JPH11250417A

JPH11250417A - 磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH11250417A
Application number: JP4691998A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Handa; 洋一半田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-02-27
Filing date: 1998-02-27
Publication date: 1999-09-17

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果素子部を含む磁気ヘッドを二次
元的配列でもって成膜されたウエハから、複数の磁気ヘ
ッドが直線状に配列されたブロックを切り出し、磁気抵
抗効果素子部を浮上面側から加工して所定の素子高さに
仕上げた後、ブロックを分割して個々の磁気ヘッドを作
製する磁気ヘッドの製造方法に関し、製造過程におい
て、サンプルの破壊検査を行うことなく、しかも正確
に、不良品を見分けること。【解決手段】浮上面の加工を進めた際に、この浮上面
のパターンが、磁気抵抗効果素子部３０Ａの加工限界位
置まで到達した前後で変化するように、ウエハ工程時
に、磁気抵抗効果素子部３０Ａの成膜と同一プロセスで
限界モニタパターン４０を成膜しておき、磁気ヘッドの
浮上面のパターンを観察することで、良品／不良品を判
別する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも磁気抵
抗効果素子部を含む磁気ヘッドを二次元的配列でもって
ウエハ上に成膜するウエハ工程と、複数の磁気ヘッドが
直線状に配列されたブロックをウエハから切り出す切り
出し工程と、ブロック単位で前記磁気抵抗効果素子部を
浮上面側から加工して所定の素子高さに仕上げる加工工
程と、この加工工程終了後のブロックを分割して個々の
磁気ヘッドを作製する分割工程とを経る磁気ヘッドの製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】高密度化に対応した再生ヘッドとして、
磁界の強さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素
子を用いた磁気抵抗効果型ヘッドが知られている。磁気
抵抗効果型ヘッドは、一般にはＭＲヘッド（ＭＲはmagn
etoresistiveの略）と呼ばれ、異方性磁気抵抗効果を利
用したＡＭＲヘッド（ＡＭＲは anisotropic magnetore
sistiveの略）や、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ
ヘッド（ＧＭＲは giantmagnetoresistiveの略）等があ
る。

【０００３】ＡＭＲヘッドは、例えば、ＮｉＦｅＣｒ
（ニッケル−鉄−クロム）等の磁化された磁性材料から
なるソフトアジャセント（soft adjacent）層と、Ｔａ
（タンタル）等の非磁性中間層と、ＮｉＦｅ（フェライ
ト）等の磁気抵抗層（ＭＲ層）と、反強磁性体であるＦ
ｅＭｎ（鉄−マンガン）で形成されて実質的に磁化され
た状態にあるＢＣＳ（boundary control stabilizatio
n）層と、記録トラック幅に相応する間隔をもってＢＣ
Ｓ層上に並設された一対のセンス電流供給用の導体層と
を、この順序で積層して磁気抵抗効果素子部を形成さ
せ、ＢＣＳ層により、磁気抵抗層に記録トラックの幅方
向の磁気バイアスを与え、ソフトアジャセント層によ
り、磁気抵抗層にＢＣＳ層の磁気バイアスと直角方向の
磁気バイアスを与えるようにしたものである。

【０００４】一方、ＧＭＲヘッドは、巨大磁気抵抗効果
を利用することで、ＡＭＲヘッドよりも、一層の高密度
化を可能にしたものである。ＧＭＲヘッドの磁気抵抗効
果素子部も、複数の磁性層を非磁性中間層を介して積層
した積層構造を有し、記録トラック幅に相応する間隔を
もって並設された一対のセンス電流供給用の導体層が、
この磁気抵抗効果素子部に取り付けられている。

【０００５】上記磁気抵抗効果型ヘッドは情報の再生の
み可能であり記録は行えない。このため、通常は、記録
を行う薄膜ヘッドと組み合わせて、複合型の磁気ヘッド
を構成する場合が多い。

【０００６】図７はこの複合型の磁気ヘッドの主要部を
示す図、図８は図７中の磁気抵抗効果素子部及び導体層
を示す平面図である。これらの図において、１０は磁気
記録媒体のトラック、２０は磁気記録媒体への情報の記
録を行う薄膜ヘッドでなる記録ヘッド部、３０は情報の
読み出しを行う磁気抵抗効果型ヘッドでなる再生ヘッド
部である。記録ヘッド部２０は、ＮｉＦｅ等でなる下部
磁極（上部シールド層）２１と、トラックとの対向部分
が一定間隔をもって下部磁極２１と対向したＮｉＦｅ等
でなる上部磁極２２と、これら磁極２１，２２を励磁
し、記録ギャップ部分にて、磁気記録媒体の記録トラッ
ク１０に情報の記録を行わせるコイル２３等から構成さ
れる。尚、コイル２３周辺の空間には、Ａｌ₂Ｏ₃等でな
る非磁性絶縁層２４が隙間なく設けられている。

