド系ソルダーレジストを
エッチングしてベーク処理し、 前記マスク材として使用した前記フォトカバーレイを剥
離して、 前記ＴＡＢ用テープを製造することを特徴とするＴＡＢ
用テープの製造方法。 - 【請求項２】前記ポリイミド系ソルダーレジストは、そ
の初期弾性係数が前記絶縁フィルムの初期弾性係数の１
／１０以上であることを特徴とする請求項１記載のＴＡ
Ｂ用テープの製造方法。 - 【請求項３】前記配線パターンは、前記絶縁フィルムに
接着剤によって接着され、 前記接着剤と前記ポリイミド系ソルダーレジストは、１
５０℃以上のガラス転移温度であることを特徴とする請
求項１記載のＴＡＢ用テープの製造方法。 - 【請求項４】前記配線パターンは、銅箔配線パターンで
あり、前記ベーク処理された前記ポリイミド系ソルダー
レジストの被覆部分以外をＮｉ／ＡｕめっきまたはＳｎ
／はんだめっきされることを特徴とする請求項１記載の
ＴＡＢ用テープの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30520797A JP3339387B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Ｔａｂ用テープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30520797A JP3339387B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Ｔａｂ用テープの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145205A true JPH11145205A (ja) | 1999-05-28 |
| JP3339387B2 JP3339387B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=17942350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30520797A Expired - Fee Related JP3339387B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Ｔａｂ用テープの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3339387B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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