JPS63136312A - 薄膜磁気ヘツドの磁極ギヤツプ深さ検出法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は磁気ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッド
の磁極ギャップ深さ検出法であって、基板の同一面上に
薄膜磁気ヘッドと、長さの異なる２つの抵抗体パターン
を有するギャップ深さ検出素子とを並べて形成しておき
、媒体と対向する該薄膜磁気ヘッドの磁極ギャップ端面
を前記基板と共に研磨する際に、その研磨と同時に研磨
されて変化するギャップ深さ検出素子の２つの抵抗体の
抵抗値の差によりギャップ深さを検出し、これによって
薄膜磁気ヘッドの規定のギャップ深さを高精度に形成し
得るようにしたものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は磁気ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッド
の磁極ギャップ深さ検出法の改良に関するものである。

磁極ギャップを有するインダクティブ型の薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、磁極ギャップの深さＷ精度が記録・再生
特性に大きく影響する。このため薄膜磁気ヘッドの製造
時における磁極ギャップ深さＷの形成を高精度に、かつ
容易に実現できる磁極ギャップ深さ検出法が必要とされ
る。

〔従来の技術〕

従来、薄膜磁気ヘッドの製造時において磁極ギャップ深
さＷを精度良く形成するための磁極ギヤツブ深さ検出法
としては、第３図に示すようにスライダとなるセラミッ
ク、ガラス等の基板１上に薄膜加工技術を用いて、例え
ば第４図に示す下部磁極層３、ギャップ層４、眉間絶縁
層５で挟まれた導体コイル６及び上部磁極層７、更に絶
縁保護層８が順に積層形成された薄膜磁気ヘッド２を形
成する際に、その同一基板１上の例えば両側に前記下部
及び上部磁極層３．７の先端に揃えて図示のように磁極
ギャップ深さＷを検出する抵抗体パターンからなる検出
素子９も同時に形成しておく。

そして図示しない媒体と対向する薄膜磁気ヘッド２の磁
極ギャップ端面を前記基板１端面Ａと共に研磨加工して
規定のギャップ深さにするわけであるが、この時、前記
検出素子９も同時に研磨され、その抵抗体パターンの抵
抗値が増加する。この様子を研磨加工中において観測し
、予め規定のギヤツブ深さＷと相関関係がとられている
所定の抵抗値になった時に該研磨加工を終了させて、規
定のギャップ深さＷを得るようにしている。Ｂは研磨加
工終了時の磁極ギャップ端面である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、上記した従来の磁極ギャップ深さ検出法にお
いては、抵抗体の抵抗率や膜厚のバラツキ、及び第５図
に示すようにギャップ深さ検出素子９の抵抗体パターン
における所謂抵抗体部９ａと各検出用引き出し端子９ｂ
、　９ｃとが接続された接続部９ｄ及び９ｅにおける抵
抗値が研磨加工に対して線形に変化しないという理由の
ため、規定のギヤツブ深さＷになった時の抵抗値に誤差
が生じる。

即ち、更に詳しく説明すると、前記抵抗体パターンにお
ける接続部９ｄ及び９ｅでは、抵抗体部９ａの形状効果
により電流密度が研磨加工深さ方向に対して一定でない
ため、その抵抗値は研磨加工深さに対して線形には変化
しないことから、所望とする規定のギャップ深さＷにな
った時の抵抗値の正確な予知を困難にしていた。

本発明は上記従来の欠点に鑑み、研磨加工により薄膜磁
気ヘッドの磁極ギャップ深さが所望とする規定のギャッ
プ深さＷとなった時の抵抗値を正確に予知し得るように
して、該磁極ギャップ深さＷの形成を高精度に、かつ容
易に実現できる新規な磁極ギャップ深さ検出法を提供す
ることを目的とするものである。

Ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明は上記目的を達成するため、基板の同一面上に薄
膜磁気ヘッドと、長さの異なる２つの抵抗体パターンを
有するギャップ深さ検出素子とを並べて形成しておき、
媒体と対向する該薄膜磁気ヘッドの磁極ギャップ端面を
前記基板と共に研磨して行く際に、同時に研磨されて変
化するギャップ深さ検出素子の２つの抵抗体の抵抗値の
差によりギヤツブ深さを検出する方法を採っている。

〔作用〕

本発明の磁気ヘッドの磁極ギャップ深さ検出法では、ギ
ャップ深さ検出素子における２つの抵抗体パターンの各
抵抗体部の長さのみが異なり、その幅と、各検出用引き
出し端子及び端子接続部の形状が全く同一形状に形成さ
れているため、薄膜磁気ヘッドの磁極ギャップ端面を研
磨加工する過程において、同時に研磨されて変化するギ
ャップ深さ検出素子の２つの抵抗体の抵抗値の差により
ギャップ深さを検出することによって、前記端子接続部
での抵抗体部の形状効果による抵抗値の変化及び抵抗体
の抵抗率や膜厚のバラツキの影響が除去され、磁極ギャ
ップ深さが所望とする規定のギャップ深さＷとなった時
の抵抗値（抵抗値の差）を正確に予知することができる
。