【０００７】再生ヘッド部３０はＡＭＲヘッドやＧＭＲ
ヘッド等でもって構成されるものであり、その磁気抵抗
効果素子部３０Ａ上には、磁気抵抗効果素子部３０Ａに
センス電流を供給するための一対の導体層３１が記録ト
ラック幅に相応する間隔をもって設けられている。

【０００８】記録ヘッド部２０と再生ヘッド部３０の積
層状態を図９を用いて説明する。図９は図７における磁
気ヘッドを磁気記録媒体側から見たときのギャップ近傍
の積層構造を示す断面図である。図９において、２５は
セラミック製の基板で、この基板２５上には、Ａｌ₂Ｏ₃
等でなる非磁性絶縁層２６、ＮｉＦｅ等でなる下部シー
ルド層２７、Ａｌ₂Ｏ₃等でなる非磁性絶縁層２８が、こ
の順序で形成されており、再生ヘッド部３０の磁気抵抗
効果素子部３０Ａは、この非磁性絶縁層２８上に形成さ
れている。仮に、再生ヘッド部３０の磁気抵抗効果素子
部３０ＡをＡＭＲヘッドでもって構成するのであれば、
例えば、ソフトアジャセント層、Ｔａ等の非磁性中間
層、ＮｉＦｅ等の磁気抵抗層、ＦｅＭｎ等のＢＣＳ層が
非磁性絶縁層２８上に順次形成されている。この磁気抵
抗効果素子部３０Ａ上には、磁気抵抗効果素子部３０Ａ
にセンス電流を供給するために、一対の導体層３１が記
録トラック幅に相応する間隔をもって形成されている。

【０００９】更に、磁気抵抗効果素子部３０Ａ及び導体
層３１上には、非磁性絶縁層３２が形成され、この上に
前述の記録ヘッド部２０が形成されている。即ち、Ｎｉ
Ｆｅ等でなる下部磁極（上部シールド層）２１、コイル
２３（図９中には現れない）、Ａｌ₂Ｏ₃等でなる非磁性
絶縁層２４、ＮｉＦｅ等でなる上部磁極２２が、この順
序で形成されている。そして最後に記録ヘッド部２０の
表面を覆うため、上部磁極２２の外側にＡｌ₂Ｏ₃等でな
る保護層３３が形成されている。

【００１０】上記構成の磁気ヘッドを製造するに際して
は、多数の磁気ヘッドを、二次元的配列でもってウエハ
上に成膜するウエハ工程と、複数の磁気ヘッドが直線状
に配列されたブロックをウエハから切り出す切り出し工
程と、ブロック単位で磁気抵抗効果素子部の素子高さ
（図７の磁気抵抗効果素子部３０Ａの上下方向の幅）を
所定の値に加工する加工工程と、この加工工程終了後の
ブロックを分割して個々の磁気ヘッドを作製する分割工
程とを経る。

【００１１】上記加工工程においては、例えば、加工が
進むにつれて面積がほぼ直線的に減少する加工基準用の
抵抗モニタパターンを、ウエハ工程時にブロック上に形
成しておき、この抵抗モニタパターンの抵抗値が加工量
に応じて増加することを利用して、抵抗値が所定の値に
達した時点で加工を終了するようにした加工方法が用い
られる。

【００１２】ところが、上記加工基準用の抵抗モニタパ
ターンの抵抗値と、実際の磁気抵抗効果素子部の素子高
さとの間の関係は、同一ウエハの磁気ヘッド間であって
もバラツキがあり、加工工程にて、必ずしも素子高さを
正確に加工できるとは限らない。

【００１３】一方、磁気抵抗効果素子部には、一定のセ
ンス電流が流れるようにドライブ回路が構成されるた
め、このセンス電流値に相応した素子高さに比べて現実
の素子高さが小さいと、磁気抵抗効果素子部の抵抗値が
大きくなり、磁気ヘッドとしての使用中に、過熱により
断線することがある。しかし、この断線を避けるため
に、不必要に素子高さを大きくとると、磁気ヘッドの出
力低下を招くことになり、この回避策をとることもでき
ない。

