JPH0782621B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0782621B2 JPH0782621B2 JP63327932A JP32793288A JPH0782621B2 JP H0782621 B2 JPH0782621 B2 JP H0782621B2 JP 63327932 A JP63327932 A JP 63327932A JP 32793288 A JP32793288 A JP 32793288A JP H0782621 B2 JPH0782621 B2 JP H0782621B2
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
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- Y10T428/12819—Group VB metal-base component
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドに関し、更に詳述すれば，磁性
層上に積層される保護層が改良された薄膜磁気ヘッドに
関する。
層上に積層される保護層が改良された薄膜磁気ヘッドに
関する。
薄膜磁気ヘッドは，フェライト或いはサファイア等の耐
摩耗性材料より成る基板上に，センダスト，アモルファ
ス等により形成した複数の（下部，上部）磁性層，この
磁性層間に導電性金属から成るコイル導体層及び絶縁層
等を成膜及びエッチングを繰返して所定の形状にパター
ニングし，最後に記録媒体の走行による摩耗等から前記
磁性層を保護する目的で保護層を形成して設けられてい
る。保護層としてはアルミナやSiO2が用いられていた。
摩耗性材料より成る基板上に，センダスト，アモルファ
ス等により形成した複数の（下部，上部）磁性層，この
磁性層間に導電性金属から成るコイル導体層及び絶縁層
等を成膜及びエッチングを繰返して所定の形状にパター
ニングし，最後に記録媒体の走行による摩耗等から前記
磁性層を保護する目的で保護層を形成して設けられてい
る。保護層としてはアルミナやSiO2が用いられていた。
処で，上記のような構成において，保護層が磁性層に較
べて充分に硬いと，記録媒体の走行による摩耗が磁性層
側に早く及び，磁性層に偏摩耗が生じてスペーシング・
ロスを発生することは良く知られている。
べて充分に硬いと，記録媒体の走行による摩耗が磁性層
側に早く及び，磁性層に偏摩耗が生じてスペーシング・
ロスを発生することは良く知られている。
一方，前記保護層は軟らか過ぎると全体の摩耗が早くな
り，ヘッド寿命を短かくする。従って，保護層の硬度は
磁性層と略同じか，これよりも幾分低い硬さに設けられ
ていることが望ましい。
り，ヘッド寿命を短かくする。従って，保護層の硬度は
磁性層と略同じか，これよりも幾分低い硬さに設けられ
ていることが望ましい。
例えば，磁性層のビッカース硬度がHv＝600〜650kg/mm2
のとき，保護層はHv＝400〜600kg/mm2の範囲に設定され
ていることが望ましい。
のとき，保護層はHv＝400〜600kg/mm2の範囲に設定され
ていることが望ましい。
また，前記保護層の厚みは，記録媒体の摺動性，耐偏摩
耗の点から20〜40μｍ程度以上を必要とする。しかしこ
の程度の厚みになると，通常，累積された内部応力によ
り保護層が剥離又は保護層に亀裂を生じる。このため内
部応力を極力小さくする必要がある。この問題を解決す
る１つの有効手段は，ヘッドを構成する各材料の熱膨張
係数を合わせることである。しかしながら，一般に従来
は金属磁性材料と保護層の熱膨張係数を合わせることは
難しかった。
耗の点から20〜40μｍ程度以上を必要とする。しかしこ
の程度の厚みになると，通常，累積された内部応力によ
り保護層が剥離又は保護層に亀裂を生じる。このため内
部応力を極力小さくする必要がある。この問題を解決す
る１つの有効手段は，ヘッドを構成する各材料の熱膨張
係数を合わせることである。しかしながら，一般に従来
は金属磁性材料と保護層の熱膨張係数を合わせることは
難しかった。
特開昭62−16218号公報には，偏摩耗の発生を効果的に
抑制できる保護層としてMgOとSiO2の混合物が開示され
ている。更に,MgOとSiO2の組成比をSiO2を濃度にして10
〜70％とすることにより，適度な硬さ（Hv＝450〜850）
と所望の熱膨張係数が得られることが記載されている。
抑制できる保護層としてMgOとSiO2の混合物が開示され
ている。更に,MgOとSiO2の組成比をSiO2を濃度にして10
〜70％とすることにより，適度な硬さ（Hv＝450〜850）
