JPS6050905A - 薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板Info
- Publication number
- JPS6050905A JPS6050905A JP58158575A JP15857583A JPS6050905A JP S6050905 A JPS6050905 A JP S6050905A JP 58158575 A JP58158575 A JP 58158575A JP 15857583 A JP15857583 A JP 15857583A JP S6050905 A JPS6050905 A JP S6050905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film magnetic
- magnetic head
- weight
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高密度記録に適した薄膜１４＆気へ・７１’
ＩＩセラミックス基板および−この製造方法に関・Ｊる
ｂのである。
ＩＩセラミックス基板および−この製造方法に関・Ｊる
ｂのである。
最近、コンピュータ録７１］川磁−（ｌ＼・ント、■「
１でテープの位置決め用磁気センサー、ＰＣＭ録音録音
アープッドなどの高密度記録用磁気ヘッドとして従来の
フエライ］−およびセンゲス１へを使用した・′＼ノド
に変って薄膜磁気ヘッドが注目されている。
１でテープの位置決め用磁気センサー、ＰＣＭ録音録音
アープッドなどの高密度記録用磁気ヘッドとして従来の
フエライ］−およびセンゲス１へを使用した・′＼ノド
に変って薄膜磁気ヘッドが注目されている。
薄膜磁気ヘッド用基板に要求される特性として下記の項
目が挙げられる。
目が挙げられる。
（イ）表面が平坦で気孔が存在しない。
（ロ）精密機械加工が容易でしかも加工中クラック、チ
ッピングを生じない。
ッピングを生じない。
（ハ）耐摩耗性に優れている。
（ニ）化学的に安定である。 −
（ホ）絶縁層としてコーディングされる材質と熱膨張係
数が同等である。
数が同等である。
これらの要求に対応するため、現在では酸化アルミニウ
ムと炭化チタンを主成分とする複合セラミックスが開発
され使用されている。しかしイ【がら、この複合ヒラミ
ックスは酸化アルミニウムと炭化Ｆタン粒子間の濡れ性
が悪いためデツピングの発生しやすいことが欠点とされ
ている。
ムと炭化チタンを主成分とする複合セラミックスが開発
され使用されている。しかしイ【がら、この複合ヒラミ
ックスは酸化アルミニウムと炭化Ｆタン粒子間の濡れ性
が悪いためデツピングの発生しやすいことが欠点とされ
ている。
これの欠点は、用途°は異なるが、酸化アルミニウムど
炭化チタンを主成分どするレジミック切削工具において
ＩＪ同様である／）号、レラミック工具の５″Ｊ野にお
いＣは、焼結助剤（土として酸化物）を添加して、結晶
粒成長を抑制し微細化ゾる方法あるいは、金属元素を添
加して液相焼ね−４行い緻密化づることによって、デツ
ピング士ｌ（の改良が図られている。
炭化チタンを主成分どするレジミック切削工具において
ＩＪ同様である／）号、レラミック工具の５″Ｊ野にお
いＣは、焼結助剤（土として酸化物）を添加して、結晶
粒成長を抑制し微細化ゾる方法あるいは、金属元素を添
加して液相焼ね−４行い緻密化づることによって、デツ
ピング士ｌ（の改良が図られている。
例えば、金属元素を添加りるツノ法どしで、１）１開明
５１−５２１５号の鉄族金属およびｔリブテンの１手・
１又は２種以上を添加する例、！１１１開昭！ｉ１ ６
２０９″；′！、。
５１−５２１５号の鉄族金属およびｔリブテンの１手・
１又は２種以上を添加する例、！１１１開昭！ｉ１ ６
２０９″；′！、。
特聞口ｆ（５１−９３９４７号および特開昭！ｉＧ −
９２４６１５’、の鉄族金属、′［リブｊ゛しおにびタ