〔実施例〕

以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。

第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの磁極ギャップ深
さ検出法の一実施例を示す要部平面図である。

図において、１はスライダとなるセラミックやガラス等
のからなる基板１であり、該基板１上には薄膜加工工程
によって、従来と同様な下部磁極層３、ギャップ層４、
眉間絶縁層５で挟まれた導体コイル６及び上部磁極層７
、絶縁層ＩＪｉ８が順に積層形成される複数の薄膜磁気
ヘッド２を形成する際に、その同一基板１上の例えば両
側に前記下部及び上部磁極層２．７の先端に揃えて図示
のように磁極ギャップ深さＷを検出する長さの異なる２
つの抵抗体パターン２２．２３を有するギャップ深さ検
出素子２１を同時に形成しておく。

該ギャップ深さ検出素子２１における２つの抵抗体パタ
ーン２２．２３は、第２図の部分拡大図に示すようにそ
の各抵抗体部２２ａ、　２３ａの長さのみが異なり、そ
の幅と、その他の各検出用引き出し端子２２ｂ。

２２ｃ及び２３ｂ、　２３ｃ及び端子接続部２２ｄ、　
２２ｅ及び２３ｄ。

２３ｅの形状が全く同一形状に形成されている。

そして薄膜磁気ヘッド２の磁極ギャップ端面を基板ｌ端
面Ａと共に研磨加工を行うと、その過程において該ギャ
ップ深さ検出素子２１における２つの抵抗体パターン２
２．２３も同時に研磨されて、それぞれ抵抗値が増加し
て行く。

この時の抵抗体パターン２２の抵抗値Ｒ６は、該抵抗体
パターン２２の抵抗体部２２ａ、検出用引き出し端子２
２ｂ、　２２Ｃ１端子接続部２２ｄ、　２２ｅの各抵抗
値をＲｚｚｍ＋　Ｒｔｔｂ、　Ｒｚｚｃ、　Ｒｚｚａ、
　Ｒ２！ｅとすると、ＲＩ　−Ｒｚｚａ＋Ｒｉｚｂ＋Ｒ
ｚｚｃ”Ｒｚｚａ”Ｒｚｚ。

で表される。

また抵抗体パターン２３の抵抗値Ｒ２は、同様に該抵抗
体パターン２３の抵抗体部２３ａ、検出用引き出し端子
２３ｂ、　２３ｃ、端子接続部２３ｄ、　２３ｅの各抵
抗値をＲｔｘｓ＋　Ｒｚｓｂ、　ＲＢｃ＋　Ｒｔｓａ、
　Ｒｔｓｍとすると、Ｒｔ　＝Ｒｔ３ａ＋Ｒｚｘｂ＋Ｒ
ｚｚｃ＋Ｒｚ３ａ＋Ｒｚｘ。

で表される。

これら各抵抗体パターン２２．２３においてギャップ深
さ研磨加工により抵抗値が変化する部分は、抵抗体部２
２ａ　、　２３ａ及び端子接続部２２ｄ、　２２ｅ、　
２３ｄ。

２３ｅであるが、該端子接続部２２ｄ、　２２ｅ、　２
３ｄ、　２３ｅでは研磨加工に対して検出する電流密度
が一定でないため、その各抵抗値Ｒｚｔａ＊　Ｒｘｘａ
、　Ｒｚｚａ、　Ｒｚｆｆ＠の変化は研磨加工深さに対
して線形ではなくなり、従来のギャップ深さ検出法では
、この部分の抵抗値が誤差の原因となっていた。

本発明のギャップ深さ検出素子２１では２つの抵抗体パ
ターン２２と２３の各抵抗体部２２ａ　、　２３ａの長
さが異なることを除いては、各検出用引き出し端子２２
ｂ、　２２ｃ、　２３ｂ、　２３ｃ及び各端子接続部２
２ｄ＋　２２ｅ。

２３ｄ、　２３ｅは同形状であるので、それらの各抵抗
値も％　Ｒｔｔｂ＝Ｒｚｚｃ＝Ｒｚａｂ＝Ｒｔ３ｃ＋　
Ｒｔｚａ＝Ｒｔｔ＊＝Ｒｚｓａ＝Ｒ２３゜と等しくなっ
ている。従って、抵抗体パターン２２と２３の抵抗値の
差は、 ＲＩ　　　Ｒｚ　＝Ｒｚｚｓ　　Ｉｈｔｍで示すように
各抵抗体部２２ａ、　２３ａのみの抵抗値の差となり、
各端子接続部２２ｄ、　２２ｅ、　２３ｄ、　２３ｅの
抵抗値の影響を除去できる。

