JPS60251628A - 貫通孔の形成方法 - Google Patents
貫通孔の形成方法Info
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- JPS60251628A JPS60251628A JP60006043A JP604385A JPS60251628A JP S60251628 A JPS60251628 A JP S60251628A JP 60006043 A JP60006043 A JP 60006043A JP 604385 A JP604385 A JP 604385A JP S60251628 A JPS60251628 A JP S60251628A
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- ion etching
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- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 14
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、傾斜した側壁を有する貫通孔を形成するため
の方法に係る。この方法は、完全な乾式方法である。
の方法に係る。この方法は、完全な乾式方法である。
［従来技術］
殆どのリングラフィ・エツチング方法に於ては、垂直な
側壁が形成されることが望ましいが、例外的に、貫通孔
の場合に、傾斜した側壁を有することが有利である場合
がある。ソリッド・ステート・テクノロジー（Ｓｏｌｉ
ｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、１９８０年
４月号、第１２２頁に於ける論文は、ＳｉＯ□層中に傾
斜した側壁を有する貫通孔を形成するための方法につい
て記載している。その方法は、明らかに本発明の方法と
著しく異なるものである。
側壁が形成されることが望ましいが、例外的に、貫通孔
の場合に、傾斜した側壁を有することが有利である場合
がある。ソリッド・ステート・テクノロジー（Ｓｏｌｉ
ｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、１９８０年
４月号、第１２２頁に於ける論文は、ＳｉＯ□層中に傾
斜した側壁を有する貫通孔を形成するための方法につい
て記載している。その方法は、明らかに本発明の方法と
著しく異なるものである。
本発明の方法は、アルカリ性溶液を用いる湿式現像を含
む従来の方法よりも便利である。
む従来の方法よりも便利である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、完全な乾式方法により、傾斜した側壁
を有する貫通孔を形成するための方法を提供することで
ある。
を有する貫通孔を形成するための方法を提供することで
ある。
［問題を解決するための手段］
本発明は、完全な乾式により傾斜した側壁を有する貫通
孔を形成するための方法を提供する。本発明の方法は、
基板を有機重合体層で被覆し、マスクを上記有機重合体
層の上方に２０乃至２００ミクロンの距離に配置するこ
とを含む。そのような距離にマスクを配置することは１
本発明の方法に於ける１つの重要な特徴である。本発明
の方法に於ける次の工程は、上記マスクを経て酸素を用
いた反応性イオン・エツチング雰囲気に対して上記有機
重合体層をさらすことである。上記マスクは、酸素を用
いた反応性イオン・エツチング雰囲気に耐える任意の材
料より成り、開孔を有している。それらの開孔は、概し
て約１乃至１５ミクロン、好ましくは約５ミクロンの直
径を有する。上記反応性イオン・エツチングは、上記マ
スク中の開孔と整合されている貫通孔が上記有機重合体
層中に形成される迄、続けられる。
孔を形成するための方法を提供する。本発明の方法は、
基板を有機重合体層で被覆し、マスクを上記有機重合体
層の上方に２０乃至２００ミクロンの距離に配置するこ
とを含む。そのような距離にマスクを配置することは１
本発明の方法に於ける１つの重要な特徴である。本発明
の方法に於ける次の工程は、上記マスクを経て酸素を用
いた反応性イオン・エツチング雰囲気に対して上記有機
重合体層をさらすことである。上記マスクは、酸素を用
いた反応性イオン・エツチング雰囲気に耐える任意の材
料より成り、開孔を有している。それらの開孔は、概し
て約１乃至１５ミクロン、好ましくは約５ミクロンの直
径を有する。上記反応性イオン・エツチングは、上記マ
スク中の開孔と整合されている貫通孔が上記有機重合体
層中に形成される迄、続けられる。
本発明の方法に於て用いられる有機重合体層を形成する
ために、任意の有機重合体を用いることができる。その
ような材料は多数知られており、例えば、レジスト材料
として用いられる材料が用いられる。有機重合体層がポ
リイミドより成る場合に、特に良好な結果が得られた。
ために、任意の有機重合体を用いることができる。その
ような材料は多数知られており、例えば、レジスト材料
として用いられる材料が用いられる。有機重合体層がポ
リイミドより成る場合に、特に良好な結果が得られた。
上記マスクは、酸素を用いた反応性イオン・エツチング
雰囲気に耐える任意の材料より成ることができる。その
ような好ましい材料の１つはシリコンであり、特にステ
ンシル・マスクに於ける如き結晶方向（１００）のシリ
コンである。マスクの厚さは厳密さを要しないが、約２
乃至５ミクロンの厚さを有するマスクを用いて良好の結
果が得られた。
雰囲気に耐える任意の材料より成ることができる。その
ような好ましい材料の１つはシリコンであり、特にステ
ンシル・マスクに於ける如き結晶方向（１００）のシリ
コンである。マスクの厚さは厳密さを要しないが、約２
乃至５ミクロンの厚さを有するマスクを用いて良好の結
果が得られた。
