JPH07240010A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH07240010A JPH07240010A JP3002794A JP3002794A JPH07240010A JP H07240010 A JPH07240010 A JP H07240010A JP 3002794 A JP3002794 A JP 3002794A JP 3002794 A JP3002794 A JP 3002794A JP H07240010 A JPH07240010 A JP H07240010A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果素子を有する個々の磁気ヘッド
の磁気記録媒体摺動面をそれぞれ所定のデプス値に正確
に規定し、製品の歩溜り及び信頼性の更なる大幅な向上
を図る。 【構成】 上層シールド磁性体３が形成された状態のＭ
Ｒヘッド素子２１を複数個集め並列に配設させて基板２
２を作製し、各ＭＲ素子１のバイアス特性を測定しなが
ら研磨定盤２３を用いて研磨を施して所定のヘッドデプ
ス値に規定する。
の磁気記録媒体摺動面をそれぞれ所定のデプス値に正確
に規定し、製品の歩溜り及び信頼性の更なる大幅な向上
を図る。 【構成】 上層シールド磁性体３が形成された状態のＭ
Ｒヘッド素子２１を複数個集め並列に配設させて基板２
２を作製し、各ＭＲ素子１のバイアス特性を測定しなが
ら研磨定盤２３を用いて研磨を施して所定のヘッドデプ
ス値に規定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばディジタルテー
プレコーダやデータストレージ等の高密度ディジタル記
録再生装置等に搭載され、磁気抵抗効果を利用して記録
信号を再生する磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に関
し、特に磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面を研磨して所
定のデプス値とする磁気ヘッドの製造方法に関するもの
である。
プレコーダやデータストレージ等の高密度ディジタル記
録再生装置等に搭載され、磁気抵抗効果を利用して記録
信号を再生する磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に関
し、特に磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面を研磨して所
定のデプス値とする磁気ヘッドの製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置における小型
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチハードデ
ィスク装置に対する要求が高まっている。
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチハードデ
ィスク装置に対する要求が高まっている。
【０００３】このような小型ハードディスクでは、ディ
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
【０００４】そこで、磁界によって抵抗率が変化する磁
気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と称する。）の抵
抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵抗効果型ヘ
ッド（以下、単にＭＲヘッドと称する。）は、その再生
出力が媒体速度に依存せず、低媒体速度でも高再生出力
が得られるという特徴を有するため、小型ハードディス
クにおいて大容量化を実現する磁気ヘッドとして注目さ
れている。
気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と称する。）の抵
抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵抗効果型ヘ
ッド（以下、単にＭＲヘッドと称する。）は、その再生
出力が媒体速度に依存せず、低媒体速度でも高再生出力
が得られるという特徴を有するため、小型ハードディス
クにおいて大容量化を実現する磁気ヘッドとして注目さ
れている。
【０００５】上記ＭＲヘッドには、センス電流がトラッ
ク幅方向に流れる横型タイプとセンス電流がトラック幅
方向に対して垂直方向に流れる縦型タイプとがある。
ク幅方向に流れる横型タイプとセンス電流がトラック幅
方向に対して垂直方向に流れる縦型タイプとがある。
【０００６】ところで、このＭＲヘッドの作製の際に、
その磁気記録媒体摺動面の研磨工程において、上記ＭＲ
ヘッドのヘッドデプスを正確に規定する必要上、上記磁
気記録媒体摺動面の研磨時に、この磁気記録媒体摺動面
と並列するように配設されたデプスセンサを用いてい
る。このデプスセンサにより上記ＭＲヘッドのヘッドデ
プスを所定値に規定する方法は、上記デプスセンサの研
磨量により変化する抵抗値を測定して所定の抵抗値とな
るまで磁気記録媒体摺動面を研磨するものである。すな
わち、上記磁気記録媒体摺動面が研磨されるとともに上
記デプスセンサも研磨されてゆき、それに伴ってこのデ
プスセンサの抵抗値が変化（増大）する。この抵抗値が
所定の値となるまで磁気記録媒体摺動面を研磨すること
で、上記ＭＲヘッドのヘッドデプスを所定値に規定す
る。
その磁気記録媒体摺動面の研磨工程において、上記ＭＲ
ヘッドのヘッドデプスを正確に規定する必要上、上記磁
気記録媒体摺動面の研磨時に、この磁気記録媒体摺動面
と並列するように配設されたデプスセンサを用いてい
る。このデプスセンサにより上記ＭＲヘッドのヘッドデ
プスを所定値に規定する方法は、上記デプスセンサの研