ングステンの１腫又は２種以上を添加する例かあインか
、これＣう従来月利を薄膜ヘッド用セラミックス阜扱ど
して使用づ“る場合には、不充分であり、さらに高密度
結晶粒微細化にＪ：ってグツピング４改良づるとど（ｉ
＋Ｚ１μｍ以上の空孔が皆無になζ、 Ｊ、う焼結づ
ることが必要Ｃある。
９２４６１５’、の鉄族金属、′［リブｊ゛しおにびタ
ングステンの１腫又は２種以上を添加する例かあインか
、これＣう従来月利を薄膜ヘッド用セラミックス阜扱ど
して使用づ“る場合には、不充分であり、さらに高密度
結晶粒微細化にＪ：ってグツピング４改良づるとど（ｉ
＋Ｚ１μｍ以上の空孔が皆無になζ、 Ｊ、う焼結づ
ることが必要Ｃある。
本発明は一１ニ記の従来の欠点を除去した；■膜’Ｌ１
）気ヘッド用基板およびイの￥’Ｊ ：ｊ’、Ｉｆｆ法
を提供づるちのである。
）気ヘッド用基板およびイの￥’Ｊ ：ｊ’、Ｉｆｆ法
を提供づるちのである。
すなわち、本発明による薄膜磁気ヘッド用セラミックス
基板は炭化チタン２０〜５５重量％、残部酸化アルミニ
ウムから４Ｔる複合レラミックス１００重最部に対しシ
リコンを０．０５〜５重量部添加した薄膜磁気ヘッド用
基板あるいは上記組成物にさらに鉄、クロム、タングス
テンの１種又は２秤取十を０．０５〜５重吊部重量した
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板で
あり、ざらには炭化ブタンと酸化アルミニウム １００
重吊重量対して、ホウ素および炭素の１種又は２種５〜
３０重量部の割合で配合したことが特徴である。
基板は炭化チタン２０〜５５重量％、残部酸化アルミニ
ウムから４Ｔる複合レラミックス１００重最部に対しシ
リコンを０．０５〜５重量部添加した薄膜磁気ヘッド用
基板あるいは上記組成物にさらに鉄、クロム、タングス
テンの１種又は２秤取十を０．０５〜５重吊部重量した
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板で
あり、ざらには炭化ブタンと酸化アルミニウム １００
重吊重量対して、ホウ素および炭素の１種又は２種５〜
３０重量部の割合で配合したことが特徴である。
また、上記組成に刻して、炭化チタンの５〜６０モル％
をＺｒ、ｔＩｆ、Ｖ、Ｎｌ）、Ｔａ＋ Ｃｒ、Ｍ□。
をＺｒ、ｔＩｆ、Ｖ、Ｎｌ）、Ｔａ＋ Ｃｒ、Ｍ□。
Ｗの炭化物の１種又は２種以上、Ｚｒ、Ｉｆｆ、Ｖ。
Ｎｌ）、丁ａ 、 Ｃｒ 、 ＩＶｌｏ 、 Ｗの窒化
物の１種又は２種以上で置換可能であり、酸化アルミ−
ラムの５−−６０Ｔニル％を酸化ジルコニウムで、ざら
に酸化ジルコニウムの２〜１０１Ｅル％をＭ（Ｉ Ｏ、
Ｃａ Ｏ。
物の１種又は２種以上で置換可能であり、酸化アルミ−
ラムの５−−６０Ｔニル％を酸化ジルコニウムで、ざら
に酸化ジルコニウムの２〜１０１Ｅル％をＭ（Ｉ Ｏ、
Ｃａ Ｏ。
”ｌ’２０．て固溶さＵたことを特徴とでるものである
。
。
さらには、上記組成物から４する基板４・１・・ソトプ
レス後さらに熱間静水圧加圧することが製）４１ｊ法の
特徴である。
レス後さらに熱間静水圧加圧することが製）４１ｊ法の
特徴である。
以下、本発明について詳しく説明づ−る。
本発明では酸化アルミニウムと炭化チタンを真空又は不
活性ガス雰囲気中で、しかも黒鉛り、イス中でボッ［−
プレス焼結する条１′１ては、シリコ１ンの添加が有効
であり、酸化アルミ−ラムと炭化ブタン粒子間の界面強
度が人さくなることを児出しｔこ。
活性ガス雰囲気中で、しかも黒鉛り、イス中でボッ［−
プレス焼結する条１′１ては、シリコ１ンの添加が有効
であり、酸化アルミ−ラムと炭化ブタン粒子間の界面強
度が人さくなることを児出しｔこ。
シリコンは焼結りる過程で、炭化ブタンあるいは黒鉛の
炭素と反応して炭化ケイ素になることがくり返され、そ
のため炭化チタンｄ３ Ｊ、び酸化アルミニウム粒子の
表面が活性化され、強固な結合が生ずるものと考えられ
