JPS6124235A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6124235A JPS6124235A JP14556284A JP14556284A JPS6124235A JP S6124235 A JPS6124235 A JP S6124235A JP 14556284 A JP14556284 A JP 14556284A JP 14556284 A JP14556284 A JP 14556284A JP S6124235 A JPS6124235 A JP S6124235A
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- film
- polyimide film
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- nitride film
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体装置の絶縁膜にコンタクトホールなどの
パターンを形成する方法に関する。
パターンを形成する方法に関する。
従来半導体集積回路などの絶縁膜に絶縁性や耐熱性に優
れるポリイミド樹脂が用いられ、微細なエツチング加工
が要求されている。例えばポリイミド膜にコンタクトホ
ールのようなパターンヲ形成するためには従来第5図〜
第7図に示す方法がとられている。まず半導体基板1を
ポリイミド膜2で覆い、この上にフォトレジストパター
ン3を設け、開口部4を形成する(第5図)。次にフォ
トレジスト3をマスクとして水加ヒドラジンを用いてフ
ォトレジスト開口部4のポリイミド膜2をエツチングし
く第6図)、しかる後フォトレジストパターン3を除去
する(第7図)ことにより行われていた。
れるポリイミド樹脂が用いられ、微細なエツチング加工
が要求されている。例えばポリイミド膜にコンタクトホ
ールのようなパターンヲ形成するためには従来第5図〜
第7図に示す方法がとられている。まず半導体基板1を
ポリイミド膜2で覆い、この上にフォトレジストパター
ン3を設け、開口部4を形成する(第5図)。次にフォ
トレジスト3をマスクとして水加ヒドラジンを用いてフ
ォトレジスト開口部4のポリイミド膜2をエツチングし
く第6図)、しかる後フォトレジストパターン3を除去
する(第7図)ことにより行われていた。
しかしながらポリイミド膜のエツチング液として使用さ
れろ水加ヒドラジンは爆発性および引火性を有し、人体
に対して有害な物質であるから取り扱いに問題があるこ
と、またポリイミド膜のエツチング速度の再現性に乏し
く、ポジレジストを溶解するために例えば第6図のよう
にサイドエッチ量が大きく、とくにポジレジストを用い
た場合はとくに微細なコンタクトホールをポリイミド膜
に形成することが困難であるという欠点をもっている。
れろ水加ヒドラジンは爆発性および引火性を有し、人体
に対して有害な物質であるから取り扱いに問題があるこ
と、またポリイミド膜のエツチング速度の再現性に乏し
く、ポジレジストを溶解するために例えば第6図のよう
にサイドエッチ量が大きく、とくにポジレジストを用い
た場合はとくに微細なコンタクトホールをポリイミド膜
に形成することが困難であるという欠点をもっている。
本゛発明の目的は上述の欠点を除去し、ポリイミド膜に
パターンを再現性よ(形成するエツチング方法を提供す
ることにある。
パターンを再現性よ(形成するエツチング方法を提供す
ることにある。
本発明はプラズマドライエツチング法を用いてポリイミ
ド膜上に耐酸素プラズマ性の物質をマスク材として設け
、このマスク材のフォトエツチング用フォトレジストの
除去とポリイミド膜のエツチングを酸素プラズマにより
同時に行った後、ポリイミド膜上に残ったマスク材を除
去することにより、ポリイミド膜にパターンを形成する
法である。
ド膜上に耐酸素プラズマ性の物質をマスク材として設け
、このマスク材のフォトエツチング用フォトレジストの
除去とポリイミド膜のエツチングを酸素プラズマにより
同時に行った後、ポリイミド膜上に残ったマスク材を除
去することにより、ポリイミド膜にパターンを形成する
法である。
以下本発明を実施例に基づき説明する。
第1図から第4図は本発−明の方法によりポリイミド膜
にコンタクトホールな形成する手順を説明するための工
程断面図であり、第5図〜第7図と共通部分は同一符号
で示しである。
にコンタクトホールな形成する手順を説明するための工
程断面図であり、第5図〜第7図と共通部分は同一符号
で示しである。
第1図は基板1の上にポリイミド膜2を回転塗布法によ
り3μmの厚さに塗布し、350℃1時間熱処理した後
、プラズマCVD法を用いて0.2μm厚さの窒化シリ
コン膜5を被着し、さらに1μm膜厚のフォトレジスト
3を塗布して4μm角の開口部4を形成する工程、第2
図はフォトレジスト3をマスクとしてポリイミド膜2の
マスク材となる窒化シリコン膜5を4%酸素混合フレオ
ンガスで平行平板形ドライエツチング装置により、真空
度0.4torr、RFパワー200Wの条件の下に2
分間プラズマエツチングし、フォトレジスト開口部4の
窒化シリコン膜5を除去し、ポリイミド膜2を露出させ
る工程、第3図は露出したポリイミド膜2と窒化シリコ
ン膜5上のフォトレジスト3を酸素ガスを用い真空度0
.5torr、 RFパワー200 Wの条件でプラズ
マエツチングを施して除去する工程、第4図はポリイミ
ド膜2の上に残った窒化シリコン膜5を4%酸素混合フ
レオンガスにより真空度0.4torr、 RFパワー
200Wで4分間プラズマエツチングし除去する工程で
ある。以上第1図〜第4図が本発明に必要な製造工程で
あり、この結果第4図のコンタクトホール6が本実施例
の場合4〜4.4μm角に精度よ(形成される。
り3μmの厚さに塗布し、350℃1時間熱処理した後
、プラズマCVD法を用いて0.2μm厚さの窒化シリ
コン膜5を被着し、さらに1μm膜厚のフォトレジスト
3を塗布して4μm角の開口部4を形成する工程、第2
図はフォトレジスト3をマスクとしてポリイミド膜2の
マスク材となる窒化シリコン膜5を4%酸素混合フレオ
ンガスで平行平板形ドライエツチング装置により、真空
度0.4torr、RFパワー200Wの条件の下に2
分間プラズマエツチングし、フォトレジスト開口部4の
窒化シリコン膜5を除去し、ポリイミド膜2を露出させ
る工程、第3図は露出したポリイミド膜2と窒化シリコ