磨量により変化する抵抗値を測定して所定の抵抗値とな
るまで磁気記録媒体摺動面を研磨するものである。すな
わち、上記磁気記録媒体摺動面が研磨されるとともに上
記デプスセンサも研磨されてゆき、それに伴ってこのデ
プスセンサの抵抗値が変化（増大）する。この抵抗値が
所定の値となるまで磁気記録媒体摺動面を研磨すること
で、上記ＭＲヘッドのヘッドデプスを所定値に規定す
る。
【０００７】現在、上記デプスセンサを用いてヘッドデ
プス値の規定を実行する場合、加工時間を短縮するため
に、図１１に示すように、複数個のＭＲヘッド１０１素
子をそれぞれ並列させて配設し、これら複数個のＭＲヘ
ッド１０１素子間の所定箇所に複数のデプスセンサ１０
２を配設させて基板１０３を形成した状態で各ＭＲヘッ
ド１０１素子の磁気記録媒体摺動面ａに一括研磨を施し
てヘッドデプス値ｄを所定値に規定する。
プス値の規定を実行する場合、加工時間を短縮するため
に、図１１に示すように、複数個のＭＲヘッド１０１素
子をそれぞれ並列させて配設し、これら複数個のＭＲヘ
ッド１０１素子間の所定箇所に複数のデプスセンサ１０
２を配設させて基板１０３を形成した状態で各ＭＲヘッ
ド１０１素子の磁気記録媒体摺動面ａに一括研磨を施し
てヘッドデプス値ｄを所定値に規定する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記デ
プスセンサ１０２はフォトリソ技術によりＭＲヘッド１
０１素子とともに基板上に形成されるために、デプスセ
ンサ１０２を所定箇所に完全に正確に形成することは困
難である。したがって、各デプスセンサ１０２の幅や厚
みに変動が生じれば、図１２に示すように、磁気記録媒
体摺動面ａの研磨開始時点は、理想的な研磨を示す直線
Ａと幅や厚み変動されたデプスセンサ１０２の研磨を示
す直線Ｂとで同一でも、常にその抵抗値は相違し、ＭＲ
ヘッド１０１素子の実際のヘッドデプス値とデプスセン
サ１０２により測定されるヘッドデプスの所定値との間
にずれＳが生じ、ヘッドデプス加工精度、特にヘッドデ
プス値の絶対値に誤差が生じてしまう。
プスセンサ１０２はフォトリソ技術によりＭＲヘッド１
０１素子とともに基板上に形成されるために、デプスセ
ンサ１０２を所定箇所に完全に正確に形成することは困
難である。したがって、各デプスセンサ１０２の幅や厚
みに変動が生じれば、図１２に示すように、磁気記録媒
体摺動面ａの研磨開始時点は、理想的な研磨を示す直線
Ａと幅や厚み変動されたデプスセンサ１０２の研磨を示
す直線Ｂとで同一でも、常にその抵抗値は相違し、ＭＲ
ヘッド１０１素子の実際のヘッドデプス値とデプスセン
サ１０２により測定されるヘッドデプスの所定値との間
にずれＳが生じ、ヘッドデプス加工精度、特にヘッドデ
プス値の絶対値に誤差が生じてしまう。
【０００９】また、複数のＭＲヘッド素子１０１を一括
研磨する際に、並列された複数の磁気記録媒体摺動面ａ
に反りが生じることが多いため、上記図１１に示すよう
に、デプスセンサ１０２を基板１０３中でその両端部と
中央部に配設して反りを補正する試みがなされている。
ところが、このように多数のデプスセンサ１０２を配設
する必要があるために、その分基板１０３中のＭＲヘッ
ド１０１素子の数が減少する。しかも、このように複数
のデプスセンサ１０２を配設しても、ヘッドデプス規制
を個々のＭＲヘッド１０１素子について実行可能である
わけではないので、必然的に各ＭＲヘッド１０１素子の
ヘッドデプス値にばらつきが生じてしまう。
研磨する際に、並列された複数の磁気記録媒体摺動面ａ
に反りが生じることが多いため、上記図１１に示すよう
に、デプスセンサ１０２を基板１０３中でその両端部と
中央部に配設して反りを補正する試みがなされている。
ところが、このように多数のデプスセンサ１０２を配設
する必要があるために、その分基板１０３中のＭＲヘッ
ド１０１素子の数が減少する。しかも、このように複数
のデプスセンサ１０２を配設しても、ヘッドデプス規制
を個々のＭＲヘッド１０１素子について実行可能である
わけではないので、必然的に各ＭＲヘッド１０１素子の
ヘッドデプス値にばらつきが生じてしまう。
【００１０】本発明は、上述の様々な課題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、磁気抵抗効
果素子を有する磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面を所定
のヘッドデプス値に正確に規定することが可能となり、
製品の歩溜り及び信頼性の大幅な向上を図ることができ
る磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、磁気抵抗効
果素子を有する磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面を所定
のヘッドデプス値に正確に規定することが可能となり、
製品の歩溜り及び信頼性の大幅な向上を図ることができ
る磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法の対象
となる磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘ
ッド、いわゆる磁気抵抗効果型ヘッドである。本発明に
おいては、このような磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面
を研磨して所定のヘッドデプス値とする際に、前記磁気
抵抗効果素子のバイアス特性を測定し、ヘッドデプス値
を検出する。
となる磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘ
ッド、いわゆる磁気抵抗効果型ヘッドである。本発明に
おいては、このような磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面