る。これに、さらに鉄、り［１ムおよびタンゲスフンの
１種文は２秤取１−をシ１，１］ンど同助に添加りるこ
とによ゛）（、酸化）′ノし一ミニウムと炭化チタン粒
子間の結合４より強固にづることが可能Ｃあった。
炭素と反応して炭化ケイ素になることがくり返され、そ
のため炭化チタンｄ３ Ｊ、び酸化アルミニウム粒子の
表面が活性化され、強固な結合が生ずるものと考えられ
る。これに、さらに鉄、り［１ムおよびタンゲスフンの
１種文は２秤取１−をシ１，１］ンど同助に添加りるこ
とによ゛）（、酸化）′ノし一ミニウムと炭化チタン粒
子間の結合４より強固にづることが可能Ｃあった。
シリコンが０．０５ΦΦ部以Ｆの場合（Ｊ、シＩＪ −
１ン添加の効果がなく、５．０重量部以上になると硬さ
が小さくなるため、シリコンの添加量は０．０５・〜５
，０重量部が好ましい。
１ン添加の効果がなく、５．０重量部以上になると硬さ
が小さくなるため、シリコンの添加量は０．０５・〜５
，０重量部が好ましい。
また、ホウ素および炭素の１種又は２種を添加すること
によって、上記セラミックス組成物の耐摩耗性が著しく
改善される。ホウ素および炭素の１種又は２種の添加量
は酸化アルミニウムと炭化チタンの混合物の１００重量
部に対して０．０５重量部以下であるとその効果はなく
、２．０重量部以上になると耐デツピング性が悪くなる
ので、０．０５〜２．Ｏｕｉ部の範囲が好ましい。
によって、上記セラミックス組成物の耐摩耗性が著しく
改善される。ホウ素および炭素の１種又は２種の添加量
は酸化アルミニウムと炭化チタンの混合物の１００重量
部に対して０．０５重量部以下であるとその効果はなく
、２．０重量部以上になると耐デツピング性が悪くなる
ので、０．０５〜２．Ｏｕｉ部の範囲が好ましい。
ざらに、上記組成物の炭化チタンをＺｒ、Ｉｆ。
Ｖ、Ｎｂ 、Ｔａの炭化物の１種又は２秤取−１−で置
換し、さらにはＴｉ 、Ｚｒ、Ｉ−ＩＮ、Ｖ、Ｎｂ、
ＴＱ。
換し、さらにはＴｉ 、Ｚｒ、Ｉ−ＩＮ、Ｖ、Ｎｂ、
ＴＱ。
の窒化物の１種又は２種以上でＭ換することによって、
上記組成物の焼結体の組織を微細化することができる。
上記組成物の焼結体の組織を微細化することができる。
これらの添加物は、炭化チタンの５℃ル％以下であると
その効果はなく、６０モル％以上であると焼結性が悪く
なるためその添加量は５−６０モル％が適している。ま
た、上記組成物の醇化アルミニウムを酸化ジルコニウム
で置換りることによって、酸化アルミニウム相が強靭化
され、耐デツピング性が向上する。特に酸化ジルコニウ
ムに対して安定化剤としてｔｖｌ（Ｉ Ｏ，Ｃａ Ｏ，
および）’２０３の１種又は２種以上を２・〜、 １０
−Ｌル％固溶させるとさらに効果的である。
その効果はなく、６０モル％以上であると焼結性が悪く
なるためその添加量は５−６０モル％が適している。ま
た、上記組成物の醇化アルミニウムを酸化ジルコニウム
で置換りることによって、酸化アルミニウム相が強靭化
され、耐デツピング性が向上する。特に酸化ジルコニウ
ムに対して安定化剤としてｔｖｌ（Ｉ Ｏ，Ｃａ Ｏ，
および）’２０３の１種又は２種以上を２・〜、 １０
−Ｌル％固溶させるとさらに効果的である。
一方、製造方法どしては、ホラｌ−７レス法が一１流で
あるが、最近アルゴンガス雰囲気炉で焼結し、相対密度
を９４％以上にした後、熱間静水圧如月−づる方法も行
われでいる。
あるが、最近アルゴンガス雰囲気炉で焼結し、相対密度
を９４％以上にした後、熱間静水圧如月−づる方法も行
われでいる。
前者では、結晶粒径２ｔ１ｍと微細（゛あるが、相対密
度は９９％が限度である。後右（よ、相対密度かほぼ１
００％どなるが、結晶粒径が５μｍ以上でありデツピン
グの発生しやすいことか欠員である。
度は９９％が限度である。後右（よ、相対密度かほぼ１
００％どなるが、結晶粒径が５μｍ以上でありデツピン
グの発生しやすいことか欠員である。
本発明ににる薄膜磁気ヘッド用しラミックスは気孔率が