【００１４】そこで、ある程度の不良品の発生は覚悟
し、加工工程を経た磁気ヘッドに対して、磁気抵抗効果
素子部の素子高さの検査を行い、所定値以下の磁気ヘッ
ドは不良品として排除している。この際に用いられる従
来の検査方法は、ウエハ毎に、数個のサンプル（磁気ヘ
ッド）を抜き取り、破壊検査により、加工基準用の抵抗
モニタパターンの抵抗値と、実際の磁気抵抗効果素子部
の素子高さとの関係を調べ、この関係に基づき、サンプ
ルを除いた残りの製品（磁気ヘッド）の素子高さを推測
し、素子高さが所定値以下の磁気ヘッドは不良品として
廃棄している。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記製造方法
では、破壊検査を伴うために、検査に工数がかかると共
に、サンプルとして抜き取った磁気ヘッドは破壊される
ため、製品として使用できなくなり、この分、歩留まり
が悪くなるという問題がある。又、サンプルに関しては
磁気抵抗効果素子部の素子高さを直接測定するものの、
製品については素子高さそのものを検出しておらず、サ
ンプルの適否によってかなりのバラツキが生じ、不良品
が良品として扱われるという問題がある。

【００１６】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的は、製造過程において、サンプルの破壊検
査を行うことなく、しかも正確に、不良品を見分けるこ
とができる磁気ヘッドの製造方法を実現することにあ
る。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、少なくとも磁気抵抗効果素子部を含む磁気ヘッド
を二次元的配列でもってウエハ上に成膜するウエハ工程
と、複数の磁気ヘッドが直線状に配列されたブロックを
ウエハから切り出す切り出し工程と、ブロック単位で前
記磁気抵抗効果素子部を浮上面側から加工して所定の素
子高さに仕上げる加工工程と、この加工工程終了後のブ
ロックを分割して個々の磁気ヘッドを作製する分割工程
とを経る磁気ヘッドの製造方法であって、前記加工工程
で浮上面の加工を進めた際に、この浮上面のパターン
が、前記磁気抵抗効果素子部の加工限界位置まで到達し
た前後で変化するように、前記ウエハ工程時に、前記磁
気抵抗効果素子部の成膜と同一プロセスで限界モニタパ
ターンを成膜しておくことを特徴とするものである。

【００１８】この発明では、加工工程を経た後の、磁気
ヘッドの浮上面のパターンを顕微鏡等で観察し、限界モ
ニタパターンに変化が現れているかどうかを識別するだ
けで、磁気抵抗効果素子部の加工限界位置まで加工が進
み、不良品になってしまったかどうかを判別できる。

【００１９】ここで、本発明では、磁気抵抗効果素子部
と限界モニタパターンとが、同一プロセスにより同時に
形成されているため、磁気抵抗効果素子部と限界モニタ
パターンとの位置関係は極めて正確である。よって、磁
気抵抗効果素子部の加工限界位置を越えるまで加工が進
み、不良品になってしまったことを、正確に判別でき、
不良品が良品として扱われることはない。

【００２０】又、本発明によれば、破壊検査を伴わない
ために、検査に工数がかからないし、サンプルとして破
壊される磁気ヘッドも存在せず、歩留まりもよい。本発
明における限界モニタパターンは、最も典型的な例で
は、磁気抵抗効果素子部毎に形成され、しかも、磁気抵
抗効果素子部の加工限界位置を境にして、この限界素子
高さよりも先端側の領域に設けられる。

【００２１】このように構成すれば、浮上面のパターン
から限界モニタパターン（断面）が消滅したことを識別
するだけで、磁気ヘッドが良品か不良品かを判別でき
る。尚、限界モニタパターンについては、後述するよう
に、種々の変形が考えられ、例えば、磁気抵抗効果素子
毎に限界モニタパターンを複数設けることも考えられ
る。