を研磨して所定のヘッドデプス値とする際に、前記磁気
抵抗効果素子のバイアス特性を測定し、ヘッドデプス値
を検出する。
【００１２】この場合、デプスセンサによるヘッドデプ
ス値の検出を併用して所定のヘッドデプス値に規定する
ようにしてもよい。
ス値の検出を併用して所定のヘッドデプス値に規定する
ようにしてもよい。
【００１３】さらに、本発明においては、複数の上記磁
気ヘッドが形成された基板を一括研磨する際に、各磁気
抵抗効果素子のバイアス特性からヘッドデプス値を検出
し、基板内での加圧力を調整するようにしてもよい。
気ヘッドが形成された基板を一括研磨する際に、各磁気
抵抗効果素子のバイアス特性からヘッドデプス値を検出
し、基板内での加圧力を調整するようにしてもよい。
【００１４】
【作用】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法において
は、磁気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と記す）の
バイアス特性を測定することで上記磁気ヘッドのヘッド
デプス値を検出し、このヘッドデプス値が正確に所定値
に規定される。すなわち、上記磁気ヘッドにおいては、
その構成要素であるバイアス導体に、低周波の三角波電
流とともに高周波の比較的微小なサイン波電流を流す。
すると、上記バイアス導体から発生するバイアス磁界の
大きさはほぼ三角波電流に支配され、これにサイン波電
流が重畳されるかたちになる。このバイアス磁界中のサ
イン波電流による微小な変動が上記ＭＲ素子にとってあ
たかも磁気記録媒体からの入力信号の如く作用し、これ
により上記ＭＲ素子に生じる抵抗値変化による電圧変化
を出力信号として取り出すことで上記磁気ヘッドのバイ
アス特性が得られる。
は、磁気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と記す）の
バイアス特性を測定することで上記磁気ヘッドのヘッド
デプス値を検出し、このヘッドデプス値が正確に所定値
に規定される。すなわち、上記磁気ヘッドにおいては、
その構成要素であるバイアス導体に、低周波の三角波電
流とともに高周波の比較的微小なサイン波電流を流す。
すると、上記バイアス導体から発生するバイアス磁界の
大きさはほぼ三角波電流に支配され、これにサイン波電
流が重畳されるかたちになる。このバイアス磁界中のサ
イン波電流による微小な変動が上記ＭＲ素子にとってあ
たかも磁気記録媒体からの入力信号の如く作用し、これ
により上記ＭＲ素子に生じる抵抗値変化による電圧変化
を出力信号として取り出すことで上記磁気ヘッドのバイ
アス特性が得られる。
【００１５】ここで、ヘッドデプス値を規定するために
上記磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面を研磨すると上記
ＭＲ素子も研磨され、上記ＭＲ素子が研磨されるにつれ
て、上記磁気ヘッドのバイアス特性に変化が生じ、上記
出力信号の増大が起こる。このとき、研磨が進みある所
定のヘッドデプス値に達すると、バイアス磁界の飽和が
生じて上記出力信号の増大がしばらくの間緩やかとな
り、更に研磨が進むと再び出力信号が増大してゆく。し
たがって、この出力信号の変化が緩やかな範囲内まで磁
気記録媒体摺動面を研磨することで、上記磁気ヘッドは
出力信号が安定となるヘッドデプス値に正確に規定され
ることになる。
上記磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面を研磨すると上記
ＭＲ素子も研磨され、上記ＭＲ素子が研磨されるにつれ
て、上記磁気ヘッドのバイアス特性に変化が生じ、上記
出力信号の増大が起こる。このとき、研磨が進みある所
定のヘッドデプス値に達すると、バイアス磁界の飽和が
生じて上記出力信号の増大がしばらくの間緩やかとな
り、更に研磨が進むと再び出力信号が増大してゆく。し
たがって、この出力信号の変化が緩やかな範囲内まで磁
気記録媒体摺動面を研磨することで、上記磁気ヘッドは
出力信号が安定となるヘッドデプス値に正確に規定され
ることになる。
【００１６】さらに、本発明においては、デプスセンサ
によるヘッドデプス値の検出を併用することで、上記磁
気ヘッドのヘッドデプス値がさらに迅速に所定値に規定
される。すなわち、上記デプスセンサを用いればヘッド
デプス値の検出速度が増大することを利用して、当初は
デプスセンサによりその抵抗値変化を測定しながら上記
磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面を研磨し、ヘッドデプ
ス値が所定値に近づいた時点で上記ＭＲ素子のバイアス
特性の高感度測定に切り替えてヘッドデプス値を所定値
に規定することで、上記磁気ヘッドの作製工程における
ヘッドデプス値規定の速度が増大する。
によるヘッドデプス値の検出を併用することで、上記磁
気ヘッドのヘッドデプス値がさらに迅速に所定値に規定
される。すなわち、上記デプスセンサを用いればヘッド
デプス値の検出速度が増大することを利用して、当初は
デプスセンサによりその抵抗値変化を測定しながら上記
磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面を研磨し、ヘッドデプ
ス値が所定値に近づいた時点で上記ＭＲ素子のバイアス
特性の高感度測定に切り替えてヘッドデプス値を所定値
に規定することで、上記磁気ヘッドの作製工程における
ヘッドデプス値規定の速度が増大する。
【００１７】また、本発明においては、複数の上記磁気
ヘッドが形成された基板を一括研磨する際に、各磁気抵
抗効果素子のバイアス特性に応じて基板内での加圧力を
調整することで、上記基板の研磨により発生する反りが
矯正され、各磁気ヘッドのヘッドデプス値のばらつきが
減少する。
ヘッドが形成された基板を一括研磨する際に、各磁気抵