ここで各抵抗体パターン２２．２３の抵抗体部２２ａ。

２３ａを形成する材料の抵抗率をρ、膜厚をｔ、幅をｄ
、各長さをそれぞれＩ！、、Ｉｔ２とすると、各抵抗体
部２２ａ、　２３ａの抵抗値Ｒ２！ｍとＲ２３ｍは次式
で表される。

Ｒｌｔａ　＝ρ　・　１．／ｄ　ｔ Ｒ１３ｍ−ρ　・　ｌ、／ｄｔ 故に、抵抗体パターン２２と２３の抵抗値の差は、ＲＩ
−Ｒｚ＝ρ／ｄｔ（ｊ！＋　　　ｊ！ｚ）となる。

各抵抗体パターン２２．２３の抵抗体部２２ａ、　２３
ａの基板ｌの加工端面Ａから離れた側の各パターンエツ
ジは、薄膜磁気ヘッド２のギャップ深さを測定する時の
基準線Ｃと一致するように設けており、該磁気ヘッド２
の所望とするギャップ深さをＷとすると、前記基板１加
工端面Ａから研磨加工終了線Ｂまで研磨した時の各抵抗
体パターン２２．２３の抵抗体部２２ａ、　２３ａの幅
はＷとなる。

その時の各抵抗体パターン２２．２３の抵抗値をＲＩ　
＋Ｒｔとすると、その差は次式により求められる。

ＲＩ　　　Ｒｚ＝ρ／Ｗｔ　　（ｊ）、　　−ｆ２）＝
ｄ／Ｗ　（Ｒ１−Ｒ２＞ ＲＩ　、Ｒｚ　、ｄは既知の値であるため、所望とする
規定のギャップ深さＷを定めれば、目標とする抵抗値の
差（ＲＩ　　Ｒ２）を精度よく求めることができる。

従って、その予め求めておいた目標とする抵抗値の差（
Ｒ，−Ｒ，）の値となる時点まで研磨加工を行って終了
することにより薄膜磁気ヘッド２のギャップ深さＷを規
定の深さに加工することができる。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの磁極ギャップ深さ検出法によれば、基板上に形
成された薄膜磁気ヘッドの磁極ギャップ端面を基板と共
に研磨することにより変化するギャップ深さが、同時に
研磨されるギャップ深さ検出素子の２つの長さが異なる
抵抗体パターンの抵抗値の差によって、該各抵抗体パタ
ーンにおける端子接続部での抵抗変化、また抵抗体の抵
抗率や膜厚に影響されることなく、正確に検出すること
ができるので、薄膜磁気ヘッドの磁極ギャップ深さを、
規定の深さに高精度に研磨加工することが可能となる優
れた利点を有し、この種の薄膜磁気ヘッドの磁極ギャッ
プ深さを定める加工に適用して極めて有利である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの磁極ギャップ深
さ検出法の一実施例を示す要 部平面図、 第２図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの磁極ギャップ深
さの検出に通用するギャップ 深さ検出素子の拡大図、 第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの磁極ギャップ深さ検出
法を説明するための要部平面 図、 第４図は薄膜磁気ヘッドの磁極ギャップ深さを説明する
ための要部断面図、 第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの磁極ギャップ深さの検
出に適用するギャップ深さ検 出素子の拡大図である。 第１図及び第２図において、 １は基板、２は薄膜磁気ヘッド、２１はギャップ深さ検
出素子、２２．２３は長さの異なる抵抗体パターン、２
２ａ、　２３ａは抵抗体部、２２ｂ、　２２ｃ、　２３
ｂ、　２３ｃは検出用引き出し端子、２２ｄ、　２２ｅ
、　２３ｄ、　２３ｅは端子接続部を奉モ明り触９′）
ｌ晩４Ｉ７一部乎面間第　１　図 岸４邑明のギ瞳・・プ環３検忠参）シ部体大」４第２　
図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板（１）面上に薄膜磁気ヘッド（２）と、長さの異な
   る２つの抵抗体パターン（２２、２３）を有するギャッ
   プ深さ検出素子（２１）とを並べて形成しておき、媒体
   と対向する該薄膜磁気ヘッド（２）の磁極ギャップ端面
   を前記基板（１）と共に研磨して行く際に、同時に研磨
   されて変化するギャップ深さ検出素子（２１）の２つの
   抵抗体部（２２ａ、２３ａ）の抵抗値の差によりギャッ
   プ深さを検出するようにしたことを特徴とする薄膜磁気
   ヘッドの磁極ギャップ深さ検出法。