前述の如く、有機重合体層とマスクとの間の間隙を制御
することは、本発明の方法に於ける１つの重要な特徴で
ある。その間隙が増加するに従って、形成される貫通孔
の側壁の傾斜は大きくなる。
することは、本発明の方法に於ける１つの重要な特徴で
ある。その間隙が増加するに従って、形成される貫通孔
の側壁の傾斜は大きくなる。
反対に、その間隙が減少するに従って、上記傾斜は小さ
くなる。後述する参考例に於て示されている如く、間隙
が全く存在していない場合、即ちマスクが有機重合体層
に接触している場合には、傾斜した側壁は全く形成され
ない。そのような状況の下では、側壁の角度が９０°で
ある。マスクと有機重合体層との間の最も好ましい距離
は５０乃至１００ミクロンである。
くなる。後述する参考例に於て示されている如く、間隙
が全く存在していない場合、即ちマスクが有機重合体層
に接触している場合には、傾斜した側壁は全く形成され
ない。そのような状況の下では、側壁の角度が９０°で
ある。マスクと有機重合体層との間の最も好ましい距離
は５０乃至１００ミクロンである。
［実施例コ
次に、本発明に方法の実施例を参考例とともに示す。参
考例に於ては、マスクが有機重合体層に接触するように
配置され、即ち間隙が零であり、そのような状況の下で
は、９０’の角度を有する側壁が生じた。実施例■、■
及び■は、所望の角度で傾斜した側壁を得るための本発
明の方法の実施例を示している。上記参考例及び実施例
はすへて、結晶方向（１００）のシリコンのステンシル
・マスクを用いて行われた。
考例に於ては、マスクが有機重合体層に接触するように
配置され、即ち間隙が零であり、そのような状況の下で
は、９０’の角度を有する側壁が生じた。実施例■、■
及び■は、所望の角度で傾斜した側壁を得るための本発
明の方法の実施例を示している。上記参考例及び実施例
はすへて、結晶方向（１００）のシリコンのステンシル
・マスクを用いて行われた。
見炙班
酸素を用いた反応性イオン・エツチングに耐えるステン
シル・マスクとポリイミド層との間の間隙が零になるよ
うに配置された。０．１５Ｔｏｒｒ及び１０１０５ｅの
０２．３００Ｖのバイアス電位、並びに６５℃の基板温
度を用いて、反応性イオン・エツチングが行われた。そ
の結果、９０’の角度の側壁を有するポリイミド・パタ
ーンが生じた。
シル・マスクとポリイミド層との間の間隙が零になるよ
うに配置された。０．１５Ｔｏｒｒ及び１０１０５ｅの
０２．３００Ｖのバイアス電位、並びに６５℃の基板温
度を用いて、反応性イオン・エツチングが行われた。そ
の結果、９０’の角度の側壁を有するポリイミド・パタ
ーンが生じた。
実施例Ｉ
ステンシル・マスクとポリイミド層との間の間隙が２０
０μｍになるように配置された。０．１５ Ｔｏｒｒ及
び１０１０５ｅの０２．３００Ｖのバイアス電位、並び
に６５℃の基板温度を用いて、反応性イオン・エツチン
グが行われた。その結果、３５℃の角度の側壁を有する
ポリイミド・パターンが得られた。
０μｍになるように配置された。０．１５ Ｔｏｒｒ及
び１０１０５ｅの０２．３００Ｖのバイアス電位、並び
に６５℃の基板温度を用いて、反応性イオン・エツチン
グが行われた。その結果、３５℃の角度の側壁を有する
ポリイミド・パターンが得られた。
実施例■
ステンシル・マスクとポリイミド層との間の間隙が４０
μｍになるように配置された。０．０６Ｔｏｒｒ及び４
．２ｓｅｃｍの０２．５００Ｖのバイアス電位、並びに
６５℃の基板温度を用いて、反応性イオン・エツチング
が行われた。その結果、６０’の角度の側壁を有するポ
リイミド・パターンが得られた。
μｍになるように配置された。０．０６Ｔｏｒｒ及び４
．２ｓｅｃｍの０２．５００Ｖのバイアス電位、並びに
６５℃の基板温度を用いて、反応性イオン・エツチング
が行われた。その結果、６０’の角度の側壁を有するポ
リイミド・パターンが得られた。
０例■
ステンシル・マスクとポリイミド層との間の間隙が２０
０μｍになるように配置された。ｏ、０６ Ｔｏｒｒ及
び４ 、’ ２ ｓｅｃｍの０２．４７５ｖのバイアス
電位、並びに６５℃の基板温度を用いて、反応性イオン
・エツチングが行われた。その結果、４０′の角度の側
壁を有するポリイミド・パターンが得られた。
０μｍになるように配置された。ｏ、０６ Ｔｏｒｒ及
び４ 、’ ２ ｓｅｃｍの０２．４７５ｖのバイアス
電位、並びに６５℃の基板温度を用いて、反応性イオン
・エツチングが行われた。その結果、４０′の角度の側
壁を有するポリイミド・パターンが得られた。
本発明の方法によれば、完全な乾式方法により、傾斜し
た側壁を有する貫通孔を形成するための方法が得られる
。
た側壁を有する貫通孔を形成するための方法が得られる
。
出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・
コーポレーション 代理人 弁理士 岡 １） 次 生 （外１名）
コーポレーション 代理人 弁理士 岡 １） 次 生 （外１名）
Claims (1)
- 基板を有機重合体層で被覆し、酸素を用いた反応性イオ
ン・エツチング雰囲気に耐える材料より成る、開孔を有
するマスクを上記有機重合体層の上方に２０乃至２００
ミクロンの距離に配置し、上記マスク中の開孔と整合さ
れている貫通孔が上記有機重合体層中に形成される迄、
上記マスクを経て酸素を用いた反応性イオン・エツチン
グ雰囲気に対して上記右記重合体層をさらすことを含む
、貫通孔の形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US612189 | 1984-05-21 | ||
| US06/612,189 US4482427A (en) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | Process for forming via holes having sloped walls |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251628A true JPS60251628A (ja) | 1985-12-12 |