抗効果素子のバイアス特性に応じて基板内での加圧力を
調整することで、上記基板の研磨により発生する反りが
矯正され、各磁気ヘッドのヘッドデプス値のばらつきが
減少する。
【００１８】
【実施例】以下、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法の
実施例を図面を参照しながら説明する。
実施例を図面を参照しながら説明する。
【００１９】先ず、実施例の製造方法によって作製され
るＭＲヘッドの構成について説明する。ここで作製する
ＭＲヘッドは、図１に示すように、ＭＲ素子１が、再生
時の磁路となる下層シールド磁性体２と上層シールド磁
性体３とでサンドイッチされた構造となっている。
るＭＲヘッドの構成について説明する。ここで作製する
ＭＲヘッドは、図１に示すように、ＭＲ素子１が、再生
時の磁路となる下層シールド磁性体２と上層シールド磁
性体３とでサンドイッチされた構造となっている。
【００２０】具体的には、先ず非磁性基板１１上に、絶
縁層１２を介して磁性膜である下層シールド磁性体２が
形成される。そして、この下層シールド磁性体２の表面
上にＡｌ2 Ｏ3 等よりなる絶縁膜１３が積層される。
縁層１２を介して磁性膜である下層シールド磁性体２が
形成される。そして、この下層シールド磁性体２の表面
上にＡｌ2 Ｏ3 等よりなる絶縁膜１３が積層される。
【００２１】そして、上記ギャップ絶縁層１３上に例え
ばＦｅ−Ｎｉ膜によるＭＲ素子１が形成されている。そ
して、更にこのＭＲ素子１上に層間絶縁層１４が形成さ
れ、この層間絶縁層１４上にＭＲ素子１にバイアス磁界
を印加するためのバイアス導体１５が積層され、その上
にＡｌ2 Ｏ3 等よりなる絶縁膜１６が積層されている。
そして、その上にＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜による上層シー
ルド磁性体３が成膜されて上記ＭＲ薄膜ヘッドが構成さ
れている。
ばＦｅ−Ｎｉ膜によるＭＲ素子１が形成されている。そ
して、更にこのＭＲ素子１上に層間絶縁層１４が形成さ
れ、この層間絶縁層１４上にＭＲ素子１にバイアス磁界
を印加するためのバイアス導体１５が積層され、その上
にＡｌ2 Ｏ3 等よりなる絶縁膜１６が積層されている。
そして、その上にＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜による上層シー
ルド磁性体３が成膜されて上記ＭＲ薄膜ヘッドが構成さ
れている。
【００２２】ここで、上記ＭＲ薄膜ヘッドにおいては、
ＭＲ素子１を、その長手方向が磁気記録媒体との対向
面、即ち磁気記録媒体摺動面と垂直になるように配置
し、その一方の端面を磁気記録媒体摺動面ａに露出させ
たかたちとなっている。このＭＲ素子１の磁気記録媒体
摺動面ａ側端部分と、その前端部分から所定距離隔てた
箇所に、それぞれ軟磁性膜による電極（前端電極１７ａ
及び後端電極１７ｂ）が形成されている。
ＭＲ素子１を、その長手方向が磁気記録媒体との対向
面、即ち磁気記録媒体摺動面と垂直になるように配置
し、その一方の端面を磁気記録媒体摺動面ａに露出させ
たかたちとなっている。このＭＲ素子１の磁気記録媒体
摺動面ａ側端部分と、その前端部分から所定距離隔てた
箇所に、それぞれ軟磁性膜による電極（前端電極１７ａ
及び後端電極１７ｂ）が形成されている。
【００２３】この前端電極１７ａ及び後端電極１７ｂ
は、ＭＲ素子１の長手方向に沿って（即ち、上記磁気記
録媒体摺動面ａと直交する方向に）センス電流を流す目
的で形成される。
は、ＭＲ素子１の長手方向に沿って（即ち、上記磁気記
録媒体摺動面ａと直交する方向に）センス電流を流す目
的で形成される。
【００２４】そして、上記ＭＲ薄膜ヘッドにおいては、
ＭＲ素子１中、前端電極１７ａの後端と後端電極１７ｂ
の前端の間の領域が磁気抵抗効果を示すことになり、こ
の領域がＭＲ素子１の感知部を構成することになる。
ＭＲ素子１中、前端電極１７ａの後端と後端電極１７ｂ
の前端の間の領域が磁気抵抗効果を示すことになり、こ
の領域がＭＲ素子１の感知部を構成することになる。
【００２５】上述の構成を有するＭＲヘッドを作製する
には、先ず、アルチック材（Ａｌ2Ｏ3 −ＴｉＣ）等を
材料とする非磁性基板１１上に絶縁層１２をスパッタ法
にて成膜し、同様に、スパッタ法により下層シールド磁
性体２を形成する。
には、先ず、アルチック材（Ａｌ2Ｏ3 −ＴｉＣ）等を
材料とする非磁性基板１１上に絶縁層１２をスパッタ法
にて成膜し、同様に、スパッタ法により下層シールド磁
性体２を形成する。
【００２６】その後、下層シールド磁性体２の表面上
に、この下層シールド磁性体２と再生時の磁気ギャップ
及びＭＲ素子１との絶縁確保のために、Ａｌ2 Ｏ3 等を
材料とする絶縁膜１３をスパッタ法により成膜する。
に、この下層シールド磁性体２と再生時の磁気ギャップ
及びＭＲ素子１との絶縁確保のために、Ａｌ2 Ｏ3 等を
材料とする絶縁膜１３をスパッタ法により成膜する。
【００２７】次に、ＭＲ素子１を、絶縁層１３上にスパ
ッタ法や蒸着法にて成膜した後、所定の素子形状にドラ
イエッチングすることにより形成し、さらに、上記ＭＲ
素子１の表面上に絶縁層１４をスパッタ法により成膜す
る。
ッタ法や蒸着法にて成膜した後、所定の素子形状にドラ
イエッチングすることにより形成し、さらに、上記ＭＲ
素子１の表面上に絶縁層１４をスパッタ法により成膜す
る。
【００２８】その後、この絶縁層１４上にＭＲ素子１に
バイアス磁界を印加するためのバイアス導体１５と、
Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ等を材料とする前端電極１７ａ及び後端
電極１７ｂとをスパッタ法より成膜して形成する。
バイアス磁界を印加するためのバイアス導体１５と、
Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ等を材料とする前端電極１７ａ及び後端