と所望の熱膨張係数が得られることが記載されている。
しかし，この保護層も，上述のような保護層に基本的に
要求される特性を備えつつ，さらに耐食性，加工性まで
をも十分に満足するものではなかった。
要求される特性を備えつつ，さらに耐食性，加工性まで
をも十分に満足するものではなかった。
本発明は，上記従来技術の問題点を飛躍的に改良した薄
膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
本発明によれば，基板と，基板上に下部磁性層，絶縁層
及び上部磁性層を順次有し，該上部磁性層上に形成され
記録媒体走行面に露出する端面を備えた保護層を含む薄
膜磁気ヘッドにおいて， 前記保護層の主成分を、 20〜95mol％のZrO2、TiO2及びSiO2の中の２種以上と、 ５〜80mol％のWO3及びMoO3の中の１種又は２種 とした薄膜磁気ヘッド（請求項１）により上記目的を達
成できる。
及び上部磁性層を順次有し，該上部磁性層上に形成され
記録媒体走行面に露出する端面を備えた保護層を含む薄
膜磁気ヘッドにおいて， 前記保護層の主成分を、 20〜95mol％のZrO2、TiO2及びSiO2の中の２種以上と、 ５〜80mol％のWO3及びMoO3の中の１種又は２種 とした薄膜磁気ヘッド（請求項１）により上記目的を達
成できる。
好ましくは,Y2O3,MgO,CaO及び希土類酸化物の中の１種
以上で前記ZrO2の20mol％以下を置き換える（請求項
２）。これらの元素はZrO2の安定化剤として作用する。
なお、本発明の薄膜磁気ヘッドの保護層は、前記主成分
の外に、製造上不可避な不純物を含む場合がある。
以上で前記ZrO2の20mol％以下を置き換える（請求項
２）。これらの元素はZrO2の安定化剤として作用する。
なお、本発明の薄膜磁気ヘッドの保護層は、前記主成分
の外に、製造上不可避な不純物を含む場合がある。
本発明の薄膜磁気ヘッドの保護層は,20〜95mol％のZr
O2,TiO2及びSiO2の中の２種以上と,5〜80mol％のWO3及
びMoO3の中の１種又は２種を主成分とする。
O2,TiO2及びSiO2の中の２種以上と,5〜80mol％のWO3及
びMoO3の中の１種又は２種を主成分とする。
ZrO2、TiO2及びSiO2の中の２種以上とは、下記〜の
いずれかのことである。
いずれかのことである。
ZrO2及びTiO2 ZrO2及びSiO2 TiO2及びSiO2 ZrO2、TiO2及びSiO2 WO3及びMoO3の中の１種又は２種とは、下記〜の中
のいずれかのことである。
のいずれかのことである。
WO3 MoO3 WO3及びMoO3 WO3及びMoO3の中の１種又は２種が5mol％未満の場合に
は，保護層が通常用いられる磁性層に比し硬くなり（ビ
ッカース硬度で750kg/mm2を越える，）磁性層に偏摩耗
が生じ，逆に80mol％を越える場合には，保護層の硬度
が不適当に軟らかくなり（ビッカース硬度で400kg/mm2
未満），早く摩耗する。そのため,WO3及びMoO3の中の１
種又は２種が40〜70mol％の範囲は好ましい。
は，保護層が通常用いられる磁性層に比し硬くなり（ビ
ッカース硬度で750kg/mm2を越える，）磁性層に偏摩耗
が生じ，逆に80mol％を越える場合には，保護層の硬度
が不適当に軟らかくなり（ビッカース硬度で400kg/mm2
未満），早く摩耗する。そのため,WO3及びMoO3の中の１
種又は２種が40〜70mol％の範囲は好ましい。
一方，保護層はスパッタ法，電子ビーム蒸着法等の気相
積着法により形成することができるが,WO3及びMoO3の中
の１種又は２種を5mol％以上含有するので，例えばスパ
ッタ法を用いた場合でも歪が少なく残留応力が小さい
（約0.5GPa未満の）保護層を形成できる。従って，保護
層は，前記方法により磁性層に直接安定して形成するこ
とができる。
積着法により形成することができるが,WO3及びMoO3の中
の１種又は２種を5mol％以上含有するので，例えばスパ
ッタ法を用いた場合でも歪が少なく残留応力が小さい
（約0.5GPa未満の）保護層を形成できる。従って，保護
層は，前記方法により磁性層に直接安定して形成するこ
とができる。
保護層をスパッタ法により形成する場合，ターゲットを
製造ないし入手しやすいように,ZrO2ターゲットの場合
にはその安定化剤としてY2O3,MgO,CaO及び希土類酸化物
の中の１種以上を,TiO2ターゲットの場合には所定の焼
結助剤の中の１種以上を夫々添加することができる。希
土類酸化物としては,Yb,Sc,Nd,Sm等の酸化物がある。そ
のため，保護層にも前記安定化剤あるいは焼結助剤が含
有されることがある。前記安定化剤の保護層への含有