【００２２】

【実施の形態】（第１の形態例）第１の形態例は複合型
の磁気ヘッドを製造する場合の形態例で、本形態例にお
ける製造工程も、従来の場合と同様に、次の〜の工
程をとる。ウエハ工程；二次元的配列でもって磁気抵抗効果型ヘ
ッド及び／又は薄膜ヘッドを含む磁気ヘッドをウエハ上
に成膜する。切り出し工程；複数の磁気ヘッドが直線状に配列され
たブロックをウエハから切り出す。加工工程；ブロック単位で磁気抵抗効果素子部を浮上
面側から加工して所定の素子高さに仕上げる。分割工程；加工工程終了後のブロックを分割して個々
の磁気ヘッドを作製する。

【００２３】上記各工程について具体的に説明する。ま
ず、ウエハ１は、例えば、図２に示すように略円板状の
もので、上記ウエハ工程においては、この表面に、二次
元的配列でもって磁気ヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド及
び薄膜ヘッドからなる）が成膜される。

【００２４】この磁気ヘッド成膜後のウエハ１からは、
切り出し工程において、複数のブロックが切り出され
る。図２の例においては、ブロック２は２列にわたって
多数形成されており、この区画にそってブロックが切り
出されることになる。

【００２５】各ブロック２は、図３に示すように、複数
の磁気ヘッド３が直線状に配列されたもので、この例で
は、加工監視用の抵抗モニタパターン４がブロック２の
左右の端部（双方の端部）と中央部とに設けられてい
る。磁気抵抗効果素子部の素子高さ方向は、図３の上方
向である。ブロック２をラッピングにより仕上げる場
合、図３中のブロック２における下面２Ａが加工面（ラ
ップ面）であり、磁気ヘッド３の浮上面となる。

【００２６】ラッピングは、工作物とラップ盤（工具）
との間にダイヤモンドスラリー等の微細な粒子をラップ
剤として供給し、適当な圧力の下に工作物とラップ盤と
を相対運動させ、ラップ剤粒子の切刃によって工作物を
微小量ずつ削り取って、工作物表面を滑らかに且つ寸法
精度よく加工する精密加工法の一種である。

【００２７】又、加工監視用の抵抗モニタパターン４
は、例えば、略Ｕ字形のパターンでなり、底部（ブロッ
ク２の先端側）のパターンが削られるにつれて底部のパ
ターン幅（加工方向の幅）が減少し、上端部間の抵抗値
が増加するものである。この抵抗値から、磁気抵抗効果
素子部３０Ａの素子高さを間接的に知ることができる。

【００２８】ブロック２をラッピングにより加工する場
合、加工監視用の抵抗モニタパターン４の抵抗値に基づ
き、例えばブロック２の左右の端部と中央部の合計３箇
所のラップ圧を独立に制御しながら、ブロック２をラッ
プ盤側に押圧する。これにより、ブロック２の左端部，
中央部，右端部のバランスをとった加工を行える。

【００２９】尚、ブロック２における抵抗モニタパター
ン４の外側には、加工マーカー５が設けられている。こ
の加工マーカー５は、抵抗モニタパターン４を用いる精
密加工の前段階での加工にて用いられるものである。上
記加工工程終了後の各ブロック２は、分割工程において
個々の磁気ヘッド３に分割される。

【００３０】本発明は、前述のように、加工工程で浮上
面の加工を進めた際に、この浮上面のパターンが、磁気
抵抗効果素子部の限界高さまで到達した前後で変化する
ように、ウエハ工程時に、磁気抵抗効果素子部の成膜と
同一プロセスで限界モニタパターンを成膜しておくこと
を特徴とするものであり、本形態例では、特に、後述の
矩形の限界モニタパターンを成膜した点に特徴がある。

【００３１】図１は本形態例における限界モニタパター
ンの形成を説明する図である。この図１は、図３中のＫ
部分に相当するもので、図２〜図３及び図７〜図９と対
応する部分には同一符号を付した。図１が示している状
態は、絶縁層２８上に磁気抵抗効果素子部３０Ａ及び導
体層３１を成膜すると共に、矩形の限界モニタパターン
４０及びＵ字形の抵抗モニタパターン４を成膜した状態
である。尚、本形態例におけるセンス電流を供給するた
めの導体層３１のパターンは、図７〜図８に示したもの
とは形状が異なっている。

【００３２】図１におけるＬ（一点鎖線）は、加工限界
位置を示しており、これよりも加工が進むと、磁気抵抗
効果素子部３０Ａの素子高さｈが短くなり過ぎて、磁気
ヘッドとして使用した際に断線が生じる恐れのある位置
である。本形態例では、加工限界位置Ｌと重なる辺Ｂ２
を有する矩形の限界モニタパターン４０が、この加工限
界位置Ｌを境にして、この加工限界位置Ｌよりもブロッ
ク２の先端側（加工面側）の領域に設けられている。

【００３３】又、限界モニタパターン４０は、ブロック
２上の各磁気抵抗効果素子部３０Ａ毎に、しかも、磁気
抵抗効果素子部３０Ａの成膜と同一プロセスで形成され
ている。仮に、磁気抵抗効果素子部３０Ａを前述のＡＭ
Ｒヘッドでもって構成するのであれば、ソフトアジャセ
ント層、Ｔａ等の非磁性中間層、ＮｉＦｅ等の磁気抵抗
層、ＦｅＭｎ等のＢＣＳ層を、絶縁層２８上に順次形成
した後、同一マスクを用いて、エッチングにより、磁気
抵抗効果素子部３０Ａのパターンと同時に形成されてい
る。

【００３４】一方、加工精度を上げるためには、加工監
視用の抵抗モニタパターン４も、磁気抵抗効果素子部３
０Ａと正確な位置関係で形成しなければならない。そこ
で、本形態例では、この抵抗モニタパターン４について
も、磁気抵抗効果素子部３０Ａと同一プロセスで同一マ
スクを使用してパターニングしている。

【００３５】尚、磁気抵抗効果素子部３０Ａ上の一対の
導体層３１の間隔は、記録トラック幅に相応するもので
ある。上記成膜後の本形態例における工程は、従来の場
合と同様であり、導体層３１上に非磁性の絶縁層を形成
し、この上に薄膜ヘッドを形成することになる。その
後、磁気ヘッド及び抵抗モニタパターン用の各端子を形
成し、更に、薄膜ヘッドの表面を覆うため、外側にＡｌ
₂Ｏ₃等でなる保護層を形成する。以上で、ウエハ工程が
終了する。

【００３６】加工工程においては、本形態例では、ウエ
ハから切り出したブロック２に対して、抵抗モニタパタ
ーン４の４Ｂ，４Ｃ端子間の抵抗値を測定しながら、磁
気抵抗効果素子部３０Ａの素子高さの加工を行う。磁気
抵抗効果素子部３０Ａの素子高さを小さくする加工が進
むにつれて、ウエハ工程時に形成しておいた抵抗モニタ
パターン４も削られ、その底部４Ａの面積が減少し、４
Ｂ，４Ｃ端子間の抵抗値が増加していく。

【００３７】抵抗モニタパターン４が本形態例のように
３個形成されたものでは、各抵抗モニタパターン４の抵
抗値に基づき、ブロック２の双方の端部と中央部の合計
３箇所のラップ圧を独立に制御しながらブロック２をラ
ップ盤側に押圧することになる。そして、この抵抗値が
所定の値に到達した時点で加工を終了する。

【００３８】上記加工工程の終了後、磁気ヘッドの検査
に移り、浮上面のパターンを観察する。図４が磁気抵抗
効果素子部近傍の浮上面のパターンの要部を示す図であ
る。磁気抵抗効果素子部３０Ａの素子高さの加工が加工
限界位置Ｌまで到達していない場合は、図４（ａ）に示
すように、磁気抵抗効果素子部３０Ａのパターンの横
に、限界モニタパターン４０が存在する。即ち、断線の
恐れのない状態であり、良品であることを示している。

【００３９】一方、加工が進み過ぎて、加工限界位置Ｌ
よりも深く加工されると、図４（ｂ）に示すように、磁
気抵抗効果素子部３０Ａのパターンの横に、限界モニタ
パターン４０が存在しなくなる。この時は、磁気抵抗効
果素子部３０Ａの素子高さｈが短くなり過ぎて、磁気ヘ
ッドとして使用した際に断線が生じる恐れのある状態で
あり、不良品であることを示している。

【００４０】従って、浮上面のパターンから限界モニタ
パターン４０が消滅していることを顕微鏡等を用いて識
別するだけで、磁気ヘッドが良品か不良品かを判別でき
る。そこで、不良品を廃棄し、良品の磁気ヘッドのみを
選別して、完成品とする。

【００４１】上記形態例では、磁気抵抗効果素子部３０
Ａと限界モニタパターン４０とが、同一プロセスにより
同時に形成されているため、磁気抵抗効果素子部３０Ａ
と限界モニタパターン４０との位置関係は極めて正確で
ある。よって、磁気抵抗効果素子部３０Ａの加工限界位
置を越えるまで加工が進み、不良品になってしまったこ
とを、正確に判別でき、不良品が良品として扱われるこ
ともない。

【００４２】しかも、破壊検査を伴わないために、検査
に工数がかからないし、サンプルとして破壊される磁気
ヘッドも存在せず、歩留まりもよい。尚、磁気抵抗効果
素子部３０Ａ毎に限界モニタパターン４０を設けている
ので、磁気ヘッド単位で良品／不良品を判別できる。

【００４３】又、この形態例では、磁気抵抗効果素子部
３０Ａの基端側の辺Ｂ１と限界モニタパターン４０の基
端側の辺Ｂ２との間隔が、素子高さｈに対応することに
なるが、磁気抵抗効果素子部３０Ａと限界モニタパター
ン４０とを同一マスクを用いてエッチングで形成する場
合、磁気抵抗効果素子部３０Ａの基端側の辺Ｂ１と限界
モニタパターン４０の基端側の辺Ｂ２のパターン形成時
のずれ方向は、同じである。

【００４４】即ち、エッチングが深く進行し、図１中に
破線示したように磁気抵抗効果素子部３０Ａと限界モニ
タパターン４０の各パターンが小さくなっても、磁気抵
抗効果素子部３０Ａの基端側の辺Ｂ１と限界モニタパタ
ーン４０の基端側の辺Ｂ２は、共に、図１における下方
向にずれる。このため、磁気抵抗効果素子部３０Ａの基
端側の辺Ｂ１と限界モニタパターン４０基端側の辺Ｂ２
との間隔がほとんど変化することはなく、良品か不良品
かの判別精度が劣化することはない。

【００４５】この判別精度の向上は、磁気抵抗効果素子
部３０Ａと限界モニタパターン４０をメッキにより形成
する場合も同様である。ただし、メッキの場合は、パタ
ーンがエッチングの場合とは逆方向にずれることにな
る。

【００４６】（第２の形態例）図５は第２の形態例にお
ける限界モニタパターンの形成を説明する図で、図１と
同一部分には同一符号を付して示してある。この形態例
と第１の形態例との相違点は、限界モニタパターン４０
の位置である。

【００４７】本形態例では、加工限界位置Ｌと重なる辺
Ｂ３を有する矩形の限界モニタパターン４０が、この加
工限界位置Ｌを境にして、この加工限界位置Ｌよりもブ
ロック２の基端側の領域に設けられている。

【００４８】この形態例においては、磁気抵抗効果素子
部３０Ａの素子高さの加工が加工限界位置Ｌまで到達し
ていない場合は、磁気抵抗効果素子部３０Ａのパターン
の横に、限界モニタパターン４０が存在しない。一方、
加工が進み過ぎて、加工限界位置Ｌよりも深く加工され
ると、磁気抵抗効果素子部３０Ａのパターンの横に、限
界モニタパターン４０が出現する。従って、浮上面のパ
ターンから限界モニタパターン４０が出現していること
を顕微鏡等を用いて識別するだけで、磁気ヘッドが良品
か不良品かを判別できる。

【００４９】尚、この形態例では、磁気抵抗効果素子部
３０Ａの基端側の辺Ｂ１と限界モニタパターン４０の先
端側の辺Ｂ３との間隔が、素子高さｈに対応することに
なる。このため、磁気抵抗効果素子部３０Ａと限界モニ
タパターン４０とを同一マスクを用いてエッチングで形
成する場合、磁気抵抗効果素子部３０Ａの基端側の辺Ｂ
１と限界モニタパターン４０の先端側の辺Ｂ３のパター
ン形成時のずれ方向は、逆になる。

【００５０】よって、磁気抵抗効果素子部３０Ａの基端
側の辺Ｂ１と限界モニタパターン４０先端側の辺Ｂ３と
の間隔がエッチング等の作業状態によっては変化するこ
とになり、第１の形態例に比べれば、良品か不良品かの
判別精度が劣化することになる。しかし、不良品の場合
にその旨のパターンが現れることを好む場合には、この
形態例が有効である。

【００５１】（第３の形態例）図６は第３の形態例にお
ける限界モニタパターンの形成を説明する図で、図１と
同一部分には同一符号を付して示してある。この形態例
と第１の形態例との相違点は、限界モニタパターン４０
の形状である。

【００５２】本形態例では、加工方向の長さが異なる３
個の矩形パターン４１〜４３から限界モニタパターン４
０を構成している。このように構成すれば、磁気抵抗効
果素子部３０Ａの素子高さがｈ₁〜ｈ₃のどのレベルにあ
るかを、矩形パターン４１〜４３の数から知ることがで
き、良品／不良品の判別だけでなく、素子高さに応じて
磁気ヘッドを仕分けすることができる。そして、仕分け
した磁気ヘッドに応じたセンス電流を選択することが可
能になる。

【００５３】（その他の形態例）上記各形態例では、磁
気抵抗効果素子部３０Ａの片側にのみ、限界モニタパタ
ーン４０を形成したが、一つの磁気抵抗効果素子部３０
Ａに対して、両側から挟むように限界モニタパターン４
０を複数配置してもよい。このように構成すれば、一層
精度よく素子高さを判別できる。

【００５４】又、限界モニタパターンは上記形態例のも
のに限らない。例えば、加工方向と直行する方向の幅が
段階的に変化する限界モニタパターンを用いれば、仮に
一つの限界モニタパターンを形成しただけでも、第３の
形態例のような仕分けが可能になる。更に、一つの磁気
抵抗効果素子部３０Ａに少なくとも一つの限界モニタパ
ターンを形成する例を示したが、複数の磁気抵抗効果素
子部３０Ａに対して一つ若しくは複数の限界モニタパタ
ーンを形成し、良品／不良品を複数の磁気ヘッド単位で
判断するようにしてもよい。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
加工工程を経た後の、磁気ヘッドの浮上面のパターンを
観察し、限界モニタパターンに変化が現れているかどう
かを識別するだけで、良品／不良品を判別できる。

【００５６】又、本発明では、磁気抵抗効果素子部と限
界モニタパターンとが、同一プロセスにより同時に形成
されているため、磁気抵抗効果素子部と限界モニタパタ
ーンとの位置関係が極めて正確である。よって、磁気抵
抗効果素子部の加工限界位置を越えるまで加工が進み、
不良品になってしまったことを、正確に判別でき、不良
品が良品として扱われることもない。

【００５７】更に、本発明では、破壊検査を伴わないた
めに、検査に工数がかからないし、サンプルとして破壊
される磁気ヘッドも存在せず、歩留まりもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の形態例における限界モニタパターンの形
成を説明する図である。

【図２】磁気ヘッド成膜後のウエハを示す図である。

【図３】ブロックの形状を示す図である。

【図４】磁気抵抗効果素子部近傍の浮上面のパターンの
要部を示す図である。

【図５】第２の形態例における限界モニタパターンの形
成を説明する図である。

【図６】第３の形態例における限界モニタパターンの形
成を説明する図である。

【図７】複合型の磁気ヘッドの主要部を示す図である。

【図８】図７中の磁気抵抗効果素子部及び導体層を示す
平面図である。

【図９】図７における磁気ヘッドのギャップ近傍の積層
構造を示す断面図である。

【符号の説明】

Ｌ：加工限界位置１：ウエハ２：ブロック３：磁気ヘッド４：抵抗モニタパターン５：加工マーカー１０：記録トラック２０：記録ヘッド部２１：磁極２１：下部磁極２２：上部磁極２３：コイル２４：非磁性絶縁層２８：非磁性絶縁層３０：再生ヘッド部３０Ａ：磁気抵抗効果素子部３１：導体層３２：非磁性絶縁層３３：保護層４０：限界モニタパターン４１〜４３：矩形パターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも磁気抵抗効果素子部を含む磁
気ヘッドを二次元的配列でもってウエハ上に成膜するウ
エハ工程と、複数の磁気ヘッドが直線状に配列されたブ
ロックをウエハから切り出す切り出し工程と、ブロック
単位で前記磁気抵抗効果素子部を浮上面側から加工して
所定の素子高さに仕上げる加工工程と、この加工工程終
了後のブロックを分割して個々の磁気ヘッドを作製する
分割工程とを経る磁気ヘッドの製造方法であって、前記加工工程で浮上面の加工を進めた際に、この浮上面
のパターンが、前記磁気抵抗効果素子部の加工限界位置
に到達した前後で変化するように、前記ウエハ工程時
に、前記磁気抵抗効果素子部の成膜と同一プロセスで限
界モニタパターンを成膜しておくことを特徴とする磁気
ヘッドの製造方法。