電極１７ｂとをスパッタ法より成膜して形成する。
【００２９】次いで、Ａｌ2 Ｏ3 （／ＳｉＯ2 ）膜をス
パッタ成膜することで、バイアス導体１５及び前端，後
端電極１７ａ，１７ｂと上層シールド磁性体３との絶縁
を確保するための絶縁層１６を形成する。
パッタ成膜することで、バイアス導体１５及び前端，後
端電極１７ａ，１７ｂと上層シールド磁性体３との絶縁
を確保するための絶縁層１６を形成する。
【００３０】そして、Ｔｉよりなる下地をスパッタ成膜
した後、Ｎｉ−Ｆｅ等の磁性膜をスパッタ法やメッキを
施すことにより成膜し、この磁性膜を所定の形状に加工
して再生用の磁路となる上層シールド磁性体３を形成す
る。
した後、Ｎｉ−Ｆｅ等の磁性膜をスパッタ法やメッキを
施すことにより成膜し、この磁性膜を所定の形状に加工
して再生用の磁路となる上層シールド磁性体３を形成す
る。
【００３１】そして特に、図２に示すように、上層シー
ルド磁性体３が形成された状態のＭＲヘッド素子２１を
複数個集め並列に配設させて基板２２を作製し、これら
複数のＭＲヘッド素子２１のヘッドデプス値を規定する
ために、図３に示すように、各ＭＲヘッド素子２１の磁
気記録媒体摺動面ａに研磨定盤２３を用いて研磨を施
す。
ルド磁性体３が形成された状態のＭＲヘッド素子２１を
複数個集め並列に配設させて基板２２を作製し、これら
複数のＭＲヘッド素子２１のヘッドデプス値を規定する
ために、図３に示すように、各ＭＲヘッド素子２１の磁
気記録媒体摺動面ａに研磨定盤２３を用いて研磨を施
す。
【００３２】このとき、図４に示すように、上記磁気記
録媒体摺動面ａの研磨に伴う上記ＭＲ素子１の研磨によ
り変化するこのＭＲ素子１のバイアス特性を測定するこ
とで、各ＭＲヘッド素子２１のヘッドデプス値を規定す
る。
録媒体摺動面ａの研磨に伴う上記ＭＲ素子１の研磨によ
り変化するこのＭＲ素子１のバイアス特性を測定するこ
とで、各ＭＲヘッド素子２１のヘッドデプス値を規定す
る。
【００３３】このヘッドデプス値の規定方法としては、
先ず、ＭＲ素子１の磁気記録媒体摺動面ａ側の一方の端
子部１ａを接地し、他方の端子部１ｂに直流電源３１を
接続してＭＲ素子１にセンス電流を供給する。
先ず、ＭＲ素子１の磁気記録媒体摺動面ａ側の一方の端
子部１ａを接地し、他方の端子部１ｂに直流電源３１を
接続してＭＲ素子１にセンス電流を供給する。
【００３４】一方、バイアス導体１５の一端側の端子１
５ａを接地し、他端側の端子１５ｂに０．９ｋＨｚ、５
０ｍＡ程の低周波の三角波電流とともに７０ｋＨｚ、１
ｍＡ程の高周波の比較的微小なサイン波電流を流す。す
ると、図５に示すように、バイアス導体１５から発生す
るバイアス磁界の大きさはほぼ三角波電流に支配され、
これにサイン波電流が重畳されるかたちになる。
５ａを接地し、他端側の端子１５ｂに０．９ｋＨｚ、５
０ｍＡ程の低周波の三角波電流とともに７０ｋＨｚ、１
ｍＡ程の高周波の比較的微小なサイン波電流を流す。す
ると、図５に示すように、バイアス導体１５から発生す
るバイアス磁界の大きさはほぼ三角波電流に支配され、
これにサイン波電流が重畳されるかたちになる。
【００３５】このように２種類の交流波をバイアス導体
１５に供給すると、上記三角波電流によりバイアス導体
１５に発生するバイアス磁界が図６中時間軸である横軸
上をゆっくりと変動し、それと同時に上記サイン波電流
によりＭＲ素子１に微小な磁界からの変動が加えられ
る。このサイン波電流による微小な変動がＭＲ素子１に
とってあたかも磁気記録媒体からの入力信号の如く作用
し、これによりＭＲ素子１に生じる抵抗値変化による電
圧変化を出力信号として取り出すことで、図７に示す上
記各ＭＲヘッド素子２１のバイアス特性が得られる。
１５に供給すると、上記三角波電流によりバイアス導体
１５に発生するバイアス磁界が図６中時間軸である横軸
上をゆっくりと変動し、それと同時に上記サイン波電流
によりＭＲ素子１に微小な磁界からの変動が加えられ
る。このサイン波電流による微小な変動がＭＲ素子１に
とってあたかも磁気記録媒体からの入力信号の如く作用
し、これによりＭＲ素子１に生じる抵抗値変化による電
圧変化を出力信号として取り出すことで、図７に示す上
記各ＭＲヘッド素子２１のバイアス特性が得られる。
【００３６】そこで、このＭＲ素子１からの出力信号の
上記三角波電流をコンデンサ３２にて除去し、さらに三
角波電流成分が除かれた出力信号を増幅器３３にて増幅
し、これを上記サイン波電流を供給する交流電源と接続
される同期検波器（図示は省略する。）によって同期検
波すれば、出力レベルと位相とを得ることができ、バイ
アス特性の測定が可能となる。
上記三角波電流をコンデンサ３２にて除去し、さらに三
角波電流成分が除かれた出力信号を増幅器３３にて増幅
し、これを上記サイン波電流を供給する交流電源と接続
される同期検波器（図示は省略する。）によって同期検
波すれば、出力レベルと位相とを得ることができ、バイ
アス特性の測定が可能となる。
【００３７】ここで、ヘッドデプス値ｄを規定するため
に上記各ＭＲヘッド素子２１の磁気記録媒体摺動面ａを
研磨するとＭＲ素子１も研磨され、このＭＲ素子１が研
磨されるにつれて、上記各ＭＲヘッド素子２１のバイア
ス特性に変化が生じ、図８に示すように、上記出力信号
の増大が起こる。このとき、研磨が進みある所定のヘッ
ドデプスｄの上限値に達すると、バイアス磁界の飽和が
生じて上記出力信号の増大がしばらくの間緩やかとな
り、更に研磨が進みある所定のヘッドデプスｄの下限値
に達すると、再び出力信号が増大してゆく。したがっ
て、この出力信号の変化が緩やかな範囲内である下限及
び上限値間に達するまで磁気記録媒体摺動面ａを研磨す
ることで、上記各ＭＲヘッド素子２１は出力信号が安定
となるヘッドデプス値ｄに規定されることになる。
に上記各ＭＲヘッド素子２１の磁気記録媒体摺動面ａを
研磨するとＭＲ素子１も研磨され、このＭＲ素子１が研