は，保護層の主成分全体の20mol％以下（好ましくは10m
ol％以下）の前記安定化剤で，前記ZrO2の一部をZrO2の
安定化ないし部分安定化に十分な程度の量で置き換える
程度であれば問題はない。また，前記焼結助剤の保護層
への含有は，例えば保護層の主成分全体の10mol％以下
の前記焼結助剤で前記TiO2の一部を置き換える程度であ
れば問題はない。
製造ないし入手しやすいように,ZrO2ターゲットの場合
にはその安定化剤としてY2O3,MgO,CaO及び希土類酸化物
の中の１種以上を,TiO2ターゲットの場合には所定の焼
結助剤の中の１種以上を夫々添加することができる。希
土類酸化物としては,Yb,Sc,Nd,Sm等の酸化物がある。そ
のため，保護層にも前記安定化剤あるいは焼結助剤が含
有されることがある。前記安定化剤の保護層への含有
は，保護層の主成分全体の20mol％以下（好ましくは10m
ol％以下）の前記安定化剤で，前記ZrO2の一部をZrO2の
安定化ないし部分安定化に十分な程度の量で置き換える
程度であれば問題はない。また，前記焼結助剤の保護層
への含有は，例えば保護層の主成分全体の10mol％以下
の前記焼結助剤で前記TiO2の一部を置き換える程度であ
れば問題はない。
なお，保護層として必要とされる特性を満たすことがで
きれば，他の成分を含有させることもできる。例えばZr
O2ターゲットを用いた場合にはターゲットの焼結助剤を
含有させることもできるが，前記安定化剤との合量はZr
O2に対して20mol％以下とすることが好ましい。例えばS
iO2,Al2O3,粘度等を含有できる。
きれば，他の成分を含有させることもできる。例えばZr
O2ターゲットを用いた場合にはターゲットの焼結助剤を
含有させることもできるが，前記安定化剤との合量はZr
O2に対して20mol％以下とすることが好ましい。例えばS
iO2,Al2O3,粘度等を含有できる。
以下，図面を参照して本発明の実施例を説明する。
第１図は，本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例の構造を
示す断面図であり，製造プロセスをこの図に基づいて説
明する。
示す断面図であり，製造プロセスをこの図に基づいて説
明する。
実施例１ 図において，フェライト基板10上にスパッタ法によりCo
−Nb−Zr合金の強磁性体を10μｍ付着し，下部磁性層11
を形成する。次に下部磁性層11上の所定の位置にSiO2等
よりなる非磁性絶縁層12及びCu,Al等よりなるコイル導
体層13を適宜形成した後，コイル導体層13を含む非磁性
絶縁層12の断面を図に示すように略台形状にイオンミリ
ングにより加工する。次にギャップ層14を形成し，後に
形成する上部磁性層15と直接接合する所定の位置（図示
せず）よりギャップ層14を除去して,Co−Nb−Zr合金の
金属磁性材料をスパッタ法で15μｍ付着し，所定の位置
（図示せず）で下部磁性層11に接合した上部磁性層15を
形成する。
−Nb−Zr合金の強磁性体を10μｍ付着し，下部磁性層11
を形成する。次に下部磁性層11上の所定の位置にSiO2等
よりなる非磁性絶縁層12及びCu,Al等よりなるコイル導
体層13を適宜形成した後，コイル導体層13を含む非磁性
絶縁層12の断面を図に示すように略台形状にイオンミリ
ングにより加工する。次にギャップ層14を形成し，後に
形成する上部磁性層15と直接接合する所定の位置（図示
せず）よりギャップ層14を除去して,Co−Nb−Zr合金の
金属磁性材料をスパッタ法で15μｍ付着し，所定の位置
（図示せず）で下部磁性層11に接合した上部磁性層15を
形成する。
次に，本発明の要部である保護層16を上部磁性層15の上
に形成する。
に形成する。
保護層16は二極RFマグネトロンスパッタ装置により形成
した。ターゲットとしては,ZrO2ターゲット（Y2O3を3mo
l％含有）上にTiO2及びWO3の小片（5mm×5mm）の２種を
配したものを用いた。Ar（４％O2含有）ガス圧を0.4P
a、陰極電力を350W,ターゲット基板間距離を60mmとし，
基板を水冷して厚さ40μｍの保護層を成形した。この保
護層の主成分は,55mol％のZrO2,27mol％のTiO2,及び18m
ol％のWO3であった。
した。ターゲットとしては,ZrO2ターゲット（Y2O3を3mo
l％含有）上にTiO2及びWO3の小片（5mm×5mm）の２種を
配したものを用いた。Ar（４％O2含有）ガス圧を0.4P
a、陰極電力を350W,ターゲット基板間距離を60mmとし，
基板を水冷して厚さ40μｍの保護層を成形した。この保
護層の主成分は,55mol％のZrO2,27mol％のTiO2,及び18m
ol％のWO3であった。
上述のようにして保護層16が形成された後，従来と同
様，前記保護層16を平坦化し，接着剤層（エポキシ系）
18を介して保護板19と接着し記録媒体走行面20を平滑に
して，本発明の一実施例である薄膜磁気ヘッドを製作し
た。
様，前記保護層16を平坦化し，接着剤層（エポキシ系）
18を介して保護板19と接着し記録媒体走行面20を平滑に
して，本発明の一実施例である薄膜磁気ヘッドを製作し
た。
実施例２〜12 前記実施例１の保護層形成において，ターゲットとして
前記ZrO2ターゲット上にTiO2又はSiO2の小片（5mm×5m
m）と,WO3及びMoO3の小片（5mm×5mm）の１種以上とを
適宜配したものを用いる以外は前記実施例１と同様にし
て薄膜磁気ヘッドを製作した。夫々の保護層の主成分及
びその含有率を第１表に示す。
前記ZrO2ターゲット上にTiO2又はSiO2の小片（5mm×5m
m）と,WO3及びMoO3の小片（5mm×5mm）の１種以上とを
適宜配したものを用いる以外は前記実施例１と同様にし
て薄膜磁気ヘッドを製作した。夫々の保護層の主成分及
びその含有率を第１表に示す。
実施例13〜18 前記実施例１の保護層形成において，ターゲットとして
TiO2ターゲット（但し完全なTiO2ではなく一部酸素の抜
けたTiOxなる組成と推定される）上にSiO2の小片（5mm
×5mm）と,WO3及びMoO3の小片（5mm×5mm）の１種以上
とを適宜配したものを用いる以外は前記実施例１と同様
にして薄膜磁気ヘッドを製作した。夫々の保護層の主成
分及びその含有率を第１表に示す。
TiO2ターゲット（但し完全なTiO2ではなく一部酸素の抜
けたTiOxなる組成と推定される）上にSiO2の小片（5mm
×5mm）と,WO3及びMoO3の小片（5mm×5mm）の１種以上
とを適宜配したものを用いる以外は前記実施例１と同様
にして薄膜磁気ヘッドを製作した。夫々の保護層の主成
分及びその含有率を第１表に示す。
実施例19〜24 前記実施例１の保護層形成において，ターゲットとして
SiO2ターゲット上にZrO2及びTiO2の小片（5mm×5mm）の
２種と,WO3及びMoO3の小片（5mm×5mm）の１種以上とを
適宜配したものを用いる以外は前記実施例１と同様にし
て薄膜磁気ヘッドを製作した。夫々の保護層の主成分及
びその含有率を第１表に示す。
SiO2ターゲット上にZrO2及びTiO2の小片（5mm×5mm）の
２種と,WO3及びMoO3の小片（5mm×5mm）の１種以上とを
適宜配したものを用いる以外は前記実施例１と同様にし
て薄膜磁気ヘッドを製作した。夫々の保護層の主成分及
びその含有率を第１表に示す。
比較例１〜３ 前記実施例１の保護層形成において，ターゲットとし
て，夫々前記ZrO2（比較例１）,TiO2（比較例２）又はS
iO2（比較例３）のターゲットのみを用いる以外は前記
実施例１と同様にして薄膜磁気ヘッドを製作した。夫々
の保護層の主成分及びその含有率を第２表に示す。
て，夫々前記ZrO2（比較例１）,TiO2（比較例２）又はS
iO2（比較例３）のターゲットのみを用いる以外は前記
実施例１と同様にして薄膜磁気ヘッドを製作した。夫々
の保護層の主成分及びその含有率を第２表に示す。
参考実施例25 前記実施例１の保護層形成において，ターゲットとして
ZrO2ターゲット（安定化剤としてY2O33mol％含有）上に
WO3の小片（5mm×5mm）を配したものを用いる以外は前
記実施例１と同様にして，［（ZrO2）0.97（Y
2O3）0.03］1-x［WO3］ｘを成分とした保護層を有する
薄膜磁気ヘッドを製作した。
ZrO2ターゲット（安定化剤としてY2O33mol％含有）上に
WO3の小片（5mm×5mm）を配したものを用いる以外は前
記実施例１と同様にして，［（ZrO2）0.97（Y
2O3）0.03］1-x［WO3］ｘを成分とした保護層を有する
薄膜磁気ヘッドを製作した。
参考実施例26 前記実施例１の保護層形成において，ターゲットとして
前記TiO2ターゲット上にWO3の小片（5mm×5mm）を配し
たものを用いる以外は前記実施例１と同様にして，（Ti
O2）1-x（WO3）ｘを成分とした保護層を有する薄膜磁気
ヘッドを製作した。
前記TiO2ターゲット上にWO3の小片（5mm×5mm）を配し
たものを用いる以外は前記実施例１と同様にして，（Ti
O2）1-x（WO3）ｘを成分とした保護層を有する薄膜磁気
ヘッドを製作した。
参考実施例27 前記実施例１の保護層形成において，ターゲットとして
SiO2ターゲット上にWO3の小片（5mm×5mm）を配したも
のを用いる以外は前記実施例１と同様にして，（SiO2）
1-x（WO3）ｘを成分とした保護層を有する薄膜磁気ヘッ
ドを製作した。
SiO2ターゲット上にWO3の小片（5mm×5mm）を配したも
のを用いる以外は前記実施例１と同様にして，（SiO2）
1-x（WO3）ｘを成分とした保護層を有する薄膜磁気ヘッ
ドを製作した。
［評価］ （イ） 前記実施例１〜24及び比較例１〜３の夫々の保
護層の硬度をマイクロビッカース硬度測定法（25g荷
重）により測定した（以下同様）。これらの結果（Hv）
を第１〜２表に示す。
護層の硬度をマイクロビッカース硬度測定法（25g荷
重）により測定した（以下同様）。これらの結果（Hv）
を第１〜２表に示す。
参考実施例25に関しては，［（ZrO2）0.97（Y
2O3）0.03］1-x［WO3］ｘを成分とした保護層の硬度を
同様に測定した結果を第２図に実線で示す。また,ZrO2
−WO3−MoO3を主成分とした保護層の硬度も同様に測定
した。この結果を第３図に示す。
2O3）0.03］1-x［WO3］ｘを成分とした保護層の硬度を
同様に測定した結果を第２図に実線で示す。また,ZrO2
−WO3−MoO3を主成分とした保護層の硬度も同様に測定
した。この結果を第３図に示す。
参考実施例26に関しては，（TiO2）1-x（WO3）ｘを成分
とした保護層の硬度を同様に測定した結果を第５図に実
線で示す。また,TiO2−WO3−MoO3を主成分とした保護層
の硬度も同様に測定した。この結果を第６図に示す。
とした保護層の硬度を同様に測定した結果を第５図に実
線で示す。また,TiO2−WO3−MoO3を主成分とした保護層
の硬度も同様に測定した。この結果を第６図に示す。
参考実施例27に関しては，（SiO2）1-x（WO3）ｘを成分
とした保護層の硬度を同様に測定した結果を第８図に実
線で示す。また,SiO2−WO3−MoO3を主成分とした保護層
の硬度も同様に測定した。この結果を第９図に示す。
とした保護層の硬度を同様に測定した結果を第８図に実
線で示す。また,SiO2−WO3−MoO3を主成分とした保護層
の硬度も同様に測定した。この結果を第９図に示す。
以上により，本発明で特定する範囲内の保護層の硬度
が，磁性層として一般的に用いられているものに対して
良好であることがわかる。
が，磁性層として一般的に用いられているものに対して
良好であることがわかる。
（ロ） 前記実施例１〜24及び比較例１〜３の夫々の保
護層の同一成分であって厚さ５μｍのものを，厚さ0.3m
mのサファイア基板に前記実施例及び比較例の夫々の成
膜条件と同様にして形成し，サファイア基板の反りを測
定し，これを夫々の保護層の残留応力（σ）に換算した
（以下同様）。これらの結果を第１〜２表に示す。
護層の同一成分であって厚さ５μｍのものを，厚さ0.3m
mのサファイア基板に前記実施例及び比較例の夫々の成
膜条件と同様にして形成し，サファイア基板の反りを測
定し，これを夫々の保護層の残留応力（σ）に換算した
（以下同様）。これらの結果を第１〜２表に示す。
また，前記参考実施例25〜27の夫々の保護層と同一成分
であって厚さ５μｍのものを，厚さ0.3mmのサファイア
基板に前記参考実施例の夫々の成膜条件と同様にして形
成し，サファイア基板の反りを測定し，これを夫々の保
護層の残留応力に換算した。これらの結果を夫々第2,5
及び８図に破線で示す。さらに,ZrO2−WO3−MoO3,TiO2
−WO3−MoO3及びSiO2−WO3−MoO3の夫々を主成分とした
層を，厚さ0.3mmのサファイア基板に形成し，同様の方
法で残留応力を求めた。これらの結果を夫々第4,7及び1
0図に示す。
であって厚さ５μｍのものを，厚さ0.3mmのサファイア
基板に前記参考実施例の夫々の成膜条件と同様にして形
成し，サファイア基板の反りを測定し，これを夫々の保
護層の残留応力に換算した。これらの結果を夫々第2,5
及び８図に破線で示す。さらに,ZrO2−WO3−MoO3,TiO2
−WO3−MoO3及びSiO2−WO3−MoO3の夫々を主成分とした
層を，厚さ0.3mmのサファイア基板に形成し，同様の方
法で残留応力を求めた。これらの結果を夫々第4,7及び1
0図に示す。
以上により，本発明で特定する範囲内の保護層を形成し
た基板の残留応力は，極めて小さいことがわかる。
た基板の残留応力は，極めて小さいことがわかる。
（ハ） 前記実施例の製造プロセスと同様に製作された
本発明の実施例の薄膜磁気ヘッドのいくつかを，フロッ
ピー・ディスク装置に装着し記録媒体（Fujix VF−HR）
と1000時間接触走行させて，偏摩耗を観察した。偏摩耗
はオプティカルフラットにより干渉縞を観察し，磁性層
と保護層との段差を調べることにより行った。その結
果，本発明で特定する範囲内の保護層で，段差は認めら
れず偏摩耗は生じていなかった。