ほぼ零で、しかも微１ｆｔｌｌ結晶８１′ｆ組ｆｉ！ｉ
（あることが要求されるためボッ１−プレスにＪ、・ン
Ｃ１４１１対密度９８％以−［に焼結し、ざらに熱間静
水圧加圧して相対密度をほぼ１００％にりる）’ｊ ｉ
２が望よ（）い。
ほぼ零で、しかも微１ｆｔｌｌ結晶８１′ｆ組ｆｉ！ｉ
（あることが要求されるためボッ１−プレスにＪ、・ン
Ｃ１４１１対密度９８％以−［に焼結し、ざらに熱間静
水圧加圧して相対密度をほぼ１００％にりる）’ｊ ｉ
２が望よ（）い。
以下、本発明を実施例をあげＣ説明づる。１実施例１
純度９９．９％、平均粒子径０．５μｍの酸化アルミニ
ウム、純度９９．５％、平均粒子径０．６μｍの炭化チ
タンに試薬１級のシリコン、鉄、クロム、タングステン
粉末を第１表に示す割合で配合し、ボールミルで２４時
間混合した。乾燥後、造粒し１ｔ／’Ｃｍの圧力で８０
φ× ７〜８℃の寸法に成形した。
ウム、純度９９．５％、平均粒子径０．６μｍの炭化チ
タンに試薬１級のシリコン、鉄、クロム、タングステン
粉末を第１表に示す割合で配合し、ボールミルで２４時
間混合した。乾燥後、造粒し１ｔ／’Ｃｍの圧力で８０
φ× ７〜８℃の寸法に成形した。
成形体を黒鉛型に設置し、１６００℃で１詩間減圧下で
処理した。（の後さらに１５００℃で１５００気圧。
処理した。（の後さらに１５００℃で１５００気圧。
１時間Ａ１゛雰囲気中で処理した。焼結体は７６．２φ
Ｘ４ｔに加工した後、片面をｏ、ｏｉ ｓになるまでラ
ッピングした。ラッピング面の空孔を顕微鏡で観察し、
空孔の大きさを測定した。相対密度【よ空孔の人ささど
分布Ｊ、り緯出しＬ Ｑまた、焼結体をダイＡ７モンド
ブレイドで切削し、ラッピング面と切削面の稜に生ずる
カケの寸法を測定した。
Ｘ４ｔに加工した後、片面をｏ、ｏｉ ｓになるまでラ
ッピングした。ラッピング面の空孔を顕微鏡で観察し、
空孔の大きさを測定した。相対密度【よ空孔の人ささど
分布Ｊ、り緯出しＬ Ｑまた、焼結体をダイＡ７モンド
ブレイドで切削し、ラッピング面と切削面の稜に生ずる
カケの寸法を測定した。
さらに、破面を走査型電子顕微鏡で観察し、結晶粒径を
測定した。以上の測定結果を第１表に示す。
測定した。以上の測定結果を第１表に示す。
第１表で本発明範囲内の実施例はＮｏ、４〜９であり、
Ｎ００１〜３は範囲外の比較例である。
Ｎ００１〜３は範囲外の比較例である。
本発明範囲内の試料はいずれも相対密度が９９．７％以
上、ラッピング面内の空孔は１μｍ以下、稜のカケは１
μｍ以下であり、薄膜ヘッド用セラミックス基板に適し
ている。また、Ｎｏ、１−３は相対密度が低く、ラッピ
ング面内の空孔は１μｍ以上のものがあり、稜のカケは
１μｍ以上のものがあるため薄膜ヘッド用セラミックス
基板とし−Ｃ不適当である。
上、ラッピング面内の空孔は１μｍ以下、稜のカケは１
μｍ以下であり、薄膜ヘッド用セラミックス基板に適し
ている。また、Ｎｏ、１−３は相対密度が低く、ラッピ
ング面内の空孔は１μｍ以上のものがあり、稜のカケは
１μｍ以上のものがあるため薄膜ヘッド用セラミックス
基板とし−Ｃ不適当である。
実施例２
実施例１の配合組成の他にホウ素および炭素の１種又は
２種を第２表に示ず割合で配合し、実施例１と同様な方
法で試料を作成し評価した。また、摩耗アス［・を行い
摩耗量を測定して、従来材の摩耗量を１００どしたとき
の相対比較を行った。その結宋を第２表に示づ。
２種を第２表に示ず割合で配合し、実施例１と同様な方
法で試料を作成し評価した。また、摩耗アス［・を行い
摩耗量を測定して、従来材の摩耗量を１００どしたとき
の相対比較を行った。その結宋を第２表に示づ。
第２表でＮ ０．１が従来のホラ１−プレス月利であり
、Ｎｏ２〜Ｎａ、１０が本発明範囲にＪ：るものである
。本発明材は摩耗ｍがいずれも従来材と比較して３０〜
ｂ 効果の著しいことがわかる。
、Ｎｏ２〜Ｎａ、１０が本発明範囲にＪ：るものである
。本発明材は摩耗ｍがいずれも従来材と比較して３０〜