磨されるにつれて、上記各ＭＲヘッド素子２１のバイア
ス特性に変化が生じ、図８に示すように、上記出力信号
の増大が起こる。このとき、研磨が進みある所定のヘッ
ドデプスｄの上限値に達すると、バイアス磁界の飽和が
生じて上記出力信号の増大がしばらくの間緩やかとな
り、更に研磨が進みある所定のヘッドデプスｄの下限値
に達すると、再び出力信号が増大してゆく。したがっ
て、この出力信号の変化が緩やかな範囲内である下限及
び上限値間に達するまで磁気記録媒体摺動面ａを研磨す
ることで、上記各ＭＲヘッド素子２１は出力信号が安定
となるヘッドデプス値ｄに規定されることになる。
【００３８】このとき、上記図３及び図９に示すよう
に、複数の上記ＭＲヘッド素子２１が形成された基板２
２を一括研磨することを考慮して、各ＭＲヘッド素子２
１のＭＲ素子１のバイアス特性に応じて基板２２内での
加圧力を調整する。このようにすることで、上記基板２
２の研磨により発生する反りが矯正され、各ＭＲヘッド
素子２１の研磨量が調整されてヘッドデプス値ｄのばら
つきが減少することになる。
に、複数の上記ＭＲヘッド素子２１が形成された基板２
２を一括研磨することを考慮して、各ＭＲヘッド素子２
１のＭＲ素子１のバイアス特性に応じて基板２２内での
加圧力を調整する。このようにすることで、上記基板２
２の研磨により発生する反りが矯正され、各ＭＲヘッド
素子２１の研磨量が調整されてヘッドデプス値ｄのばら
つきが減少することになる。
【００３９】上述のようにヘッドデプス値をしょてい値
に規定した後に上記基板２２から各ＭＲヘッド素子を取
り出す等の種々の後工程を経て、上記図１に示す上記Ｍ
Ｒヘッドが完成する。
に規定した後に上記基板２２から各ＭＲヘッド素子を取
り出す等の種々の後工程を経て、上記図１に示す上記Ｍ
Ｒヘッドが完成する。
【００４０】本実施例に係る磁気ヘッドの製造方法によ
れば、上記ＭＲヘッドのヘッドデプス値を正確に所定値
に規定することが可能であり、しかも複数の上記ＭＲヘ
ッドのヘッドデプス値をそれぞれ制御して製品の歩溜り
を向上させ、製品の信頼性の大幅な向上を実現すること
が可能となる。
れば、上記ＭＲヘッドのヘッドデプス値を正確に所定値
に規定することが可能であり、しかも複数の上記ＭＲヘ
ッドのヘッドデプス値をそれぞれ制御して製品の歩溜り
を向上させ、製品の信頼性の大幅な向上を実現すること
が可能となる。
【００４１】ここで、上記実施例の変形例について説明
する。なお、上記従来の技術及び実施例で述べた部材等
と対応するものについては同符号を記す。
する。なお、上記従来の技術及び実施例で述べた部材等
と対応するものについては同符号を記す。
【００４２】この変形例は、上記実施例とほぼ同様の方
法により上記ＭＲヘッドを作製するものであるが、各Ｍ
Ｒヘッド素子２１のヘッドデプスの規定方法について、
従来のデプスセンサ１０２を用いた方法と上記実施例の
方法を組み合わせた点で異なる。
法により上記ＭＲヘッドを作製するものであるが、各Ｍ
Ｒヘッド素子２１のヘッドデプスの規定方法について、
従来のデプスセンサ１０２を用いた方法と上記実施例の
方法を組み合わせた点で異なる。
【００４３】すなわち、複数の上記ＭＲヘッド素子２１
が形成された基板２２を一括研磨する際に、例えばこの
基板２２の両端部にデプスセンサ１０２を配し、各磁気
記録媒体摺動面ａにヘッドデプス規定のための研磨を施
す。ここで、デプスセンサ１０２を用いればヘッドデプ
ス値ｄの検出速度が増大することを利用して、図１０に
示すように、当初はデプスセンサ１０２によりその抵抗
値変化を測定しながら上記各ＭＲヘッド素子２１の磁気
記録媒体摺動面ａを研磨し、ヘッドデプス値ｄが所定値
に近づいた時点でＭＲ素子１のバイアス特性の高感度測
定に切り替えてヘッドデプス値ｄを所定値に規定する。
このようにすることで、上記各ＭＲヘッド素子２１の作
製工程におけるヘッドデプス値規定の速度が増大する。
が形成された基板２２を一括研磨する際に、例えばこの
基板２２の両端部にデプスセンサ１０２を配し、各磁気
記録媒体摺動面ａにヘッドデプス規定のための研磨を施
す。ここで、デプスセンサ１０２を用いればヘッドデプ
ス値ｄの検出速度が増大することを利用して、図１０に
示すように、当初はデプスセンサ１０２によりその抵抗
値変化を測定しながら上記各ＭＲヘッド素子２１の磁気
記録媒体摺動面ａを研磨し、ヘッドデプス値ｄが所定値
に近づいた時点でＭＲ素子１のバイアス特性の高感度測
定に切り替えてヘッドデプス値ｄを所定値に規定する。
このようにすることで、上記各ＭＲヘッド素子２１の作
製工程におけるヘッドデプス値規定の速度が増大する。
【００４４】上記変形例によれば、上記実施例と同様
に、上記ＭＲヘッドのヘッドデプス値を正確に所定値に
規定することが可能であり、しかも複数の上記ＭＲヘッ
ドのヘッドデプス値をそれぞれ制御して製品の歩溜りを
向上させ、製品の信頼性の大幅な向上を実現することが
可能となる。
に、上記ＭＲヘッドのヘッドデプス値を正確に所定値に
規定することが可能であり、しかも複数の上記ＭＲヘッ
ドのヘッドデプス値をそれぞれ制御して製品の歩溜りを
向上させ、製品の信頼性の大幅な向上を実現することが
可能となる。
【００４５】なお、上記実施例及びその変形例において
は、製造する対象である磁気ヘッドとして上記ＭＲヘッ
ドとしたが、本発明はこれに限定されることなく、例え
ば、上記ＭＲヘッドを再生ヘッドとして、さらにこのＭ
Ｒヘッドにいわゆるインダクティブ型記録ヘッドが複合
された複合型磁気ヘッドを製造する対象である磁気ヘッ
ドとしてもよい。
は、製造する対象である磁気ヘッドとして上記ＭＲヘッ
ドとしたが、本発明はこれに限定されることなく、例え
ば、上記ＭＲヘッドを再生ヘッドとして、さらにこのＭ
Ｒヘッドにいわゆるインダクティブ型記録ヘッドが複合
された複合型磁気ヘッドを製造する対象である磁気ヘッ
ドとしてもよい。
【００４６】この場合、上記複合型磁気ヘッドのヘッド