ン膜5上のフォトレジスト3を酸素ガスを用い真空度0
.5torr、 RFパワー200 Wの条件でプラズ
マエツチングを施して除去する工程、第4図はポリイミ
ド膜2の上に残った窒化シリコン膜5を4%酸素混合フ
レオンガスにより真空度0.4torr、 RFパワー
200Wで4分間プラズマエツチングし除去する工程で
ある。以上第1図〜第4図が本発明に必要な製造工程で
あり、この結果第4図のコンタクトホール6が本実施例
の場合4〜4.4μm角に精度よ(形成される。
なお上記過程の酸素プラズマでレジスト3とポリイミド
膜2を同時に除去するときにポリイミド膜上にはマスク
材として耐酸素プラズマ性物質が用いられなければなら
ず本実施例では窒化シリコン膜としたが、その他に例え
ばポリシリコンやモリブデンなどを用いても同様な効果
が得られる。
膜2を同時に除去するときにポリイミド膜上にはマスク
材として耐酸素プラズマ性物質が用いられなければなら
ず本実施例では窒化シリコン膜としたが、その他に例え
ばポリシリコンやモリブデンなどを用いても同様な効果
が得られる。
以上実施例で説明したように、半導体集積回路などの絶
縁膜にコンタクトホールなどのパターンを形成するに際
して、従来ポリイミド膜に設けられたフォトレジストの
開口部から水加ヒドラジンを用いて、ウェットエツチン
グによりポリイミド膜にコンタクトホールを形成してい
たのに対して、本発明によれは、プラズマドライエツチ
ング法を用い、ポリイミド膜とフォトレジストの間に耐
酸素プラズマ性の例えば窒化シリコン膜を介在させ、レ
ジストの開口部から窒化シリコン膜をエツチングした後
、ポリイミド膜とレジスト膜を同時に酸素プラズマエツ
チングするが、このとき窒化シリコン膜は酸素プラズマ
エツチングされないために、コンタクトホールはサイド
エッチが進むことなく精度よく形成される。しかも本発
明では従来のように人体に有害で取扱上危険性の伴う水
加ヒドラジンを用いることがないから安全性が確保され
、使用するフォトレジストはネガタイプ、ポジタイプの
いずれでもよいという利点もある。
縁膜にコンタクトホールなどのパターンを形成するに際
して、従来ポリイミド膜に設けられたフォトレジストの
開口部から水加ヒドラジンを用いて、ウェットエツチン
グによりポリイミド膜にコンタクトホールを形成してい
たのに対して、本発明によれは、プラズマドライエツチ
ング法を用い、ポリイミド膜とフォトレジストの間に耐
酸素プラズマ性の例えば窒化シリコン膜を介在させ、レ
ジストの開口部から窒化シリコン膜をエツチングした後
、ポリイミド膜とレジスト膜を同時に酸素プラズマエツ
チングするが、このとき窒化シリコン膜は酸素プラズマ
エツチングされないために、コンタクトホールはサイド
エッチが進むことなく精度よく形成される。しかも本発
明では従来のように人体に有害で取扱上危険性の伴う水
加ヒドラジンを用いることがないから安全性が確保され
、使用するフォトレジストはネガタイプ、ポジタイプの
いずれでもよいという利点もある。
第1図ないし第4図は本発明による方法の工程順を示し
た半導体素子の断面図、第5図ないし第7図は従来方法
による工程順を示した半導体素子の断面図である。 1・・・半導体基板、2・・・ポリイミド膜、3・・・
フォトレジスト、4・・・開口部、5・・・窒化シリコ
ン膜。 6・・・コンタクトホール。 第1図 第2図 第3図 第4図
た半導体素子の断面図、第5図ないし第7図は従来方法
による工程順を示した半導体素子の断面図である。 1・・・半導体基板、2・・・ポリイミド膜、3・・・
フォトレジスト、4・・・開口部、5・・・窒化シリコ
ン膜。 6・・・コンタクトホール。 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)半導体基板上に設けたポリイミド膜にフォトレジス
トを塗布し、該フォトレジストを開口して開口部に相当
するポリイミド膜をエッチング除去するにあたり、ポリ
イミド膜とフォトレジスト膜との間に耐酸素プラズマ性
のマスク材を介在させてフォトレジスト膜を開口した後
マスク材をドライエッチングし、ついでポリイミド膜と
フォトレジスト膜を酸素プラズマにより同時にエッチン
グ除去し、しかる後マスク材をドライエッチング除去す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 2)特許請求の範囲第1項記載の方法において、マスク
材として窒化シリコン膜を用いることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 3)特許請求の範囲第1項記載の方法において、マスク
材としてポリシリコン膜を用いることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 4)特許請求の範囲第1項記載の方法において、マスク
材としてモリブデン膜を用いることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14556284A JPS6124235A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14556284A JPS6124235A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6124235A true JPS6124235A (ja) | 1986-02-01 |
Family
ID=15388006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14556284A Pending JPS6124235A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6124235A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5972137A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP14556284A patent/JPS6124235A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5972137A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
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