ｂ 効果の著しいことがわかる。
実施例３
実施例１の配合組成の他に第３表に示すＪ、うにＴｉ
、Ｚｒ、 Ｈｆ 、Ｖ、’Ｎｂ、Ｔａの炭化物、窒化物
を配合して実施例１と同様な方法で試料をｆ［成し、評
価した。その結果を第３表に示す。
、Ｚｒ、 Ｈｆ 、Ｖ、’Ｎｂ、Ｔａの炭化物、窒化物
を配合して実施例１と同様な方法で試料をｆ［成し、評
価した。その結果を第３表に示す。
第３表でＮ００１は従来のホラ１へプレス材料で平均結
晶粒径は４・〜５Ｉ１ｍであるが、本発明によるＮｏ、
２〜Ｎｏ、１３はいずれも１μｍ以下であり、Ｔｉ Ｎ
、Ｚｒ 、Ｈｔ’ 、Ｖ、Ｎｂ 、Ｔａの炭窒化物の添
加効果が明らかである。
晶粒径は４・〜５Ｉ１ｍであるが、本発明によるＮｏ、
２〜Ｎｏ、１３はいずれも１μｍ以下であり、Ｔｉ Ｎ
、Ｚｒ 、Ｈｔ’ 、Ｖ、Ｎｂ 、Ｔａの炭窒化物の添
加効果が明らかである。
実施例１の配合組成の他に第１１表に示ＩＪ、うに酸化
ジルコニウムおよびその安定化剤を配合し７′Ｃ実施例
１と同様な方法で試別を作製しＪ Ｉ Ｓ ４＋ｊ、ｉ
曲げ試験法により抗折力を測定した。その結架在第４表
に示す。
ジルコニウムおよびその安定化剤を配合し７′Ｃ実施例
１と同様な方法で試別を作製しＪ Ｉ Ｓ ４＋ｊ、ｉ
曲げ試験法により抗折力を測定した。その結架在第４表
に示す。
第４表でＮｏ、１は（；η来のホラ１−プレス＋Ａ−（
゛あり抗折力”５１（ｇ／ｎ１ｎｉ’に対しＣ、ホ几明
による；’＋０．２〜Ｎ０．２０はいずれも抗折力が人
さく酸化ジルコニウムの効果が明らかである。
゛あり抗折力”５１（ｇ／ｎ１ｎｉ’に対しＣ、ホ几明
による；’＋０．２〜Ｎ０．２０はいずれも抗折力が人
さく酸化ジルコニウムの効果が明らかである。
以上のように、本発明範囲内の範囲の組成物は薄膜磁気
ヘッド用セラミツ・タス基板としＣ非富に優れた性能を
備えた材料である。１ 出願人 日立金属株式会着 ”−′−・。
ヘッド用セラミツ・タス基板としＣ非富に優れた性能を
備えた材料である。１ 出願人 日立金属株式会着 ”−′−・。
、１）
二′−′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、炭化チタン２０へ・５５重量％と残部酸化アルミニ
ウムからなる複合セラミックス１００重化部に対しこ、
シリコンを０．０５〜５重量部添加した割合よりなるも
のに、さらにホウ素および炭素の１種又は２種０．０５
〜２．０重量部を添加したことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド用セラミックス基板。 ２、特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、さらに
鉄、クロム、タングステンの１神父（よ２秤取」−を０
．０５〜５重灯１部添加したことを特徴どづる薄膜磁気
ヘッド用セラミックス基板。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載の薄膜磁気
ヘッド用基板において、上記炭化チタンの５〜ＧＯ’［
ル９６を７ｒ、Ｉｌｒ、ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ１ｌ、ＣｙＭｏ
、Ｗの炭化物の１種又は２種以上で置換しｌこことを特
徴と覆る薄膜磁気ヘッド用しラミックス基板。 ４ 、１？Ｊ Ｈ’ｌ請求の範囲第１項、第２項または
第３項記載の薄膜磁気ヘッド用セラミックス４ｉｔ板に
おいて、上記炭化チタンの５− Ｇ （１シル％をｌ−
ｉ、／ｒ１０、 Ｖ、Ｎｂ、 Ｔａのｖｌし物の１種又
（よ２種以上で置換したことを特徴とする薄１１’５
ｕｌ気へ・ンド用セラミックス基板。 ５、特許請求の範囲第１１真、第２１頁、第３１負よｌ
こは第４項記載の薄膜磁気ヘラ１：用しラミノクス基板
において、上記酸化アルミニウムの５−［ｉ（ｌ Ｅｌ