デプスの規制方法としては、その構成要素である上記Ｍ
Ｒヘッドについては上述の通りであり、上記インダクテ
ィブ型記録ヘッドについては、このインダクティブ型記
録ヘッドのヘッド巻線の電極にバイアス導体１５より引
出し線を接続してバイアス特性を測定すればよい。
デプスの規制方法としては、その構成要素である上記Ｍ
Ｒヘッドについては上述の通りであり、上記インダクテ
ィブ型記録ヘッドについては、このインダクティブ型記
録ヘッドのヘッド巻線の電極にバイアス導体１５より引
出し線を接続してバイアス特性を測定すればよい。
【００４７】
【発明の効果】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法によ
れば、磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドの磁気記録
媒体摺動面を所定のヘッドデプス値となるまで研磨する
磁気ヘッドの製造方法において、前記磁気抵抗効果素子
のバイアス特性を測定し、ヘッドデプス値を検出するの
で、磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドの磁気記録媒
体摺動面を所定のヘッドデプス値に正確に規定すること
が可能となり、製品の歩溜り及び信頼性の大幅な向上を
図ることができる。
れば、磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドの磁気記録
媒体摺動面を所定のヘッドデプス値となるまで研磨する
磁気ヘッドの製造方法において、前記磁気抵抗効果素子
のバイアス特性を測定し、ヘッドデプス値を検出するの
で、磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドの磁気記録媒
体摺動面を所定のヘッドデプス値に正確に規定すること
が可能となり、製品の歩溜り及び信頼性の大幅な向上を
図ることができる。
【００４８】また、本発明によれば、デプスセンサによ
るヘッドデプス値の検出を併用することでヘッドデプス
値を検出するので、磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッ
ドの磁気記録媒体摺動面を所定のヘッドデプス値に迅速
且つ正確に規定することが可能となり、製品の歩溜り及
び信頼性の大幅な向上を図ることができる。
るヘッドデプス値の検出を併用することでヘッドデプス
値を検出するので、磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッ
ドの磁気記録媒体摺動面を所定のヘッドデプス値に迅速
且つ正確に規定することが可能となり、製品の歩溜り及
び信頼性の大幅な向上を図ることができる。
【００４９】さらに、本発明によれば、複数の磁気ヘッ
ドが形成された基板を一括研磨する際に、各磁気抵抗効
果素子のバイアス特性からヘッドデプス値を検出し、基
板内での加圧力を調整するので、磁気抵抗効果素子を有
する個々の磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面をそれぞれ
所定のヘッドデプス値に正確に規定することが可能とな
り、製品の歩溜り及び信頼性の更なる大幅な向上を図る
ことができる。
ドが形成された基板を一括研磨する際に、各磁気抵抗効
果素子のバイアス特性からヘッドデプス値を検出し、基
板内での加圧力を調整するので、磁気抵抗効果素子を有
する個々の磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面をそれぞれ
所定のヘッドデプス値に正確に規定することが可能とな
り、製品の歩溜り及び信頼性の更なる大幅な向上を図る
ことができる。
【図１】本発明の実施例により製造される磁気抵抗効果
型ヘッドの要部を模式的に示す断面図である。
型ヘッドの要部を模式的に示す断面図である。
【図２】ＭＲヘッド素子を複数個集め並列に配設させて
基板を作製し、各ＭＲヘッド素子のバイアス特性を測定
しながら各磁気記録媒体摺動面が施された様子を模式的
に示す平面図である。
基板を作製し、各ＭＲヘッド素子のバイアス特性を測定
しながら各磁気記録媒体摺動面が施された様子を模式的
に示す平面図である。
【図３】各ＭＲヘッド素子の磁気記録媒体摺動面に研磨
定盤を用いて研磨を施す様子を模式的に示す斜視図であ
る。
定盤を用いて研磨を施す様子を模式的に示す斜視図であ
る。
【図４】各ＭＲヘッド素子のバイアス特性を測定する様
子を模式的に示す斜視図である。
子を模式的に示す斜視図である。
【図５】低周波の三角波電流及びこの三角波電流に重畳
されたサイン波電流の時間変化を示す特性図である。
されたサイン波電流の時間変化を示す特性図である。
【図６】バイアス磁界によるＭＲ素子の出力電圧を示す
特性図である。
特性図である。
【図７】ＭＲ素子のバイアス特性を示す特性図である。
【図８】ＭＲ素子のバイアス特性のヘッドデプス値依存
性を示す特性図である。
性を示す特性図である。
【図９】複数のＭＲヘッド素子が形成された基板２２に
一括研磨が施される様子を模式的に示す平面図である。
一括研磨が施される様子を模式的に示す平面図である。
【図１０】デプスセンサによる抵抗値測定を併用した際
のバイアス特性測定を示す特性図である。
のバイアス特性測定を示す特性図である。
【図１１】ＭＲヘッド素子及びデプスセンサを複数個集
め並列に配設させて基板を作製し、各磁気記録媒体摺動
面が施された様子を模式的に示す平面図である。
め並列に配設させて基板を作製し、各磁気記録媒体摺動
面が施された様子を模式的に示す平面図である。
【図１２】研磨によるデプスセンサの抵抗値変化及びそ
の理想値とのずれを示す特性図である。
の理想値とのずれを示す特性図である。
１ ＭＲ素子 ２ 下層シールド磁性体 ３ 上層シールド磁性体 ２１ ＭＲヘッド素子 ２２ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドの
磁気記録媒体摺動面を所定のヘッドデプス値となるまで
研磨する磁気ヘッドの製造方法において、 前記磁気抵抗効果素子のバイアス特性を測定し、ヘッド
デプス値を検出することを特徴とする磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項２】 デプスセンサによるヘッドデプス値の検
出を併用することを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項３】 複数の磁気ヘッドが形成された基板を一
括研磨する際に、各磁気抵抗効果素子のバイアス特性か
らヘッドデプス値を検出し、基板内での加圧力を調整す
ることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3002794A JPH07240010A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3002794A JPH07240010A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240010A true JPH07240010A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12292351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3002794A Withdrawn JPH07240010A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07240010A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6170149B1 (en) | 1996-04-30 | 2001-01-09 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive type magnetic head and method of manufacturing the same and apparatus for polishing the same |
| US7260887B2 (en) | 2004-02-27 | 2007-08-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Apparatus for controlling the lapping of a slider based on an amplitude of a readback signal produced from an externally applied magnetic field |
| US8117736B2 (en) | 2008-12-11 | 2012-02-21 | Tdk Corporation | Method of lapping a magnetic head slider |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP3002794A patent/JPH07240010A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6170149B1 (en) | 1996-04-30 | 2001-01-09 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive type magnetic head and method of manufacturing the same and apparatus for polishing the same |
| US7260887B2 (en) | 2004-02-27 | 2007-08-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Apparatus for controlling the lapping of a slider based on an amplitude of a readback signal produced from an externally applied magnetic field |
| US7386935B2 (en) | 2004-02-27 | 2008-06-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Methods and apparatus for controlling the lapping of a slider based on an amplitude of a readback signal produced from an externally applied magnetic field |
| US7703193B2 (en) | 2004-02-27 | 2010-04-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Methods and apparatus for controlling the lapping of a slider based on an amplitude of a readback signal produced from an externally applied magnetic field |
| US8117736B2 (en) | 2008-12-11 | 2012-02-21 | Tdk Corporation | Method of lapping a magnetic head slider |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |