KR920006186B1 - 배선용 콘택홀 형성방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
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Abstract
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Description
제1도는 종래의 상, 하부 전극을 연결하기 위한 콘택 홀의 제조공정도이다.
제2도는 본 발명에 따른 콘택 홀의 제조공정도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 하부전극
3 : 절연막 4, 41, 42 : 포토레지스트막
5 : 콘택 홀 6 : 상부전극
본 발명은 반도체 장치의 제조공정중 상, 하부 전극을 연결하기 위한 콘택홀 형성방법에 관한 것으로서, 특히 포토레지스트막을 2층으로 형성하여 절연막에 콘택홀을 형성하므로써 소자의 절연파괴 및 특성저하를 방지하는 배선용 콘택 홀 형성방법에 관한 것이다.
종래에는 제1도(a)에 도시한 바와같이, 하부전극(2)이 형성된 기판(1)상에 절연막(3)을 도포한 후, 제1도(b)와 같이 포토레지스트막(4)을 순차 형성한다. 포토레지스트막(4)을 도포한 후 노광 및 현상처리를 하여, 상, 하부전극을 연결하기 위한 콘택 홀이 형성될 부위의 포토레지스트막(4)를 제거하고, 통상의 절연막을 식각하는 방법으로 포토레지스트막(4)이 제거된 부위의 절연막(3)을 식각하면 제1도(c)와 같이 절연막(3)상에 콘택 홀(5)이 형성된다. 콘택 홀(5)을 형성한 후 제1도(d)와 같이 상부전극(6)을 형성하면 절연막(3)상에 형성된 콘택 홀(5)을 통하여 하부전극(2)과 상부전극(6)이 전기적으로 접촉하게 된다.
그러나, 고집적도의 반도체 소자를 제조하기 위하여 패턴이 미세해지는 경우에 상기한 바와같은 공정으로 절연막에 미세 콘택홀을 형성하게 되면, 하부전극(2)상에 절연막의 도포시 단차가 발생되고, 이로 인하여 콘택 홀을 형성하기 위하여 도포된 포토레지스트막에도 단차가 발생하게 된다. 심지어는 절연막(3)상에 포토레지스트막(4)이 도포되지 않는 부분이 발생되므로 콘택 홀을 형성하기 위한 절연막(3)의 에칭시 절연막(3)이 손상되어 소자의 절연파괴 및 특성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 포토레지스트막을 2층으로 형성하여 절연막상에 콘택홀을 형성하므로써 소자의 절연파괴 및 소자의 특성 저하를 방지하는 배선용 콘택 홀 형성방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 절연막상에 포토레지스트막을 두번 도포하여 2층의 포토레지스트막을 형성한 후 콘택 홀을 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다. 제2도(a) 내지 (d)는 본 발명의 실시예에 따른 콘택 홀의 제조공정도를 나타낸 것이다.
먼저, 제2도(a)에서 처럼, 기판(1)상에 하부 전극(2)을 형성한 후, 그 위에 절연막(3)을 전면에 도포시킨다.
절연막(3)을 도포시킨 후 제2도(B)와 같이, 1차로 절연막(3)상에 고속으로 포토레지스트막(4l)을 얇게 도포시키고, 포토레지스트막(41)상에 2차로 포토레지스트막(42)을 얇게 도포시킨 다음, 노광 및 현상공정을하여 콘택 홀이 형성될 부위의 포토레지스트막(41),(42)을 제거한다.
상기와 같이 포토레지스트막을 두번 도포하여 2층의 포토레지스트막(41),(42)을 형성하므로써 포토레지스트막의 단락 즉, 절연막(3)상에 포토레지스트막이 도포되지 않는 부분은 발생되지 않게 되고, 따라서 포트레지스트막의 단락에 의한 절연막의 파괴를 방지할 수 있게 된다.
상기와 같이 콘택 홀 형성부위의 포로레지스트막(41), (42)을 제거한 후 절연막(3)을 통상의 방법을 사용하여 에칭하면, 제2도(c)와 같이 절연막(3)상에 상, 하부전극을 연결하기 위한 콘택 홀(5)이 형성한다.
콘택 홀(5)을 형성한 후, 상부 전극(6)을 형성하면 제2도(d)와 같이 상부전극(2)과 하부전극(6)이 콘택홀(5)을 통하여 전기적으로 접촉하게 된다.
이상에서 설명한 바와같은 본 발명에 의하면, 고집적도의 반도체 소자를 제조하기 위한 미세 패턴의 형성시 포토레지스트막을 두번 도포하여 포토레지스트막의 단락을 방지하여 양호한 콘택 홀을 형성할 수 있으며, 또한 포토레지스트막의 에칭시 절연막이 손상되는 것을 방지하여 줌으로써 소자의 절연파괴 및 특성의 저하를 방지할 수 있는 이점이 있다.
Claims (1)
- 하부전극이 형성된 반도체 기판(1)상의 절연막(3)에 콘택 홀(5)을 형성하여 상부전극(6)과 하부전극(2)을 전기적으로 연결하는 콘택 홀 형성방법에 있어서, 상기 절연막(3)을 도포한 후, 1차로 포토레지스트막(41)을 고속으로 얇게 도포하고, 상기 포토레지스트막(41)상에 2차로 포토레지스트막(42)을 얇게 도포한 다음, 상기 절연막(3)을 에칭하여 콘택 홀(5)을 형성하는 것을 특징으로 하는 배선용 콘택 홀 형성방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890018821A KR920006186B1 (ko) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 배선용 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890018821A KR920006186B1 (ko) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 배선용 콘택홀 형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910013526A KR910013526A (ko) | 1991-08-08 |
KR920006186B1 true KR920006186B1 (ko) | 1992-08-01 |
Family
ID=19293086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890018821A KR920006186B1 (ko) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 배선용 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR920006186B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100424190B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2004-06-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
-
1989
- 1989-12-18 KR KR1019890018821A patent/KR920006186B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR910013526A (ko) | 1991-08-08 |
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