ル％をＯり化ジルコニウムで置換したことを特徴とＪる
薄膜磁気ヘッド用ごラミノクス基板。 ６、特許請求の範囲第５項記載の薄ＩＩψ磁気ｌ＼ツＩ
〜用セラミックス塁仮において、酸化ジル−１ニウムに
酸化ジルコニウムの２〜１０モル９６のＭ ｇＯ、Ｃ（
ＬＯ，Ｙ２Ｏ，１を１種又は２４Φ以Ｊ−固溶しｔここ
とを１Ｆｉ徴ど覆る薄膜磁気ヘット用しラミックスＪ、
↓（ル１゜
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158575A JPS6050905A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158575A JPS6050905A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050905A true JPS6050905A (ja) | 1985-03-22 |
| JPS6323641B2 JPS6323641B2 (ja) | 1988-05-17 |
Family
ID=15674680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58158575A Granted JPS6050905A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050905A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3006544A1 (de) | 1979-02-24 | 1980-08-28 | Nippon Kokan Kk | Verfahren zur automatischen steuerung oder einstellung der breite einer bramme bzw. metallplatte beim warmvorwalzen derselben |
| US5061576A (en) * | 1988-12-27 | 1991-10-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| US7675708B2 (en) * | 2003-07-28 | 2010-03-09 | Hitachi Metals, Ltd. | Substrate for thin-film magnetic head |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58158575A patent/JPS6050905A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3006544A1 (de) | 1979-02-24 | 1980-08-28 | Nippon Kokan Kk | Verfahren zur automatischen steuerung oder einstellung der breite einer bramme bzw. metallplatte beim warmvorwalzen derselben |
| US5061576A (en) * | 1988-12-27 | 1991-10-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| US7675708B2 (en) * | 2003-07-28 | 2010-03-09 | Hitachi Metals, Ltd. | Substrate for thin-film magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6323641B2 (ja) | 1988-05-17 |
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