| JPH0464457B2 JPH0464457B2 (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=24452120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60006043A Granted JPS60251628A (ja) | 1984-05-21 | 1985-01-18 | 貫通孔の形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4482427A (ja) |
| EP (1) | EP0163074B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60251628A (ja) |
| DE (1) | DE3583308D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014041904A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Denso Corp | 樹脂膜のパターニング方法およびそれを用いたセンサの製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59111102A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-27 | Nippon Denso Co Ltd | 防眩型反射鏡 |
| US4830706A (en) * | 1986-10-06 | 1989-05-16 | International Business Machines Corporation | Method of making sloped vias |
| EP0327336B1 (en) * | 1988-02-01 | 1997-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic devices incorporating carbon films |
| US5840402A (en) * | 1994-06-24 | 1998-11-24 | Sheldahl, Inc. | Metallized laminate material having ordered distribution of conductive through holes |
| EP0862789A4 (en) * | 1995-11-22 | 1999-07-07 | Olin Corp | SEMICONDUCTOR HOUSING WITH A GROUNDING OR POWER SUPPLY RING |
| AUPO281896A0 (en) * | 1996-10-04 | 1996-10-31 | Unisearch Limited | Reactive ion etching of silica structures for integrated optics applications |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1109829B (it) * | 1977-07-05 | 1985-12-23 | Ibm | Processo di fabbricazione di cercuiti integrati |
| US4209356A (en) * | 1978-10-18 | 1980-06-24 | General Electric Company | Selective etching of polymeric materials embodying silicones via reactor plasmas |
| US4357203A (en) * | 1981-12-30 | 1982-11-02 | Rca Corporation | Plasma etching of polyimide |
-
1984
- 1984-05-21 US US06/612,189 patent/US4482427A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-01-18 JP JP60006043A patent/JPS60251628A/ja active Granted
- 1985-04-11 EP EP85104229A patent/EP0163074B1/en not_active Expired
- 1985-04-11 DE DE8585104229T patent/DE3583308D1/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014041904A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Denso Corp | 樹脂膜のパターニング方法およびそれを用いたセンサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0163074B1 (en) | 1991-06-26 |
| US4482427A (en) | 1984-11-13 |
| EP0163074A3 (en) | 1988-11-02 |
| JPH0464457B2 (ja) | 1992-10-15 |
| DE3583308D1 (de) | 1991-08-01 |
| EP0163074A2 (en) | 1985-12-04 |
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