本発明の実施例の薄膜磁気ヘッドのいくつかを，フロッ
ピー・ディスク装置に装着し記録媒体（Fujix VF−HR）
と1000時間接触走行させて，偏摩耗を観察した。偏摩耗
はオプティカルフラットにより干渉縞を観察し，磁性層
と保護層との段差を調べることにより行った。その結
果，本発明で特定する範囲内の保護層で，段差は認めら
れず偏摩耗は生じていなかった。
（ニ） 本発明の薄膜磁気ヘッドの保護層を,40℃，湿
度90％で１週間放置して耐食性を試験したが，全く変化
しなかった。
度90％で１週間放置して耐食性を試験したが，全く変化
しなかった。
本発明の薄膜磁気ヘッドの保護層は，そのビッカース硬
度Hvが約400〜約750kg/mm2の範囲内にあるため，軟らか
すぎることがなく，また磁性層として通常用いられてい
るCo系アモルファス，センダスト等（Hvは650kg/mm2程
度）との摩耗性のマッチングが良好であり，磁性層に偏
摩耗が生じない。
度Hvが約400〜約750kg/mm2の範囲内にあるため，軟らか
すぎることがなく，また磁性層として通常用いられてい
るCo系アモルファス，センダスト等（Hvは650kg/mm2程
度）との摩耗性のマッチングが良好であり，磁性層に偏
摩耗が生じない。
前記保護層をスパッタ法等により磁性層に直接形成して
も歪が小さく，残留応力がほとんど生じないので，保護
層の剥離や亀裂は生じない。
も歪が小さく，残留応力がほとんど生じないので，保護
層の剥離や亀裂は生じない。
前記保護層は，高温高湿の条件下においても変質せず，
端食性が良好である。
端食性が良好である。
前記保護層を磁性層に形成した後に機械的に加工して
も，保護層の剥離や亀裂が生じない。また，フロン系ガ
スにより反応性エッチングも可能である。
も，保護層の剥離や亀裂が生じない。また，フロン系ガ
スにより反応性エッチングも可能である。
第１図は本発明に基づいて構成される薄膜磁気ヘッドの
断面図，第２図,5図及び８図はWO3のモル％とビッカー
ス硬度Hv,及び内部応力との関係を示した図，第３図及
び第４図はZrO2−WO3−MoO3を主成分とした保護層の夫
々ビッカース硬度及び残留応力を示す図，第６図及び第
７図はTiO2−WO3−MoO3を主成分とした保護層の夫々ビ
ッカース硬度及び残留応力を示す図，第９図及び第10図
はSiO2−WO3−MoO3を主成分とした保護層の夫々ビッカ
ース硬度及び残留応力を示す図である。 10……フェライト基板， 11……下部磁性層,12……非磁性絶縁層， 13……コイル導体層,14……ギャップ層， 15……上部磁性層,16……保護層， 17……フロントギャップ部， 18……接着剤層,19……保護板， 20……記録媒体走行面
断面図，第２図,5図及び８図はWO3のモル％とビッカー
ス硬度Hv,及び内部応力との関係を示した図，第３図及
び第４図はZrO2−WO3−MoO3を主成分とした保護層の夫
々ビッカース硬度及び残留応力を示す図，第６図及び第
７図はTiO2−WO3−MoO3を主成分とした保護層の夫々ビ
ッカース硬度及び残留応力を示す図，第９図及び第10図
はSiO2−WO3−MoO3を主成分とした保護層の夫々ビッカ
ース硬度及び残留応力を示す図である。 10……フェライト基板， 11……下部磁性層,12……非磁性絶縁層， 13……コイル導体層,14……ギャップ層， 15……上部磁性層,16……保護層， 17……フロントギャップ部， 18……接着剤層,19……保護板， 20……記録媒体走行面
Claims (2)
- 【請求項１】基板と、基板上に下部磁性層、絶縁層及び
上部磁性層を順次有し、該上部磁性層上に形成され記録
媒体走行面に露出する端面を備えた保護層を含む薄膜磁
気ヘッドにおいて、 前記保護層の主成分を、 20〜95mol％のZrO2、TiO2及びSiO2の中の２種以上と、 ５〜80mol％のWO3及びMoO3の中の１種他は２種 としたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】Y2O3、MgO、CaO及び希土類酸化物の中の１
種以上で前記ZrO2の20mol％以下を置き換えることを特
徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63327932A JPH0782621B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 薄膜磁気ヘッド |
| US07/457,670 US5061576A (en) | 1988-12-27 | 1989-12-27 | Thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63327932A JPH0782621B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177010A JPH02177010A (ja) | 1990-07-10 |
| JPH0782621B2 true JPH0782621B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=18204618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63327932A Expired - Fee Related JPH0782621B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5061576A (ja) |
| JP (1) | JPH0782621B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2977867B2 (ja) * | 1990-06-21 | 1999-11-15 | 住友特殊金属株式会社 | 磁気ヘッドスライダ用材料 |
| US5750275A (en) * | 1996-07-12 | 1998-05-12 | Read-Rite Corporation | Thin film heads with insulated laminations for improved high frequency performance |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4598053A (en) * | 1974-05-23 | 1986-07-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramic compacts |
| JPS5924176B2 (ja) * | 1979-07-31 | 1984-06-07 | 三菱製鋼株式会社 | 高強度軟質磁性材料 |
| JPS5761553A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-14 | Toray Industries | Laminated film |
| JPS6050905A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-22 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板 |
| JPH0719369B2 (ja) * | 1984-02-02 | 1995-03-06 | 日本ビクター株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
| DE3436597A1 (de) * | 1984-10-05 | 1986-04-10 | Max Planck Gesellschaft | Oxidischer koerper mit ionischer und elektronischer leitfaehigkeit |
| JPH0664710B2 (ja) * | 1985-07-15 | 1994-08-22 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS63208208A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-29 | Hitachi Ltd | 磁気デイスク用スライダ−材 |
| JPS63257206A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド用スライダ材料 |
| JPH0762890B2 (ja) * | 1988-10-04 | 1995-07-05 | 富士写真フイルム株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP63327932A patent/JPH0782621B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-12-27 US US07/457,670 patent/US5061576A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5061576A (en) | 1991-10-29 |
| JPH02177010A (ja) | 1990-07-10 |
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